JPS62142382A - 集積型半導体レ−ザ装置 - Google Patents
集積型半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62142382A JPS62142382A JP24053785A JP24053785A JPS62142382A JP S62142382 A JPS62142382 A JP S62142382A JP 24053785 A JP24053785 A JP 24053785A JP 24053785 A JP24053785 A JP 24053785A JP S62142382 A JPS62142382 A JP S62142382A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｒ産業上の利用分野〕
この発明は、多連導波路を有するイ■積型半導体レーデ
’装置に係り、特にその横モード制御に関するものであ
る。
’装置に係り、特にその横モード制御に関するものであ
る。
第７図（ａ）は、例えば〔人ｍｅｒｃａｎ Ｉｎ５ｔｉ
ｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ［１９８５年１月１５
日発行ｒＡｐｐｌ−Ｐｈｙｓ−Ｌｅｔｔ、Ｊ−４６ｆ２
１． Ｐ１３６〜Ｐ１３８）に示された従来の集積型半
導体レーザ装置であり、図において、（１）はｎ型Ｉｎ
Ｐからなる半導体基板、（２）はこの半導体基板１．１
の一主１石上に設けられたｎ型ＩｎＰからなる下クラ・
フド層、（３）はこの下クラッド層（２）上に設けられ
たＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐがらなろって形成される
導波路、ｆ６１ （ｆ 、Ｉ：泥上クラッドＩｊ′；？
（，１１上に設けられたＰ型ＩｎＧａＡｓＰからなろ埋
込み層、（７）（よこの理込み層（６）上に設けられた
Ｐ側電極、（８１ｉ；を上記半導体基板（１）の−主面
と対向ずろ面１ζ設けられたｎ ｆｌ！ＩＩ電極てあろ
７゜この様に構成された集積型半導体レーザ装置は、Ｐ
側電極（７）に正、ｎ側電極（８）に負の電圧を印加１
−ろと、第７図（ｃ）に示す様な分布を示して埋込み層
（６）及びトクラノド層（４）内を電流が流れろ。この
電流により活性層（３）に注入されたキャリア（よ、放
射再結合により発光し、活性層（３）に沿って導波され
ろ。このときの横方向の導波、ずなわら、半導体基板（
１）主面に対して水平方向の導波は、リッジの存在によ
−、て形成される導波路（５）の等価屈折率（Ｎｃ）の
分布に従うから、第７図（ａ）に於ろ集積型半導体レー
ザ装置に於ては第７図（ｂ）に示す様な等価屈折率（Ｎ
ｅ）の分布に従い、光はリッジによって形成される導波
路（５）直−［；の活性層（３）近傍に閉じ込められた
状態で誘導放出により増幅されつつ、導波路（５）に沿
って往復し、発振に至る。そして、各々の導波路（５）
で形成され発振された導波光は導波路（〔５）を飛び出
したところで互いに結合し、同一波長で一定の位相関係
を保ったモード、すなわら位相同期をしてレーザ光とし
て発振するものである。
ｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ［１９８５年１月１５
日発行ｒＡｐｐｌ−Ｐｈｙｓ−Ｌｅｔｔ、Ｊ−４６ｆ２
１． Ｐ１３６〜Ｐ１３８）に示された従来の集積型半
導体レーザ装置であり、図において、（１）はｎ型Ｉｎ
Ｐからなる半導体基板、（２）はこの半導体基板１．１
の一主１石上に設けられたｎ型ＩｎＰからなる下クラ・
フド層、（３）はこの下クラッド層（２）上に設けられ
たＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐがらなろって形成される
導波路、ｆ６１ （ｆ 、Ｉ：泥上クラッドＩｊ′；？
（，１１上に設けられたＰ型ＩｎＧａＡｓＰからなろ埋
込み層、（７）（よこの理込み層（６）上に設けられた
Ｐ側電極、（８１ｉ；を上記半導体基板（１）の−主面
と対向ずろ面１ζ設けられたｎ ｆｌ！ＩＩ電極てあろ
