JPS62150829A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は高周波電力を使用して半導体基板に被膜形成又
は被膜エツチングを行なう半導体装置の製造方法に関す
る。

（発明の技術的背景とその問題点） 半導体基板の表面にパターンを繰り返して形成する方法
においては、半導体基板に高周波電力を印加して行なう
ことがなされている。第８図は高周波電力を印加して半
導体基板１表面に被膜を形成する装置を示している。対
向配設された一対の電極４に半導体基板１の裏面が接し
て、半導体基板１の表面が対向するように取り付けられ
る。電極４は高周波電力の電源５に接続されており、こ
の状態で膜形成ガスが流通された反応室内に挿入される
。そして、電極４を介して電源５から高周波電力が印加
され、半導体基板１の表面に被膜がパターン形成される
ようになっている。

第９図は同じく高周波電力を印加しながら、半導体基板
１表面の被膜エツチングを行なう装置を示している。対
向配設された一対の電極４の一方に半導体基板１の裏面
が接するように取り付けられ、エツチングガスが流通す
る反応室内で電源５から半導体基板１に高周波電力が印
加され、被膜エツチングが行なわれるようになっている
。

このように半導体基板に高周波電力を印加して被膜形成
あるいは被膜エツチングを行なう場合にあっては、電極
４に接する半導体基板の裏面状態が膜厚の均一性やエツ
チングの均一性に重要な影響を与える。

第１０図ないし第１３図はパターン形成が繰り返して行
なわれ半導体基板１の従来例の断面図である。第１０図
は半導体基板１の地肌が露出している状態、第１１図は
半導体基板１の裏面の全体に絶縁被膜２が残存している
状態、第１２図は半導体基板１裏面の一部に絶縁液ｌ５
１２が残存している状態、第１３図は絶縁被膜２、中間
層３、絶縁被膜２が半導体基板１裏面に順次、積層され
ている状態である。このような半導体基板を８周波電力
の電源４に取り付けて被膜形成又は被膜エツチングを行
なうと、半導体基板１の裏面状態によって高周波電力の
安定供給が図れないため、均一な膜厚形成ができなかっ
たり、均一なエツチングができない問題がある。

〔発明の目的〕

本発明は上記従来技術の問題点を解決するためになされ
たもので、高周波電力を使用して半導体基板に被膜形成
又はそのエツチングを行なうに際し、電力の安定供給を
図って均一な膜厚の被膜形成あるいは均一なエツチング
を可能とした半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。

（発明の概要） 上記の目的を達成するため本発明は、半導体基板の復側
に直接に、又は絶縁層を介して導電性膜を形成し、この
導電性膜を介して高周波電力を半導体基板に印加しなが
ら被膜形成またはエツチングを行なうようにした半導体
装置の製造方法を提供するものである。

（発明の実施例） 以下、本発明を図示する実施例につき、具体的に説明す
る。

第１図は本発明方法の一実施例を説明するための半導体
基板の断面図である。シリコンからなる半導体基板１１
の裏面の全面に導電性膜１２が形成されている。導電性
膜１２は多結晶シリコン、アルミニウムその伯の電気伝
導性材質が使用され、例えば、後述する方法によって半
導体基板１１の裏面にだけ形成される。一方、半導体基
板１１の表面には所定のパターンが形成されて半導体装
置が製造されるものである。パターン形成は半導体基板
１１の表面に被膜形成あるいは表面の被膜エツチングを
繰り返すことによって行なわれる。

この被膜形成あるいは被膜エツチング処理に際しては、
半導体基板１１に高周波電力を印加して行なわれるが、
高周波電力を供給する電源および電極は第８図、第９図
に図示の装置を使用することができる。すなわち、対向
した一対の電極（例えばカーボン）に半導体基板１１の
裏面が接するように取り付けられ、真空状態の反応室内
に目的のガスを流入しながら行なうものである。このよ
うな処理においては、半導体基板１１の裏面に導電性膜
１２が形成され、導電性膜１２が電極に直接に接するた
め高周波電力の安定供給が行なわれる。従って、均一な
膜厚の被膜形成、均一なエツチングが可能となる。

第２図ないし第４図はいずれも本発明方法の別の実施例
を説明するための断面図である。第２図図示の実施例は
３ｊＪＴｉ性膜１２が半導体基板１１の裏面に残存する
絶縁被膜１３の下面に形成されており、第３図図示の実
施例は半導体基板１の衷面の一部に絶縁被膜１３が残存
しており、導電性膜１２は絶縁被膜１３を含めた半導体
基板１１の裏側全面に形成されている。又、第４図図示
の実施例は半導体基板１１の裏面に絶縁被膜１３、中間
Ｗ１１４、絶縁被膜１３が順に積層されており、導電性
膜１２は最下層の絶縁被膜１３下面に形成されている。

