JPS6216164A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS6216164A JPS6216164A JP60155691A JP15569185A JPS6216164A JP S6216164 A JPS6216164 A JP S6216164A JP 60155691 A JP60155691 A JP 60155691A JP 15569185 A JP15569185 A JP 15569185A JP S6216164 A JPS6216164 A JP S6216164A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor pattern
- layer
- pattern
- lower conductor
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
薄膜生成技術等によってそれぞれ形成されたＮ１Ｃｒ−
Ａ’ｕ構造の下部導体パターンと例えばＡｇ等からなる
上部導体パターンとを、間に介在する層間絶縁層の窓を
通して電気的に接続せしめても、ＡｕとＡｇとは密着性
にばらつきが大きく接続の信頼性が低い。そこでＡｕと
Ａｇとの間にＣｒ層を介在せしめ信頼性の向上を図った
ものである。
Ａ’ｕ構造の下部導体パターンと例えばＡｇ等からなる
上部導体パターンとを、間に介在する層間絶縁層の窓を
通して電気的に接続せしめても、ＡｕとＡｇとは密着性
にばらつきが大きく接続の信頼性が低い。そこでＡｕと
Ａｇとの間にＣｒ層を介在せしめ信頼性の向上を図った
ものである。
本発明は各種電子機器の出力装置として用いられるサー
マルプリンタに係り、特に複数個の抵抗発熱体をマトリ
ックス状に接続する、下部導体パターンと上部導体パタ
ーンとを有するサーマルヘッドに関する。
マルプリンタに係り、特に複数個の抵抗発熱体をマトリ
ックス状に接続する、下部導体パターンと上部導体パタ
ーンとを有するサーマルヘッドに関する。
サーマルプリンタによって印刷される文字や記号の品位
は単位面積内に印刷できるドツトの数によって左右され
、印字の品位を向上させるためにはドツトの数を可能な
限り増加させることが要求される。そしてその要求はサ
ーマルヘッドにおける抵抗発熱体の高密度実装化によっ
てのみ実現が可能になる。しかしサーマルヘッドに実装
されるのは抵抗発熱体のみではない。耐熱性基板上には
高密度実装された数多くの抵抗発熱体の他に、例えば該
抵抗発熱体に通電するための輻轢した配線や半導体集積
回路等を実装する必要があり、マトリックス状に配線し
てパターンを簡素化すると共に、微細パターンによる多
層化配線を取り入れ配線の高密度化も図らなければなら
ない。しかも該配線には高いレベルの電流が流れるため
、該配線を構成する導体は電気抵抗が小さく且つ安定し
たものが要求される。
は単位面積内に印刷できるドツトの数によって左右され
、印字の品位を向上させるためにはドツトの数を可能な
限り増加させることが要求される。そしてその要求はサ
ーマルヘッドにおける抵抗発熱体の高密度実装化によっ
てのみ実現が可能になる。しかしサーマルヘッドに実装
されるのは抵抗発熱体のみではない。耐熱性基板上には
高密度実装された数多くの抵抗発熱体の他に、例えば該
抵抗発熱体に通電するための輻轢した配線や半導体集積
回路等を実装する必要があり、マトリックス状に配線し
てパターンを簡素化すると共に、微細パターンによる多
層化配線を取り入れ配線の高密度化も図らなければなら
ない。しかも該配線には高いレベルの電流が流れるため
、該配線を構成する導体は電気抵抗が小さく且つ安定し
たものが要求される。
第２図は従来のサーマルヘッドの一例を示す側断面図で
ある。
ある。
図においてサーマルヘッド１は三つの領域に大別される
。即ち印字部１１を含む抵抗発熱体形成部１２、マトリ
ックス状配線形成部１３、および半導体集積回路実装部
１４である。グレーズドアルミナ基板２の上に例えばＴ
ａＮ等からなる抵抗体層が生成されており、該抵抗体層
の上Ｃごは印字部１１を除いてＮｉＣｒ Ａｕからな
る導体層が被着している。かかる抵抗体層および導体層
を同時に選択的エツチングすることによって、抵抗発熱
体パターン３と下部導体パターン４とが形成される。
。即ち印字部１１を含む抵抗発熱体形成部１２、マトリ
ックス状配線形成部１３、および半導体集積回路実装部
１４である。グレーズドアルミナ基板２の上に例えばＴ
ａＮ等からなる抵抗体層が生成されており、該抵抗体層
の上Ｃごは印字部１１を除いてＮｉＣｒ Ａｕからな
る導体層が被着している。かかる抵抗体層および導体層
を同時に選択的エツチングすることによって、抵抗発熱
体パターン３と下部導体パターン４とが形成される。
なお印字部１１を挟んで対向する下部導体パターン４１
および４２は、抵抗発熱体形成部１２において抵抗発熱
体パターン３を介して接続されており、半導体集積回路
実装部１４における下部導体パターン４２．４３、およ
び４４は電気的にそれぞれ独立したパターンを形成して
いる。
および４２は、抵抗発熱体形成部１２において抵抗発熱
体パターン３を介して接続されており、半導体集積回路
実装部１４における下部導体パターン４２．４３、およ
び４４は電気的にそれぞれ独立したパターンを形成して
いる。
抵抗発熱体形成部１２において抵抗発熱体パターン３鉛
よび下部導体パターン４１．４２は保護膜５によって被
覆されており、保護膜５は５ｉ０２の膜からなる耐酸化
層５１とＴａ２０５め膜からなる耐磨耗層５２によって
構成されている。なお下部導体パターン４１．４２と保
護膜５との境界には密着性を良くするためにＣｒ層４５
が形成されている。またマトリックス状配線形成部１３
において下部導体パターン４２の上には、例えばポリイ
ミド樹脂等からなる層間絶縁層６が形成されており、そ
の上に更にＡｇ等からなる上部導体パターン７が形成さ
れている。
よび下部導体パターン４１．４２は保護膜５によって被
覆されており、保護膜５は５ｉ０２の膜からなる耐酸化
層５１とＴａ２０５め膜からなる耐磨耗層５２によって
構成されている。なお下部導体パターン４１．４２と保
護膜５との境界には密着性を良くするためにＣｒ層４５
が形成されている。またマトリックス状配線形成部１３
において下部導体パターン４２の上には、例えばポリイ
ミド樹脂等からなる層間絶縁層６が形成されており、そ
の上に更にＡｇ等からなる上部導体パターン７が形成さ
れている。
下部導体パターン４２と上部導体パターン７との電気的
導通は、層間絶縁層６に設けられた窓６１を通して両方
の導体パターンを接続することによって行われ、下部導
体パターン４３に実装された半導体集積回路８と下部導
体パターン４２および４４との電気的導通は、半導体集
積回路と両方の下部導体パターンとの間に金線８Ｉを爆
接することによって行われる。
導通は、層間絶縁層６に設けられた窓６１を通して両方
の導体パターンを接続することによって行われ、下部導
体パターン４３に実装された半導体集積回路８と下部導
体パターン４２および４４との電気的導通は、半導体集
積回路と両方の下部導体パターンとの間に金線８Ｉを爆
接することによって行われる。
第２図において下部導体パターン４２と上部導体パター
ン７との電気的導通は、層間絶縁層６に設けられた窓６
１を通して両方の導体パターンを接続することによって
行われているが、ＮｉＣｒ −Ａｕからなる導体層とＡ
ｇ等の金属との間における密着性に大きい“ばらつきパ
があり、接続が不安定になる場合があって信頼性に欠け
るという問題があった。
ン７との電気的導通は、層間絶縁層６に設けられた窓６
１を通して両方の導体パターンを接続することによって
行われているが、ＮｉＣｒ −Ａｕからなる導体層とＡ
ｇ等の金属との間における密着性に大きい“ばらつきパ
があり、接続が不安定になる場合があって信頼性に欠け
るという問題があった。
第１図は本発明になるサーマルヘッドの一実施例を示す
側断面図である。
側断面図である。
上記問題点は第１図に示す耐熱性基板２上に抵抗発熱体
パターン３、ＮｉＣｒ−Ａｕ構造の下部導体パターン４
、層間絶縁層６、および上部導体パターン７を層状に順
次形成し、下部導体パターン４と上部導体パターン７と
を層間絶縁層６に設けられた窓６１を通して電気的に接
続せしめ、且つ少なくとも下部導体パターン４と上部導
体パターン７との接続点境界に、ＣｒＭ４５を介在せし
めてなる本発明のサーマルヘッドによって解決される。
パターン３、ＮｉＣｒ−Ａｕ構造の下部導体パターン４
、層間絶縁層６、および上部導体パターン７を層状に順
次形成し、下部導体パターン４と上部導体パターン７と
を層間絶縁層６に設けられた窓６１を通して電気的に接
続せしめ、且つ少なくとも下部導体パターン４と上部導
体パターン７との接続点境界に、ＣｒＭ４５を介在せし
めてなる本発明のサーマルヘッドによって解決される。
第１図において下部導体パターン４を構成する篩の膜と
、上部導体パターン７を構成するＡｇの膜との間にＣｒ
層４５を介在せしめることによって、下部導体パターン
４と上部導体パターン７との密着性が向上し、電気抵抗
が小さく且つ安定した配線を構成することができる。
、上部導体パターン７を構成するＡｇの膜との間にＣｒ
層４５を介在せしめることによって、下部導体パターン
４と上部導体パターン７との密着性が向上し、電気抵抗
が小さく且つ安定した配線を構成することができる。
以下第１図により本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図に示す本発明になるサーマルヘッドと第２図に示
す従来のサーマル−・ラドとの相違点はマトリックス状
配線形成部１３の構造にある。即ち本発明になるサーマ
ルヘッドは抵抗発熱体形成部１２において、下部導体パ
ターン４１．４２と保護膜５との境界に密着性を良くす
るためにＣｒ屓４５が形成されており、一方マトリソク
ス状配線形成部１３においても、下部導体パターン４２
と上部導体パターン７との境界に密着性を良くするため
にＣｒ層４５が形成されている。
す従来のサーマル−・ラドとの相違点はマトリックス状
配線形成部１３の構造にある。即ち本発明になるサーマ
ルヘッドは抵抗発熱体形成部１２において、下部導体パ
ターン４１．４２と保護膜５との境界に密着性を良くす
るためにＣｒ屓４５が形成されており、一方マトリソク
ス状配線形成部１３においても、下部導体パターン４２
と上部導体パターン７との境界に密着性を良くするため
にＣｒ層４５が形成されている。
従来のサーマルヘッドはグレーズドアルミナ基板２の上
に例えばＴａＮ等からなる抵抗体層が生成されており、
該抵抗体層の上に印字部１１を除いてＮｉＣｒ Ａｕ
からなる導体層を、更に抵抗発熱体形成部１２における
該導体層の上にＣｒ層４５を被着した後、かかる抵抗体
層、導体層、およびＣｒ層を同時に選択的エツチングす
ることによって、抵抗発熱体パクーン３と下部導体パタ
ーン４とが形成される。
に例えばＴａＮ等からなる抵抗体層が生成されており、
該抵抗体層の上に印字部１１を除いてＮｉＣｒ Ａｕ
からなる導体層を、更に抵抗発熱体形成部１２における
該導体層の上にＣｒ層４５を被着した後、かかる抵抗体
層、導体層、およびＣｒ層を同時に選択的エツチングす
ることによって、抵抗発熱体パクーン３と下部導体パタ
ーン４とが形成される。
したがって抵抗発熱体形成部１２における下部導体パタ
ーン４の上にＣｒｔ’ｆｉｉ４５が被着されている。
ーン４の上にＣｒｔ’ｆｉｉ４５が被着されている。
本発明になるサーマルヘッドではグレーズドアルミナ基
板２の上に生成された抵抗体層の上に、印字部１１を除
いてＮｉＣｒ −Ａｕからなる導体層を被着し、更に抵
抗発熱体形成部１２およびマトリックス状配線形成部１
３における該導体層の上にＣｒ層４５を被着した後、か
かる抵抗体層、導体層、およびＣｒ層を同時に選択的エ
ツチングすることによって、抵抗発熱体パターン３と下
部導体パターン４とが形成きれる。したがって抵抗発熱
体形成部１２およびマトリックス状配線形成部１３にお
ける下部導体パターン４の上に、新しい製造工程を追加
することなくＣｒ層４５が被着される。
板２の上に生成された抵抗体層の上に、印字部１１を除
いてＮｉＣｒ −Ａｕからなる導体層を被着し、更に抵
抗発熱体形成部１２およびマトリックス状配線形成部１
３における該導体層の上にＣｒ層４５を被着した後、か
かる抵抗体層、導体層、およびＣｒ層を同時に選択的エ
ツチングすることによって、抵抗発熱体パターン３と下
部導体パターン４とが形成きれる。したがって抵抗発熱
体形成部１２およびマトリックス状配線形成部１３にお
ける下部導体パターン４の上に、新しい製造工程を追加
することなくＣｒ層４５が被着される。
このように下部導体パターン４を構成するＡｕの膜と、
上部導体パターン７を構成するＡｇの膜との間にＣｒ層
４５を介在せしめることによって、下部導体バクーン４
と上部導体パターン７との密着性が向上し、電気抵抗が
小さく且つ安定した配線を構成することができる。
上部導体パターン７を構成するＡｇの膜との間にＣｒ層
４５を介在せしめることによって、下部導体バクーン４
と上部導体パターン７との密着性が向上し、電気抵抗が
小さく且つ安定した配線を構成することができる。
上述の如く本発明によれば配線の電気抵抗が小さく且つ
安定したサーマルヘッドを提供することができる。
安定したサーマルヘッドを提供することができる。
第１図は本発明になるサーマルヘッドの一実施例を示す
側断面図、 第２図は従来のサーマルヘッドの一例を示す側断面図、 である。図において ■はサーマルヘッド、 ２はグレーズドアルミナ基板（耐熱性基板）、３は抵抗
発熱体パターン、 ４．４１．４２．４３、′４４は下部導体パターン、５
は保護膜、 ６は層間絶縁層、 ７は上部導体パターン、 ８は半導体築積回路、 １１は印字部、 １２は抵抗発熱体形成部、 １３はマトリックス状配線形成部、 １４は半導体集積回路実装部、 ４５はＣｒ層、 ５１は耐酸化層、 ５２は耐暦耗層、 ６１は窓、 ８１は金線、
側断面図、 第２図は従来のサーマルヘッドの一例を示す側断面図、 である。図において ■はサーマルヘッド、 ２はグレーズドアルミナ基板（耐熱性基板）、３は抵抗
発熱体パターン、 ４．４１．４２．４３、′４４は下部導体パターン、５
は保護膜、 ６は層間絶縁層、 ７は上部導体パターン、 ８は半導体築積回路、 １１は印字部、 １２は抵抗発熱体形成部、 １３はマトリックス状配線形成部、 １４は半導体集積回路実装部、 ４５はＣｒ層、 ５１は耐酸化層、 ５２は耐暦耗層、 ６１は窓、 ８１は金線、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 耐熱性基板（２）上に抵抗発熱体パターン（３）、Ｎ
ｉＣｒ−Ａｕ構造の下部導体パターン（４）、層間絶縁
層（６）、および上部導体パターン（７）を層状に順次
形成し、 該下部導体パターン（４）と該上部導体パターン（７）
とを該層間絶縁層（６）に設けられた窓（６１）を通し
て電気的に接続せしめ、 且つ少なくとも該下部導体パターン（４）と該上部導体
パターン（７）との接続点境界に、Ｃｒ層（４５）を介
在せしめてなることを特徴とするサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155691A JPS6216164A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60155691A JPS6216164A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6216164A true JPS6216164A (ja) | 1987-01-24 |
Family
ID=15611434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60155691A Pending JPS6216164A (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6216164A (ja) |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP60155691A patent/JPS6216164A/ja active Pending
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