７゜この様に構成された集積型半導体レーザ装置は、Ｐ
側電極（７）に正、ｎ側電極（８）に負の電圧を印加１
−ろと、第７図（ｃ）に示す様な分布を示して埋込み層
（６）及びトクラノド層（４）内を電流が流れろ。この
電流により活性層（３）に注入されたキャリア（よ、放
射再結合により発光し、活性層（３）に沿って導波され
ろ。このときの横方向の導波、ずなわら、半導体基板（
１）主面に対して水平方向の導波は、リッジの存在によ
−、て形成される導波路（５）の等価屈折率（Ｎｃ）の
分布に従うから、第７図（ａ）に於ろ集積型半導体レー
ザ装置に於ては第７図（ｂ）に示す様な等価屈折率（Ｎ
ｅ）の分布に従い、光はリッジによって形成される導波
路（５）直−［；の活性層（３）近傍に閉じ込められた
状態で誘導放出により増幅されつつ、導波路（５）に沿
って往復し、発振に至る。そして、各々の導波路（５）
で形成され発振された導波光は導波路（〔５）を飛び出
したところで互いに結合し、同一波長で一定の位相関係
を保ったモード、すなわら位相同期をしてレーザ光とし
て発振するものである。
以」二の様に構成された従来の半導体レーザ装置に於て
：ま、３連導波路（５）の水平方向の光強度外ｉ’ｌｊ
が第３図（ａ）の破線で示す１番目のモードすなわち基
本モードと、第３図（ｂ）の破線で示す３番目のモード
とではほとんど差異がなく、従って利得すなわち第７図
（Ｃ）に示す電流分布との市なりで示されろモード利得
においても、上記基本モードと３番目のモードとでは差
異がほとんどないから、水平方向の横モードは基本モー
ドに制御されず、３番目のモードで４発振を生じてしま
い、水平方向の遠視野像は複数のピークを持つ幅の広い
形状となり、実用上部いにくいという問題点があった。
：ま、３連導波路（５）の水平方向の光強度外ｉ’ｌｊ
が第３図（ａ）の破線で示す１番目のモードすなわち基
本モードと、第３図（ｂ）の破線で示す３番目のモード
とではほとんど差異がなく、従って利得すなわち第７図
（Ｃ）に示す電流分布との市なりで示されろモード利得
においても、上記基本モードと３番目のモードとでは差
異がほとんどないから、水平方向の横モードは基本モー
ドに制御されず、３番目のモードで４発振を生じてしま
い、水平方向の遠視野像は複数のピークを持つ幅の広い
形状となり、実用上部いにくいという問題点があった。
この発明は上記の様な問題点を解決ずろためになされた
もので、横モードを基本モードに制御することにより、
単峰性で半値幅の狭い出射ビームを有する集積型半導体
レーザ装置を得ろことを目的とする。
もので、横モードを基本モードに制御することにより、
単峰性で半値幅の狭い出射ビームを有する集積型半導体
レーザ装置を得ろことを目的とする。
この発明（ご係ろ集積型半導体レーザ装置は、複数有る
導波路のうちの特定の導波路の実効的な屈折率を、この
導波路に隣り合う導波路のそれより〔作 用〕 この発明に於ては、特定の導波路の実効的な屈折率を大
きくしているから、導波路の実効的な屈折率により決定
されろ光強度は基準モードに於ては１−記特定の導波路
の部分にピークを有し、その他のモードに於ては、上記
特定の導波路以外の部分にピークを有ずろものであり、
一方り記特定の導波路のみ電流を流しているから、電流
分布（よこの特定の導波路部分にピークを有ずろもので
あり、よって、これら光強度分布と電流分布との重なり
にＬっで決定されろモード利得は、に記その他のモード
に対して基準モードの方が数倍以−にも大きくｌｉろも
のである。
導波路のうちの特定の導波路の実効的な屈折率を、この
導波路に隣り合う導波路のそれより〔作 用〕 この発明に於ては、特定の導波路の実効的な屈折率を大
きくしているから、導波路の実効的な屈折率により決定
されろ光強度は基準モードに於ては１−記特定の導波路
の部分にピークを有し、その他のモードに於ては、上記
特定の導波路以外の部分にピークを有ずろものであり、
一方り記特定の導波路のみ電流を流しているから、電流
分布（よこの特定の導波路部分にピークを有ずろもので
あり、よって、これら光強度分布と電流分布との重なり
にＬっで決定されろモード利得は、に記その他のモード
