JPS62143814A - クロロシランの製造方法 - Google Patents

クロロシランの製造方法

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JPS62143814A
JPS62143814A JP28302485A JP28302485A JPS62143814A JP S62143814 A JPS62143814 A JP S62143814A JP 28302485 A JP28302485 A JP 28302485A JP 28302485 A JP28302485 A JP 28302485A JP S62143814 A JPS62143814 A JP S62143814A
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JP
Japan
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silicon
chlorosilane
particles
products
average particle
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Application number
JP28302485A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Ikeda
洋 池田
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Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はシリコンを塩素化してポリクロロシランを製造
する方法に関する。
近年、エレクトロニクス工業の発展に伴い、多結晶シリ
コンあるいはアモルファスシリコン等の半導体用シリコ
ンの需要が急激に増大・して居り、ポリクロロシランは
、かかる半導体シリコンの製造原料として最近特にその
重要性を増している。
ポリクロロシランはそのまま熱分解してエピタキシャル
シリコン等とする事も勿論出来るが、ゲルマニウムドー
プ率の高い光通信用シリカ源としても用いられる。また
クロロシランはさらに還元して(JT)式で表わされる
シランとし、5inHzn+z    (n≧:3) 
    (II)これを熱分解等して半導体用シリコン
やアモルファスシリコンを製造する事が普通である。例
えばジシラン、5i2IIG は、熱分解、グロー放電
分解によりアモルファスシリコン膜を形成する場合、モ
ノシラン、5il14に比較して、基板上へ形成される
1漠の堆積速度がはるかに大きく、且つ、該膜は電気特
性に優れている等の利点があり、太陽電池用半導体の原
料として今後大幅な需要増加が期待されている。
〔従来の技術〕
従来クロロポリシランは、カルシウムシリコン、マグネ
シウムシリコン、あるいはフェロシリコン等金属とシリ
コンとの合金またはシリコンの粒子を加熱して塩素ガス
を送り込み塩素化反応によって得られている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来方法でクロロシランを製造する場合、塩化カルシウ
ム、塩化マグネシウム等の固体の副生物が生成する為、
商用製造方法として固体の副生物が発生しない方法が望
まれている。
また、シリコン粒と塩素との反応では固体の副生物の発
生は認められないが1合金を用いた方法に比ベグロロシ
ランの生成率がシリコン原子基準で1%未満と著しく低
くここに問題がある。
〔問題点の解決に係わる着眼点、知見〕本発明者はシリ
コンと塩素の反応に依る固体の副生物が生成せず、かつ
、収率の高いクロロポリシランの製造方法を提供す可く
検討した結果、シリコンの表面は非常に速かに酸化され
るために一般にシリコン表面は酸化皮膜で覆われており
、且つ酸化皮膜が一旦生成すると反応性に乏しくなる為
にシリコンと塩素との反応に於いてクロロシランの収率
が著しく低い事を見出し本発明に到達した。
〔発明の構成〕
本発明によれば、シリコン粒子を不活性有機溶媒中で粉
砕し、該粉砕粒子を高温で塩素化することからなるクロ
ロシラン(SinC1z n+zただしn≧3)の製造
方法が提供される。
この方法によれば従来より低温で反応させて高収率でク
ロロシランを得ることができる。これは不活性溶媒を用
いた粉砕の為、シリコン粒の表面が酸化される事なく常
に新しい面が保持され活性が高くなるからである。
本発明に依り従来シリコン原子基準で1%未満のクロロ
シラン回収率が、30%以上に向上された。
本発明の方法において使用されるシリコンは可及的に高
純度である方が固形副生物の生成量が少ない。純度はこ
のことを考慮して決定される問題であるが、97%以上
が望ましい。
本発明方法において、シリコン粒の平均粒径は50μm
以上2mm以下が望ましく、塩素化は140℃以上30
0℃以下で行なう事が望ましい。シリコン粒の平均粒径
が211II11より大きいと活性に乏しくクロロシラ
ンの生成率が下がり、好ましくな(,50μmより小さ
いと反応中に粉塵が発生しやはり好ましくない。また、
塩素化の温度が140℃より低いと反応速度が遅すぎて
不適当であり、300℃を超えるとクロロシランの生成
率が低下しやはり不適当である。
本発明における不活性有機溶媒とはシリコンと反応しな
い溶媒であって特に限定はしないが粉砕過程での蒸発が
