JPS62150726A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62150726A JPS62150726A JP29515185A JP29515185A JPS62150726A JP S62150726 A JPS62150726 A JP S62150726A JP 29515185 A JP29515185 A JP 29515185A JP 29515185 A JP29515185 A JP 29515185A JP S62150726 A JPS62150726 A JP S62150726A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- semiconductor device
- nitride film
- film
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術的分野］
本発明は、半導体装置の製造方法、特に学導体装置表面
の金属配線後に生成される保護絶縁膜の製造方法に関す
る。
の金属配線後に生成される保護絶縁膜の製造方法に関す
る。
［従来技術とその問題点］
従来、半導体装置表面に生成される保護絶縁膜には主に
次のものがある。
次のものがある。
（１）減圧ＣＶＤ装置及び常圧ＣＶＤ装置によるＰＳＧ
（リンガラス）膜 （２）高周波プラズマＣＶＤ装置による窒化珪素膜 （１）の方法は、耐湿性に問題があり、またリンを含む
ために大気中の水分と反応してリン酸を生成し、下地の
金属配線を浸蝕するという欠点があった。
（リンガラス）膜 （２）高周波プラズマＣＶＤ装置による窒化珪素膜 （１）の方法は、耐湿性に問題があり、またリンを含む
ために大気中の水分と反応してリン酸を生成し、下地の
金属配線を浸蝕するという欠点があった。
また（２）の方法は、高周波プラズマが半導体装置自体
にダメージを与えたり、また窒化珪素膜生成時に加熱を
必要とするため、窒化珪素膜及び金属配線に応力がかか
り、ストレスマイグレーションの発生の原因となってお
り、ひどい時には金属配線の断線が発生するという欠点
があった。
にダメージを与えたり、また窒化珪素膜生成時に加熱を
必要とするため、窒化珪素膜及び金属配線に応力がかか
り、ストレスマイグレーションの発生の原因となってお
り、ひどい時には金属配線の断線が発生するという欠点
があった。
［発明の目的］
本発明は、半導体装置の金属配線にストレスの少ない保
護絶縁膜を生成し、金属配線のストレスマイグレーショ
ンの発生を防止することを目的とする。
護絶縁膜を生成し、金属配線のストレスマイグレーショ
ンの発生を防止することを目的とする。
［発明の要点］
本発明は、半導体装置の金属配線上の保護絶縁膜生成に
ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ （
化学的気相成長）装置を用い、ＥＣＲプラズマＣＶ Ｄ
！Ａ置の高周波出力を１５０〜２００Ｗの範囲で用い
ることにより、プラズマによる半導体装置に与えるタメ
ージも少なく、金属配線に午える熱応力や生成膜自体の
内部応力も少ない窒化珪素膜を得ようとするものである
。
ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ （
化学的気相成長）装置を用い、ＥＣＲプラズマＣＶ Ｄ
！Ａ置の高周波出力を１５０〜２００Ｗの範囲で用い
ることにより、プラズマによる半導体装置に与えるタメ
ージも少なく、金属配線に午える熱応力や生成膜自体の
内部応力も少ない窒化珪素膜を得ようとするものである
。
［発明の実施例］
次に本発明の実施例を図面について説明する。
第１図はＥＣＲプラズマＣＶＤ装置のＥＣＲイオン源の
構造図である。プラズマ生成室ｌは空胴共振器となって
入力端２よりの高周波（マイクロ波）と入力端３よりの
ガスＡとによりプラズマを発生させる。このプラズマを
試料（シリコンウェハ）４のあるデポジション室５へ磁
石（コイル）６の磁界により導き、プラズマ流７として
シャッタ８を介して試料４に当て、デポジション室５へ
入力端９より注入されるガスＢと反応して試料（シリコ
ンウェハ）４ヒにｄｉｆ１９が生成される。以りがＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ装置の薄膜生成プロセスである。
構造図である。プラズマ生成室ｌは空胴共振器となって
入力端２よりの高周波（マイクロ波）と入力端３よりの
ガスＡとによりプラズマを発生させる。このプラズマを
試料（シリコンウェハ）４のあるデポジション室５へ磁
石（コイル）６の磁界により導き、プラズマ流７として
シャッタ８を介して試料４に当て、デポジション室５へ
入力端９より注入されるガスＢと反応して試料（シリコ
ンウェハ）４ヒにｄｉｆ１９が生成される。以りがＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ装置の薄膜生成プロセスである。
ガスＡとして窒素（Ｎ２ ） 、ガスＢとしてモノシラ
ン（Ｓ＋Ｈａ）を用いると、保護絶縁膜として窒化珪素
膜（Ｓ＋ａＮａ）を生成することができる。ガス流量は
Ｎ２ ：３０ｍ１／分、５ＩＨ４：２０ｍ１／分である
。
ン（Ｓ＋Ｈａ）を用いると、保護絶縁膜として窒化珪素
膜（Ｓ＋ａＮａ）を生成することができる。ガス流量は
Ｎ２ ：３０ｍ１／分、５ＩＨ４：２０ｍ１／分である
。
第２図は、窒化珪素膜の生成時の高周波（マイクロ波）
出力に対する生Ｊ＆膜の屈折率特性を示したグラフであ
る。この結果Ｉより、高周波出力が１５０Ｗ以上では屈
折率の安定した均一な密度の窒化珪素膜が生成できる。
出力に対する生Ｊ＆膜の屈折率特性を示したグラフであ
る。この結果Ｉより、高周波出力が１５０Ｗ以上では屈
折率の安定した均一な密度の窒化珪素膜が生成できる。
第３図は、高周波（マイクロ波）出力と、生成された窒
化珪素膜の内部応力との関係を示したグラフである。こ
の結果より、高周波出力が約１３０〜２００Ｗの範囲が
、窒化珪素膜の内部応力が極めて少なく、膜質も良好で
あることが分かる。
化珪素膜の内部応力との関係を示したグラフである。こ
の結果より、高周波出力が約１３０〜２００Ｗの範囲が
、窒化珪素膜の内部応力が極めて少なく、膜質も良好で
あることが分かる。
以上の結果からＥＣＲプラズマＣＶＤ装置において、高
周波出力の範囲を１５０〜２００Ｗとして窒化珪素膜を
生成した場合、生成膜の屈折率も安定し、内部応力も極
めて少ない良質の窒化珪素膜が生成できる。
周波出力の範囲を１５０〜２００Ｗとして窒化珪素膜を
生成した場合、生成膜の屈折率も安定し、内部応力も極
めて少ない良質の窒化珪素膜が生成できる。
［発明の効果］
本発明によれば、ＥＣＲブラズ−ｆｃＶＤ装置の高周波
（マイクロ波）出力を１５０〜２００Ｗの範囲で用いて
生成された窒化珪素膜は、生成膜自体の内部応力も少な
く、膜質も良好なため、半導体装置の金属配線後の保護
絶縁膜として用いることにより、金属配線に与える応力
も極めて少なく、ストレスマイグレーションの減少に大
きな効果が得られる。また、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
は、はぼ常温で薄膜生成を行うため、金属配線にノＪ−
える熱応力も減少でき、ストレスマイグレーション防止
にはより高い効果が得られる。この結果金属配線の欠陥
が減少し゛ト導体装置の歩留り及び信頼性が向上する。
（マイクロ波）出力を１５０〜２００Ｗの範囲で用いて
生成された窒化珪素膜は、生成膜自体の内部応力も少な
く、膜質も良好なため、半導体装置の金属配線後の保護
絶縁膜として用いることにより、金属配線に与える応力
