JPS62143481A - アモルフアスシリコン太陽電池基板 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池基板Info
- Publication number
- JPS62143481A JPS62143481A JP60284580A JP28458085A JPS62143481A JP S62143481 A JPS62143481 A JP S62143481A JP 60284580 A JP60284580 A JP 60284580A JP 28458085 A JP28458085 A JP 28458085A JP S62143481 A JPS62143481 A JP S62143481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- solar cell
- layer
- stainless steel
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表面にアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと
略記する）を蒸着して太陽電池にするステンレス鋼板製
太陽電池基板において、表面に微細な凹凸をＮｉめっき
により均一に形成して、ａ−Ｓｉを蒸着したとき入射光
がａ−Ｓｉ層表面で多重反射するようにして、エネルギ
ー変換率が向上するようにした基板に関する。
略記する）を蒸着して太陽電池にするステンレス鋼板製
太陽電池基板において、表面に微細な凹凸をＮｉめっき
により均一に形成して、ａ−Ｓｉを蒸着したとき入射光
がａ−Ｓｉ層表面で多重反射するようにして、エネルギ
ー変換率が向上するようにした基板に関する。
（従来技術）
従来よりａ−Ｓｉ太陽電池基板にはプラス製の基板とス
テンレス鋼板製の基板とが使用されているが、基板は表
面に１μｍ以内の薄いａ−ＳｉＭを蒸着により均一かつ
連続的に形成できなければならないので、い、ずれも表
面が極めて平滑なものが使用されていた。
テンレス鋼板製の基板とが使用されているが、基板は表
面に１μｍ以内の薄いａ−ＳｉＭを蒸着により均一かつ
連続的に形成できなければならないので、い、ずれも表
面が極めて平滑なものが使用されていた。
しかし表面が平滑であると、蒸着により表面にａ−Ｓｉ
層を形成しても、ａ−ＳｉＭ表面も平滑になるため、入
射光はその表面で１次反射しただけで、そのまま外部に
反射されていってしまうため、入射光を有効に活用でき
ず、エネルギー変換効率を向上させるには限界があった
。
層を形成しても、ａ−ＳｉＭ表面も平滑になるため、入
射光はその表面で１次反射しただけで、そのまま外部に
反射されていってしまうため、入射光を有効に活用でき
ず、エネルギー変換効率を向上させるには限界があった
。
（発明が解決しようとする問題点）
そこで本発明では表面にａ−Ｓｉを蒸着した場合、入射
光を有効に利泪してエネルギー変換効率を高めることが
できるステンレス鋼板製の基板を提供するものである。
光を有効に利泪してエネルギー変換効率を高めることが
できるステンレス鋼板製の基板を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは基板を改善することによりａ−Ｓｉ太陽電
池のエネルギー変換効率を向上させる方法について種々
検討した結果、基板表面に凹凸を形成すれば、ａ−Ｓｉ
ｌもその凹凸に沿って形成されるので、ａ−Ｓｉ層も凹
凸になり、その結果入射光はａ−３ｉ層表面で多重反射
して、太陽電池のエネルギー変換効率を向上させること
を案出したのである。
池のエネルギー変換効率を向上させる方法について種々
検討した結果、基板表面に凹凸を形成すれば、ａ−Ｓｉ
ｌもその凹凸に沿って形成されるので、ａ−Ｓｉ層も凹
凸になり、その結果入射光はａ−３ｉ層表面で多重反射
して、太陽電池のエネルギー変換効率を向上させること
を案出したのである。
ところでステンレス鋼板表面に凹凸を形成する方法とし
ては、電解エツチング法と機械研摩法とが従来使用され
ているが、電解エツチング法によると、鋼中に介在物が
存在する場合、介在物が優先的に溶解されたり、脱落し
たりして、無数の不定形ピットが形成され、凹凸が均一
にならず、かつ炭化物のスマットも付着して、表面が汚
れてしようらのであった。また機械研摩法によると、凹
凸が研摩剤粒度の混合割合や研摩圧力により変化してし
まい、凹凸が均一でなく、しかも小さい粒度の研摩剤を
使用するにも限界があるため、あまり微細にすることが
できないものであった。
ては、電解エツチング法と機械研摩法とが従来使用され
ているが、電解エツチング法によると、鋼中に介在物が
存在する場合、介在物が優先的に溶解されたり、脱落し
たりして、無数の不定形ピットが形成され、凹凸が均一
にならず、かつ炭化物のスマットも付着して、表面が汚
れてしようらのであった。また機械研摩法によると、凹
凸が研摩剤粒度の混合割合や研摩圧力により変化してし
