JPS62143917A - 電子部品封止用樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子部品の封止用樹脂組成物に関する。

半導体素子等の電子部品は、非常に精密なものであり、
外部の物体との接触や外部の湿気等によりその機能が低
下する場合があり、このため通常樹脂類を用いて封止し
て用いられることが多い。

このような目的の電子部品封止用樹脂としては、一般に
エポキシ樹脂が使用されているが、通常エポキシ樹脂は
、１５０°Ｃ以上、７０　ｋｇ／Ｃｍ２　　以上という
高温、高圧で成形することを要するので、超ＬＳＩなど
の大麿素子では、ワイヤー変形を起こし易いという問題
点がある。また、エポキシ樹脂では、通常、タブレット
化した組成物を予熱した後成形を行なうことが必要であ
り、成形作業が多くなるという欠点がある。

本発明者は、上述した如き従来技術の問題点に鑑みて、
繁雑な工程を要することなく、低温低圧で電子部品の樹
脂封止ができ、かつ信頼性の高い電子部品封止用樹脂組
成物を得るべく鋭意研究を重ねてきた。その結果、従来
電子部品の封止の目的では使用されることのなかったエ
ポキシアクリレート系樹脂組成物のうち、特定の条件を
満足するものを使用することにより、所期の［」的が達
成されることを見出し、ここに本発明を完成した。

即ち、本発明は、 ａ）塩素イオン５　ｐｐｍ以下及びナトリウムイオン５
　ｐｐｍ以下のエポキシアクリレート１００重量部、 ｂ）過酸化物系触媒及びアゾビス系触媒の少なくとも１
種０．１〜１’０′Ｍ量部、 Ｃ）フィラー１０〜６００重量部、 ｄ）離型剤０．１〜５重量部、及び ｅ）シラン系カップリング剤０．１〜５重量部を含有す
ることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物に係るも
のである。

本発明では、樹脂分として、常温で液状のエポキシアク
リレートであって、塩素イオン５　ｐｐｍ以下、ナトリ
ウムイオン５　ｐｐｍ以下のものを使用する。このよう
な条件を満足するエポキシアクリレートを使用すること
によって、封止を行なった電子部品の導体回路の腐食を
防止することができ、電子部品の信頼性を向上させるこ
とが可能となると共に、上記エポキシアクリレートは常
温で液状のために、電子部品の封止工程において、樹脂
の予熱が必要なく、このため封止作業の簡略化を図るこ
とが可能となる。更に、一般にエポキシアクリレートは
低温低圧成形ができるので、封止を行なった電子部品の
低応力化を図ることができる。

本発明で使用し得るエポキシアクリレートは、前述した
如く、常温で液状であり、かつ塩素イオン５ｐ−以下、
ナトリウムイオン５　ｐｐｍ以下という条件を満足する
ものであればよく、例えば以下に示すエポキシアクリレ
ート又はハロゲン化エポキシアクリレートから選択すれ
ばよい。

（１）　　エポキシアクリレート ビスフェノールＦグリシジルエーテル型エポキシアクリ
レート、ビスフェノールＦグリシジルエーテル型エポキ
シアクリレート、テトラヒドロキシフェニルメタンテト
ラグリシジルエーテル型エポキシアクリレート、ノボラ
ックグリシジルエーテル型ニーキシアクリレート、ポリ
アルキレングリコールジグリシジルエーテル、グリシジ
ルエステル型エポキシアクリレート、グリシジルアミン
型エポキシアクリレート、線状脂肪族エポキシアクリレ
ート、ｍｍ族エポキシアクリレート等、（２）　　ハロ
ゲン化エポキシアクリレートハロゲン化ビスフェノール
ムグリシジルエーテル型エポキシアクリレート、ハロゲ
ン化ビスフェノールＦグリシジルエーテル型エポキシア
クリレート、ハロゲン化テトラヒドロキシフェニルメタ
ンテトラグリシジルエーテル型エポキシアクリレート、
ハロゲン化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エ
ポキシアクリレート、ハロゲン化ノボラックグリシジル
エーテル型エポキシアクリレート、ハロゲン化ポリアル
キレングリコールジグリシジルエーテル、ハロゲン化グ
リシジルエステル型エポキシアクリレート、ハロゲン化
グリシジルアミン型エポキシアクリレート、ハロゲン化
線状脂肪族エポキシアクリレート、ハロゲン化脂環族二
がキシアクリレート等。

