JPS62159105A - 双方向伝送用光モジユ−ル - Google Patents
双方向伝送用光モジユ−ルInfo
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- JPS62159105A JPS62159105A JP53186A JP53186A JPS62159105A JP S62159105 A JPS62159105 A JP S62159105A JP 53186 A JP53186 A JP 53186A JP 53186 A JP53186 A JP 53186A JP S62159105 A JPS62159105 A JP S62159105A
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- Japan
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- optical
- optical module
- bidirectional transmission
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光合分波素子、半導体発光素子、受光素子な
どの光デバイスを一体化した光モジュールに関する。
どの光デバイスを一体化した光モジュールに関する。
光フアイバ通信における光波長多重伝送技術は経済化を
はかる上で重要である。上記光波長多重伝送において、
光合分波器は必須のデバイスである。
はかる上で重要である。上記光波長多重伝送において、
光合分波器は必須のデバイスである。
従来、光合分波器として、干渉膜フィルタを用いる構成
がある。（「光通信ハンドブック」朝食書店：３２５頁
〜３３１頁）。この干渉膜フィルタを用いた光合分波器
は、通過域、阻止域損失特性９通過帯域幅とも良好な特
性が得られており。
がある。（「光通信ハンドブック」朝食書店：３２５頁
〜３３１頁）。この干渉膜フィルタを用いた光合分波器
は、通過域、阻止域損失特性９通過帯域幅とも良好な特
性が得られており。
広く用いられようとしている。しかし、この光合分波器
はガラスブロックに干渉膜フィルタを接着剤ではりつけ
ており、組立て加工、光軸調整に時間がかかり、また量
産性も悪い、さらに、半導体発光素子、受光素子を上記
光合分波器と組合せて双方向伝送光モジュールを構成し
ようとすると、個別部品の組合せであるために、ますま
す組立て加工、光軸調整に時間がかかり、量産性も悪く
なるという問題点があり、非常に高価なものになってい
た。
はガラスブロックに干渉膜フィルタを接着剤ではりつけ
ており、組立て加工、光軸調整に時間がかかり、また量
産性も悪い、さらに、半導体発光素子、受光素子を上記
光合分波器と組合せて双方向伝送光モジュールを構成し
ようとすると、個別部品の組合せであるために、ますま
す組立て加工、光軸調整に時間がかかり、量産性も悪く
なるという問題点があり、非常に高価なものになってい
た。
（発明の目的〕
本発明の目的は、前記問題点を解決させることにある。
すなわち、より簡易化、経済化をはかれる１チツプモノ
リシツク型の双方向伝送光モジュールを提供することに
ある。
リシツク型の双方向伝送光モジュールを提供することに
ある。
本発明は、基板上面に光導波路を有し、該基板の両端面
に多層膜フィルタを有し、該フィルタの後に半導体発光
素子あるいは受光素子、または両方ともを配置させた構
成である。
に多層膜フィルタを有し、該フィルタの後に半導体発光
素子あるいは受光素子、または両方ともを配置させた構
成である。
第１図に本発明の双方向伝送光モジュールの実施例を示
す、同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
’断面図である。これは３波長多重伝送用光モジュー
ルであり、矢印２１方向へ波長λｌ、λ２（たとえば、
λ１＝１．２μｍ、λ２＝１．３μｍ）の光信号を光フ
