JPS62145396A - 光電子計数装置 - Google Patents
光電子計数装置Info
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- JPS62145396A JPS62145396A JP60286679A JP28667985A JPS62145396A JP S62145396 A JPS62145396 A JP S62145396A JP 60286679 A JP60286679 A JP 60286679A JP 28667985 A JP28667985 A JP 28667985A JP S62145396 A JPS62145396 A JP S62145396A
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- light
- photoelectron
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〉
本発明は、試料から放出される光電子の数を計数する光
電子計数装置に関する。
電子計数装置に関する。
（従来技術）
従来、例えば試料表面を被覆する極めて薄い被膜の膜厚
を計測する方法としては、マイクロバランス法、放射化
分析法、エンプソメトリー法、多重干渉法オージェ電子
法、Ｘ線光電子法が知られている。
を計測する方法としては、マイクロバランス法、放射化
分析法、エンプソメトリー法、多重干渉法オージェ電子
法、Ｘ線光電子法が知られている。
しかし、これらの計測法は、試料の取扱いに特別な注意
を必要としたり、装置が大型で且つ高価であるなどの各
種の問題かあった。
を必要としたり、装置が大型で且つ高価であるなどの各
種の問題かあった。
そこで本願発明者等は、非破壊で薄膜の膜厚計測を短時
間で簡単にできる膜厚計測方法として、表面に薄膜を被
覆した試料に規定の光電的仕事関数以上の光エネルギー
を与え、１１ 膜の下側に位置する試料本体のみから電
子を放出させ、この放出電子が薄膜を通過するときの減
衰が膜厚に依存することから、空気中に存在する低エネ
ルギー電子を検出する機能をもった光電子検出部を検出
器とした光電子計数装置で薄膜を通って外部に放出され
た光電子を検出することで試料表面を被覆した薄膜の膜
厚を計測する方法を提案している（特願昭５９−１１８
８１８号）。
間で簡単にできる膜厚計測方法として、表面に薄膜を被
覆した試料に規定の光電的仕事関数以上の光エネルギー
を与え、１１ 膜の下側に位置する試料本体のみから電
子を放出させ、この放出電子が薄膜を通過するときの減
衰が膜厚に依存することから、空気中に存在する低エネ
ルギー電子を検出する機能をもった光電子検出部を検出
器とした光電子計数装置で薄膜を通って外部に放出され
た光電子を検出することで試料表面を被覆した薄膜の膜
厚を計測する方法を提案している（特願昭５９−１１８
８１８号）。
第４図は、この光電子計数装置を使用した膜厚計測方法
における検出部の装置溝酸を示したもので、１は放出電
子を検出する光電子検出部、２は試料本体２ａの表面に
薄膜２ｂが被覆された試料であり、光源から所定強度の
紫外線ビーム３を試料表面に照射し、試料表面に規定の
光電的仕事関数以上の光エネルギーを与えている。
における検出部の装置溝酸を示したもので、１は放出電
子を検出する光電子検出部、２は試料本体２ａの表面に
薄膜２ｂが被覆された試料であり、光源から所定強度の
紫外線ビーム３を試料表面に照射し、試料表面に規定の
光電的仕事関数以上の光エネルギーを与えている。
光電子検出部１は、ループ電、恒でなる陽極５、第１グ
リツド電極６、第２グリツド電極７を備え、ケース８の
先端に開口した電子導入口９を試料２のビーム照射位置
に向けるように光電子検出部１を配置している。
リツド電極６、第２グリツド電極７を備え、ケース８の
先端に開口した電子導入口９を試料２のビーム照射位置
に向けるように光電子検出部１を配置している。
このような光電子検出部１による試料放出電子の計数は
、陽極５に例えば３．４ＫＶという高い電圧を印加する
と共に第２グリツド電極７に１００Ｖ、第１グリツド電