なお、この絶縁被膜１３は通常は製造工程中で現れる二
酸化シリコン膜であるが、サファイＶ基板を用いたいわ
ゆるＳＯ８（Ｓｏ　Ｉ　）構造においても同様に適用で
きる。

第６図は第１図に示す実施例および第１０図に示す従来
例を使用して、半導体基板の表面に絶縁被膜を形成した
場合の膜厚を測定したグラフ、第７図は同様に半導体基
板の表面の絶縁被膜をエツチングした場合の膜厚を測定
したグラフである。

これらの図において、折れ線Ａは第１図に示す本発明の
一実施例の膜厚の変化を、折れ線Ｂは第１０図に示プ従
来例の膜厚の変化を示し、膜厚のばらつきは折れ線Ａの
方が小さくなっている。この場合、試料としてはナファ
イヤ基板ｒ半導体層を設けたいわゆるＳＯ８を使用し、
導電性膜として多結晶シリコンを使用しており、いずれ
も試料の裏面を電極に接して被膜形成あるいは被膜エツ
チングを行なったものである。これらの図により、導電
性膜を形成した場合に膜厚のばらつきが小さく、高周波
電力の安定供給が行なわれているーことが判る。

なお、第５図のように導電性膜１２のさらに下面にＳｔ
Ｏ，等絶縁被膜１２が残存する場合には電力の安定供給
がある程度まで妨げられるから、この場合には、最下層
の絶縁被膜１３をエツチング等によって除去するか、あ
るいは最下層の絶縁液１１１３の下面に、さらにＸＪ導
電性膜形成して被膜形成、被膜エツチングを行なうこと
が望ましい。

次に、本発明の製造方法に係る工程の一例をさらに具体
的に説明する。まず、半導体基板１１の表面および裏面
に導電性膜を形成する。この導電性膜の形成は多結晶シ
リコン等の電気伝導性素材を真空蒸着等することで行な
われる。次に、半導体基板裏面の導電性膜全体をマスキ
ング剤によつエマスフした状態で、半導体基板表面の導
電性膜を除去する。この処理は例えば、エツチングを行
なうことによって可能である。そして、半導体基板裏面
の′Ｆ４電性膜に塗布されているマスキング剤を洗浄等
により除去する。これにより、導電性膜が１側だけに形
成された半導体基板が得られ、高周波電力の安定供給が
可能となる。

〔発明の効果〕

以上の通り本発明によれば、半導体基板の裏側に導電性
膜が形成されているので、高周波電力の安定供給が可能
となり、均一な被膜形成、均一な被膜エツチングが可能
な半導体装置の製造方法を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の一実施イ脩を説明するための断面
図、第２図ないし第４図は伯の実施例を説明するための
断面図、第５図は更に他の実施例を説明するための断面
図、第６図は被膜形成処理を行なった場合の膜厚のばら
つきを示すグラフ、第７図は被膜エツチングを行なった
場合の膜厚のばらつきを示すグラフ、第８図および第９
図は高周波電力を印加する場合の正面図、第１０図ない
し第１３図は従来例を説明するための断面図である。 ４・・・電極、５・・・高周波電力の電源、１１・・・
半導体基板、１２・・・導電性膜。 出願人代理人　　佐　　藤　　−雄 第５図 第９図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板に高周波電力を印加しながら表面に被膜
   形成又は被膜エッチングを行なう半導体装置の製造方法
   において、 前記半導体基板の裏面側に導電性膜を形成し、この導電
   性膜を介して前記高周波電力を印加することを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。 ２、前記導電性膜が多結晶シリコン膜である特許請求の
   範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 ３、裏面に絶縁層を有する半導体基板に高周波電力を印
   加しながら表面に被膜形成又は被膜エッチングを行なう
   半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の裏面
   の絶縁層上に導電性膜を形成し、この導電性膜を介して
   前記高周波電力を印加することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。 ４、前記導電性膜が多結晶シリコン膜である特許請求の
   範囲第３項記載の半導体装置の製造方法。 ５、前記半導体基板の裏面の絶縁層がサファイヤ基板で
   ある特許請求の範囲第３項記載の半導体装置の製造方法
   。 ６、前記半導体装置の裏面の絶縁層が二酸化シリコン膜
   である特許請求の範囲第３項記載の半導体装置の製造方
   法。