JPS62146254A - マスク成膜装置の位置合わせ装置 - Google Patents
マスク成膜装置の位置合わせ装置Info
- Publication number
- JPS62146254A JPS62146254A JP60285747A JP28574785A JPS62146254A JP S62146254 A JPS62146254 A JP S62146254A JP 60285747 A JP60285747 A JP 60285747A JP 28574785 A JP28574785 A JP 28574785A JP S62146254 A JPS62146254 A JP S62146254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- substrate
- film forming
- edge portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、成膜用マスクを基板と位置合わせしたまま
薄膜を成膜することにより、所定形状のパターンを形成
することができる薄膜成膜装置の位置合わせ装置に関す
るものである。
薄膜を成膜することにより、所定形状のパターンを形成
することができる薄膜成膜装置の位置合わせ装置に関す
るものである。
第６図は従来のこの種マスク成膜装置の位置合わせ装置
を示す断面図である。（１）は比較的厚さの厚いマスク
枠で、このマスク枠（１）の所定位置には、このマスク
枠（１）に重合されたマスク（４）の位置決め穴（４ｂ
）ｖ挿入してこのマスク（４）の位置決めを行なう複数
の位置決めビン（２）と、マスク（４）に重合された基
板（５）全固定する複数の固定ビン（３）とが一体に植
設されている。（６）はマスク枠（１）の所定位置に取
り付けらｔした基板押え、（７）は基板（５）と、所定
形状のパターン（４ａ）を形成したマスク（４）とをマ
スク枠（１）に固定する基板枠である。
を示す断面図である。（１）は比較的厚さの厚いマスク
枠で、このマスク枠（１）の所定位置には、このマスク
枠（１）に重合されたマスク（４）の位置決め穴（４ｂ
）ｖ挿入してこのマスク（４）の位置決めを行なう複数
の位置決めビン（２）と、マスク（４）に重合された基
板（５）全固定する複数の固定ビン（３）とが一体に植
設されている。（６）はマスク枠（１）の所定位置に取
り付けらｔした基板押え、（７）は基板（５）と、所定
形状のパターン（４ａ）を形成したマスク（４）とをマ
スク枠（１）に固定する基板枠である。
従来のマスク成膜装置の位置合わせ装置は上記のように
構成されているので、位置決めピン（２）と、固定ピン
（３）との相対関係位置、およびマスク（４）のパター
ン（４ａ）と、位置決め穴（４ｂ）との相対関係位置を
高精度に加工することによって、基板（５）に対するマ
スク（４）のパターン（４ａ）を高精度に位置合わせが
できるよう釦なされており、このように構成された位置
合わせ装置を薄膜成膜装置に取り付け、マスク枠（１）
の下部から成膜したい物質の蒸着物を蒸着させると、基
板（５）にはマスク（４）のパターン（４ａ）と同一形
状の薄膜パターンが形成される。
構成されているので、位置決めピン（２）と、固定ピン
（３）との相対関係位置、およびマスク（４）のパター
ン（４ａ）と、位置決め穴（４ｂ）との相対関係位置を
高精度に加工することによって、基板（５）に対するマ
スク（４）のパターン（４ａ）を高精度に位置合わせが
できるよう釦なされており、このように構成された位置
合わせ装置を薄膜成膜装置に取り付け、マスク枠（１）
の下部から成膜したい物質の蒸着物を蒸着させると、基
板（５）にはマスク（４）のパターン（４ａ）と同一形
状の薄膜パターンが形成される。
上述した従来のマスク成膜装置の位置合わせ装置におい
ては、互い重合する基板（５）とマスク（４）とが全面
的に密着せず、特にパターン（４ａ）のエツジ部と基板
（５）との間に隙間が生じ易く、たとえば蒸発源の面積
が大きいもの、スパッタ装置あるいはプラズマＣＶＤ
（蒸着）装置などのように、基板（５）の成る点に入射
する成膜物質粒子の入射角範囲が広い成膜装置によって
形成されたパターンは、隙間のあるパターン（４ａ）の
エツジ部において薄膜かにじみ、鮮明な薄膜パターンが
基板に形成できない欠点がある。これに対処する一つの
手段としてマスク（４）ヲ板ばね叫によって基板（５）
に押し付けるようにすると、すでに基板（５）上に形成
されている薄膜パターンを局部的に強力に押圧してこれ
全損傷するおそれがある。
ては、互い重合する基板（５）とマスク（４）とが全面
的に密着せず、特にパターン（４ａ）のエツジ部と基板
（５）との間に隙間が生じ易く、たとえば蒸発源の面積
が大きいもの、スパッタ装置あるいはプラズマＣＶＤ
（蒸着）装置などのように、基板（５）の成る点に入射