も極めて少なく、ストレスマイグレーションの減少に大
きな効果が得られる。また、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置
は、はぼ常温で薄膜生成を行うため、金属配線にノＪ−
える熱応力も減少でき、ストレスマイグレーション防止
にはより高い効果が得られる。この結果金属配線の欠陥
が減少し゛ト導体装置の歩留り及び信頼性が向上する。
第１図はＥＣＲプラズマＣＶＤ装置のＥＣＲイオン源構
造図、第２図はＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の高周波出力
−窒化珪素膜の屈折率の特性線図、第３図はＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置の高周波出力−窒化珪素膜の内部応力の
特性線図である。 １・・・プラズマ生成室、 ２ψΦ・高周波入力端、
３・・・ガス入力端、 ４・・・試料（シリコ
ンウェハ）、 ５φ・−デポジション室、 ６・
Φ・磁石（コイル）、 ７・拳・プラズマ流、 ８
・・・シャッタ ９ 拳拳争ガス入力端。 ｈｌ１８）代理人４′Ｆ）’ｔ！Ｊ：″だ１・ｔ な第
１図
造図、第２図はＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の高周波出力
−窒化珪素膜の屈折率の特性線図、第３図はＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置の高周波出力−窒化珪素膜の内部応力の
特性線図である。 １・・・プラズマ生成室、 ２ψΦ・高周波入力端、
３・・・ガス入力端、 ４・・・試料（シリコ
ンウェハ）、 ５φ・−デポジション室、 ６・
Φ・磁石（コイル）、 ７・拳・プラズマ流、 ８
・・・シャッタ ９ 拳拳争ガス入力端。 ｈｌ１８）代理人４′Ｆ）’ｔ！Ｊ：″だ１・ｔ な第
１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ
（化学的気相成長）装置により、 １５０〜２００Ｗの範囲の高周波出力を用いて保護絶縁
膜を生成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29515185A JPS62150726A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29515185A JPS62150726A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62150726A true JPS62150726A (ja) | 1987-07-04 |
Family
ID=17816923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29515185A Pending JPS62150726A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62150726A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315426A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6467823A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Lab | Formation of oxide superconducting film |
| JPS6467824A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Lab | Forming device for oxide superconducting material |
| JPS6476903A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-23 | Semiconductor Energy Lab | Apparatus for producing oxide superconducting material |
| US5433788A (en) * | 1987-01-19 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance |
| KR20070102764A (ko) * | 2006-04-17 | 2007-10-22 | 주식회사 엘지화학 | Ｐｅｃｖｄ 법에 기반한 다층 박막 구조의 제조방법 |
| JP2023062858A (ja) * | 2021-10-22 | 2023-05-09 | 株式会社日本製鋼所 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置及びｅｃｒプラズマｃｖｄ装置の成膜方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP29515185A patent/JPS62150726A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155535A (en) * | 1980-05-02 | 1981-12-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Film forming device utilizing plasma |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315426A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US5433788A (en) * | 1987-01-19 | 1995-07-18 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for plasma treatment using electron cyclotron resonance |
| JPS6467823A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Lab | Formation of oxide superconducting film |
| JPS6467824A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-14 | Semiconductor Energy Lab | Forming device for oxide superconducting material |
| JPS6476903A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-23 | Semiconductor Energy Lab | Apparatus for producing oxide superconducting material |
| KR20070102764A (ko) * | 2006-04-17 | 2007-10-22 | 주식회사 엘지화학 | Ｐｅｃｖｄ 법에 기반한 다층 박막 구조의 제조방법 |
| JP2023062858A (ja) * | 2021-10-22 | 2023-05-09 | 株式会社日本製鋼所 | Ｅｃｒプラズマｃｖｄ装置及びｅｃｒプラズマｃｖｄ装置の成膜方法 |
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