に対して基準モードの方が数倍以−にも大きくｌｉろも
のである。
［実施例］
１λ下、乙の発明の一実施例を図について説明する。ｌ
第１図（ａ）において（ｌｌｌｌｆ ｎ 厚！ Ｇ ｎ
Ａ ｓがらなろ半導体４．（仮、（＋２） ｔよこの
半導体基（反（１１）の−主面上に設けられｊ：ｎ ”
ｉ！ｊ Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓからなる下クラッド層
、（１３）はこの下クラッド層（１２）上に設けられた
Ｐ型ＡｌＧａＡｓからなる活性層、（１４）はこの活性
層（１３）上に設けられたＰ型ＡｌＧａＡｓからなる上
クラコ読路、（１０はこの第１リツジ（１５）よりも幅
の狭い第２シ リッジによって形成されて上記第１導波路（１５）より
も実効的な屈折率が小さくされた第２導波路、（１７）
は上記上クラッド！ （＋４）上に設けられ、この−Ｌ
クラッドＩＦ７ （１４）の材料となるＰ型のＡ Ｉ
Ｇ ａ ｋ ｓよりＡｌ８１１成比の高いｎ型のＡｌＧ
ａＡｓにより形成された埋込み層、（１Ｂ）は上記＠１
導波路（＋５）上を開口して上記埋込み層（１７）上に
設けられた誘電体膜、（１つ）はこの誘電体膜（＋８）
の開口部から上記埋込み層（＋７）内に拡散され上記第
１導波路（１５）に接続する様に形成されたＰ型拡散領
域、（至）はこのＰ型拡散領域（１つ）に接するように
して上記誘電体膜（１８） Ｊ二に設けられたＰ側電極
、（２）は上記半導体基板Ｑｌの一主面と対向する面に
設けられたｎ＃ｉ電極である。
第１図（ａ）において（ｌｌｌｌｆ ｎ 厚！ Ｇ ｎ
Ａ ｓがらなろ半導体４．（仮、（＋２） ｔよこの
半導体基（反（１１）の−主面上に設けられｊ：ｎ ”
ｉ！ｊ Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓからなる下クラッド層
、（１３）はこの下クラッド層（１２）上に設けられた
Ｐ型ＡｌＧａＡｓからなる活性層、（１４）はこの活性
層（１３）上に設けられたＰ型ＡｌＧａＡｓからなる上
クラコ読路、（１０はこの第１リツジ（１５）よりも幅
の狭い第２シ リッジによって形成されて上記第１導波路（１５）より
も実効的な屈折率が小さくされた第２導波路、（１７）
は上記上クラッド！ （＋４）上に設けられ、この−Ｌ
クラッドＩＦ７ （１４）の材料となるＰ型のＡ Ｉ
Ｇ ａ ｋ ｓよりＡｌ８１１成比の高いｎ型のＡｌＧ
ａＡｓにより形成された埋込み層、（１Ｂ）は上記＠１
導波路（＋５）上を開口して上記埋込み層（１７）上に
設けられた誘電体膜、（１つ）はこの誘電体膜（＋８）
の開口部から上記埋込み層（＋７）内に拡散され上記第
１導波路（１５）に接続する様に形成されたＰ型拡散領
域、（至）はこのＰ型拡散領域（１つ）に接するように
して上記誘電体膜（１８） Ｊ二に設けられたＰ側電極
、（２）は上記半導体基板Ｑｌの一主面と対向する面に
設けられたｎ＃ｉ電極である。
上記の様に構成された集積型半導体レーザ装置に於ては
、Ｐ型拡散領域（１９）が第１導波路（１５）にのみ接
し、第２導波路（１［））には接していないので、Ｐ側
電極（至）に正、ｎ側電極（２）に負の電圧を印加する
と第１図（ｃｌに示す様な分布を示して第１導波路（１
５）にのみ流れ、第２導波路（１Ｇ）に流れ、ｌうとす
る電流は遮断されろものである。従って活性層（１３）
に於ては第１導波Ｆ８ （１ｓ）直下が活性領域となり
、誘電放出にモードでは第２導波路（＋ｅ）で強くなる
から、利得すなわら第１図（ｃ）に示す電流分布との重
なりが大きい基本モードの方が３番目のモードよりもモ
ード利得が数倍以上も大きくなり、従って発振は基本モ
ードで起き、水平方向の出射ビームは狭い弔峰件のもの
となる。
、Ｐ型拡散領域（１９）が第１導波路（１５）にのみ接
し、第２導波路（１［））には接していないので、Ｐ側
電極（至）に正、ｎ側電極（２）に負の電圧を印加する
と第１図（ｃｌに示す様な分布を示して第１導波路（１
５）にのみ流れ、第２導波路（１Ｇ）に流れ、ｌうとす
る電流は遮断されろものである。従って活性層（１３）
に於ては第１導波Ｆ８ （１ｓ）直下が活性領域となり
、誘電放出にモードでは第２導波路（＋ｅ）で強くなる