ァイバ１４を通して伝送させ、逆に矢印２２方向から送
られてきた波長λｇ（たとえば、１．５５μｍ）の光信
号を受光素子１１で受光させる構成である。９．１０は
発振波長がλ！、λ２の半導体発光素子であり、１２゜
１３は上記半導体発光素子の光信号をモニタするための
受光素子である。８は波長λ１．λ２の光信号に対して
は吸収係数が大きく、波長λ♂の光信号に対しては吸収
係数が極めて小さい半導体材料（たとえば、 Ｉｎｏ、
５Ｇａｏ、ｅＡｓ）で構成された半導体素子である。１
は半導体基板１強誘電体基板、磁性体基板、ガラス基板
などであり、たとえばこの場合、ＴｎＰ基板である。２
はＩｎＰにバッファ層であり、この上にスラブ状の受動
導波路層３（たとえばＩｎＧａＡｓＰ）が形成され、こ
のスラブ導波路層３にはジオデシックレンズ５が設けら
れている。
す、同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ
’断面図である。これは３波長多重伝送用光モジュー
ルであり、矢印２１方向へ波長λｌ、λ２（たとえば、
λ１＝１．２μｍ、λ２＝１．３μｍ）の光信号を光フ
ァイバ１４を通して伝送させ、逆に矢印２２方向から送
られてきた波長λｇ（たとえば、１．５５μｍ）の光信
号を受光素子１１で受光させる構成である。９．１０は
発振波長がλ！、λ２の半導体発光素子であり、１２゜
１３は上記半導体発光素子の光信号をモニタするための
受光素子である。８は波長λ１．λ２の光信号に対して
は吸収係数が大きく、波長λ♂の光信号に対しては吸収
係数が極めて小さい半導体材料（たとえば、 Ｉｎｏ、
５Ｇａｏ、ｅＡｓ）で構成された半導体素子である。１
は半導体基板１強誘電体基板、磁性体基板、ガラス基板
などであり、たとえばこの場合、ＴｎＰ基板である。２
はＩｎＰにバッファ層であり、この上にスラブ状の受動
導波路層３（たとえばＩｎＧａＡｓＰ）が形成され、こ
のスラブ導波路層３にはジオデシックレンズ５が設けら
れている。
そしてこのスラブ導波路Ｍ３の上にＩｎＰによるクラッ
ド層４が被覆されている。受動導波路層３の屈折率は、
バッファ層２．クラッド層４の屈折率よりも高くしであ
る。上記積層導波路２，３゜４の両端面１９．２０には
多層膜フィルタ６Ａ。
ド層４が被覆されている。受動導波路層３の屈折率は、
バッファ層２．クラッド層４の屈折率よりも高くしであ
る。上記積層導波路２，３゜４の両端面１９．２０には
多層膜フィルタ６Ａ。
６Ｂ、６Ｇ、７が形成されている。６Ａは波長λ８の光
信号を通し、波長λ１．λ２の光信号を阻止するフィル
タ、６Ｂは波長λ２の光信号を通し、波長λ１．λ３の
光信号を阻止するフィルタ、６Ｃは波長λｌの光信号を
通し、波長λ２．λ３の光信号を阻止するフィルタ、７
は波長λ２．λ８の光信号を反射させるフィルタである
。これらのフィルタは積層導波路２，３．４を形成した
後に形成される。
信号を通し、波長λ１．λ２の光信号を阻止するフィル
タ、６Ｂは波長λ２の光信号を通し、波長λ１．λ３の
光信号を阻止するフィルタ、６Ｃは波長λｌの光信号を
通し、波長λ２．λ３の光信号を阻止するフィルタ、７
は波長λ２．λ８の光信号を反射させるフィルタである
。これらのフィルタは積層導波路２，３．４を形成した
後に形成される。
そしてこれらのフィルタの構成は、たとえば第２図に示
すように、Ｉ ｎ ｚ−ｘＧｓｘＡｓｙＰｔ−ｙの組成
比（この場合、ｙ＝２．１９７ ｘのｙ）を変えること
によっ屈折率の値がちがうことを利用し、屈折率の高い
層と低い層を厚みＰ／４波長（ただし、Ｐ＝１゜３）に
して交互に数１０層積層させるように形成される。そし
てフィルタ特性、たとえば帯域通過フィルタの場合には
、上記交互層の途中に−の厚さの屈折率の高い（あるい
は低い）層のいわゆるキャビティ層を挿入してもよい。
すように、Ｉ ｎ ｚ−ｘＧｓｘＡｓｙＰｔ−ｙの組成
比（この場合、ｙ＝２．１９７ ｘのｙ）を変えること
によっ屈折率の値がちがうことを利用し、屈折率の高い