極６に８０Ｖ程度の電圧をを印加し、この状態で紫外線
ビーム３の照射で試料から放出された光電子を第１及び
第２グリッド電極６，７を介して陽極５に引き寄せる。
、陽極５に例えば３．４ＫＶという高い電圧を印加する
と共に第２グリツド電極７に１００Ｖ、第１グリツド電
極６に８０Ｖ程度の電圧をを印加し、この状態で紫外線
ビーム３の照射で試料から放出された光電子を第１及び
第２グリッド電極６，７を介して陽極５に引き寄せる。
陽極５の近傍は高電圧によって強い電界が発生している
ので、引き奇ぜられた電子は高電界で加速され気体放電
現象を引き起こす。このため陽極電圧が低下して電子数
計数のための電圧パルスを発生する。
ので、引き奇ぜられた電子は高電界で加速され気体放電
現象を引き起こす。このため陽極電圧が低下して電子数
計数のための電圧パルスを発生する。
一方、気体放電現象による陽極電圧パルスの発生と同時
になだれ的な放電増幅を阻止するため、陽極電圧パルス
の発生から一定時間のめいだ第２グリツド電極７の電圧
を例えば４００Ｖに高めて陽極近傍の電界強度を下げ、
且つ第１グリツド電極６を一３０Ｖに引き込んで外部か
らの電子の導入を阻止すると共に、放電で生じた正イオ
ンが試料にぶつかるのを防ぐ。この動作を試料から光電
子が放出される毎に繰り返す。
になだれ的な放電増幅を阻止するため、陽極電圧パルス
の発生から一定時間のめいだ第２グリツド電極７の電圧
を例えば４００Ｖに高めて陽極近傍の電界強度を下げ、
且つ第１グリツド電極６を一３０Ｖに引き込んで外部か
らの電子の導入を阻止すると共に、放電で生じた正イオ
ンが試料にぶつかるのを防ぐ。この動作を試料から光電
子が放出される毎に繰り返す。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来の光電子計数装置にあっ
ては、試料表面が完全な鏡面でない場合、例えば第４図
に示すように試料表面に照射した紫外線ビーム３が乱反
射し、乱反射による反射光１０が光電子検出部１の電子
導入口９から内部に入り、第１及び第２グリッド電極６
，７に照射され、反射光の照射を受けたグリッド電極自
身から光エネルギーで励起された低エネルギー電子を放
出するようになる。
ては、試料表面が完全な鏡面でない場合、例えば第４図
に示すように試料表面に照射した紫外線ビーム３が乱反
射し、乱反射による反射光１０が光電子検出部１の電子
導入口９から内部に入り、第１及び第２グリッド電極６
，７に照射され、反射光の照射を受けたグリッド電極自
身から光エネルギーで励起された低エネルギー電子を放
出するようになる。
第５図は光電子計数装置が試料からの反射光を受けたと
きの照射光波長に対する計数率を示したグラフであり、
例えば試料として表面を一定方向に研磨したアルミニウ
ム板を使用している。
きの照射光波長に対する計数率を示したグラフであり、
例えば試料として表面を一定方向に研磨したアルミニウ
ム板を使用している。
まず曲線Ｓ１，３２は全計数率を示し、Ｓｌは第６図（
ａ＞に示す研磨方向で試料を空気カウンタ１に対し配置
したときの計数率でおり、またＳ２は第６図（ｂ）に示
す研磨方向で試料を光電子検出部１に対し配置したとき
の計数率を示す。
ａ＞に示す研磨方向で試料を空気カウンタ１に対し配置
したときの計数率でおり、またＳ２は第６図（ｂ）に示
す研磨方向で試料を光電子検出部１に対し配置したとき
の計数率を示す。
一方、Ｎ１．Ｎ２は光電子検出部１の第１グリツド電極
６のみを一３０Ｖに引き込んで外部からの電子の侵入を
阻止したときの計測値を示し、このとき計数率は本来は
ぼ零でなければならないが、試料からの反射光が空気カ
ウンタ内部のグリッド電極に照射されることで電子が放
出され、照射波長２４Ｏｎｍ付近でピーク値をもつ計数
率Ｎ１゜Ｎ２がバックグラウンドノイズして計測される
。
６のみを一３０Ｖに引き込んで外部からの電子の侵入を
阻止したときの計測値を示し、このとき計数率は本来は
ぼ零でなければならないが、試料からの反射光が空気カ
ウンタ内部のグリッド電極に照射されることで電子が放
出され、照射波長２４Ｏｎｍ付近でピーク値をもつ計数
率Ｎ１゜Ｎ２がバックグラウンドノイズして計測される