から、利得すなわら第１図（ｃ）に示す電流分布との重
なりが大きい基本モードの方が３番目のモードよりもモ
ード利得が数倍以上も大きくなり、従って発振は基本モ
ードで起き、水平方向の出射ビームは狭い弔峰件のもの
となる。
また、光が第１導波路（１５）のみならず、この第１導
波路（１５）の両側に設けられた第２導波路（１６）に
も広がるので、その分だけ発光部の面積が拡大され、寝
出力化を図ることができろ６のである。
波路（１５）の両側に設けられた第２導波路（１６）に
も広がるので、その分だけ発光部の面積が拡大され、寝
出力化を図ることができろ６のである。
なお、上記実施例に於ては、第１リツジの幅を第２リツ
ジの幅より広くし、これによって第１導波路（１５）の
実効的な屈折率を第２導波路（１ｃ）の実効的な屈折率
より大きくしたが、第２図（ｕ）に示すように第１リツ
ジの高さを第２す・ソジより高くして第２図（ｂ）の如
く第１リツジの等両局折率（Ｎｅ）を第２リツジの等両
局折率（Ｎｅ）よりも太き（し、第１９ツジによって形
成される第１導波路（１５）の実効的な屈折率を第２リ
ツジに３１って形成されろ第２導彼絡（１０の実効的な
屈折率より大きくしても良い。
ジの幅より広くし、これによって第１導波路（１５）の
実効的な屈折率を第２導波路（１ｃ）の実効的な屈折率
より大きくしたが、第２図（ｕ）に示すように第１リツ
ジの高さを第２す・ソジより高くして第２図（ｂ）の如
く第１リツジの等両局折率（Ｎｅ）を第２リツジの等両
局折率（Ｎｅ）よりも太き（し、第１９ツジによって形
成される第１導波路（１５）の実効的な屈折率を第２リ
ツジに３１って形成されろ第２導彼絡（１０の実効的な
屈折率より大きくしても良い。
また、上記第１図及び第２図の実施例に於ては、第１リ
ツジを２個の第２リツジの間に設けたが、半導体基板（
１１）の主面上の一方の端に第１９ソジを設けろととも
に中央に同一）で複数の第２リツジを設け、それらの第
２リツジによって形成されろ第２導波路の実効的な屈折
率を上記第１リツジから遠ざかるに従い順次小さくする
様にしても良く、具体的には例えば第４図Ｚこ示す様に
Ｐ！Ｆ：！拡散ｊｒ” ｆ１９）接する幅の広い第１リ
ツジを半導体基板（Ｕ）の主面上の一方の端に設け、こ
の第１リツジから遠ざかるに従い順に幅の狭くなる第２
リツジを設ければ良いものである。この様に実効的屈折
率が一方向に１：１α次小さくなる構成とした場合には
基本モードとｎ番目のモードでは光分布が互いに反対側
の端に片寄るのでモード利得の差は史に大きくなり、第
１導波路（１５）を複数の第２導波路（１Ｇ）の間に設
けたものより基本セードの選択性が大きくなるものであ
る。
ツジを２個の第２リツジの間に設けたが、半導体基板（
１１）の主面上の一方の端に第１９ソジを設けろととも
に中央に同一）で複数の第２リツジを設け、それらの第
２リツジによって形成されろ第２導波路の実効的な屈折
率を上記第１リツジから遠ざかるに従い順次小さくする
様にしても良く、具体的には例えば第４図Ｚこ示す様に
Ｐ！Ｆ：！拡散ｊｒ” ｆ１９）接する幅の広い第１リ
ツジを半導体基板（Ｕ）の主面上の一方の端に設け、こ
の第１リツジから遠ざかるに従い順に幅の狭くなる第２
リツジを設ければ良いものである。この様に実効的屈折
率が一方向に１：１α次小さくなる構成とした場合には
基本モードとｎ番目のモードでは光分布が互いに反対側
の端に片寄るのでモード利得の差は史に大きくなり、第
１導波路（１５）を複数の第２導波路（１Ｇ）の間に設
けたものより基本セードの選択性が大きくなるものであ
る。
川に上記実施例に於てＬｔ、３連導波路の場合について
説明したが、導波路の数ｎは幾つでも良く、また実効的
屈折率が最も大きい導波路を１個とし、この導波路にの
み電流全圧す構造を示（７ｔ：が、第５図に示すように
実効的屈折率が大きい複数個の第１ユ、ｑ波路（１５）
に電流を流ずｌ１１′を造としても良い。
説明したが、導波路の数ｎは幾つでも良く、また実効的
屈折率が最も大きい導波路を１個とし、この導波路にの
み電流全圧す構造を示（７ｔ：が、第５図に示すように
実効的屈折率が大きい複数個の第１ユ、ｑ波路（１５）
