JPS62149743A - 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料Info
- Publication number
- JPS62149743A JPS62149743A JP29074385A JP29074385A JPS62149743A JP S62149743 A JPS62149743 A JP S62149743A JP 29074385 A JP29074385 A JP 29074385A JP 29074385 A JP29074385 A JP 29074385A JP S62149743 A JPS62149743 A JP S62149743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- molding material
- particle size
- curing agent
- microns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明は熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性、耐湿性に
優れた特長をもつ半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
するものであり、その特徴は表面を疎水化することに加
えて、粒径を小さくした充填材を用いさらにエポキシ樹
脂と硬化剤のバランスをずらして低応力化を図っている
ところにある。
優れた特長をもつ半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関
するものであり、その特徴は表面を疎水化することに加
えて、粒径を小さくした充填材を用いさらにエポキシ樹
脂と硬化剤のバランスをずらして低応力化を図っている
ところにある。
近年、チップの大型化、高集積度化に伴い、半導体パッ
ケージに対する低応力化の要求が著しく増大してきた。
ケージに対する低応力化の要求が著しく増大してきた。
ところが従来の半導体封止材料は充填材の形状が角ぼっ
ていたり、粒径が１００ミクロン以上のものが含まれて
いることからチップへの局所応力が増大して特性変動を
生じたり、また従来のエポキシ樹脂／硬化剤配合比（当
量比で１：１）ではレジンがあまりにも強固に結合して
いて最終製品が脆く冷熱衝撃を与えると樹脂クラックを
生じたり、耐湿性が極端に悪くなるというような欠点が
指摘されていた。
ていたり、粒径が１００ミクロン以上のものが含まれて
いることからチップへの局所応力が増大して特性変動を
生じたり、また従来のエポキシ樹脂／硬化剤配合比（当
量比で１：１）ではレジンがあまりにも強固に結合して
いて最終製品が脆く冷熱衝撃を与えると樹脂クラックを
生じたり、耐湿性が極端に悪くなるというような欠点が
指摘されていた。
（発明の目的）
本発明は従来耐クラツク性及び耐湿性に問題があった半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を根本的に改良し産業、
工業レベルでの適用すなわち実用製品の開発を目的とし
て研究した結果表面をアルコキシシラン又は及びチタネ
ート類で疎水化処理した平均粒径１５ミクロン以下のシ
リカを用い、エポキシ樹脂／硬化剤（当量比）を１．１
〜１．５にすることにより耐クラツク性及び耐湿性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られることを
見出したものである。
導体封止用エポキシ樹脂組成物を根本的に改良し産業、
工業レベルでの適用すなわち実用製品の開発を目的とし
て研究した結果表面をアルコキシシラン又は及びチタネ
ート類で疎水化処理した平均粒径１５ミクロン以下のシ
リカを用い、エポキシ樹脂／硬化剤（当量比）を１．１
〜１．５にすることにより耐クラツク性及び耐湿性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られることを
見出したものである。
（発明の構成）
本発明は表面を予めアルコキシシラン又はチタネート類
で疎水化処理を施した平均粒径１５ミクロン以下で最大
粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしくは球状のシリ
カを充填材として用いさらに当量比（エポキシ樹脂／硬
化剤）が１．１〜１．５の範囲内であることを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂成形材料である。ここでい
うシリカとは平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が
１００ミクロン以下であることが必要である。またアル
コキシるものであり、商品ではアルコキシシラン類とし
てはＤＣ−３０３７，５Ｒ−２４０２，５Ｈ−６２００
（トーレシリコーン社）、ＫＲ−２１３、ＫＲ−２１６
、ＫＢＭ−１３（信越化学社）、ＭＴＳ、ＰＴＳシリー
ズ（第八化学工業所）等を挙げることができる。また望
ましくはオリゴマー化したものがよい。オリゴマー化す
