JPS6215547A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6215547A JPS6215547A JP60156608A JP15660885A JPS6215547A JP S6215547 A JPS6215547 A JP S6215547A JP 60156608 A JP60156608 A JP 60156608A JP 15660885 A JP15660885 A JP 15660885A JP S6215547 A JPS6215547 A JP S6215547A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrel
- exposure
- wafer
- nitrogen
- resist film
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｕ５１要］
露光反応が酸素で害されないように、酸素を含まない雰
囲気、あるいは、真空中で紫外線にてレジスト膜を露光
する露光装置の構造にする。
囲気、あるいは、真空中で紫外線にてレジスト膜を露光
する露光装置の構造にする。
［産業上の利用分野］−。
本発明はフォトプロセスに用いる露光装置の改良に関す
る。
る。
例えば、半導体装置の製造方法において、フォトプロセ
スが汎用されており、半導体基板上に繰り換えし、レジ
スト膜パターンが形成されている。
スが汎用されており、半導体基板上に繰り換えし、レジ
スト膜パターンが形成されている。
一方、■Ｃなどの半導体装置は惣速に高集積化・高密度
化されてきており、従って、レジスト膜パターンの微細
化と、パターン精度の向上が要望されている。
化されてきており、従って、レジスト膜パターンの微細
化と、パターン精度の向上が要望されている。
［従来の技術］
フォトプロセスにおいて、半導体基板の上にレジスト膜
を塗布し、これを露光・現像によってマスクパターンを
転写してレジスト膜パターンが形成されるが、壱の露光
方法に密着露光と縮小露光との二方式が知られている。
を塗布し、これを露光・現像によってマスクパターンを
転写してレジスト膜パターンが形成されるが、壱の露光
方法に密着露光と縮小露光との二方式が知られている。
前者の密着露光は従前から用いられており、レジスト膜
を塗布した半導体基板にマスクを密着させて露晃する方
法であるが、後者の縮小露光は５〜１０倍の大きさのマ
スクを使用して、これを半導体基板上で１７５〜１／１
０に縮小して露光する方法である。この縮小露光方法は
露光装置の光学系の進歩によるところが大きく、微細パ
ターンの形成に適した方法であるから、最近、重用され
てきている。
を塗布した半導体基板にマスクを密着させて露晃する方
法であるが、後者の縮小露光は５〜１０倍の大きさのマ
スクを使用して、これを半導体基板上で１７５〜１／１
０に縮小して露光する方法である。この縮小露光方法は
露光装置の光学系の進歩によるところが大きく、微細パ
ターンの形成に適した方法であるから、最近、重用され
てきている。
第２図は従来の縮小露光装置の断面図を示しており、１
は光源（水銀灯）、１′はコンデンサレンズ、２はレチ
クル、３ば縮小レンズ、４は鏡筒。
は光源（水銀灯）、１′はコンデンサレンズ、２はレチ
クル、３ば縮小レンズ、４は鏡筒。
５はウェハー（半導体基板）、６はウェハーを保持する
ステージである。レチクルとは５〜１０倍の大きさのパ
ターンを設けたマスクのことで、マスクの場合は同一パ
ターンが多数設けられていて、ウェハーに対し一回露光
するだけで転写できるが、レチクルの場合は１個ないし
は数個のパターンしか設けられていないため、ウェハー
上で露光位置を変えて、繰り換えし露光する必要があり
、そのため、ステージ６はＸＹ方向に可動する構造とな
っている。従って、縮小露光装置は通称、ステッパと呼
ばれている。
ステージである。レチクルとは５〜１０倍の大きさのパ
ターンを設けたマスクのことで、マスクの場合は同一パ
ターンが多数設けられていて、ウェハーに対し一回露光
するだけで転写できるが、レチクルの場合は１個ないし
は数個のパターンしか設けられていないため、ウェハー
上で露光位置を変えて、繰り換えし露光する必要があり
、そのため、ステージ６はＸＹ方向に可動する構造とな
っている。従って、縮小露光装置は通称、ステッパと呼
ばれている。
且つ、このような露光装置（密着露光装置を含めて）は
塵埃を避けるため清浄なりリーンルーム内に設置されて
いるが、全体は大気中にあり、通常は空気中で露光処理
が行なわれている。
塵埃を避けるため清浄なりリーンルーム内に設置されて
いるが、全体は大気中にあり、通常は空気中で露光処理
が行なわれている。
「発明が解決しようとする問題点コ
ところで、レンズＩ・膜がパターンニングされるのは、
レジストが光を受けて反応し、その反応生成物が現像に
よって残存部分となったり（ネガ型レジスト）、また、
除去部分となったり （ポジ型レジスト）するためであ
るが、レジストは光以外の活性ガスにも影響されること
が判ってきた。
レジストが光を受けて反応し、その反応生成物が現像に
よって残存部分となったり（ネガ型レジスト）、また、
除去部分となったり （ポジ型レジスト）するためであ
るが、レジストは光以外の活性ガスにも影響されること
が判ってきた。
例えば、環化ゴム系ネガレジストはポリイソプレンを主
成分とするポリマー（合成ゴムを原料として触媒を用い
て環化したゴム）に光架橋剤としてビスアジド化合物を
混ぜたものであるが、このようなネガレジストを用いた
場合、光がレジストに照射されると、ビスアジド化合物
が光分解し、その分解生成物が架橋して不溶化させ、パ
ターンニングされる。そして、露光反応は光反応生成物
として次式のナイトレンラジカルが生成され、窒素（Ｎ
２）が放出される。
成分とするポリマー（合成ゴムを原料として触媒を用い
て環化したゴム）に光架橋剤としてビスアジド化合物を
混ぜたものであるが、このようなネガレジストを用いた
場合、光がレジストに照射されると、ビスアジド化合物
が光分解し、その分解生成物が架橋して不溶化させ、パ
ターンニングされる。そして、露光反応は光反応生成物