。
このような反射光によるバックグラウンドノイズＮ１．
Ｎ２が発生した場合、真の計数率は全計数率からバック
グラウンドノイズ分を差し引いた（Ｓｌ−Ｎｌ＞または
（Ｓ２−Ｎ２）で与えられることとなるが、この場合反
射光によるバックグランドノイズが大きくなりすぎて正
確な電子数の計数に支障を来たすという問題があった。
Ｎ２が発生した場合、真の計数率は全計数率からバック
グラウンドノイズ分を差し引いた（Ｓｌ−Ｎｌ＞または
（Ｓ２−Ｎ２）で与えられることとなるが、この場合反
射光によるバックグランドノイズが大きくなりすぎて正
確な電子数の計数に支障を来たすという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、試料に照射した光が乱反射しても、乱反射による
バックグランドノイズを最小限に抑えて試料から放出さ
れた光電子を正確に計数できるようにした光電子計数装
置を提供することを目的とする。
ので、試料に照射した光が乱反射しても、乱反射による
バックグランドノイズを最小限に抑えて試料から放出さ
れた光電子を正確に計数できるようにした光電子計数装
置を提供することを目的とする。
この目的を達成するため本発明にあっては、試料表面で
反射された光が光電子計数装置に照射される部分にその
反射の光のエネルギーより仕事関数が大きい膜を形成さ
せることによりグリッド金属から放出された光電子を膜
を通過する間に減衰させると共に膜から光電子を放出さ
せないようにしたものである。
反射された光が光電子計数装置に照射される部分にその
反射の光のエネルギーより仕事関数が大きい膜を形成さ
せることによりグリッド金属から放出された光電子を膜
を通過する間に減衰させると共に膜から光電子を放出さ
せないようにしたものである。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を計測回路と共に示した説明
図である。
図である。
まず構成を説明すると、１は光電子検出部であり、ケー
ス８の先端に試料２から放出された光電子を導入するた
めの電子導入口９を開口しており、この電子導入口９の
背後となるケース内部に第１グリツド電極６及び第２グ
リツド電極７を設け、更に第２グリツド電極７の背後に
高電圧が印加されるループ状の陽極５を設けている。
ス８の先端に試料２から放出された光電子を導入するた
めの電子導入口９を開口しており、この電子導入口９の
背後となるケース内部に第１グリツド電極６及び第２グ
リツド電極７を設け、更に第２グリツド電極７の背後に
高電圧が印加されるループ状の陽極５を設けている。
この光電子検出部１の電子導入口９は試料２の表面に向
けられ、試料２は試料本体２ａの表面に薄膜２ｂを形成
しており、試料２の表面には光源ユニット４から所定波
長の紫外線ビーム３が照射されている。光源ユニット４
は重水素ランプ等の光の光１１Ｌスリット１２及び分光
器１３を備え、光源１１からの光をスリット１２で絞り
込んで分光器１３に入射し、分光器１３で所定波長の紫
外線を取り出し、スリット１２を介して試料２の表面に
紫外線ビーム３として照射している。
けられ、試料２は試料本体２ａの表面に薄膜２ｂを形成
しており、試料２の表面には光源ユニット４から所定波
長の紫外線ビーム３が照射されている。光源ユニット４
は重水素ランプ等の光の光１１Ｌスリット１２及び分光
器１３を備え、光源１１からの光をスリット１２で絞り
込んで分光器１３に入射し、分光器１３で所定波長の紫
外線を取り出し、スリット１２を介して試料２の表面に
紫外線ビーム３として照射している。
このような光電子検出部１及び光源ユニット４の構成は
、第４図の従来例と同じであるが、本発明にあっては、
試料２からの反射光が照射される電子導入口９の背後に
設けた第１グリツド電極６及び第２グリツド電橿７の表
面に反射光のエネルギーより仕事関数の大きい膜として
薄い塗膜を形成している。この第１及び第２のグリッド
電極６゜７の表面に形成された塗膜の厚さは、３００〜
４００Å以上とされており、この程度の膜厚とすること
で、試料２の表面からの反射光１０の照射を第１及び第
２のグリッド電極６．７が受けても下地となるグリッド