ることにより応力緩和の効果が大ぎくなる。またチタネ
ート類としてはＫＥＮ−ＲＥＡＣＴシリーズ（Ｋｅｎｒ
ｉｃｈ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ）等を挙げること
ができる。アルコキシシランやチタネート類は一種もし
くは二種以上使用しても良い。またこれらは予めシリカ
と混合し、シリカ表面に処理剤による被膜を形成する必
要がある。さらに当量比（エポキシ樹脂／硬化剤）は１
゜１〜１．５の範囲内にあることが必須である。この範
囲以下だと低応力効果が得られず、耐湿性が悪くなる。
で疎水化処理を施した平均粒径１５ミクロン以下で最大
粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしくは球状のシリ
カを充填材として用いさらに当量比（エポキシ樹脂／硬
化剤）が１．１〜１．５の範囲内であることを特徴とす
る半導体封止用エポキシ樹脂成形材料である。ここでい
うシリカとは平均粒径が１５ミクロン以下で最大粒径が
１００ミクロン以下であることが必要である。またアル
コキシるものであり、商品ではアルコキシシラン類とし
てはＤＣ−３０３７，５Ｒ−２４０２，５Ｈ−６２００
（トーレシリコーン社）、ＫＲ−２１３、ＫＲ−２１６
、ＫＢＭ−１３（信越化学社）、ＭＴＳ、ＰＴＳシリー
ズ（第八化学工業所）等を挙げることができる。また望
ましくはオリゴマー化したものがよい。オリゴマー化す
ることにより応力緩和の効果が大ぎくなる。またチタネ
ート類としてはＫＥＮ−ＲＥＡＣＴシリーズ（Ｋｅｎｒ
ｉｃｈ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ）等を挙げること
ができる。アルコキシシランやチタネート類は一種もし
くは二種以上使用しても良い。またこれらは予めシリカ
と混合し、シリカ表面に処理剤による被膜を形成する必
要がある。さらに当量比（エポキシ樹脂／硬化剤）は１
゜１〜１．５の範囲内にあることが必須である。この範
囲以下だと低応力効果が得られず、耐湿性が悪くなる。
またこの範囲以上だと成形性（硬化性、パリ）が問題と
なる。
なる。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物はタレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック硬化
剤、硬化促進剤及びシリカより構成されミこれに離型剤
、顔料、表面処理剤等を必要に応じ配合したものであり
、又シリカ母としては５０〜９０重但％が一般的である
。
ノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック硬化
剤、硬化促進剤及びシリカより構成されミこれに離型剤
、顔料、表面処理剤等を必要に応じ配合したものであり
、又シリカ母としては５０〜９０重但％が一般的である
。
（発明の効果）
このように本発明に従うと耐クラツク性及び耐湿性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができ
る。特に半導体封止用途では今後益々プラスチックパッ
ケージ化が予想され又そのためにプラスチックの低応力
化、高耐湿化が要求されている今日においては本発明の
産業的意味役割は非常に大ぎい。
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ることができ
る。特に半導体封止用途では今後益々プラスチックパッ
ケージ化が予想され又そのためにプラスチックの低応力
化、高耐湿化が要求されている今日においては本発明の
産業的意味役割は非常に大ぎい。
以下半導体封止用エポキシ樹脂組成物での検討例で説明
する。例で用いた部はすべて重量部である。本発明によ
る実施例は従来の技術による比較例に比べ成形性。耐）
♀性、耐クラツク性の点で優れてあり工業的に利用でき
る高付加価値を有している。
する。例で用いた部はすべて重量部である。本発明によ
る実施例は従来の技術による比較例に比べ成形性。耐）
♀性、耐クラツク性の点で優れてあり工業的に利用でき
る高付加価値を有している。
実施例１〜５
平均粒径が１０ミクロン以下で最大粒径が１００ミクロ
ン以下の破砕状シリカ（電気化学工業二ＦＳ−３０＞あ
るいは球状シワ力（電気化学工業二Ｆｆ３−３０＞７０
部と表面処理剤Ｂ（１−一しシリコーン：５Ｒ−２４０
２、ケンリッチ： ＫＲ−ＴＴＳ。
ン以下の破砕状シリカ（電気化学工業二ＦＳ−３０＞あ
るいは球状シワ力（電気化学工業二Ｆｆ３−３０＞７０
部と表面処理剤Ｂ（１−一しシリコーン：５Ｒ−２４０
２、ケンリッチ： ＫＲ−ＴＴＳ。
信越ＫＢＭ−１３）１部を加熱ニーダ−を用いて、１２
０℃３０分混合した後、オルトクレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（日本化薬： ＥＯＣＮ−１０２０）とフ
ェノールノボラック（住友ベークライト）を合わせて３
０部（但し当量比１．１〜１．５）、硬化促進剤（グー
アイ化成ＰＰ−３６０／四国化成２ＭＺ＝９／１ ）０
．２部、表面処理剤Ａ（チッソＧＰＳ−Ｍ）０．３部、
