JPS62145847A - 部分銀めつきリ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、部分銀めっきリードフレームの製造方法に係
り、特に、部分銀あつき時に、無光沢銀めっき液を用い
ても、高電流密度で、表面状態の良い部分銀めっきが得
られ、生産性の良い部分銀めっきリードフレームの製造
方法に関する。

〈従来の技術〉 半導体に使用する部分銀めっきリードフレームの製造に
際して行われる鎖部分めっきは、従来全面めっきが行わ
れていたが、貴金属の使用量を減らしてコストダウンを
計る目的から、金や銀のめっきには、スポット又はスト
ライプ状の部分めっきが主流になりつつある。貴金属の
部分めっきを行うには、絶縁物でめっき不要部を機械マ
スクし、導体に電流を流すことにより、目的とする部分
にのみめっきが行われる。

従来、部分銀めっきの際のめっき電流としては平滑直流
又は、三相半波整流等の脈動の少い電源を用いていたが
、光沢剤の入っていない、いわゆる無光沢銀めっき液を
使用した場合、前記電源を用いると、電流密度を上げた
時にめっき結晶が安定して成長せず、銀面のむら、黄変
、しみ、加熱変色等の不良が多発した。従ってめっき電
流密度を下げねばならず、そのためめっき時間が長くな
り、生産性が著しく低下した。

〈発明が解決しようとする問題点〉 本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、無
光沢銀めっき液を用いて電気めっきを行う際に、めっき
電流密度を大きくし、すなわち短時間で外観の良好な部
分銀めっきを得ることのできるめっき方法を用いた部分
銀めっきリードフレームの製造方法を提供することにあ
る。

く問題点を解決するための手段〉 本発明は、導体表面に部分銀めっきしたリードフレーム
の製造方法において、部分銀めっき用陰極電流に、リッ
プル率が１２０％以上である単相整流波を用いることを
特徴とする部分銀めっきリードフレームの製造方法を提
供するものである。

ここで、前記単相整流波は単相全波整流波であることが
好ましい。

また、前記部分銀めっき用のめっき液が光沢剤を含まな
い無光沢銀めっき液である部分銀めっきリードフレーム
の製造方法であることが好ましい。

さらに前記単相整流波の周波数が１０Ｈｚ以上であり、
前記陰極電流の電流密度が２０〜Ｂ０Ａ／ｄ　ｍ？であ
り、前記導体が銅、銅合金、または鉄−ニッケル合金で
あることが良い。

〈発明の構成〉 以下に、本発明の詳細な説明する。

リードフレーム用の基板には、銅やリン青銅等の銅合金
およびＦａ−Ｎｉ合金等が用いられる。これらの基板を
導体として以下のように部分銀めっきを行う。

本発明方法は、上記の導体を陰極とし、陰極電流に単相
全波整流波を用いることに特徴がある。

従来、電気めっきに用いられる陰極電流は平滑直流が用
いられ、交流を整流して用いる場合も脈動率のできるだ
け少ない三相半波整流等が用いられ、脈動率が少ないほ
ど良好なめっきが得られると考えられてきた。

ところがリードフレーム等に用いられる銀部分めっきに
は、前述の考えとは逆に脈動率（リップル率）の多い整
流波、すなわち脈動率１２０〜１５７％の整流波、特に
、第１ａ図に例示する単相全波整流波を用いることによ
って、良好なめっき外観を得ることができ、さらにはめ
っき電流密度を増加させることができることがわかった
。

本発明で使用する単相全波整流波の周波数は１０Ｈｚ以
上、特に１０〜２００Ｈｚ程度が好ましく、電流密度は
、めっき液の組成や銀濃度により異るが、一般的には２
０〜８０Ａ／ｄｒｎ”程度の高電流密度でも良好なめっ
きが得られる。

単相整流波は通常の単相整流器等によって整流した交流
を用いる。めっき液は、通常用いられる銀めっき液であ
れば、いかなるものを用いてもよい。光沢めっき液とし
て、セレン、アンチモン等の光沢剤を含むものであって
もよいし、光沢剤を含まない無光沢めっき液であっても
よい。特に、本発明方法は、無光沢めっき液を用いて高
電流密度でめっきを行っても、めっき外観のむら、黄変
、しみ、加熱変色等の不良がなく良好な銀部分めっきが
得られる。光沢めっき液を用いる場合は、光沢剤が少量
ですみ、光沢剤によるめっきの粗れ、つきまわりの低下
等の障害がなく高電流密度でめっきすることができる。

めっき前処理は、いかなるものでもよい。一般的には脱
脂および酸洗等を行い、被めっき面を清浄化したのち、
リードフレーム等への鎖部分めっきを行う場合は、銅ス
トライクめっきを行った後に部分銀めっきを行う。