本発明樹脂組成物では、触媒として、過酸化物系触媒及
びアゾビス系触媒の少なくとも１ｍを使用する。

使用し得る過酸化物系触媒としては　以下のものを例示
できる。

（１）　　ケトンパーオキサイド系触媒メチルエチルケ
トンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド
、３，３．５−）リメチルシクロヘキサノンパー、オキ
サイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチ
ルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトン
パーオキサイド、 （２）　　パーオキシケタール系触媒 １，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３゜５−ト
リメチルシクロヘキサノン、１．１−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）シクロヘキサノン、ｎ−ブチル４，４−ビ
ス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、２．２−ビス
（ｔ−−／チルパーオキシ）ブタン、 （３）ハイドロパーオキサイド系触媒 ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパ
ーオキサイド、ジーイソプロピルベンゼンハイドロパー
牙キサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、２
，５−ジメチルヘキサン２゜５−シバイドロバ−オキサ
イド、１，１，３．３−テトラメチルブチルハイドロパ
ーオキサイド１（４）　　ジアルキルパーオキサイド ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルクミルパー
オキサイド、ジ−クミルパーオキサイド、α、α′−ビ
ス（ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼ
ン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオ
キシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−
ブチルパーオキシ）ヘキサン−３、 （５）　　ジアシルパーオキサイド系触媒アセチルパー
オキサイド、イソブチルパーオキサイド、オクタノイル
パーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイ
ルパーオキサイド、３．５．５−トリメチルヘキサノイ
ルパーオキサイド、コハク酸パーオキサイド、ベンゾイ
ルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンジルパーオキ
サイド、ｍ−トルオイルパーオキサイド１（６）　　パ
ーオキシジカーボネート系触媒ジ−イソプロピルパーオ
キシジカーボネート、ジー２−エチルヘキシパーオキシ
ジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボ
ネート、ジ−ミリスチルパーオキシジカーボネート、ジ
ー２−エトキシエチルパーオキシジカーボネート、ジ−
メトキシイソプロビルパーオキシジカーボネート、ジ（
３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボ
ネート、ジ−アリルパーオキシジカーボネート〜 （７）パーオキシエステル系触媒 ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキ
シイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、
ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、クミルパーオ
キシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシ２−エチ
ルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ３，５．５−
トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシラウ
レート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−
ブチルシバ−オキシイソフタレート、２，５−ジメチル
−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−
ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシイ
ソプロビルカルボネート、クミルパーオキシオクトエー
ト、ｔ−へキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘ
キシルパーオキシビバレート、ｔ−ブチルパーオキシネ
オヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオヘキサ
ノエート、 （８）その他 アセチルシクロへキシルスルフォニルパーオキサイド、
ｔ−ブチルパーオキシアリルカーボネートＯ また、アゾビス系触媒としては、例えば％１ｊ１′−ア
ゾビスシクロヘキサン−１−カルボニトリル、２，２′
−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリルＬ２，
２’−アゾビス（メチルイソブチレート）、２，２′−
アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニト
リル）、ａ、ａ’−アゾビス（イソブチロニトリル）、
４．４’−アゾビス−（４−シアツバレイン酸）等を拳
げることができる。

本発明樹脂組成物では、上述した過酸化物系触媒及びア
ゾビス系触媒の少なくとも１種からなる触媒全エポキシ
アクリレート１００重量部に対して０．１〜１０重量部
程度用いることにより、低温低圧成形が可能な樹脂組成
物が得られる。

また、本発明樹脂組成物では、必要に応じて、助触媒と
してナフテン酸Ｍｎｓナフテン酸０ｏ等のル類、イミダ
ゾール類等から選ばれる公知のものを広く使用でき、例
えばベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、
ジメチルアミツメチルフェノール、トリス（ジメチルア
疋ツメチル）フェノール、トリエチルテトラミン、３．
９−ビス（３−ア電ノブロピル）−２，４，８，ＩＱ−
テトラオキサスピロ（ｓ、５）ウンデカン等の第３級ア
ミン類、１，２．３−ベンゾトリアゾール、５−メチル
トリアゾーン等のトリアゾール類、２−フエニルイ主ダ
ゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メ
チルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２，４−
ジメチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、
２−ヘプタデシルイミダゾール、１−ビニル−２−メチ
ルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダ
ゾール、２−イソプロピルイミダゾール、ｌ−シアノメ
チル−２−メチルイミダゾール等のイミダゾール類を拳
げることが出来る。