まい、凹凸が均一でなく、しかも小さい粒度の研摩剤を
使用するにも限界があるため、あまり微細にすることが
できないものであった。
そこで本発明者らは発想を変えて、ステンレス鋼板に電
気めっきを施す方法の使用を試みたのである。すなわち
ステンレス鋼板にめっき層表面が粗くなるめっきを施せ
ば、基板表面に微細な凹凸が均一に形成されるのではな
いがと推定したのである。本発明者らはかかる推定のも
とに種々の金属をステン・レス鋼板に電気めっきして検
討した結果、無光７３ Ｎ ｉめっきを施すと目的の凹
凸を有する基板が得られることを見出したのである。し
かしＮｉめっき基板についてａ−Ｓｉ蒸着までの保管を
想定して保管試験を行ったところ、めっき層表面が酸化
されて、ａ−Ｓｉ蒸着の際ａ−Ｓｉ屑の密着性が劣るよ
うになる場合があることが判明した。そこでＮｉめっき
層表面の酸化を防止する方法について種々検討した結果
、電気Ｃｒめっきを薄く施せばよいことを見出したので
ある。
気めっきを施す方法の使用を試みたのである。すなわち
ステンレス鋼板にめっき層表面が粗くなるめっきを施せ
ば、基板表面に微細な凹凸が均一に形成されるのではな
いがと推定したのである。本発明者らはかかる推定のも
とに種々の金属をステン・レス鋼板に電気めっきして検
討した結果、無光７３ Ｎ ｉめっきを施すと目的の凹
凸を有する基板が得られることを見出したのである。し
かしＮｉめっき基板についてａ−Ｓｉ蒸着までの保管を
想定して保管試験を行ったところ、めっき層表面が酸化
されて、ａ−Ｓｉ蒸着の際ａ−Ｓｉ屑の密着性が劣るよ
うになる場合があることが判明した。そこでＮｉめっき
層表面の酸化を防止する方法について種々検討した結果
、電気Ｃｒめっきを薄く施せばよいことを見出したので
ある。
かくして本発明はステンレス鋼板の表面に片面当り４〜
５０９７ｓ２の電気旧めっ外が施され、めっき層表面の
旧電析粒の大きさが０．０１〜１．５μｍの範囲に、ま
た表面粗さがＲｗａｘで０．０１〜０．６μｍの範囲に
なっていることを特徴とするアモルファスシリコン太陽
電池基板およびこの基板の旧めっき層表面に片面当り０
．０７〜４．０９／ｍ２の電気Ｃｒめっきが施されたア
モルファスシリコン太陽電池基板を提供するものである
。
５０９７ｓ２の電気旧めっ外が施され、めっき層表面の
旧電析粒の大きさが０．０１〜１．５μｍの範囲に、ま
た表面粗さがＲｗａｘで０．０１〜０．６μｍの範囲に
なっていることを特徴とするアモルファスシリコン太陽
電池基板およびこの基板の旧めっき層表面に片面当り０
．０７〜４．０９／ｍ２の電気Ｃｒめっきが施されたア
モルファスシリコン太陽電池基板を提供するものである
。
添付図面は本発明に係る基板にａ−５ｉ層を形成したも
ののの断面図を示したもので、１がステンレス鋼板、２
がこのステンレス鋼板１の表面に電気めっきしたＮｉめ
っき層で、表面が凹凸になっている。このように凹凸が
形成されたＮｉめっき層２の表面にａ−Ｓｉを蒸着する
と、ａ−Ｓｉ層３がその凹凸に沿って形成される。従っ
て入射光はａ−Ｓｉ層３の表面で多重反射し、エネルギ
ー変換効率は向上する。尚本発明の場合、ステンレス鋼
板１の鋼種は特に問わない。またＮｉめっきＪｖＩ２は
若干の不純物や異種金属を含んでいても問題ない。
ののの断面図を示したもので、１がステンレス鋼板、２
がこのステンレス鋼板１の表面に電気めっきしたＮｉめ
っき層で、表面が凹凸になっている。このように凹凸が
形成されたＮｉめっき層２の表面にａ−Ｓｉを蒸着する
と、ａ−Ｓｉ層３がその凹凸に沿って形成される。従っ
て入射光はａ−Ｓｉ層３の表面で多重反射し、エネルギ
ー変換効率は向上する。尚本発明の場合、ステンレス鋼
板１の鋼種は特に問わない。またＮｉめっきＪｖＩ２は
若干の不純物や異種金属を含んでいても問題ない。
本発明において、Ｎｉめっき層表面の旧電析粒の大きさ
を０．０１〜１．５μｍの範囲にしたのは、０．０１μ
ｍ未満であると表面を凹凸にする効果が小さく、また１
、５μ鵜を越えると電析粒の細かいものと大きいものと
が極端に混在し、表面粗さが均一にならないからである
。
を０．０１〜１．５μｍの範囲にしたのは、０．０１μ
ｍ未満であると表面を凹凸にする効果が小さく、また１
、５μ鵜を越えると電析粒の細かいものと大きいものと
が極端に混在し、表面粗さが均一にならないからである
。
また表面粗さをＲＩＩＩａｘで０．０１〜０．８μｍの
範囲にしたのは、表面粗さが０．０１μ１未満であると
凹凸が小さすぎて、蒸着ａ−Ｓｉ層表面が入射光が多重
反射する程門凸にならないためと考えられるが、エネル
ギー変換効率改善効果が認められず、表面粗さが０．６
μｍを越えると電析粒の混粒と相俟て表面形状が複雑に
なり、均一な厚みのａ−Ｓｉ蒸着層が連続的に形成され
ないためと考えられるが、表面粗さが０．０１μｍ未満
の場合と同様にエネルギー変換効率改善効果が認められ
ないからである。
範囲にしたのは、表面粗さが０．０１μ１未満であると
凹凸が小さすぎて、蒸着ａ−Ｓｉ層表面が入射光が多重
反射する程門凸にならないためと考えられるが、エネル
