JPS62145208A - 導波路回折格子の製造方法 - Google Patents
導波路回折格子の製造方法Info
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- JPS62145208A JPS62145208A JP60286030A JP28603085A JPS62145208A JP S62145208 A JPS62145208 A JP S62145208A JP 60286030 A JP60286030 A JP 60286030A JP 28603085 A JP28603085 A JP 28603085A JP S62145208 A JPS62145208 A JP S62145208A
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- Japan
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- waveguide
- diffraction grating
- mask
- transfer mask
- etching
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、基板上に形成された光導波路に再現性よく回
折格子を形成する方法に関する。
折格子を形成する方法に関する。
従来の技術
近年、化合物半導体を用いた機能デバイスの開発が盛ん
に行なわれている。とくに光通信分野においては日本列
島縦貫基幹中継回線の布設に伴ない、Ｆ−４００Ｍ大容
量方式を有効に活用するために超波長多重伝送方式の開
発に重点が置かれてきている。超波長多重伝送には、こ
れまでにはない優れた特性のデバイスが必要とされるが
、この中でも特に波長多重された光信号を分離する分波
器の特性が伝送系全体の特性を左右すると言われ、重要
な役割を占めている。これまでにも、波長間隔が大きく
異る光信号の分離には誘電体多層膜フイルター等が用い
られ、また分光器等のように精度の要求されるものには
グレーティングを用いた光学系が使用されてきた。しか
し、いずれも超波長多重伝送用デバイスとしては、小型
・径量・高分解能・安定性という点で十分ではなかった
。波長間隔が数十へ程度で多重化された信号の分離には
導波路にグレーティングを形成した分波器が有効である
。
に行なわれている。とくに光通信分野においては日本列
島縦貫基幹中継回線の布設に伴ない、Ｆ−４００Ｍ大容
量方式を有効に活用するために超波長多重伝送方式の開
発に重点が置かれてきている。超波長多重伝送には、こ
れまでにはない優れた特性のデバイスが必要とされるが
、この中でも特に波長多重された光信号を分離する分波
器の特性が伝送系全体の特性を左右すると言われ、重要
な役割を占めている。これまでにも、波長間隔が大きく
異る光信号の分離には誘電体多層膜フイルター等が用い
られ、また分光器等のように精度の要求されるものには
グレーティングを用いた光学系が使用されてきた。しか
し、いずれも超波長多重伝送用デバイスとしては、小型
・径量・高分解能・安定性という点で十分ではなかった
。波長間隔が数十へ程度で多重化された信号の分離には
導波路にグレーティングを形成した分波器が有効である
。
従来より用いられている一般的なグレーティングフィル
ターを第２図に示す。図中２１は基板、２２は光導波路
、２３は光導波路に形成された回折格子、２４は入力光
である。光導波路２２に入射された入力光２４は、回折
格子領域２３において回折を受け、ブラッグ条件を満足
する光のみが分波される。このフィルター構造は、基板
２１上に光導波路２２を形成した後、所望する領域に三
光束干渉露光法を用いてグレーティングパターンをフォ
トリソグラフィープロセスで形成し、最後にエツチング
処理を行い導波路の表面に周期的凹凸を転写したものが
よく用いられている。
ターを第２図に示す。図中２１は基板、２２は光導波路
、２３は光導波路に形成された回折格子、２４は入力光
である。光導波路２２に入射された入力光２４は、回折
格子領域２３において回折を受け、ブラッグ条件を満足
する光のみが分波される。このフィルター構造は、基板
２１上に光導波路２２を形成した後、所望する領域に三
光束干渉露光法を用いてグレーティングパターンをフォ
トリソグラフィープロセスで形成し、最後にエツチング
処理を行い導波路の表面に周期的凹凸を転写したものが