する成膜物質粒子の入射角範囲が広い成膜装置によって
形成されたパターンは、隙間のあるパターン（４ａ）の
エツジ部において薄膜かにじみ、鮮明な薄膜パターンが
基板に形成できない欠点がある。これに対処する一つの
手段としてマスク（４）ヲ板ばね叫によって基板（５）
に押し付けるようにすると、すでに基板（５）上に形成
されている薄膜パターンを局部的に強力に押圧してこれ
全損傷するおそれがある。
この発明は、かかる点に着目してなされたもので、基板
に形成される薄膜パターンのエツジ部が鮮明であυ、し
かもマスクによってすでに基板上に形成されている薄膜
パターンを損傷しないようにしたマスク成膜装置の位置
合わせ装置を提供するものである。
に形成される薄膜パターンのエツジ部が鮮明であυ、し
かもマスクによってすでに基板上に形成されている薄膜
パターンを損傷しないようにしたマスク成膜装置の位置
合わせ装置を提供するものである。
この発明にかかるマスク成膜装置の位置合わせ装置は、
所定形状のパターンを形成した第１マスクの上に、この
第１マスクのパターンよりもやや輪郭の大きい同一形状
のパターンを形成した第２マスクを重合させるとともに
、板ばねにより所定圧力で押圧されるこの第２マスクに
よって第１マスクのパターンのエツジ部を基板に押圧す
るようにしたものである。
所定形状のパターンを形成した第１マスクの上に、この
第１マスクのパターンよりもやや輪郭の大きい同一形状
のパターンを形成した第２マスクを重合させるとともに
、板ばねにより所定圧力で押圧されるこの第２マスクに
よって第１マスクのパターンのエツジ部を基板に押圧す
るようにしたものである。
この発明においては、板ばねによって押圧される第２マ
スクによって、第１マスクのパターンのエツジ部を基板
に押圧して第１マスクのパターンのエツジ部と基板との
間に隙間が生じないようにしたので、基板に形成される
薄膜パターンのエツジ部がきわめて鮮明となり、しかも
、第２マスクのパターンのエツジ部によって第１マスク
のパターンのエツジ部を分散した均等な圧力で基板に押
圧するようにしたので、丁でに基板上形成されている薄
膜パターンを損傷するようなことがない。
スクによって、第１マスクのパターンのエツジ部を基板
に押圧して第１マスクのパターンのエツジ部と基板との
間に隙間が生じないようにしたので、基板に形成される
薄膜パターンのエツジ部がきわめて鮮明となり、しかも
、第２マスクのパターンのエツジ部によって第１マスク
のパターンのエツジ部を分散した均等な圧力で基板に押
圧するようにしたので、丁でに基板上形成されている薄
膜パターンを損傷するようなことがない。
第１図はこの発明の一実施例を示す側面図、第２図は要
部の拡大断面図である。図において、０１）は薄膜パタ
ーンを形成する基板（５）を載置するステージで、この
ステージへυの所定位置には、位置決めビン（１′！Ｊ
と、基板固定ビンｕ３）と、押え板支えピン（ｔ４）と
がそれぞれ植設されている。そして、基板（５）は基板
固定ビン０題と基板押え００とによって所定位置に位置
決めされている。（４）は基板（５）上に重合され、こ
れに穿けられた位置決め穴（図示せず）を位置決めビン
（１２に挿入することによって位置決めされた第１マス
クで、この第１マスク（４）には第２図に示すように所
定形状のパターン（４ａ）が形成されている。α印はこ
れに穿けられた位置決め穴（図示せず）を位置決めピン
（１りに挿入することによって位置決めされた板ばね等
からなるばねで、とのばね酩は、昇降ナツト’を有する
複数の保持ボルト（至）、（２０に保持された押え板ｅ
ｌｌによって押し下げられるようになっている。（ハ）
は第１マスク（４）と、ばね罎との間に介装された第２
マスクで、この第２マスク？■のパターン（２１ａ）は
、第１マスク（４）のパターン（４ａ）と同一形状で、
かつこのパターン（４ａ）よυもやや大きい輪郭に形成
されており、この第２マスクＨのパターン（２１ａ）は
、第１マスク（４）のパターン（４ａ）のエツジ部をば
ね０樽によシ基板（５）に押圧して第１マスクのエツジ
部と基板（５）との間に隙間が生じないようにし、しか
も第２マスクｅ■のパターン（２１ａ）のエツジ部によ
って第１マスク（４）のパターンのエツジ部を分散した
均等な圧力で基板（５）に押圧するために設けられたも
のである。なお、第２マスクＱ１）のパターン（２１ａ
）の形状は、第１マスク（４）のパターン（４ｍ）と同
一形状で、しかもその輪郭の大きさは、この第２マスク
？■のパターン（２１ｍ）のエツジ部が基板（５）に接
触しない程度、すなわち、第１マスク（４）と第２マス
ク（ハ）の厚さの和の寸法またはこの寸法の４〜５倍程
度に広く形成され、第２マスク（ハ）のパターン（２１
ａ）のエツジ部が基板（５）に接触しないようになされ
ている。
部の拡大断面図である。図において、０１）は薄膜パタ
ーンを形成する基板（５）を載置するステージで、この
ステージへυの所定位置には、位置決めビン（１′！Ｊ