として次式のナイトレンラジカルが生成され、窒素（Ｎ
２）が放出される。
Ｎ５−Ｒ−Ｎ３−：Ｎ−Ｒ−Ｎ：＋２Ｎ２ ↑上式で、
Ｎ＋１−Ｒ−Ｎ３はビスアジド化合物。
Ｎ＋１−Ｒ−Ｎ３はビスアジド化合物。
： Ｎ−Ｒ−Ｎ ：はナイトレンラジカルである。
且つ、通常はレジスト溶剤中の水素と反応して、ＣＩ−
ＮＨ−Ｒ−ＮＨ−ＣＨ（ジアド基）となるが、酸素が存
在すれば、その架橋が妨害されて、０＝Ｎ−Ｒ−Ｒ＝Ｏ
にニトロソ化合物）又は０２ Ｎ ＲＮＯ２にトロ化
合物）が生成され、これを現像すると、残膜率が低下す
る。
ＮＨ−Ｒ−ＮＨ−ＣＨ（ジアド基）となるが、酸素が存
在すれば、その架橋が妨害されて、０＝Ｎ−Ｒ−Ｒ＝Ｏ
にニトロソ化合物）又は０２ Ｎ ＲＮＯ２にトロ化
合物）が生成され、これを現像すると、残膜率が低下す
る。
残膜率が変動すると、微細パターンの精度を悪化させ、
従って酸素の存在は微細パターン（ＦｉｎｅＰａｔｔｅ
ｒｎ）の形成に有害なものである。
従って酸素の存在は微細パターン（ＦｉｎｅＰａｔｔｅ
ｒｎ）の形成に有害なものである。
本発明は、このような欠点を除去するための露光装置を
提供するものである。
提供するものである。
ｒ問題点を解決するための手段］
その目的は、酸素を含まない雰囲気、あるいは、真空中
で紫外線にてレジスト膜を露光する構造を有する露光装
置によって達成される。
で紫外線にてレジスト膜を露光する構造を有する露光装
置によって達成される。
［作用］
即ち、レジスト膜を酸素のない雰囲気中で露光する装置
構造にすると、残膜率の低下が解消できる。
構造にすると、残膜率の低下が解消できる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかる縮小露光装置の断面図を示して
おり、第２図と同一部材には同じ記号が付してあり、そ
の他の１０はガス流入口、１１はシールボックス（点線
）である。即ち、鏡筒４にシールドボックスを接続して
、鏡筒・４に取付けしたガス流入口１０から窒素ガスを
流入し、ウェハー表面の空気を窒素に置換して露光する
。
おり、第２図と同一部材には同じ記号が付してあり、そ
の他の１０はガス流入口、１１はシールボックス（点線
）である。即ち、鏡筒４にシールドボックスを接続して
、鏡筒・４に取付けしたガス流入口１０から窒素ガスを
流入し、ウェハー表面の空気を窒素に置換して露光する
。
そうすると、ニトロソ化合物やニトロ化合物が生成され
ず、完全な架橋反応がおこなわれ、残膜率の低下は起こ
らなくなる。
ず、完全な架橋反応がおこなわれ、残膜率の低下は起こ
らなくなる。
流入ガスは窒素以外の中性ガス、例えば、アルゴンやヘ
リウムでもよ（、また、上記の縮小露光装置のステージ
部分を厳密にシールして、ウェハーを真空中に置くのが
好ましい。
リウムでもよ（、また、上記の縮小露光装置のステージ
部分を厳密にシールして、ウェハーを真空中に置くのが
好ましい。
上記は縮小露光装置を例として説明したが、密着露光装
置にも本発明を適用できることは勿論である。
置にも本発明を適用できることは勿論である。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によれば正確な
膜厚のレジスト膜パターンが得られ、微細パターンの形
成に大きく寄与するものである。
膜厚のレジスト膜パターンが得られ、微細パターンの形
成に大きく寄与するものである。
第１図は本発明にかかる縮小露光装置の断面図、第２図
は従来の縮小露光装置の断面図である。 図において、 ■は光源（水銀灯）、 ２はレチクル、４は鏡筒、
５はウェハー、１０はガス流入口、 １
１はシールボックスを示している。
は従来の縮小露光装置の断面図である。 図において、 ■は光源（水銀灯）、 ２はレチクル、４は鏡筒、
５はウェハー、１０はガス流入口、 １
１はシールボックスを示している。
Claims (1)
- 酸素を含まない雰囲気、あるいは、真空中で紫外線にて
レジスト膜を露光する構造を有することを特徴とする露
光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156608A JPS6215547A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156608A JPS6215547A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6215547A true JPS6215547A (ja) | 1987-01-23 |
Family
ID=15631456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60156608A Pending JPS6215547A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6215547A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493232A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-12 | ||
| JPS497267U (ja) * | 1972-04-25 | 1974-01-22 | ||
| JPS5532025B2 (ja) * | 1975-02-10 | 1980-08-22 |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP60156608A patent/JPS6215547A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS493232A (ja) * | 1972-04-24 | 1974-01-12 | ||
| JPS497267U (ja) * | 1972-04-25 | 1974-01-22 | ||
| JPS5532025B2 (ja) * | 1975-02-10 | 1980-08-22 |
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