に電流を流ずｌ１１′を造としても良い。
まｔ：、上記実施例に於てはり、ソンの存在によって形
成されろ導波路の場合について１説明したが、吸収・反
射層の存在により形成されろ導波路であっても良い１．
例えば第６図は、第１．第２図に対応する３辿レーザの
構成例で、（２２）（よ３つのストライブ状の溝を持つ
Ｐ型のＧｎＡｓからなる吸収・反射層であり、これらス
トライブ状の溝のうち、下クラッド層（１２）と半導体
基板（１１）とを接触させろ溝は第１導波路（１５）を
形成し、その他の溝は第２導波路（ＩＣ）を形成するも
のである。（２）はＰ型のＡｌＧａＡｓからなる上クラ
ッド層である。この構造で（よ活性層（１３）と吸収・
反射層（２２）との間隔が充分小さいと、溝部以外の平
坦部では第６図（ｂ）及び第６図（ｄ）に示すように等
両局折率（Ｎｅ）ｌよ低下（７、吸収損失（α）（よ大
きくなる。上記ストライブ状の溝部では等両局折率（Ｎ
ｅｌは平坦部より大きく ’ｙ ’Ｊ、吸収損失（α）
は大幅に減少ずろので、溝部直上の活性層０３）近傍に
導波路Ｑｓ） 、 （＋ｅ）が形成され、特に中央の溝
は幅が広く深いので、この溝によって形成される第１導
波路（１５）の実効的屈折率は一番太き・（〔発明の効
果〕 この発明は以上説明した様に、特定の導波路の実効的な
屈折率を太き（しているから、導波路の実効的な屈折率
により決定されろ光強度は基準モードに於ては１−記特
定の導波路の部分にピークを有し、その他のモードに於
ては、上記特定の導波路以外の部分にピークを有ずろも
のであり、一方上記特定の導波路のみ電流を流している
から、電流分布はこの特定の導波路部分にピークを有す
るものであり、よってこれら光強度分布と電流分布との
重なりによって決定されろモード利得は、−上記その他
のモードに対して基準モードの方が数倍以にに大きくな
り、これによって横モードは基準モードに制御されるか
ら、ｔ）ｉ峰性で半値幅の狭い出射ビームが得られろと
いう効果がある。
成されろ導波路の場合について１説明したが、吸収・反
射層の存在により形成されろ導波路であっても良い１．
例えば第６図は、第１．第２図に対応する３辿レーザの
構成例で、（２２）（よ３つのストライブ状の溝を持つ
Ｐ型のＧｎＡｓからなる吸収・反射層であり、これらス
トライブ状の溝のうち、下クラッド層（１２）と半導体
基板（１１）とを接触させろ溝は第１導波路（１５）を
形成し、その他の溝は第２導波路（ＩＣ）を形成するも
のである。（２）はＰ型のＡｌＧａＡｓからなる上クラ
ッド層である。この構造で（よ活性層（１３）と吸収・
反射層（２２）との間隔が充分小さいと、溝部以外の平
坦部では第６図（ｂ）及び第６図（ｄ）に示すように等
両局折率（Ｎｅ）ｌよ低下（７、吸収損失（α）（よ大
きくなる。上記ストライブ状の溝部では等両局折率（Ｎ
ｅｌは平坦部より大きく ’ｙ ’Ｊ、吸収損失（α）
は大幅に減少ずろので、溝部直上の活性層０３）近傍に
導波路Ｑｓ） 、 （＋ｅ）が形成され、特に中央の溝
は幅が広く深いので、この溝によって形成される第１導
波路（１５）の実効的屈折率は一番太き・（〔発明の効
果〕 この発明は以上説明した様に、特定の導波路の実効的な
屈折率を太き（しているから、導波路の実効的な屈折率
により決定されろ光強度は基準モードに於ては１−記特
定の導波路の部分にピークを有し、その他のモードに於
ては、上記特定の導波路以外の部分にピークを有ずろも
のであり、一方上記特定の導波路のみ電流を流している
から、電流分布はこの特定の導波路部分にピークを有す
るものであり、よってこれら光強度分布と電流分布との
重なりによって決定されろモード利得は、−上記その他
のモードに対して基準モードの方が数倍以にに大きくな
り、これによって横モードは基準モードに制御されるか
ら、ｔ）ｉ峰性で半値幅の狭い出射ビームが得られろと
いう効果がある。
第１図（ａ）ないし第１図（Ｃ）ばこの発明の第１の実
施例を示す図で、第１図（ａ）は集積型半導体レーザ装
置の断面図、第１図Ｑ＞） ｆよ第１図（，１）に於る
集積型半導体レーザ装置の等偏屈折率（Ｎｅ）の分布図