層と低い層を厚みＰ／４波長（ただし、Ｐ＝１゜３）に
して交互に数１０層積層させるように形成される。そし
てフィルタ特性、たとえば帯域通過フィルタの場合には
、上記交互層の途中に−の厚さの屈折率の高い（あるい
は低い）層のいわゆるキャビティ層を挿入してもよい。
このキャビティ層は一つに限らない６層数は多い程、阻
止域での減衰量を多くとることができる。上記薄層は材
質は積層導波路２，３．４の材質と同種のものであるの
で容易に堆積させることができ、また厚くしでも割れと
かはく離などが生じない。上記フィル夕材質以外に、第
３．４．５図に示すように。
止域での減衰量を多くとることができる。上記薄層は材
質は積層導波路２，３．４の材質と同種のものであるの
で容易に堆積させることができ、また厚くしでも割れと
かはく離などが生じない。上記フィル夕材質以外に、第
３．４．５図に示すように。
Ａ Ｑ ＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ｎ−ＧａＡｓ、Ｐ−Ｇａ
Ａｓなどの材質を種々組合せてもよい。屈折率の高い層
と低い層の屈折率差が大きい程、通過域の帯域幅を広く
でき、通過域から阻止域への減衰勾配を大きくできる。
Ａｓなどの材質を種々組合せてもよい。屈折率の高い層
と低い層の屈折率差が大きい程、通過域の帯域幅を広く
でき、通過域から阻止域への減衰勾配を大きくできる。
半導体素子８〜１３は上記フィルタを形成した後で。
液相成長法により形成させる。まず、ＩｎＰバッファ層
２の上にＩｎＧａＡｓＰによる活性導波路Ｗ１１５を、
そしてこの活性導波路層１５の上にＩｎＰ中間層１６、
ＩｎＰによるクラッド層１７が形成される。ギャップ部
１８はドライエツチングなどにより形成され、半導体素
子の端面はほぼ共振端面となる。ただし、１１〜１３の
受光素子の図面にむかって右側端面ば共振端面を形成さ
れていない。
２の上にＩｎＧａＡｓＰによる活性導波路Ｗ１１５を、
そしてこの活性導波路層１５の上にＩｎＰ中間層１６、
ＩｎＰによるクラッド層１７が形成される。ギャップ部
１８はドライエツチングなどにより形成され、半導体素
子の端面はほぼ共振端面となる。ただし、１１〜１３の
受光素子の図面にむかって右側端面ば共振端面を形成さ
れていない。
またこれら受光素子は半導体発光素子構造以外に、通常
の受光素子に見られるような面受光型の素子を用いても
よい。
の受光素子に見られるような面受光型の素子を用いても
よい。
次に第１図の動作について述べる６半導体発光素子１０
からの光信号（波長λ１）はフィルタ６Ｃを通過し、ス
ラブ導波路３内に入る。そしてジオデシックレンズ５で
平行光に変換されて伝搬し。
からの光信号（波長λ１）はフィルタ６Ｃを通過し、ス
ラブ導波路３内に入る。そしてジオデシックレンズ５で
平行光に変換されて伝搬し。
ジオデシックレンズ５の出口部で光がしぼられ。
光ファイバ１４のコア部２３内に集光されて矢印２１の
ごとく伝搬していく。また半導体発光素子９からの光信
号（波長λ２）はフィルタ６Ｂを通過し、スラブ導波路
３内に入る。ジオデシックレンズ５内を伝搬し、このレ
ンズ５の出口部で光がしぼられ、フィルタ７に入射する
。フィルタ７は波長λ２の光信号を反射する。この反射
信号はジオデシックレンズ５を通ってフィルタ６Ｃに入
射するが、このフィルフロＣでも反射され、ジオデシッ
クレンズ５を通って光フアイバ１４内に入射する。そし
て、波長λ１の光信号と同様に矢印２１の方向に伝搬し
ていく、矢印２２方向から伝搬してきた波長λ８の光信
号はスラブ導波路３内に入射し、ジオデシックレンズ５
を通ってフィルタ６Ｃに達するが、このフィルタ６Ｃで
反射される。
ごとく伝搬していく。また半導体発光素子９からの光信
号（波長λ２）はフィルタ６Ｂを通過し、スラブ導波路
３内に入る。ジオデシックレンズ５内を伝搬し、このレ
ンズ５の出口部で光がしぼられ、フィルタ７に入射する
。フィルタ７は波長λ２の光信号を反射する。この反射
信号はジオデシックレンズ５を通ってフィルタ６Ｃに入