電極の金属からの光電子の放出を防ぐ。
、第４図の従来例と同じであるが、本発明にあっては、
試料２からの反射光が照射される電子導入口９の背後に
設けた第１グリツド電極６及び第２グリツド電橿７の表
面に反射光のエネルギーより仕事関数の大きい膜として
薄い塗膜を形成している。この第１及び第２のグリッド
電極６゜７の表面に形成された塗膜の厚さは、３００〜
４００Å以上とされており、この程度の膜厚とすること
で、試料２の表面からの反射光１０の照射を第１及び第
２のグリッド電極６．７が受けても下地となるグリッド
電極の金属からの光電子の放出を防ぐ。
一方、第１及び第２グリッド電極６，７は、試料２から
放出された光電子を陽極５に導くための電界を作り出す
電極としての機能を持っていることから、表面に薄い塗
膜を形成した場合には膜厚が大きいと電極としての機能
が損われる。
放出された光電子を陽極５に導くための電界を作り出す
電極としての機能を持っていることから、表面に薄い塗
膜を形成した場合には膜厚が大きいと電極としての機能
が損われる。
そこで第１及び第２グリッド電極６，７の表面に形成す
る薄膜の厚さを数μｍ以下に押え、低エネルギー電子の
放出を防ぐための薄い塗膜を形成しても電極としての機
能を損わないようにしている。
る薄膜の厚さを数μｍ以下に押え、低エネルギー電子の
放出を防ぐための薄い塗膜を形成しても電極としての機
能を損わないようにしている。
次に第１図の実施例に示した光電子計数装置の計数回路
の構成を、その動作と共に説明する。
の構成を、その動作と共に説明する。
まず高圧電源１６は、光電子検出部１の陽極５に３〜４
ＫＶの間となる規定の高電圧を印加している。陽極５の
印加電圧は、直流カット用のコンデンサＣを介して増幅
器１７に入力接続され、試料２から放出された光電子で
引き起こされる気体放電現象による電圧パルスを増幅出
力する。光電子検出部１の第２グリツド電極７にはパル
ス発生器１８より、例えば１００Ｖのグリッド電圧ＶＯ
２が印加されており、また第１グリツド電極６にはパル
ス発生器１９より８０Ｖ程度のグリッド電圧Ｖ（ＩＩ
１が印加されている。
ＫＶの間となる規定の高電圧を印加している。陽極５の
印加電圧は、直流カット用のコンデンサＣを介して増幅
器１７に入力接続され、試料２から放出された光電子で
引き起こされる気体放電現象による電圧パルスを増幅出
力する。光電子検出部１の第２グリツド電極７にはパル
ス発生器１８より、例えば１００Ｖのグリッド電圧ＶＯ
２が印加されており、また第１グリツド電極６にはパル
ス発生器１９より８０Ｖ程度のグリッド電圧Ｖ（ＩＩ
１が印加されている。
紫外線ビーム３の照射により、試料２から放出された光
電子は光電子検出部１の第１及び第２のグリッド電極６
，７に引かれて陽極５に引き寄せられ、陽極５の近傍に
至るとその高電界による加速を受けて気体放電現象を生
じ、このため陽極電圧ｙａが低下して増幅器１７より第
２図の信号波形図に示すような電圧パルスが出力される
。パルス発生器１８．１９は、この電圧パルスを受けて
予め定めた一定時間Ｔｅのあいだ、第２グリツド電便７
のグリッド電圧ｇ２をそれまでの１００Ｖから３００Ｖ
分高い４００Ｖに引き上げて陽恒５の周辺の電界を下げ
、雪崩的な放電現象を阻止する。同時にパルス発生器１
９が第１グリツド電（〜６に対するグリッド電圧ＶＣＩ
１をそれまでの８０ｖから一３０Ｖに引き込んで光電
子検出部１に光電子が浸入するのを阻止する。それと共
に気体放電により生じた正イオンを捕獲じ、この正イン
か試料２にぶつかり２次電子が放出されるのを防いでい
る。
電子は光電子検出部１の第１及び第２のグリッド電極６
，７に引かれて陽極５に引き寄せられ、陽極５の近傍に
至るとその高電界による加速を受けて気体放電現象を生
じ、このため陽極電圧ｙａが低下して増幅器１７より第
２図の信号波形図に示すような電圧パルスが出力される
。パルス発生器１８．１９は、この電圧パルスを受けて
予め定めた一定時間Ｔｅのあいだ、第２グリツド電便７
のグリッド電圧ｇ２をそれまでの１００Ｖから３００Ｖ
分高い４００Ｖに引き上げて陽恒５の周辺の電界を下げ
、雪崩的な放電現象を阻止する。同時にパルス発生器１