、積型半導体レーザ装置の断面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）に於ろ集積型半導体レーザ装置の等偏屈折率（
Ｎｅ）の分布図、第２図（Ｃ）は第２図（ａ）に於ろ集
積型半導体レーザ装置の電流分布図、第３図（ａ）（よ
基準モードに於ろ光強度の分布図、第３図（ｂ）は３番
目のモードに於る光強度の分布図、第４図（ａ）ないし
第４図（Ｃ）（よこの発明の第３の実施例を示す図で、
第４図（ａ）は集積型半導体し・−ザ装置の断面図、第
４図（ｂ）は第４図（ａ）に於る集積型半導体レーザ装
置の等偏屈折率（Ｎｅ）の分布図、第４図（Ｃ）は第４
図（ａ）に於ろ集積型半導体レーザ装置の電流分布図、
第５図（ａ）ないし第５図（Ｃ）はこの発明の第４の実
施例を示す図で、第５図（ａ）は集積型半導体レーザ装
置の断面図、第５図（ｂ）（よ第５図（ａ）に於る集積
型半導体に一ザ装置の等偏屈折率（Ｎｅ）の分布図、第
５図（ｃ）は第５図（ｎ）に於ろ集積型半導体レーサ装
；ρの電流分布図、第６図（ａ）ないし第６図（ｄ）は
この発明の第５の実施例を示す図で、第６図（ａ）は集
積型半導体レーザ装置の断面図、第６図（ｂ）は第６図
（ａ）にｈ＋、ろＤＡ ｖｉ”ｉ！’、半導体レーザ装
置の等両局近来の集積型半導体レーサＪＡ装置を示す図
で、第７図（闇はその断１ｆｉ図、）１７図（ｂ）は第
７図（ｎｌに於ろ集積１（、＋１４４導体し−ザ装置の
等偏屈折率（Ｎｅｌの分布図、第７図（ｃ）は第７図（
ａ）に於ろ集積型半導体レーザ装置の電す化分布図であ
る。 図にｔ、ｓいて、山）は半導体基板、（＋３１ Ｌｔ活
性１１イ、（１５）Ｌ、を特定の導波路、（１ｃ）は特
定の導波Ｉ８（＋ｓｌに隣り合う導〆皮路である。 なお、各図中同一符号は、同一または相当部分を示すも
のである。。 出願人 工業技術院長 等々力 達 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 手 続 補 正 書（自発） 昭和ρ′年、７月７・７日
施例を示す図で、第１図（ａ）は集積型半導体レーザ装
置の断面図、第１図Ｑ＞） ｆよ第１図（，１）に於る
集積型半導体レーザ装置の等偏屈折率（Ｎｅ）の分布図
、積型半導体レーザ装置の断面図、第２図（ｂ）は第２
図（ａ）に於ろ集積型半導体レーザ装置の等偏屈折率（
Ｎｅ）の分布図、第２図（Ｃ）は第２図（ａ）に於ろ集
積型半導体レーザ装置の電流分布図、第３図（ａ）（よ
基準モードに於ろ光強度の分布図、第３図（ｂ）は３番
目のモードに於る光強度の分布図、第４図（ａ）ないし
第４図（Ｃ）（よこの発明の第３の実施例を示す図で、
第４図（ａ）は集積型半導体し・−ザ装置の断面図、第
４図（ｂ）は第４図（ａ）に於る集積型半導体レーザ装
置の等偏屈折率（Ｎｅ）の分布図、第４図（Ｃ）は第４
図（ａ）に於ろ集積型半導体レーザ装置の電流分布図、
第５図（ａ）ないし第５図（Ｃ）はこの発明の第４の実
施例を示す図で、第５図（ａ）は集積型半導体レーザ装
置の断面図、第５図（ｂ）（よ第５図（ａ）に於る集積
型半導体に一ザ装置の等偏屈折率（Ｎｅ）の分布図、第
５図（ｃ）は第５図（ｎ）に於ろ集積型半導体レーサ装
；ρの電流分布図、第６図（ａ）ないし第６図（ｄ）は
この発明の第５の実施例を示す図で、第６図（ａ）は集
積型半導体レーザ装置の断面図、第６図（ｂ）は第６図
（ａ）にｈ＋、ろＤＡ ｖｉ”ｉ！’、半導体レーザ装
置の等両局近来の集積型半導体レーサＪＡ装置を示す図
で、第７図（闇はその断１ｆｉ図、）１７図（ｂ）は第
７図（ｎｌに於ろ集積１（、＋１４４導体し−ザ装置の
等偏屈折率（Ｎｅｌの分布図、第７図（ｃ）は第７図（
ａ）に於ろ集積型半導体レーザ装置の電す化分布図であ
る。 図にｔ、ｓいて、山）は半導体基板、（＋３１ Ｌｔ活
性１１イ、（１５）Ｌ、を特定の導波路、（１ｃ）は特
定の導波Ｉ８（＋ｓｌに隣り合う導〆皮路である。 なお、各図中同一符号は、同一または相当部分を示すも
のである。。 出願人 工業技術院長 等々力 達 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 手 続 補 正 書（自発） 昭和ρ′年、７月７・７日
Claims (3)
- （１）半導体基板上の活性層に隣接して形成された複数
個の導波路を有する集積型半導体レーザ装置において、
特定の導波路の実効的な屈折率をこの導波路に隣り合う
導波路のそれよりも大きく形成し、上記特定の導波路の
みに電流を流すようにしたことを特徴とする集積型半導
体レーザ装置。 - （２）特定の導波路は隣り合う導波路よりも幅が広いこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集積型半導
体レーザ装置。 - （３）特定の導波路は隣り合う導波路よりも等価屈折率
が高いことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の集
積型半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24053785A JPS62142382A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 集積型半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24053785A JPS62142382A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 集積型半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142382A true JPS62142382A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17061006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24053785A Pending JPS62142382A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 集積型半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142382A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016683A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| WO2019058780A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2021141293A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113294A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24053785A patent/JPS62142382A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113294A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008016683A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
| WO2019058780A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2019-03-28 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JPWO2019058780A1 (ja) * | 2017-09-25 | 2020-11-05 | パナソニック株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2021141293A (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子 |
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