射するが、このフィルフロＣでも反射され、ジオデシッ
クレンズ５を通って光フアイバ１４内に入射する。そし
て、波長λ１の光信号と同様に矢印２１の方向に伝搬し
ていく、矢印２２方向から伝搬してきた波長λ８の光信
号はスラブ導波路３内に入射し、ジオデシックレンズ５
を通ってフィルタ６Ｃに達するが、このフィルタ６Ｃで
反射される。
そしてフィルタ７に達し、ここでも反射され、フィルタ
６Ｂに達する。このフィルタ６Ｂでも反射され、フィル
タ７に達し、ふたたび反射されてフィルタ６Ａに入射す
る。フィルタ６Ａは波長λ８の光信号を通過させるので
、上記フィルタ６Ａに入射した波長λ８の光信号は半導
体素子８を通って受光素子１１で受光される。このよう
に、同一基板上に、積層導波路の形成、多層膜フィルタ
の形成、半導体発光および受光素子の形成を順次行うこ
とにより、１チツプモノリシツク型光モジユールを実現
することができる。しかも上記３つの工程はいずれも結
晶成長技術を使って行うことができる。また、それぞれ
の光デバイスの寸法精度を１μｍ以下の精度に抑えるこ
とができるので、従来のような光軸調整の必要がない。
６Ｂに達する。このフィルタ６Ｂでも反射され、フィル
タ７に達し、ふたたび反射されてフィルタ６Ａに入射す
る。フィルタ６Ａは波長λ８の光信号を通過させるので
、上記フィルタ６Ａに入射した波長λ８の光信号は半導
体素子８を通って受光素子１１で受光される。このよう
に、同一基板上に、積層導波路の形成、多層膜フィルタ
の形成、半導体発光および受光素子の形成を順次行うこ
とにより、１チツプモノリシツク型光モジユールを実現
することができる。しかも上記３つの工程はいずれも結
晶成長技術を使って行うことができる。また、それぞれ
の光デバイスの寸法精度を１μｍ以下の精度に抑えるこ
とができるので、従来のような光軸調整の必要がない。
第６図は本発明の双方向伝送光モジュールの別の実施例
を示したものである。これは第１図のスラブ導波路の代
わりに三次元導波路２４を用いた場合である。同図（ａ
）は上面図、同図（ｂ）は側面図である。三次元導波路
２４を設けて光をジグザク状に伝搬させるので、ジオデ
シックレンズは不要となる。
を示したものである。これは第１図のスラブ導波路の代
わりに三次元導波路２４を用いた場合である。同図（ａ
）は上面図、同図（ｂ）は側面図である。三次元導波路
２４を設けて光をジグザク状に伝搬させるので、ジオデ
シックレンズは不要となる。
第７図は本発明の双方向伝送光モジュールの別の実施例
である。これは第６図の場合の三次元導波路２４の上に
上記導波路の屈折率よりも低いクラッド層２５（たとえ
ば、ＩｎＰ）を設けたものである。このクラッド層２５
を設けた後で、多層膜フィルタ６Ａ〜６Ｃ９７を形成さ
せると、三次元導波路２４の端面へ膜厚の均一な多層膜
を形成させやすくなるという利点が生ずる。すなわち。
である。これは第６図の場合の三次元導波路２４の上に
上記導波路の屈折率よりも低いクラッド層２５（たとえ
ば、ＩｎＰ）を設けたものである。このクラッド層２５
を設けた後で、多層膜フィルタ６Ａ〜６Ｃ９７を形成さ
せると、三次元導波路２４の端面へ膜厚の均一な多層膜
を形成させやすくなるという利点が生ずる。すなわち。
エツジ部での膜厚のダレによるフィルタ特性の劣化を抑
制できる。したがって、ＩｎＰバッファ層２、クラッド
層２５の膜厚は十分に厚い方が多層膜を均一に形成し易
くなる。
制できる。したがって、ＩｎＰバッファ層２、クラッド
層２５の膜厚は十分に厚い方が多層膜を均一に形成し易
くなる。
本発明は上記実施例に限定されない。まず波長多重数は
２波以上を容易に構成できる。また双方向伝送以外に片
方向伝送でもよい。たとえば、第１．６．７図において
、８を波長λＢで発振する半導体発光素子に代えるとか
、逆に、９，１０を受光素子に代えるようにして片方向
伝送光モジュールを構成してもよ゛い。半導体発光素子
としては、半導体レーザ、発光ダイオードなどを用いる
ことができる。受光素子としては、ホトダイオード。
２波以上を容易に構成できる。また双方向伝送以外に片
方向伝送でもよい。たとえば、第１．６．７図において
、８を波長λＢで発振する半導体発光素子に代えるとか
、逆に、９，１０を受光素子に代えるようにして片方向
伝送光モジュールを構成してもよ゛い。半導体発光素子
としては、半導体レーザ、発光ダイオードなどを用いる
ことができる。受光素子としては、ホトダイオード。
アバランシェホトダイオードのいずれでもよい８多層膜
フィルタの材料は、結晶材料の膜以外に、薄い場合には
、ガラス材料（たとえば、５ｉ（ｌｚ、 Ｔｉ１ｔ。
フィルタの材料は、結晶材料の膜以外に、薄い場合には
、ガラス材料（たとえば、５ｉ（ｌｚ、 Ｔｉ１ｔ。
Ｚｎ０ｚなど）でもよい、半導体発光素子には、ダフル
へテロ接合構造の他に、ストライプ構造９分布帰還形（
ＤＦＢ）レーザなど、種々の構造のものを適用できる。
へテロ接合構造の他に、ストライプ構造９分布帰還形（
ＤＦＢ）レーザなど、種々の構造のものを適用できる。
また基板１には、ＩｎＰ以外に、ＧａＡｓ基板、ＬｉＮ
ｂ０ａ基板、ＧａＡ Ｑ Ａｓ基板、Ｓｉ基板あるいは
ガラス基板などでもよい、また半導体発光および受光素
子の一部は端面２０側に配置させてもよい。たとえば、
第１図において、８．１１はフィルタ７側に配置させて
もよい、光素子を離して配置させることは漏話量低減に
有効である。
ｂ０ａ基板、ＧａＡ Ｑ Ａｓ基板、Ｓｉ基板あるいは
ガラス基板などでもよい、また半導体発光および受光素
子の一部は端面２０側に配置させてもよい。たとえば、
第１図において、８．１１はフィルタ７側に配置させて
もよい、光素子を離して配置させることは漏話量低減に
有効である。
本発明によれば、半導体基板上に光合分波素子。
光素子を一体化形成した１チツプモノリシツク型の双方
向伝送光モジュールを得ることができる。
向伝送光モジュールを得ることができる。
しかも従来の光素子製造プロセスを利用して容易に製造
することができ、プロセスも簡単なため、経済化を期待
できる。また微細加工精度で作ることができるので、光
結合効率が良く、光軸ずれの少ない低損失光モジュール
を信頼性良く作れるといった効果もある。
することができ、プロセスも簡単なため、経済化を期待
できる。また微細加工精度で作ることができるので、光
結合効率が良く、光軸ずれの少ない低損失光モジュール
を信頼性良く作れるといった効果もある。
第１．６．７図は本発明の双方向伝送光モジュールの実
施例を示す図、第２〜５図は従来の半導体材料の屈折率
の波長依存性を示したグラフである。 １・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・スラブ導
波路層、４．１７．２５・−・クラッド層、５・・・ジ
オデシックレンズ、６Ａ〜６Ｃ１７・・・多層膜フィル
タ、８・・・半導体素子、９．１０・・・半導体発光素
子、１１〜１３・・・受光素子、１４・・・光ファイバ
、１５・・・活性導波路層、１６・・・中間層、１８・
・・ギャップ部、１９．２０・・・端面、２１，２２・
・・光の伝搬方向を示す矢印、２３・・・コア部、２４
・・・三次元導波路。
施例を示す図、第２〜５図は従来の半導体材料の屈折率
の波長依存性を示したグラフである。 １・・・基板、２・・・バッファ層、３・・・スラブ導
波路層、４．１７．２５・−・クラッド層、５・・・ジ
オデシックレンズ、６Ａ〜６Ｃ１７・・・多層膜フィル
タ、８・・・半導体素子、９．１０・・・半導体発光素
子、１１〜１３・・・受光素子、１４・・・光ファイバ
、１５・・・活性導波路層、１６・・・中間層、１８・
・・ギャップ部、１９．２０・・・端面、２１，２２・
・・光の伝搬方向を示す矢印、２３・・・コア部、２４
・・・三次元導波路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上面に光導波路を有し、該基板の両端面に多層
膜フィルタを有し、該フィルタの後に半導体発光素子及
び受光素子の少なくとも一つを配置させたことを特徴と
する双方向伝送用光モジュール。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、前記半導体発
光素子の発振波長と前記受光素子で受光する光信号の波
長とが異なつていることを特徴とする双方向伝送用光モ
ジュール。 ３、特許請求の範囲第１項において、波長多重数が少な
くとも２以上の双方向伝送用光モジュール。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記基板として半
導体、強誘電体、又は磁性体を用いたことを特徴とする
双方向伝送用光モジュール。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記光導波路がス
ラブ導波路あるいは三次元導波路であることを特徴とす
る双方向伝送用光モジュール。 ６、特許請求の範囲第１項において、前記光導波路と前
記基板との間に低屈折率のバッファ層を介在させたこと
を特徴とする双方向伝送用光モジュール。 ７、特許請求の範囲第１項において、前記光導波路の上
部に低屈折率のクラッド層を形成させたことを特徴とす
る双方向伝送用光モジュール。 ８、特許請求の範囲第１項において、前記多層膜フィル
タ材料として、半導体、あるいはガラス、さらにはこれ
らの組合せにより用いたことを特徴とする双方向伝送用
光モジュール。 ９、特許請求の範囲第５項において、前記スラブ導波路
にジオデミックレンズを用いたことを特徴とする双方向
伝送用光モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53186A JPS62159105A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 双方向伝送用光モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53186A JPS62159105A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 双方向伝送用光モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159105A true JPS62159105A (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=11476351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53186A Pending JPS62159105A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 双方向伝送用光モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62159105A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2654840A1 (fr) * | 1989-11-21 | 1991-05-24 | Thomson Hybrides | Tete optique integrable sur un circuit hybride. |
| JPH03287207A (ja) * | 1990-04-04 | 1991-12-17 | Hitachi Ltd | 光伝送モジュール |
| FR2669482A1 (fr) * | 1990-11-19 | 1992-05-22 | Peugeot | Module emetteur-recepteur optique bi-directionnel a plusieurs voies et repeteur optique utilisant ce module. |
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