ギー変換効率改善効果が認められず、表面粗さが０．６
μｍを越えると電析粒の混粒と相俟て表面形状が複雑に
なり、均一な厚みのａ−Ｓｉ蒸着層が連続的に形成され
ないためと考えられるが、表面粗さが０．０１μｍ未満
の場合と同様にエネルギー変換効率改善効果が認められ
ないからである。
さらにめっき付着量を片面邑り４〜５０９ ／ＩＩ＋２
にしたのは、めっき付着量が電析粒の大きさく表面粗さ
）に影響を与え、４９７ｍ２未満であると電軒粒の大き
さおよび表面粗さをともに０．０１μｍ以上にすること
ができず、５０９／ｌ１１２を越えると電析粒の混粒程
度が大きくなり、かつ５０９／ｍ２あれば電析粒の大き
さおより表面粗さをそれぞれ上限の１．５μｍおよび０
．６μｍにすることができるからである。
にしたのは、めっき付着量が電析粒の大きさく表面粗さ
）に影響を与え、４９７ｍ２未満であると電軒粒の大き
さおよび表面粗さをともに０．０１μｍ以上にすること
ができず、５０９／ｌ１１２を越えると電析粒の混粒程
度が大きくなり、かつ５０９／ｍ２あれば電析粒の大き
さおより表面粗さをそれぞれ上限の１．５μｍおよび０
．６μｍにすることができるからである。
ａ−Ｓｉ太陽電池基板は通常ａ−Ｓｉの蒸着を行うまで
ある程度の期間保管される。この保管を想定してＮｉめ
っきのまま保管試験を行い、その後ａ−Ｓｉの蒸着を行
ったところａ−Ｓｉの密着不良が生じるものがあった。
ある程度の期間保管される。この保管を想定してＮｉめ
っきのまま保管試験を行い、その後ａ−Ｓｉの蒸着を行
ったところａ−Ｓｉの密着不良が生じるものがあった。
これは保管中にめっき層表面が酸化され、生じた酸化皮
膜がａ−Ｓｉ蒸着の際蒸着雰囲気中の１４２がスにより
還元されてガスが発生し、ａ−５ｉ層の密着性を低下さ
せるためであると推定される。このＮｉめっき層表面の
酸化を防止するのにはＣｒめっきが有効で、Ｃｒを片面
当り０．０７〜４．０９／１２電気めっきすればよい。
膜がａ−Ｓｉ蒸着の際蒸着雰囲気中の１４２がスにより
還元されてガスが発生し、ａ−５ｉ層の密着性を低下さ
せるためであると推定される。このＮｉめっき層表面の
酸化を防止するのにはＣｒめっきが有効で、Ｃｒを片面
当り０．０７〜４．０９／１２電気めっきすればよい。
ここでＣｒめっさ付着量が０．０７９７＋ｎ２未満であ
ると旧めっき層を完全に被覆することができないため、
酸化を防止することができず、またＣｒめっき付着量が
４．０９７ＩＩ１２を越えると、Ｃｒめっき層にクラッ
クが発生しやすくなり、その結果連続したａ−３ｉｌの
形成が困難になるためと思われるが、電池特性を損なう
。
ると旧めっき層を完全に被覆することができないため、
酸化を防止することができず、またＣｒめっき付着量が
４．０９７ＩＩ１２を越えると、Ｃｒめっき層にクラッ
クが発生しやすくなり、その結果連続したａ−３ｉｌの
形成が困難になるためと思われるが、電池特性を損なう
。
以下実施例により本発明を説明する。
（実施例）
ブライト仕上げの５ＩＪＳ４３０ステンレス鋼板（０，
２ｔ×１００阿Ｘ１０Ｘ１００Ｌに通常のＮｉめっき前
処理（脱脂→酸洗→電解還元→旧ストライクめっき）を
施した後、第１表に示す条件で旧めっきまたは旧めっき
とＣｒめっきを施し、その後超音波場水洗した。水洗後
は試料を十分乾燥して第２表に示す条件でプラズマＣＶ
、Ｄ法によりａ−Ｓｉ層を形成し、エネルギー変換効率
を測定した。なおエネルギー変換効率の測定は予めａ−
Ｓｉ層上に透明電導性膜（１０００Ａ程度）を被覆した
ものを被測定用サンプルに用い、入射エネルギーが１０
０１１１１／ｅｌ１２の光源にて入射光をＡ、Ｍ、１．
５にして行った。第１表にめっき層表面の形態とともに
エネルギー変換効率を示す。なお第１表の比較例１は旧
めっきを施さない従来の表面が平滑なステンレス鋼板製
基板である。
２ｔ×１００阿Ｘ１０Ｘ１００Ｌに通常のＮｉめっき前
処理（脱脂→酸洗→電解還元→旧ストライクめっき）を
施した後、第１表に示す条件で旧めっきまたは旧めっき
とＣｒめっきを施し、その後超音波場水洗した。水洗後
は試料を十分乾燥して第２表に示す条件でプラズマＣＶ
、Ｄ法によりａ−Ｓｉ層を形成し、エネルギー変換効率
を測定した。なおエネルギー変換効率の測定は予めａ−
Ｓｉ層上に透明電導性膜（１０００Ａ程度）を被覆した
ものを被測定用サンプルに用い、入射エネルギーが１０
０１１１１／ｅｌ１２の光源にて入射光をＡ、Ｍ、１．
５にして行った。第１表にめっき層表面の形態とともに
エネルギー変換効率を示す。なお第１表の比較例１は旧
めっきを施さない従来の表面が平滑なステンレス鋼板製
基板である。
第１表に示すごとく、本発明の基板は従来のものよりエ
ネルギー変換効率が５〜１８％向上する。
ネルギー変換効率が５〜１８％向上する。
（効果）
以上のごとく、本発明のステンレス製ａ−Ｓｉ太陽電池
基板はＮｉめっきにより表面に凹凸を形成したちのであ
るので、凹凸は均一であり、製造の際表面汚れも発生し
ない。
基板はＮｉめっきにより表面に凹凸を形成したちのであ