助触媒の使用量は、樹脂１００重量部に対して、０．０
５〜２．５　ｉ置部程度とすればよい。

また、本発明樹脂組成物では、流れ調整、パリ止め等の
目的や、強度、耐熱性、放熱性、耐湿性、難燃性、耐ト
ラツキング性、耐ヒートサイクル性等の向上、低α線対
策、帯電防止対策、コストの低減等の目的でフィラーを
添加する。フィラーとしては、目的に応じて通常用いら
れている充填剤を適宜選択して使用すればよく、具体的
には、アルミナ、水酸化アルミニウム、珪砂、タルク、
クレー、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、マイカ、ア
スベスト、珪灰石、ガラス状の短繊維、木くず、石英粉
、低α線シリカ、低α線アルミナ、水和アルミナ％　Ｌ
ｉ１ｌシリケート、炭化ケイ素、チッ化ケイ素、シリカ
エアロジル、ベントナイト、グラファイト、金属粉、中
空の磁器粉、溶融シリカ、粒間０．５〜１００μｍ程度
の球状シリカ、粒度０．５〜３０μｍ程度の球状アルミ
ナ等を例示できる。フィラーの使用量は、エポキシアク
リレート１００！量部に対して、１０〜６００重量部程
度とすればよい。

また、本発明組成物には、離型剤として、カルナバワッ
クス等の天然ワックスやステアリン酸Ｚｎ等の合成ワッ
クスなどのワックス類を配合する。離型剤の配合により
、離型性が付与されると程度とする。

更に、本発明組成物には、耐湿性改良、接着性改良等の
目的でシラン系カップリング剤を配合する。シラン系カ
ップリング剤としては、特に限定はな（、エポキシシラ
ン系、アクリルシラン系やその他のカップリング剤を使
用でき、具体的には、ビニルトリクロルシラン、ビニル
トリス（βメトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエト
キシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−（メタク
リロキシプロピル）トリメトキシシラン、β−（３゜４
エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、
ｒ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ｒ−グ
リシドキシプロビルメチルジェトキシシラン、Ｎ−β（
アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、Ｎ−フェニル−ｒ−アミノブロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ｒ
−クロロプロピルトリメトキシシラン等を例示できる。

また、本発明組成物には、必要に応じて、顔料としての
カーボン、酸化鉄、チタン、有機顔料等を配合でき、ま
た、染料や消泡剤等も配合できる。

更に、本発明樹脂組成物では、必要に応じて組成物の粘
度を調整するために、希釈剤を配合することもできる。

使用し得る希釈剤としては、アクリル酸、キシレン、ア
クリロニトリル、トルエン、アクリル酸メチル、アクリ
ル酸エチル、アクロレイン、スチレンモノマー、シクロ
へキサジエン、ジアクリルフタレート、アクリル酸エチ
ルカルピトール、アクリール酸メチルトリグリコール、
テトラヒドロフルフリルアクリレート、ブトキシエチル
アクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリ゛ルア
クリレート、ネオペンチルグライコールジアクリレート
、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミ
ノエチルメタアクリレート等を例示できる。希釈剤は、
エポキシアクリレート１００重量部に対して、１５０：
１ｌｉｆｆｉ部程度まで配合することができる。

尚、本発明組成物では、塩素イオンｓ　ｐｐｍ以下及び
ナトリウムイオン５ｐＨｌＩｎ以下という条件を満足す
るエポキシアクリレートを使用することによって、所期
の目的を達成できるが、好ましくは樹脂組成物の状態に
おいて塩素イオン及びナトリウムイオンが各々１　ｐｐ
ｍ以下となるように各成分の配合を調整する。

本発明樹脂組成物を用いて、電子部品の樹脂封止を行な
う方法としては、通常の成形法に従えばよく、例えば、
トランスファー成形法、赤外線硬化成形法、インジェク
ション成形法、紫外線硬化成形法、圧縮成形法、シート
成形法、熱ロール成形法、加圧加熱成形法、加熱成形法
、真空成形法などによればよい。

発明の効果 本発明樹脂組成物は、低温低圧成形し得るものであって
、成形体に大きな内部応力を生じさせることはない。ま
た、該組成物は常温で液状であるために、予熱工程が必
要なく、電子部品の封止工程を簡略化できる。更に、本
発明組成物は、イオン性不純物の含有量が非常に少なく
、腐食性が少ないので、信頼性の良好な電子部品の樹脂
封止物が得られる。

以下に実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。

実施例１ 下記第１表に示す各樹脂組成物を用いて、以下の方法で
成形体試料を作製した。

即ち、本発明品と比較品人は、組成物をプラネタリ−ミ
キサーで真空撹拌して脱泡した後、得られた組成物を１
２０　”０２０　ｋｇ７Ｃｍ２で２分間トランスファー
成形して成形体とした。

