JPS6214979A - 真空処理室の清掃方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 室 本発明は真空処理９の清掃方法に関する。

従来の技術 このため半導体製造で歩留を最も大きく左右するのが、
塵埃の存在であり、これを取９除かなくては歩留の向上
は難しい。半導体製造基プロセスは、ドライエツチング
、成膜など真空中の処理が非常に多く、本発明の利用分
野は大きい。

これまで半導体製造装置の真空処理室内の清掃は、人手
による溶剤クリーニング、および酸素プラズマクリーニ
ング等を行なっていた。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、これらの清掃では除去し切れなかった小
さな塵が処理室内に残留しやすく、確実に清掃すること
が難しかった。さらに近年半導体製造装置は益々複雑化
する傾向にあり、処理室内において人手が屈かない箇所
が増加している。このため、これらの真空処理室を確実
に清掃するために、この対策は重要である。

問題点を解決するための手段 本発明は、上述の問題点を解決するためのものであり、
処理室内を真空排気、ガスパージを短いインターバルで
くり返す真空処理室の清掃方法である。これにより残留
しているごみを確実に除去できる。

作　　用 真空処理室内をドライ窒素や処理ガスでパージを行えば
、残留していたごみが舞い上がる。次の排気でこの舞い
上がったごみを除去し、この操作をくり返すことにより
処理室内が確実に清掃される。

実施例 以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。

第１図は、本発明を適用するウエノ・−処理装置の概要
を示す略断面図であり、図中１が真空処理室である。２
はガス吹き出し口であり、バルブ３を通じパイプ４に接
続されている。パイプ４はドライ窒素や処理ガスである
気体供給源に接続されている。５は排気口でバルブ６を
通じパイプ７に接続されている。パイプ７は真空源に接
続されている。バルブ３を閉じ、バルブ６を開き真空処
理室１の真空排気を行う。次に１０秒後にバルブ３を開
き、バルブ６を閉じ、真空処理室１をドライ窒素や処理
ガス等でパージする。さらに１０秒後パルプ３を閉じ、
バルブ６を開き真空処理室１の排気を行う。この操作を
繰返す。

第２図は、本実施例の効果を残留ダストレベルで示した
特性図である。経験によると、この操作を１０回以上繰
り返し行うことにより、確実に清掃される。

この操作により、真空処理室内では残留したごみが強制
的にパイプ７より外部へ排出され、確実な清掃が行える
。

発明の効果 以上述べたように本発明によれば、真空処理室内の清掃
を排気、ガスパージのくり返しによりごみを舞い上げ外
部へ排出することにより確実に行うことが出′来る。

第２図には、本発明を適用し、真空処理内のダストレベ
ルを比較したものである。測定方法は、清掃後の真空処
理室にウェハーを設置し、付着したごみの数をレーザカ
ウンタを用いて測定したものである。第２図を見て明ら
かなように効果は絶大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施で用いた真空処理室の略断面図
、第２図は本発明の効果特性図である。 １・・・・・・真空処理室、２・・・・・・ガス吹き出
し口、３・・・・・・バルブ、４・・・・・・ガス供給
パイプ、５・・・・・・排気口、６・・・・・・バルブ
、７・・・・・・真空源への接続パイプ。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ｔ−
１空処理！ ２−ｍ−ケ・ス吠セ田Ｌ′：Ｊ 第２図 ■一本処理Ｔδ（ ｎ−一−・・　　１８ ｍ−−−・・　　２団 工ＩＩＩ［１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空処理装置の処理室内を排気し、次にドライ窒素等の
   ガスを導入する操作を１回もしくは複数回くり返して処
   理室内のごみを除去することを特徴とする真空処理室の
   清掃方法。