るので、凹凸は均一であり、製造の際表面汚れも発生し
ない。
添付図面は本発明の基板にａ−Ｓｉ層（ｌを形成したも
のの断面図である。 １・・・ステンレス鋼板、２・・・Ｎｉめっき層、３・
・・ａ−Ｓｉ層
のの断面図である。 １・・・ステンレス鋼板、２・・・Ｎｉめっき層、３・
・・ａ−Ｓｉ層
Claims (2)
- （１）ステンレス鋼板の表面に片面当り４〜５０ｇ／ｍ
＾２の電気Ｎｉめっきが施され、めっき層表面のＮｉ電
析粒の大きさが０．０１〜１．５μｍの範囲に、また表
面粗さがＲｍａｘで０．０１〜０．６μｍの範囲になっ
ていることを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池
基板。 - （２）ステンレス鋼板の表面に片面当り４〜５０ｇ／ｍ
＾２の電気Ｎｉめっきが施され、さらにその上に片面当
り０．０７〜４．０ｇ／ｍ＾２の電気Ｃｒめっきが施さ
れていて、Ｎｉめっき層表面のＮｉ電析粒の大きさが０
．０１〜１．５μｍの範囲に、また表面粗さがＲｍａｘ
で０．０１〜０．６μｍの範囲になっていることを特徴
とするアモルファスシリコン太陽電池基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284580A JPS62143481A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284580A JPS62143481A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143481A true JPS62143481A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0564870B2 JPH0564870B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=17680300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60284580A Granted JPS62143481A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | アモルフアスシリコン太陽電池基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986205A (en) * | 1996-09-05 | 1999-11-16 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Stainless steel sheet and a substrate for a solar cell and manufacturing method thereof |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160179A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池基板用母板 |
| JPS60160180A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池基板用母板 |
| JPS60224283A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜電池用金属基板材 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60284580A patent/JPS62143481A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160179A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池基板用母板 |
| JPS60160180A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池基板用母板 |
| JPS60224283A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜電池用金属基板材 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5986205A (en) * | 1996-09-05 | 1999-11-16 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Stainless steel sheet and a substrate for a solar cell and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564870B2 (ja) | 1993-09-16 |
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