比較量Ｂは、組成物を押出機で混錬後粉砕してタブレッ
トを作製し、９０℃で１分間予熱後、１５０℃、７０ｋ
ｇ／Ｃｍ２テ２分間トランスファー成形し、離型後、更
に１５０℃で５時間の後硬化を行なって成形体とした。

各成形体の内部応力及びガラス転移点を第２表に示す。

尚、応力測定用試料は、５４ｍｍφＸ５ｍｍ厚とし、ガ
ラス転移点測定用試料は、５ｍｍ＜６Ｘ２０ｍｍとした
。

また、ＭＯ８型ＩＣを第１表の各組成物で樹脂封止した
試料について、１３３℃、３気圧の水蒸気中でＩＯＶを
印加して５００時間放置した後、アルミニウム配線の腐
食による断線不良の発生割合を調べた結果をプレッシャ
ークツカーテストの結果として第２表に示す。

また、各組成物について５０　ｔｏｎ　）ランスファー
成形機を用イテ、１００℃、１２０　”Ｃ及び１５０°
Ｃの各温度で成形した場合の成形時間を第２表に示す。

また、樹脂組成物の作業性を評価するためにＥＭＭＩの
スパイラルフロー金型を用いて、樹脂の流れた長さを測
定した結果を第２表に示す。

第　　　１　　　表 １　１）　　高純度エポキシアクリレートとしては、塩
素イオン５　ｐｐｍ以下及びナトリウムイオン５１）ｐ
ｍ以下のクレゾールノボラックタイプのエポキシアクリ
レートを使用した。

２）エポキシアクリレートとしては、塩素イオン２００
　ｐｌ）ｍ、及びナトリウムイオン１２０ｐｐｍを含有
するクレゾールノボラックタイプのエポキシアクリレー
トを使用した。

３）、４）エポキシ樹脂の混合物中には、塩素イオン２
０１）ｐｍ及びナトリウムイオンｔ　ｏ　ｐｐｍが存在
した。

５）本発明品及び比較品ムでは、ｔ−ブチルパーオキシ
イソブチレートを使用し、比較品Ｂでは、２−メチルイ
ミダゾールを使用した。

手続補正書（自制 昭和６１年２月１０日 特許庁長官　　宇賀道部　　　殿 １、事件の表示 昭和６０年　特　許　願第２８４６９６　　号３、補正
をする者 事件との関係　　特許出願人 日本レック株式会社 ４、代理人 大阪市東区平野町２のｌＯ沢の鶴ビル電話０６−２０３
−０９４１（代）（６５２１）弁理士　三　枝　英　二
、・　＼１なし　　− ７・　補′Ｅ″対象、Ａ、、中発、。詳、、、説、。項
補　　正　　の　　内　　容 ｌ　明細書第１６頁最下行「よればよい。」とあるのを
下記の通シに訂正する。

［よればよい。

本発明樹脂組成物は、特に限定されることなく、電子部
品の樹脂封止用として広く用いることができる。本発明
樹脂組成物を適用できる電子部品としては、例えば以下
のものを挙げることができる。

（４）半導体 タイオード、トランジスタ、ＩＣ。

ＬＳＩ５ＶＬＳＩ、５ＶＬＳＩ、光半導体、化合物半導
体、カードＩＣ，ハイブリットＩＣ等（ｂ）　　抵抗 巻線、皮膜、ＳｉＣ，炭素、バリスタ、半導体、ボロカ
ーボン、クレーズ、ｔ５ミックス等の抵抗、 （Ｃ）　　コンデンサ 紙、金属化紙、フィルム、ｔラミックス、電解、マイカ
、タンタル、ガラス、印刷等のコンデンサ１ （ｄ′）　　コイル及びトランス チョークコイル、インタフタンスコイル、トランス等、 （＃）　　機構部品 コネクタ、プラグ、ジャック、ソケット、スイッチ、配
線板、回路用積層板等。」（以　上）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ａ）塩素イオン５ｐｐｍ以下及びナトリウムイオ
   ン５ｐｐｍ以下のエポキシアクリレート１００重量部、 ｂ）過酸化物系触媒及びアゾビス系触媒の少なくとも１
   種０．１〜１０重量部、 ｃ）フィラー１０〜６００重量部、 ｄ）離型剤０．１〜５重量部、及び ｅ）シラン系カップリング剤０．１〜５重量部を含有す
   ることを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物。