と、基板固定ビンｕ３）と、押え板支えピン（ｔ４）と
がそれぞれ植設されている。そして、基板（５）は基板
固定ビン０題と基板押え００とによって所定位置に位置
決めされている。（４）は基板（５）上に重合され、こ
れに穿けられた位置決め穴（図示せず）を位置決めビン
（１２に挿入することによって位置決めされた第１マス
クで、この第１マスク（４）には第２図に示すように所
定形状のパターン（４ａ）が形成されている。α印はこ
れに穿けられた位置決め穴（図示せず）を位置決めピン
（１りに挿入することによって位置決めされた板ばね等
からなるばねで、とのばね酩は、昇降ナツト’を有する
複数の保持ボルト（至）、（２０に保持された押え板ｅ
ｌｌによって押し下げられるようになっている。（ハ）
は第１マスク（４）と、ばね罎との間に介装された第２
マスクで、この第２マスク？■のパターン（２１ａ）は
、第１マスク（４）のパターン（４ａ）と同一形状で、
かつこのパターン（４ａ）よυもやや大きい輪郭に形成
されており、この第２マスクＨのパターン（２１ａ）は
、第１マスク（４）のパターン（４ａ）のエツジ部をば
ね０樽によシ基板（５）に押圧して第１マスクのエツジ
部と基板（５）との間に隙間が生じないようにし、しか
も第２マスクｅ■のパターン（２１ａ）のエツジ部によ
って第１マスク（４）のパターンのエツジ部を分散した
均等な圧力で基板（５）に押圧するために設けられたも
のである。なお、第２マスクＱ１）のパターン（２１ａ
）の形状は、第１マスク（４）のパターン（４ｍ）と同
一形状で、しかもその輪郭の大きさは、この第２マスク
？■のパターン（２１ｍ）のエツジ部が基板（５）に接
触しない程度、すなわち、第１マスク（４）と第２マス
ク（ハ）の厚さの和の寸法またはこの寸法の４〜５倍程
度に広く形成され、第２マスク（ハ）のパターン（２１
ａ）のエツジ部が基板（５）に接触しないようになされ
ている。
なお、上述した一実施例においては板ばねα枠と、基板
（５）との間隔を一定に保持するために、押え板支えピ
ン（１４）ヲステージαυに植設した場合について述べ
たが、これはこの発明に必須のものではない。
（５）との間隔を一定に保持するために、押え板支えピ
ン（１４）ヲステージαυに植設した場合について述べ
たが、これはこの発明に必須のものではない。
この発明のマスク成膜装置の位置合わせ装置は、上述し
たように所定形状のパターン（４ａ）’（！−影形成た
第１マスク（４）上に、この第１マスク（４）のパター
ン（４ａ）よりもやや輪郭の大きい同一形状のパターン
（２１ａ）を′形成した第２マスクｅ］）を重合させる
とともに、ばね賭により所定圧力で押圧される第２マス
クいｐのパターンのエツジ部によって第１マスク（４）
のパターン（４＆）のエツジ部を基板（５）に押圧する
ようにして、第１マスク（４）のパターン（４＆）のエ
ツジ部と、基板（５）との間に隙間が生じないようにし
たので、基板（５）に形成される薄膜パターンのエツジ
部かにじむようなことがなく、きわめて鮮明になるばか
シでなく第２マスクＱ■のパターン（２１ａ）のエツジ
部によって第１マスク（４）のエツジ部を分散した均等
な圧力で基板（５）に押圧するようにしたので、すでに
基板（５）上に形成されている薄膜パターンを損傷させ
るようなことのない優ｎた効果を有するものである。
たように所定形状のパターン（４ａ）’（！−影形成た
第１マスク（４）上に、この第１マスク（４）のパター
ン（４ａ）よりもやや輪郭の大きい同一形状のパターン
（２１ａ）を′形成した第２マスクｅ］）を重合させる
とともに、ばね賭により所定圧力で押圧される第２マス
クいｐのパターンのエツジ部によって第１マスク（４）
のパターン（４＆）のエツジ部を基板（５）に押圧する
ようにして、第１マスク（４）のパターン（４＆）のエ
ツジ部と、基板（５）との間に隙間が生じないようにし
たので、基板（５）に形成される薄膜パターンのエツジ
部かにじむようなことがなく、きわめて鮮明になるばか
シでなく第２マスクＱ■のパターン（２１ａ）のエツジ
部によって第１マスク（４）のエツジ部を分散した均等
な圧力で基板（５）に押圧するようにしたので、すでに
基板（５）上に形成されている薄膜パターンを損傷させ
るようなことのない優ｎた効果を有するものである。
第１図はこの発明の一実施例を示す側面図、第２図は要
部の拡大断面図、第６図は従来のマスク成膜装置の位置
合わせ装置を示す断面図である。 図において、（４）は第１マスク、（４ａ）は第１マス
クのパターン、（５）は基板、鏝はばね、（ＩＩは押え
板、１２１）は第２マスク、（２１ａ）は第２マスクの
パターンである。なお、図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
部の拡大断面図、第６図は従来のマスク成膜装置の位置
合わせ装置を示す断面図である。 図において、（４）は第１マスク、（４ａ）は第１マス
クのパターン、（５）は基板、鏝はばね、（ＩＩは押え
板、１２１）は第２マスク、（２１ａ）は第２マスクの
パターンである。なお、図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
Claims (4)
- （１）所定形状のパターンを形成した第１マスク上に、
この第１マスクのパターンよりもやや輪郭の大きい同一
形状のパターンを形成した第２マスクを重合させるとと
もに、ばねにより所定圧力で押圧される上記第２マスク
のパターンのエッジ部によつて上記第１マスクのパター
ンのエッジ部を基板に押圧するようにしたことを特徴と
するマスク成膜装置の位置合わせ装置。 - （２）ばねは、板ばねであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のマスク成膜装置の位置合わせ装置。 - （３）第２のマスクのパターンのエッジ部は、基板に接
触しないようになされていることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のマスク成膜装置の位置合わせ装置。 - （４）第１マスクに重合する第２マスクのパターンの輪
郭の大きさは、第１マスクと第２マスクの厚さの和の寸
法またはこの寸法の４〜５倍程度に第１マスクのパター
ンの輪郭よりも広く形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマスク成膜装置の位置合わせ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285747A JPS62146254A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | マスク成膜装置の位置合わせ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60285747A JPS62146254A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | マスク成膜装置の位置合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62146254A true JPS62146254A (ja) | 1987-06-30 |
Family
ID=17695524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60285747A Pending JPS62146254A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | マスク成膜装置の位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62146254A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932358A (en) * | 1989-05-18 | 1990-06-12 | Genus, Inc. | Perimeter wafer seal |
| US5565035A (en) * | 1996-03-14 | 1996-10-15 | United Technologies Corporation | Fixture for masking a portion of an airfoil during application of a coating |
| RU2653897C2 (ru) * | 2016-10-18 | 2018-05-15 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60285747A patent/JPS62146254A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4932358A (en) * | 1989-05-18 | 1990-06-12 | Genus, Inc. | Perimeter wafer seal |
| US5565035A (en) * | 1996-03-14 | 1996-10-15 | United Technologies Corporation | Fixture for masking a portion of an airfoil during application of a coating |
| RU2653897C2 (ru) * | 2016-10-18 | 2018-05-15 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя |
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