顔料（三菱化成）０．５部、離型剤（ヘキストジャパン
：ヘキストＯＰ／ヘキストＳ＝１／１）０．４部と混合
し１２０°Ｃの熱ロールで３分混練し成形材料４種を得
た。これら成形材料の成形性、熱ストレス後耐湿性を測
定した結果表のように比較例に比べて優れることがわか
った。
０℃３０分混合した後、オルトクレゾールノボラック型
エポキシ樹脂（日本化薬： ＥＯＣＮ−１０２０）とフ
ェノールノボラック（住友ベークライト）を合わせて３
０部（但し当量比１．１〜１．５）、硬化促進剤（グー
アイ化成ＰＰ−３６０／四国化成２ＭＺ＝９／１ ）０
．２部、表面処理剤Ａ（チッソＧＰＳ−Ｍ）０．３部、
顔料（三菱化成）０．５部、離型剤（ヘキストジャパン
：ヘキストＯＰ／ヘキストＳ＝１／１）０．４部と混合
し１２０°Ｃの熱ロールで３分混練し成形材料４種を得
た。これら成形材料の成形性、熱ストレス後耐湿性を測
定した結果表のように比較例に比べて優れることがわか
った。
比較例１〜４
平均粒径が１０ミクロン以下で最大粒径が１００ミクロ
ン以下の破砕状シリカ（電気化学工業二ＦＳ−３０）あ
るいは球状シリカ（電気化学工業二ＦＢ−３０）７０部
と表面処理剤８１部を加熱二一ダ−を用い１２０℃３０
分混合した後エポキシ樹脂とフェノールノボラック合わ
せて３０部（当量比１．０）硬化促進剤０．２部、表面
促進剤△０，３部、顔料０．５部、離型剤０．４部、（
いずれも実施例と同一原料）を実施例と同様に材料化し
た。この材料の成形性、熱ストレス後耐湿性、結果は別
表の通り実施例に比べて熱ストレス後耐湿性の点で大幅
に劣る。
ン以下の破砕状シリカ（電気化学工業二ＦＳ−３０）あ
るいは球状シリカ（電気化学工業二ＦＢ−３０）７０部
と表面処理剤８１部を加熱二一ダ−を用い１２０℃３０
分混合した後エポキシ樹脂とフェノールノボラック合わ
せて３０部（当量比１．０）硬化促進剤０．２部、表面
促進剤△０，３部、顔料０．５部、離型剤０．４部、（
いずれも実施例と同一原料）を実施例と同様に材料化し
た。この材料の成形性、熱ストレス後耐湿性、結果は別
表の通り実施例に比べて熱ストレス後耐湿性の点で大幅
に劣る。
比較例５
平均粒径が２０ミクロンで最大粒径が１５０ミクロンの
破砕状シリカ（電気化学工業：ＦＳ−９０＞と表面処理
剤８１部を加熱ニーダ−を用い１２０℃３０分混合した
後エポキシ樹脂、フェノールノボラックを合わせて３０
部（当量比１．１）硬化促進剤０．２部表面処理剤Ａ０
．３部、顔料０．５部、離型剤０．４部（いずれも実施
例と同一原料）を実施例と同様に材料化した。この材料
の成形性、熱ストレス後耐湿性、結果は別表の通り実施
例に比べて熱ストレス後耐湿性の点で大幅に劣る。
破砕状シリカ（電気化学工業：ＦＳ−９０＞と表面処理
剤８１部を加熱ニーダ−を用い１２０℃３０分混合した
後エポキシ樹脂、フェノールノボラックを合わせて３０
部（当量比１．１）硬化促進剤０．２部表面処理剤Ａ０
．３部、顔料０．５部、離型剤０．４部（いずれも実施
例と同一原料）を実施例と同様に材料化した。この材料
の成形性、熱ストレス後耐湿性、結果は別表の通り実施
例に比べて熱ストレス後耐湿性の点で大幅に劣る。
＊１：間隙２０ミクロンの金型に発生するパリ長さくｍ
） ＊２：３＃Ｘ３Ｍの大きさの模擬素子を封止した５Ｐｉ
ｎＳＯＰを２６０℃の半田治に１０１浸漬後１２５℃、
１００％の条件で１００ Ｒ保管した時の不良率／総
数で判定
） ＊２：３＃Ｘ３Ｍの大きさの模擬素子を封止した５Ｐｉ
ｎＳＯＰを２６０℃の半田治に１０１浸漬後１２５℃、
１００％の条件で１００ Ｒ保管した時の不良率／総
数で判定
Claims (1)
- 表面をアルコキシシラン類又は及びチタネート類で疎水
化処理を施した重量平均粒径が１５ミクロン以下で最大
粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしくは球状のシリ
カを充填材として用い、さらにクレゾールノボラック型
エポキシ樹脂とフェノールノボラック硬化剤の当量比（
エポキシ樹脂／硬化剤）が１．１〜１．５の範囲内であ
ることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29074385A JPS62149743A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29074385A JPS62149743A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149743A true JPS62149743A (ja) | 1987-07-03 |
| JPH0551610B2 JPH0551610B2 (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=17759949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29074385A Granted JPS62149743A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149743A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245014A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPH0276248A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