９が第１グリツド電（〜６に対するグリッド電圧ＶＣＩ
１をそれまでの８０ｖから一３０Ｖに引き込んで光電
子検出部１に光電子が浸入するのを阻止する。それと共
に気体放電により生じた正イオンを捕獲じ、この正イン
か試料２にぶつかり２次電子が放出されるのを防いでい
る。
この結果、増幅器１７は試料２からの放出電子を検出す
る毎に気体放電現象に伴って生ずる電圧パルスを出力し
て計数回路２０に与え、計数回路２０で単位時間当りの
パルス数、即ち計数率Ｎが求められる。計数回路２０に
よる計数率（カウント故）Ｎは演算回路２１に与えられ
、計数率Ｎに基づいて試料２の表面に形成された薄膜の
１摸厚Ｔを次式によって演算する。
る毎に気体放電現象に伴って生ずる電圧パルスを出力し
て計数回路２０に与え、計数回路２０で単位時間当りの
パルス数、即ち計数率Ｎが求められる。計数回路２０に
よる計数率（カウント故）Ｎは演算回路２１に与えられ
、計数率Ｎに基づいて試料２の表面に形成された薄膜の
１摸厚Ｔを次式によって演算する。
１０！：］ Ｎ＝Ｎｏ Ｔ／２．３λ ・・・（１
）但し、λは薄膜内の電子の平均自由工程（オングスト
ローム） Ｎｏは膜厚か零のときのカウンｊ−数 演算回路２１て求められた膜厚Ｔは、例えばＣＲ丁やプ
リンタ等の表示手段２２に与えられ、計測された膜厚Ｔ
が表示される。
）但し、λは薄膜内の電子の平均自由工程（オングスト
ローム） Ｎｏは膜厚か零のときのカウンｊ−数 演算回路２１て求められた膜厚Ｔは、例えばＣＲ丁やプ
リンタ等の表示手段２２に与えられ、計測された膜厚Ｔ
が表示される。
第３図は第１図の実施例に示したように、光電子検出部
１の内部に設けられた第１及び第２グリッド電極６，７
の表面に、膜厚が３００〜４００Ａ以上で且つ数μｍ以
下の薄い塗膜を形成したときの照射波長に対する計数率
を示したグラフ図であり、試料としては第６図に示した
と同じ表面を一定方向に研磨したアルミニウム板を使用
しており、全計数率Ｓ１及びバックグラウンドノイズＮ
１は第６図（ａ ）のように試料を配置した場合であり
、また全針１３２とバックグラウンドノイズＮには第６
図（ｂ ）に示したように試料を配置した場合である。
１の内部に設けられた第１及び第２グリッド電極６，７
の表面に、膜厚が３００〜４００Ａ以上で且つ数μｍ以
下の薄い塗膜を形成したときの照射波長に対する計数率
を示したグラフ図であり、試料としては第６図に示した
と同じ表面を一定方向に研磨したアルミニウム板を使用
しており、全計数率Ｓ１及びバックグラウンドノイズＮ
１は第６図（ａ ）のように試料を配置した場合であり
、また全針１３２とバックグラウンドノイズＮには第６
図（ｂ ）に示したように試料を配置した場合である。
この第３図の実測データから明らかなように、光電子検
出部１の第１及び第２のグリッド電極６゜７の表面に薄
い塗膜を形成することで試料２の表面での乱反射による
反射光１０が第１及び第２グリッド電＋ｈ６．７に照射
されたとしても、塗膜の下地金属となるグリッド電極か
らの光電子の放出が阻止され、またＩＦＪからも光電子
が放出されない。従って、全計数率Ｓ１．Ｓ２に対する
バックグラウンドノイズＮ１．Ｎ２の計数率を塗膜の仕
事関数以下の照射波長領域では低めに押えることができ
る。例えば、第３図の実測データにあっては、第５図に
示したグリッド電極の表面に塗膜を形成していない場合
に比べ、バックグラウンドノイズが約半分以下に伸えら
れることが確認されている。従って、真の計数率か全計
数率とバックグラウンドノイズとの差で与えられること
から、従来のグリッド電極の表面に薄い塗膜を形成して
いない場合には比べ、膜厚を求めるために使用する試料
放出電子の計数率のＳ／Ｎ比を大幅に改善することがで
きる。
出部１の第１及び第２のグリッド電極６゜７の表面に薄
い塗膜を形成することで試料２の表面での乱反射による
反射光１０が第１及び第２グリッド電＋ｈ６．７に照射
されたとしても、塗膜の下地金属となるグリッド電極か
らの光電子の放出が阻止され、またＩＦＪからも光電子
が放出されない。従って、全計数率Ｓ１．Ｓ２に対する
バックグラウンドノイズＮ１．Ｎ２の計数率を塗膜の仕