めっき用マスクは、ゴム等の機械マスク、フォトマスク
等の化学マスク等通常の鎖部分めっきに用いるいかなる
ものでもよい。

めっき方法はめっき液に被めっき物を浸漬する浸漬法や
めっき液をノズルで被めっき物に吹きつけるノズル法等
のいかなる方法でもよい。

陽極は、白金、白金めっきチタン等の通常の陽極が用い
られる。

以上のようにして基体上に鎖部分めっきを行い、ＩＣチ
ップを所定の位置に設置し、その後樹脂モールド等を行
って、半導体装置を組立てる。

〈実施例〉 以下、本発明を実施例によって詳述する。

（実施例１および比較例） 鉄−４２％ニッケル合金からなるリードフレーム基体に
脱脂、酸洗等の前処理を行った後に全面に銅ストライク
めっきを設けた。

得られたリードフレームを陰極として機械的に銀めっき
不要部分をマスクし、無光沢銀めっき液（ジャパンロナ
ール製ハイランドシルバー８０）金属銀濃度６５ｇ／Ｊ
Ｌを高速でノズルから吹きつけ、白金陽極との間に、第
１図に示す如く、平滑直流（第１ｇ図）から単相全波整
流波（第１ａ図）まで各々脈動率（リップル率）を変え
た７種類の波形の電流を流して銀めっきを施した。なお
、リップル率は次式より算出した。

ここでｉｍａｘ：最大電流 ｆｍｉｎ：最小電流 ｉ　ｍｅａｎ　：平均電流 流液形の周波数は１００Ｈｚ、浴温は６５℃とし、電流
密度を１５〜１２０Ａ／ｄｎｆに変化させ、得られた銀
めっき面の外観を判定して、結果を第１表に示した。

この結果より無光沢銀めっき液を用いた部分銀めっきに
おいて、リップル率１２０％以上の単相整流波を用いる
ことにより、平滑直流等の電源では得られない高い電流
密度で外観の良好な銀めっきが得られることがわかる。

（実施例２および比較例） 実施例１と同様の方法で前処理及び銅ストライクめっき
を設けたリードフレームを陰極として、前記と同様の方
法で無光沢銀めっき液を用い銀めっきを施した。浴温を
６５°Ｃ１平均電流密度を４０Ａ／ｄｒｎ’とし、単相
全波整流波の周波数を１〜２００Ｈｚに変化させ、得ら
れた銀めっき面の外観を判定して結果を第２表に示した
。

この結果より、単相余波の周波数は１０〜２００Ｈｚの
範囲で外観が良好であることがわかる。

第１表 Ｏ：均一めっき　Δ：むらめっき　×：むらのひどいも
の　×：焼けめっき第　　　　　２　　　　　表 〈発明の効果〉 本発明方法は、鎖部分めっきする際に陰極電流に脈動率
１２０％以上の単相整流波を用いるので、従来の平滑直
流波又は三相半波整流波の使用では得られない高い電波
密度で、外観の良好な部分銀めっきを行うことができる
。このため、めっき時間が大幅に短縮され、部分銀めっ
きリードフレームの製造に際し、生産性が向上する。

この効果は、無光沢銀めっき液を用いる場合に特に著し
い。

単相整流波の周波数を１０Ｈｚ以上とし、電流密度が２
０〜８０Ａ／ｄｌＴＩ’である場合にめっき外観が特に
良好である。

単相整流波、特に、単相全波整波波は商用文波浪の簡便
な整流によって得られるので、直流電源に比べて電源の
構造が簡単で、より経済的である。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例で用いた部分銀めっき用電流の波形の態
様を示す波形図である。 （Ｖ）宴　喜− （ｖ）　’ＪＩＧ　　Ｂ　　− （ｖ）ｖ　　番　− （ｖ）ｖ／：　　番− Ｆ　Ｉ　Ｇ、　ｌｅ Ｆ　Ｉ　Ｇ、１ｇ １ルフ″Ａ４０％ ＦＩＧ、１ｆ −吋間（ｍｓ　）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）導体表面に部分銀めっきしたリードフレームの製
   造方法において、部分銀めっき用陰極電流に、リップル
   率が１２０％以上である単相整流波を用いることを特徴
   とする部分銀めっきリードフレームの製造方法。
2. （２）前記単相整流波が単相全波整流波である特許請求
   の範囲第１項に記載の部分銀めっきリードフレームの製
   造方法。
3. （３）前記部分銀めっき用のめっき液が光沢剤を含まな
   い無光沢銀めっき液である特許請求の範囲第１項または
   第２項に記載の部分銀めっきリードフレームの製造方法
   。
4. （４）前記単相整流波の周波数が１０Ｈｚ以上である特
   許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の部
   分銀めっきリードフレームの製造方法。
5. （５）前記陰極電流の電流密度が２０〜８０Ａ／ｄｍ＾
   ２である特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか
   に記載の部分銀めっきリードフレームの製造方法。
6. （６）前記導体が銅、銅合金、または鉄−ニッケル合金
   である特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれかに
   記載の部分銀めっきリードフレームの製造方法。