少なく、且つ塩素化反応の前に該シリコン粒との分離を
行う為に成る程度の蒸気圧を持っている事が必要である
、との観点からドデカン、ノナン、オクタン、トルエン
等の不活性な炭化水素や四塩化炭素、テトラクロロエチ
レン。
トリクロロエチレンのような塩素化炭化水素が挙げられ
る。
〔発明の効果〕
本発明に依り、カルシウムとシリコンの合金の塩素化反
応等の際には避けられなかった固□体の副生物の発生が
なく、また合金を調整する工程も省く事が可能である、
シリコンの塩素化反応に依りクロロシランを高収率で得
る事ができる。
次に本発明を実施例によってより具体的に説明するが、
以下の実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
〔実施例〕
実施例1゜ 純度97.5%のシリコン50gにドデカン50mQを
加え鉄乳鉢を用いて平均粒径が300μmになるまで粉
砕を行い内径2cmのガラス製反応管に充填した。
300℃に加熱して残存しているドデカンを除去した後
200℃に降温、塩素ガスを50mQ/分の速度で導入
し20時間反応させた。生成物を凝縮液として捕集し、
ガスクロマトグラフにより分析したところ5iC14,
Si、C1,t Si、C1,の量はそれぞれ61g、
 82g。
55gであった。
実施例2゜ 同じシリコン1kgにトルエン1.2Mを加え平均粒径
が400μIになるまで粉砕を行い内径1Oalのガラ
ス製反応管に充填した。250℃に加熱して残存してい
るトルエンを除去した後、200℃に降温、塩素ガスを
1.30 /分の速度で導入し20時間反応させた。生
成物を凝縮液として捕集し、ガスクロマトグラフにより
分析したところ5iC14,SL、C1,。
5i3C111の量はそれぞれ1.3kg、 1.5k
g、 1.1kgであった・ 比較例1 同じシリコン1kgを空気中で粉砕して平均粒径300
μmとした以外は、実施例1と同様に塩素化反応を実施
したが、クロロシランは実質的に生成しなかった。
実施例3〜5.参考例1゜ シリコン粒子の粒径を変えた他は実施例1と同様の試験
を行った。結果は表1の通りである。
表1 実施例6〜8.比較例1〜2 塩素化反応の温度を変えた他は実施例1と同様の試験を
行った。結果は表2の通りである。
実施例9 ドデカンのかわりにトリクロロエチレンを使用して実施
例1を繰り返した。
5iC14,5i2C1,、5i3CI、の収量はそれ
ぞれ569.749,499 であった。
実施例10 ドデカンのかわりに四塩化炭素を使用して実施例1を繰
り返した。
5iC1,、Si、C1,、Si、C1゜の収量はそれ
ぞれ589.72g、46.!7であった。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、シリコン粒子を不活性有機溶媒中で粉砕し、該粉砕
    粒子を高温で塩素化することからなるクロロシラン(S
    i_nCl_2_n_+_2ただしn≧3)の製造方法
    。 2、不活性有機溶媒が、ドデカン、ノナン、オクタン、
    トルエン、四塩化炭素、テトラクロロエチレン、トリク
    ロロエチレンからなる群から選ばれる少なくとも1物質
    である特許請求の範囲第1項に記載の方法。 3、シリコン粒子の平均粒径が50μm以上2mm以下
    である特許請求の範囲第1項に記載の方法。 4、シリコン粒子の平均粒径が200μm以上800μ
    m以下である特許請求の範囲第3項に記載の方法。 5、塩素化の反応温度が140℃以上300℃以下であ
    る特許請求の範囲第1項に記載の方法。 6、塩素化の反応温度が160℃以上260℃以下であ
    る特許請求の範囲第5項に記載の方法。
JP28302485A 1985-12-18 1985-12-18 クロロシランの製造方法 Pending JPS62143814A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8147656B2 (en) 2005-05-25 2012-04-03 Spawnt Private S.A.R.L. Method for the production of silicon from silyl halides
US8177943B2 (en) 2006-09-14 2012-05-15 Spawnt Private S.A.R.L. Solid polysilane mixtures

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8147656B2 (en) 2005-05-25 2012-04-03 Spawnt Private S.A.R.L. Method for the production of silicon from silyl halides
US9382122B2 (en) 2005-05-25 2016-07-05 Spawnt Private S.À.R.L. Method for the production of silicon from silyl halides
US8177943B2 (en) 2006-09-14 2012-05-15 Spawnt Private S.A.R.L. Solid polysilane mixtures

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