事関数以下の照射波長領域では低めに押えることができ
る。例えば、第３図の実測データにあっては、第５図に
示したグリッド電極の表面に塗膜を形成していない場合
に比べ、バックグラウンドノイズが約半分以下に伸えら
れることが確認されている。従って、真の計数率か全計
数率とバックグラウンドノイズとの差で与えられること
から、従来のグリッド電極の表面に薄い塗膜を形成して
いない場合には比べ、膜厚を求めるために使用する試料
放出電子の計数率のＳ／Ｎ比を大幅に改善することがで
きる。
尚、上記の実施例におっては、第１及び第２のグリッド
電極６，７の表面に薄い塗膜を形成していたが、例えば
光電子検出部１のケース８の内面に反射光１０若しくは
外部からのノイズ光が照射される場合も予想されること
から、ケース８の内面についてもグリッド電極と同様薄
い塗膜を形成すればＳ／Ｎ比は更に改善される。即ち、
試料により反射された光が照射されることにより光電子
を放出する部分に薄い塗膜を形成することが必要である
。
電極６，７の表面に薄い塗膜を形成していたが、例えば
光電子検出部１のケース８の内面に反射光１０若しくは
外部からのノイズ光が照射される場合も予想されること
から、ケース８の内面についてもグリッド電極と同様薄
い塗膜を形成すればＳ／Ｎ比は更に改善される。即ち、
試料により反射された光が照射されることにより光電子
を放出する部分に薄い塗膜を形成することが必要である
。
また、本実施例に於いては仕事関数が大きい膜として塗
膜を使用したが、本発明はこれに限定されるものなく、
他の膜として酸化膜、窒化膜等を使用しても良い。
膜を使用したが、本発明はこれに限定されるものなく、
他の膜として酸化膜、窒化膜等を使用しても良い。
更に、本実施例に於いて光電子計数装置を膜厚測定を例
にして説明したが、本光明はそれに限定されるものでは
なく、例えば試料の光電的仕本関数計測または試料表面
の汚れ度合等を計数する光電子計数装置にも応用できる
。
にして説明したが、本光明はそれに限定されるものでは
なく、例えば試料の光電的仕本関数計測または試料表面
の汚れ度合等を計数する光電子計数装置にも応用できる
。
（発明の効果）
以上説明してきたように本発明によれば、試料表面で反
射された光が光電子計数装置に照射される部分に光のエ
ネルギーより仕事関数が大きい膜を形成し、試料表面で
反則した反射光の照射をグリッド電極が受けても表面膜
からは光電子が放出されず、更にこの皮膜によりグリッ
ド電極に至る光エネルギーを減衰させると共に、グリッ
ド電極から低エネルギー電子が放出されても膜を通過す
る間にエネルギーを奪って外部に放出させないようにし
たため、試料の反射光に起因したバックグラウンドノイ
ズを最小限に押え、正確な試料放出電子の計数を行なう
ことかできる。
射された光が光電子計数装置に照射される部分に光のエ
ネルギーより仕事関数が大きい膜を形成し、試料表面で
反則した反射光の照射をグリッド電極が受けても表面膜
からは光電子が放出されず、更にこの皮膜によりグリッ
ド電極に至る光エネルギーを減衰させると共に、グリッ
ド電極から低エネルギー電子が放出されても膜を通過す
る間にエネルギーを奪って外部に放出させないようにし
たため、試料の反射光に起因したバックグラウンドノイ
ズを最小限に押え、正確な試料放出電子の計数を行なう
ことかできる。
第１図は本発明の一実施例を計測回路と共に示した説明
図、第２図は第１図の光電子計数装置の電（少電圧の時
間変化を示した信号波形図、第３図は本発明による照射
光波長に対する計数率の測定結果を示したグラフ図、第
４図は従来の光電子計数装置における反射光の問題を示
した説明図、第５図は従来装置における照射光波長に対
する計数率とバックグランドノイズの関係を示したグラ
フ図、第６図は第５図の計測データを得るときの試料研
磨による反射光の方向と光電子検出部の関係を示した説
明図である。 １：光電子検出部 ２：試料 ２ａ：試料本体 ２ｂ：薄膜 ３：紫外線ビーム ４：光源ユニット ５：陽極 ６：第１グリツド電慢 ７：第２グリツド電極 ８：ケース ９：電子導入口 １０：反射光 １１：光源 １２ニスリツト １３：分光器 １６：高圧電源 １７：増幅器 １８．１９：パルス発生器 ２０：計数回路 ２１：演算回路 ２２：表示手段 第８図 引Ｒ，専１’／ｓｌ 蝋村も４表［ｎｍ