| JPH02166754A (ja) * | 1988-12-21 | 1990-06-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体封止用樹脂成形材料 |
| GB2422608A (en) * | 2004-12-30 | 2006-08-02 | Ind Tech Res Inst | Coating material containing hydrophobically-modified particles |
| CN110713696A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-01-21 | 云南电网有限责任公司临沧供电局 | 一种憎水耐电痕绝缘材料及其制备方法 |
| WO2023182085A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174416A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-13 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS5922955A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-06 | Toshiba Chem Corp | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPS5927945A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29074385A patent/JPS62149743A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174416A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-13 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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| JPS5927945A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01245014A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Toray Ind Inc | 半導体封止用樹脂組成物 |
| JPH0276248A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nitto Denko Corp | 半導体装置 |
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| GB2422608A (en) * | 2004-12-30 | 2006-08-02 | Ind Tech Res Inst | Coating material containing hydrophobically-modified particles |
| GB2422608B (en) * | 2004-12-30 | 2008-10-01 | Ind Tech Res Inst | Self-cleaning coating comprising hydrophobically-modified particles |
| US7744953B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-06-29 | Industrial Technology Research Institute | Method for forming self-cleaning coating comprising hydrophobically-modified particles |
| CN110713696A (zh) * | 2019-12-02 | 2020-01-21 | 云南电网有限责任公司临沧供电局 | 一种憎水耐电痕绝缘材料及其制备方法 |
| WO2023182085A1 (ja) * | 2022-03-24 | 2023-09-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用樹脂組成物及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0551610B2 (ja) | 1993-08-03 |
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