よく用いられている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上述の方法では以下の様な欠点を有して
いた。導波路を伝搬するモードは互い偏波面が直交する
ＴＥモードとＴＭモードが存在する。基板面に垂直な偏
波面を持つＴＭモードは、導波路表面の金属膜の影響に
よるロスが大きいことや、他の発光素子、例えば半導体
レーザの偏波面が通常ＴＥモードであることによる整合
性の面で不利な点が多く、ＴＥモードの方が導波路モー
ドとしてよく使われている。
いた。導波路を伝搬するモードは互い偏波面が直交する
ＴＥモードとＴＭモードが存在する。基板面に垂直な偏
波面を持つＴＭモードは、導波路表面の金属膜の影響に
よるロスが大きいことや、他の発光素子、例えば半導体
レーザの偏波面が通常ＴＥモードであることによる整合
性の面で不利な点が多く、ＴＥモードの方が導波路モー
ドとしてよく使われている。
ところで、第３図に示すように入射角二〇、媒質中にお
ける波長：λの光に対して、Ａ＝λ／２ｓｉｎθで与え
られる格子定数をもつ回折格子２３はＢ ｒａｇｇ条件
を満足することから、入射光２４は格子面に対して反射
角θの方向へ回折を起こしフィルターとして作用する。
ける波長：λの光に対して、Ａ＝λ／２ｓｉｎθで与え
られる格子定数をもつ回折格子２３はＢ ｒａｇｇ条件
を満足することから、入射光２４は格子面に対して反射
角θの方向へ回折を起こしフィルターとして作用する。
ＩＣ化された光フィルターには、導波路に回折格子を持
つ分波器部と受光素子部とが一体化された構成が考えら
れるが、超波長多重伝送用としては、複数の分波器−と
受光素子が基板上に集積化されねばならない。
つ分波器部と受光素子部とが一体化された構成が考えら
れるが、超波長多重伝送用としては、複数の分波器−と
受光素子が基板上に集積化されねばならない。
この時の回折格子に対する入射角θは、多重度・低クロ
ストーク特性という観点から４５° が理想的となる。
ストーク特性という観点から４５° が理想的となる。
ところが、上述の構成による分波器の場合には、Ｂｒａ
ｇｇ回折の効率に著しい影響が出ることが知られている
。つまり、ＴＥモードの入射光が回折格子に４６°で入
射すると回折を全く引き起こさない。この現象について
は、ベル システムテクニカル ジャーナ／ｌ／ （Ｂ
ｅｌｌ ５ｙｓｔ 、 Ｔｅｃｈ。
ｇｇ回折の効率に著しい影響が出ることが知られている
。つまり、ＴＥモードの入射光が回折格子に４６°で入
射すると回折を全く引き起こさない。この現象について
は、ベル システムテクニカル ジャーナ／ｌ／ （Ｂ
ｅｌｌ ５ｙｓｔ 、 Ｔｅｃｈ。
Ｊｏｕｒｎａｌ） Ｖｏｌ 、 ４１ Ａ９ 、 Ｈ，
Ｋｏｇｅｌｎｉｋ氏の論文”Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｗａｖｅ
Ｔｈｅｏｒｙ ｆｏｒ ＴｈｉｃｋＨｏｌｏｇｒａｍ
Ｇｒａｔ ｉｎｇｓ”に説明がされている０以上のよ
うな理由により、従来の方法では超波長多重伝送に用い
られる分波機能を有する光ＩＣデバイスとして必要とさ
れる条件に対して満足される特性を得ることが困難であ
った〇 よって、本発明の目的は上述の欠点を除去することので
きる。すなわち集積化された分波器として必要とされる
特性を有する回折格子の製造方法を提供することにある
。
Ｋｏｇｅｌｎｉｋ氏の論文”Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｗａｖｅ
Ｔｈｅｏｒｙ ｆｏｒ ＴｈｉｃｋＨｏｌｏｇｒａｍ
Ｇｒａｔ ｉｎｇｓ”に説明がされている０以上のよ
うな理由により、従来の方法では超波長多重伝送に用い
られる分波機能を有する光ＩＣデバイスとして必要とさ
れる条件に対して満足される特性を得ることが困難であ
った〇 よって、本発明の目的は上述の欠点を除去することので
きる。すなわち集積化された分波器として必要とされる
特性を有する回折格子の製造方法を提供することにある
。
問題点を解決するための手段
上記の問題点を解決するために、本発明によれば基板上
に積層された導波路層に７オトリソ手段を用いて導波路
を形成する。このとき、導波路パターンを転写するエツ
チングマスクとして、異なる材料からなる回折格子転写
マスクと導波路転写マスクが積層された構造のものを用
いる。積層して用いられるエツチングマスクは、導波路
層より回折格子転写マスク・導波路転写マスクの順にな
っており、回折格子と導波路パターンは互いに直交して
いる。また、導波路に対する密着性の異る材料で構成さ
れており、このマスクを用いて導波路層をケミカルエツ
チングすると、導波路パターンが転写されると同時に、
導波路の側壁に回折格子の凹凸が形成されることになる
。
に積層された導波路層に７オトリソ手段を用いて導波路
を形成する。このとき、導波路パターンを転写するエツ
チングマスクとして、異なる材料からなる回折格子転写
マスクと導波路転写マスクが積層された構造のものを用
いる。積層して用いられるエツチングマスクは、導波路
層より回折格子転写マスク・導波路転写マスクの順にな
っており、回折格子と導波路パターンは互いに直交して
いる。また、導波路に対する密着性の異る材料で構成さ
れており、このマスクを用いて導波路層をケミカルエツ
チングすると、導波路パターンが転写されると同時に、
導波路の側壁に回折格子の凹凸が形成されることになる
。
作 用
フォトリソプロセスにおけるマスクパターン転写プロセ
スは、大別してドライエツチングとウェットエツチング
に分けられる。本発明は、このうちの後者を使用してい
る。マスクとなる材料の基板表面への密着性及びパター
ン精度は、パターン転写を行う場合に大きく影響を与え
る。この中でも、特に密着性の良否はウェットエツチン
グプロセスの再現性・安定性を決める要素ともなる。マ
スクによりウェットエツチング処理を施してパターン転
写を行うと、特に方位依存性のないエツチング特性の場
合、マスク直下のアンダーカット−またはサイドエツチ
ングと呼ばれる現象が生じる。
スは、大別してドライエツチングとウェットエツチング
に分けられる。本発明は、このうちの後者を使用してい
る。マスクとなる材料の基板表面への密着性及びパター
ン精度は、パターン転写を行う場合に大きく影響を与え
る。この中でも、特に密着性の良否はウェットエツチン
グプロセスの再現性・安定性を決める要素ともなる。マ
スクによりウェットエツチング処理を施してパターン転
写を行うと、特に方位依存性のないエツチング特性の場
合、マスク直下のアンダーカット−またはサイドエツチ
ングと呼ばれる現象が生じる。
第４図にこの様子を示した。図中１ｏは基板、１１はマ
スクである。（ａ）の状態でエツチング処理を行なった
のが（ｂ）である。サイドエツチング幅Ｗはマスク１１
と基板１ｏの表面との密着性に左右される場合が多い。
スクである。（ａ）の状態でエツチング処理を行なった
のが（ｂ）である。サイドエツチング幅Ｗはマスク１１
と基板１ｏの表面との密着性に左右される場合が多い。
つまり、密着が良好な場合にはＷは小さく、密着が悪い
場合にはＷは大きくなる傾向にある。本発明は、マスク
特性の差によるサイドエツチング量の差を回折格子の凹
凸作成プロセスに利用している。つまり、導波路を形成
するＩｎＧａＡｓＰ層に対して比較的密着性のよいマス
ク材料として、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＮｘ膜を、
また、ＳｉＮｘ膜に比べると弱干密着性は落ちるがプロ
セス的に安定なマスク材料としてレジスト膜という二種
の組合せを用いている。この二種の材料が積層された構
造を有し、かつＩ ｎＧａＡｓ Ｐ層に対し交互にマス
クされる配置をとることにより、密着性の差に伴なった
サイドエツチングの差が得られることになる。このよう
にして、導波路を形成するエツチングプロセスにおいて
、所望するパターン幅の導波路作成と同時に、導波路の
側壁に形成された凹凸のパターンを有する回折格子を形
成することが可能となる。
場合にはＷは大きくなる傾向にある。本発明は、マスク
特性の差によるサイドエツチング量の差を回折格子の凹
凸作成プロセスに利用している。つまり、導波路を形成
するＩｎＧａＡｓＰ層に対して比較的密着性のよいマス
ク材料として、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＮｘ膜を、
また、ＳｉＮｘ膜に比べると弱干密着性は落ちるがプロ
セス的に安定なマスク材料としてレジスト膜という二種
の組合せを用いている。この二種の材料が積層された構
造を有し、かつＩ ｎＧａＡｓ Ｐ層に対し交互にマス
クされる配置をとることにより、密着性の差に伴なった
サイドエツチングの差が得られることになる。このよう
にして、導波路を形成するエツチングプロセスにおいて
、所望するパターン幅の導波路作成と同時に、導波路の
側壁に形成された凹凸のパターンを有する回折格子を形
成することが可能となる。
実施例
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
第１図ａ−ｆに基板結晶としてＩｎＰ、回折格子を作成
する光導波路としてＩ ｎＧａＡｓ Ｐを用いた場合の
実施例を示す。図中１はＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓ
Ｐ光導波層、３はＳ ｉＮｘ膜、４はレジスト回折格子
マスク、６はＳｉＮｘ回折格子転写マスク、６はレジス
ト導波路転写マスク、アは作成された導波路回折格子で
ある。
する光導波路としてＩ ｎＧａＡｓ Ｐを用いた場合の
実施例を示す。図中１はＩｎＰ基板、２はＩｎＧａＡｓ
Ｐ光導波層、３はＳ ｉＮｘ膜、４はレジスト回折格子
マスク、６はＳｉＮｘ回折格子転写マスク、６はレジス
ト導波路転写マスク、アは作成された導波路回折格子で
ある。
まずＩｎＰ基板１上に、液相成長法あるいは気相成長法
を用いてＩｎＧａＡｓＰ光導波層２を結晶成長する。つ
ぎに光導波層２上にＳｉＮｘ膜をプラズマＣＶＤ法によ
り形成する。ＳｉＮｘ膜の性質は、ＳｔとＮ組成比およ
び形成方法・条件により大きく異なるが、ここでは転写
マスクとしてＩｎＧａＡｓＰ層への密着性が良好である
ことが望まれるため、プラズマＣＶＤ法によ）適当な条
件で形成した。さらにＳｉＮｘ膜３上に二光束干渉露法
を用いて、所望する回折格子の周期に対応したレジスト
回折格子マスク４を作成する（ａ）。ＳｉＮｘ膜にレジ
スト回折格子パターンを転写する方法として、フッ酸系
エツチング液によるウェットエツチングあるいはＣＦ４
ガスを用いたドライエツチングが考えられるが、今回は
パターンの制御性を考慮して後者を使用する。ＣＦ４ガ
スを用いたスパッター装置により適当な条件で５ｉ）ｈ
ｅ膜へ回折格子パターンを転写した後、レジストマスク
４を除去する（ｂ）・次にフォトリソプロセスを用いて
、所望する導波路幅Ａを有し、レジストよりなる導波路
転写マスク６を回折格子転写マスク５の上に積層して形
成する（Ｃ）。この時のレジスト膜６の厚さは、回折格
子マスク５を埋め込む程度でよく、この後の工程も考慮
に入れて回折格子マスク５０２倍程度あれば十分である
。次に、この状態でＳｉＮｘ回折格子マスクの一部をド
ライエツチングするっ導波路転写マスク６にカバーされ
ていない領域は全て除去され最終的なエツチングマスク
が完成される（ｄ）。
を用いてＩｎＧａＡｓＰ光導波層２を結晶成長する。つ
ぎに光導波層２上にＳｉＮｘ膜をプラズマＣＶＤ法によ
り形成する。ＳｉＮｘ膜の性質は、ＳｔとＮ組成比およ
び形成方法・条件により大きく異なるが、ここでは転写
マスクとしてＩｎＧａＡｓＰ層への密着性が良好である
ことが望まれるため、プラズマＣＶＤ法によ）適当な条
件で形成した。さらにＳｉＮｘ膜３上に二光束干渉露法
を用いて、所望する回折格子の周期に対応したレジスト
回折格子マスク４を作成する（ａ）。ＳｉＮｘ膜にレジ
スト回折格子パターンを転写する方法として、フッ酸系
エツチング液によるウェットエツチングあるいはＣＦ４
ガスを用いたドライエツチングが考えられるが、今回は
パターンの制御性を考慮して後者を使用する。ＣＦ４ガ
スを用いたスパッター装置により適当な条件で５ｉ）ｈ
ｅ膜へ回折格子パターンを転写した後、レジストマスク
４を除去する（ｂ）・次にフォトリソプロセスを用いて
、所望する導波路幅Ａを有し、レジストよりなる導波路
転写マスク６を回折格子転写マスク５の上に積層して形
成する（Ｃ）。この時のレジスト膜６の厚さは、回折格
子マスク５を埋め込む程度でよく、この後の工程も考慮
に入れて回折格子マスク５０２倍程度あれば十分である
。次に、この状態でＳｉＮｘ回折格子マスクの一部をド
ライエツチングするっ導波路転写マスク６にカバーされ
ていない領域は全て除去され最終的なエツチングマスク
が完成される（ｄ）。
このマスクの特徴は、異種材料の組合せによる積層構造
をとっており、一方が回折格子パターンを、もう一方が
導波路パターンを持っている。また、導波路を形成する
ＩｎＧａＡｓＰ層２の表面には、双方のパターンのマス
クが一定の繰り返し周期で交互に接しており、マスクと
しての特性も異ることになる。次にＩｎＧａＡｓＰ光導
波層２の一部をエツチングして３次元導波路を形成する
。エッチャントとしてブロムメタノール系を用いた。
をとっており、一方が回折格子パターンを、もう一方が
導波路パターンを持っている。また、導波路を形成する
ＩｎＧａＡｓＰ層２の表面には、双方のパターンのマス
クが一定の繰り返し周期で交互に接しており、マスクと
しての特性も異ることになる。次にＩｎＧａＡｓＰ光導
波層２の一部をエツチングして３次元導波路を形成する
。エッチャントとしてブロムメタノール系を用いた。
導波路パターンのエツチングの進行と同時に次のような
現象が起こる。ＳｉＮｘでカバーされている領域は、マ
スクとＩｎＧａＡｓＰ層との密着がよいためマスク直下
のサイドエツチングはほとんど発生せず、はぼマスク端
に対して垂直なエソテングが進行する。一方、レジスト
でカバーされている領域は、ＳｉＮｘに比べてわずかに
密着が劣るため、マスク直下のサイドエツチングを伴い
ながらエツチングが進行する。この結果、導波路の側壁
にはサイドエツチングにより形成された段差が発生し、
回折格子を構成することになる（ｅ）。最後に、導波路
転写マスク６及び回折格子転写マスク５を除去して導波
路回折格子７の作成を完了する（ｆ）。
現象が起こる。ＳｉＮｘでカバーされている領域は、マ
スクとＩｎＧａＡｓＰ層との密着がよいためマスク直下
のサイドエツチングはほとんど発生せず、はぼマスク端
に対して垂直なエソテングが進行する。一方、レジスト
でカバーされている領域は、ＳｉＮｘに比べてわずかに
密着が劣るため、マスク直下のサイドエツチングを伴い
ながらエツチングが進行する。この結果、導波路の側壁
にはサイドエツチングにより形成された段差が発生し、
回折格子を構成することになる（ｅ）。最後に、導波路
転写マスク６及び回折格子転写マスク５を除去して導波
路回折格子７の作成を完了する（ｆ）。
以上のような構成を持つ導波路回折格子は、基板面に対
して平行な方向に周期変化を持つために、ＴＥモードに
対してその入射角依存性がなくなり、集積化する上で有
利な構造をとることができることになる。
して平行な方向に周期変化を持つために、ＴＥモードに
対してその入射角依存性がなくなり、集積化する上で有
利な構造をとることができることになる。
なお、本実施例ではＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓＰ層を
光導波層として用いた導波路回折格子の説明を行なった
が、他の材料、例えばＧ ａ Ａ ｓ系の半導体材料、
あるいはＬ ｚ Ｎ ｂ Ｏ３等の強誘電体材料にも応
用できることは言うまでもない。
光導波層として用いた導波路回折格子の説明を行なった
が、他の材料、例えばＧ ａ Ａ ｓ系の半導体材料、
あるいはＬ ｚ Ｎ ｂ Ｏ３等の強誘電体材料にも応
用できることは言うまでもない。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、超波長多重伝送用デ
バイスとして有効な集積化分波器に用いられる導波路回
折格子を非常に容易に、再現性よく作成することができ
るもので、その実用上の効果は大である。
バイスとして有効な集積化分波器に用いられる導波路回
折格子を非常に容易に、再現性よく作成することができ
るもので、その実用上の効果は大である。
第１図は本発明の一実施例の導波路回折格子の作成方法
を示す工程図、第２図は従来例のグレーティングフィル
ターの構造斜視図、第３図はブラッグ回折条件の説明図
、第４図はサイドエツチング現象を説明する模式図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・光導波層、３・・
・・・・ＳｉＮｘ膜、４・・・・・・回折格子マスク、
６・・・・・・回折格子転写マスク、６・・・・・・導
波路転写マスク、７・・・・・・導波路回折格子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ｌ 因 第 ２ 図 ２３困仇務す 第３図 第４図 （νλ
を示す工程図、第２図は従来例のグレーティングフィル
ターの構造斜視図、第３図はブラッグ回折条件の説明図
、第４図はサイドエツチング現象を説明する模式図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・光導波層、３・・
・・・・ＳｉＮｘ膜、４・・・・・・回折格子マスク、
６・・・・・・回折格子転写マスク、６・・・・・・導
波路転写マスク、７・・・・・・導波路回折格子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ｌ 因 第 ２ 図 ２３困仇務す 第３図 第４図 （νλ
Claims (4)
- （１）基板上に形成された光導波路に回折格子を作成す
るに際し、前記光導波路を蝕刻する転写マスクとして、
所望する周期を有する回折格子転写マスク及び前記回折
格子転写マスクの方位に対し交差しかつ所望する導波路
パターンを有する導波路転写マスクとを前記光導波路上
に積層し、前記転写マスクにより前記光導波路上に湿式
蝕刻法を用いてパターン転写を行うことを特徴とする導
波路回折格子の製造方法。 - （２）回折格子転写マスク及び導波路転写マスクとして
基板に対する各々の密着性が異る材料の組合せる有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の導波路
回折格子の製造方法。 - （３）湿式蝕刻法によるマスク直下のサイドエッチング
量のちがいを利用することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の導波路回折格子の製造方法。 - （４）回折格子を光導波路の側壁に形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の導波路回折格子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286030A JPH0711610B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 導波路回折格子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286030A JPH0711610B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 導波路回折格子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145208A true JPS62145208A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0711610B2 JPH0711610B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=17699064
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286030A Expired - Lifetime JPH0711610B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 導波路回折格子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711610B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63250535A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-10-18 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 集積光スペクトロメータ装置およびその製作方法 |
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| WO2003062886A3 (en) * | 2002-01-17 | 2003-11-27 | Cornell Res Foundation Inc | High-index contrast distributed bragg reflector |
| KR100416998B1 (ko) * | 2001-10-06 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 격자를 구비한 평면 광도파로 소자 |
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| JPH0711610B2 (ja) | 1995-02-08 |
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