図、第２図は第１図の光電子計数装置の電（少電圧の時
間変化を示した信号波形図、第３図は本発明による照射
光波長に対する計数率の測定結果を示したグラフ図、第
４図は従来の光電子計数装置における反射光の問題を示
した説明図、第５図は従来装置における照射光波長に対
する計数率とバックグランドノイズの関係を示したグラ
フ図、第６図は第５図の計測データを得るときの試料研
磨による反射光の方向と光電子検出部の関係を示した説
明図である。 １：光電子検出部 ２：試料 ２ａ：試料本体 ２ｂ：薄膜 ３：紫外線ビーム ４：光源ユニット ５：陽極 ６：第１グリツド電慢 ７：第２グリツド電極 ８：ケース ９：電子導入口 １０：反射光 １１：光源 １２ニスリツト １３：分光器 １６：高圧電源 １７：増幅器 １８．１９：パルス発生器 ２０：計数回路 ２１：演算回路 ２２：表示手段 第８図 引Ｒ，専１’／ｓｌ 蝋村も４表［ｎｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 試料に光を照射して、該試料から放出される光電子を電
子導入口から入射し、該光電子の数を計数する光電子計
数装置に於いて、 上記試料表面で反射した光が上記光電子計数装置に照射
された時、該光電子計数から発生する光電子を放出する
部分に上記の光のエネルギーより仕事関数が大きい膜を
形成したことを特徴とする光電子計数装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286679A JPS62145396A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 光電子計数装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286679A JPS62145396A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 光電子計数装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145396A true JPS62145396A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0376842B2 JPH0376842B2 (ja) | 1991-12-06 |
Family
ID=17707561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286679A Granted JPS62145396A (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 光電子計数装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145396A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138450A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-31 | Riken Keiki Kk | 光電子放出閾値測定装置 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60286679A patent/JPS62145396A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01138450A (ja) * | 1987-11-24 | 1989-05-31 | Riken Keiki Kk | 光電子放出閾値測定装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376842B2 (ja) | 1991-12-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |