JPS62165940A - 化合物半導体の製造方法 - Google Patents
化合物半導体の製造方法Info
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- JPS62165940A JPS62165940A JP847386A JP847386A JPS62165940A JP S62165940 A JPS62165940 A JP S62165940A JP 847386 A JP847386 A JP 847386A JP 847386 A JP847386 A JP 847386A JP S62165940 A JPS62165940 A JP S62165940A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract description 8
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は分子線エピタキシー法による化合物半導体の製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
周期律表の■族と■族との化合物半導体、例えばＺｎＳ
は禁制帯幅が３．５ ｅＬまたＺｎ５ｅでは２．７ ｅ
Ｖ程度であって、青色発光素子として期待されている。
は禁制帯幅が３．５ ｅＬまたＺｎ５ｅでは２．７ ｅ
Ｖ程度であって、青色発光素子として期待されている。
このためＺｎ５ｅは従来高抵抗のＺｎ５ｅ結晶にアクセ
プタとして窒素をイオン注入法により打込んで形成する
方法、或いは分子線エピタキシー法によってＺｎ、 Ｓ
ｅ分子線と共にＰの分子線を基板に投射することにより
リンをドーピングして形成する方法が行われている。
プタとして窒素をイオン注入法により打込んで形成する
方法、或いは分子線エピタキシー法によってＺｎ、 Ｓ
ｅ分子線と共にＰの分子線を基板に投射することにより
リンをドーピングして形成する方法が行われている。
しかし前者の方法ではイオン打込みの際イオンによって
基板が損傷され易く、後者の方法では低抵抗のＰ型結晶
を得難いという問題があった。
基板が損傷され易く、後者の方法では低抵抗のＰ型結晶
を得難いという問題があった。
本発明は係る事情に鑑みなされたものであって、その目
的とするところは電気的に中性であり、且つ化学的に活
性な粒子、即ちラジカルなビームを用いる分子線エピタ
キシー法によって低抵抗のＰ型結晶をもつ化合物半導体
を容易に得られる化合物半導体の製造方法を提供するに
ある。
的とするところは電気的に中性であり、且つ化学的に活
性な粒子、即ちラジカルなビームを用いる分子線エピタ
キシー法によって低抵抗のＰ型結晶をもつ化合物半導体
を容易に得られる化合物半導体の製造方法を提供するに
ある。
本発明に係る化合物半導体の製造方法は、化合物半導体
を構成する２以上の元素を夫々分子線として基板面に投
射し、基板面にこれら元素の化合物をエピタキシャル成
長させる過程で、不純物用原料ガスをプラズマ化し、そ
の構成元素を電気的に中性であり、且つ化学的に活性な
粒子ビームとして基板面に投射し、化合物にドーピング
することを特徴とする。
を構成する２以上の元素を夫々分子線として基板面に投
射し、基板面にこれら元素の化合物をエピタキシャル成
長させる過程で、不純物用原料ガスをプラズマ化し、そ
の構成元素を電気的に中性であり、且つ化学的に活性な
粒子ビームとして基板面に投射し、化合物にドーピング
することを特徴とする。
本発明方法にあワては不純物を電気的に中性であり、且
つ化学的に活性な粒子、所謂ラジカルなビームとしてド
ーピングすることとしているから、その化学的なエネル
ギーを利用して基板を損傷することなく高能率のドーピ
ングが容易に行い得る。
つ化学的に活性な粒子、所謂ラジカルなビームとしてド
ーピングすることとしているから、その化学的なエネル
ギーを利用して基板を損傷することなく高能率のドーピ
ングが容易に行い得る。
以下本発明をその実施状態を示す図面に基づき具体的に
説明する。第１図は本発明方法を■族と■族との化合物
半導体であるＺｎ５ｅの製造に通用している状態を示す
分子線エピタキシャル装置の模式図、第２図は不純物用
の原料ガスセルの拡大断面図であり、図中１はグロース
チャンバ、２，３゜４はセル、Ｓは基板を示している。
説明する。第１図は本発明方法を■族と■族との化合物
半導体であるＺｎ５ｅの製造に通用している状態を示す
分子線エピタキシャル装置の模式図、第２図は不純物用
の原料ガスセルの拡大断面図であり、図中１はグロース
チャンバ、２，３゜４はセル、Ｓは基板を示している。
チャンバ１はその周壁の一部に図示しない排気装置に連
結された超高真空排気口１ａを備えており、必要に応し
て１０−１°〜１０−口程度の真空度に設定されるよう
になっている。チャンバ１内には基板Ｓが図示しないホ
ルダに装着されて各セル２．３．４の設置側に向けて配
置されている。ホルダにはヒータが備えられており、基
板Ｓを所定温度に加熱維持し得るようになっている。
結された超高真空排気口１ａを備えており、必要に応し
て１０−１°〜１０−口程度の真空度に設定されるよう
になっている。チャンバ１内には基板Ｓが図示しないホ
ルダに装着されて各セル２．３．４の設置側に向けて配
置されている。ホルダにはヒータが備えられており、基
板Ｓを所定温度に加熱維持し得るようになっている。
セル２，３．４はチャンバ１０周壁に開口部を基板Ｓ側
に向けた状態で夫々固定されており、セル２には金属亜
鉛が、またセル３には金属セレンが収容され、抵抗加熱
によって所定温度に加熱され、基板Ｓ表面に向けて夫々
Ｚｎ、 Ｓｅを分子線として投射するようになっている
。
に向けた状態で夫々固定されており、セル２には金属亜
鉛が、またセル３には金属セレンが収容され、抵抗加熱
によって所定温度に加熱され、基板Ｓ表面に向けて夫々
Ｚｎ、 Ｓｅを分子線として投射するようになっている
。
一部セル４は第２図に示す如くディスチャージ・チャン
バ５とトランスポートチューブ６の後端とが相互の間を
、オリフィス（第１オリフイスという、直径１肩１程度
） ７ａを備えた電極を兼ねる隔壁７ｂで隔てられた状
態で連設され、またトランスポートチューブ６の前端は
同じくオリフィス（第２オリフイスという、直径３龍程
度） ７ｃを備えたＦＰ３７ｄにて隔てられた状態でグ
ロースチャツバ１内に臨ませである。ディスチャージ・
チャンバ５はその周壁にガス導入管５ａ、排気管５ｂが
接続され、また内部には基端部側から電極を兼ねる隔壁
７ｂのオリフィス７ａ近傍にまで電極５ｃを延在せしめ
て隔壁７ｂと対向配設されている。導入管５ａはホスフ
ィン等のガスタンクに連結され、また排気管５ｂには図
示しないロークリポンプ、メカニカルブースターポンプ
が連結されており、導入管５ａからはホスフィンが供給
され、また排気管５ｂからはディスチャージ・チャンバ
５内を０．１〜０．５ Ｔｏｒｒ稈度の真空度に設定維
持するよう排気を行うようになっている。
バ５とトランスポートチューブ６の後端とが相互の間を
、オリフィス（第１オリフイスという、直径１肩１程度
） ７ａを備えた電極を兼ねる隔壁７ｂで隔てられた状
態で連設され、またトランスポートチューブ６の前端は
同じくオリフィス（第２オリフイスという、直径３龍程
度） ７ｃを備えたＦＰ３７ｄにて隔てられた状態でグ
ロースチャツバ１内に臨ませである。ディスチャージ・
チャンバ５はその周壁にガス導入管５ａ、排気管５ｂが
接続され、また内部には基端部側から電極を兼ねる隔壁
７ｂのオリフィス７ａ近傍にまで電極５ｃを延在せしめ
て隔壁７ｂと対向配設されている。導入管５ａはホスフ
ィン等のガスタンクに連結され、また排気管５ｂには図
示しないロークリポンプ、メカニカルブースターポンプ
が連結されており、導入管５ａからはホスフィンが供給
され、また排気管５ｂからはディスチャージ・チャンバ
５内を０．１〜０．５ Ｔｏｒｒ稈度の真空度に設定維
持するよう排気を行うようになっている。
電極７ｃ及び電極を兼ねる第１オリフイス７ａを備えた
隔壁７ｂは図示しない高周波電源に接続されており、こ
れによって高周波電圧を印加され、ディスチャージ・チ
ャンバ５内に導入されたホスフィンをプラズマ化すると
共にこれをプラズマクラッキングし、電気的に中性で、
且つ化学的に活性なリンの単分子線、即ちラジカルビー
ムを発生せしめるようになっている。
隔壁７ｂは図示しない高周波電源に接続されており、こ
れによって高周波電圧を印加され、ディスチャージ・チ
ャンバ５内に導入されたホスフィンをプラズマ化すると
共にこれをプラズマクラッキングし、電気的に中性で、
且つ化学的に活性なリンの単分子線、即ちラジカルビー
ムを発生せしめるようになっている。
トランスポートチューブ６はその中間部側壁に排気管６
ａが接続されており、この排気管６ａには図示しないロ
ータリーポンプ、拡散ポンプが接続され、これらによっ
て常時１０ ’Ｔｏｒｒ程度の真空度に設定維持するよ
うになっている。このようにディスチャージ・チャンバ
内は０．１〜０．５ Ｔｏｏｒ程度に、またトランスポ
ートチューブＧ内は１０’−’Ｔｏｒｒ程度に、そして
グロースチャンバ１内はバンクグランド圧力を１０−”
Ｔｏｒｒ程度、稼働中は１０−７〜１０″′ｅ程度に
維持される結果、このような差動排気によってディスチ
ャージ・チャンバ１内で生じたリンのラジカルビームは
トランスボートチューブ６内に吸引された後、更にグロ
ースチャンバ１内に移動せしめられて基１＆Ｓに照射せ
しめられることとなる。
ａが接続されており、この排気管６ａには図示しないロ
ータリーポンプ、拡散ポンプが接続され、これらによっ
て常時１０ ’Ｔｏｒｒ程度の真空度に設定維持するよ
うになっている。このようにディスチャージ・チャンバ
内は０．１〜０．５ Ｔｏｏｒ程度に、またトランスポ
ートチューブＧ内は１０’−’Ｔｏｒｒ程度に、そして
グロースチャンバ１内はバンクグランド圧力を１０−”
Ｔｏｒｒ程度、稼働中は１０−７〜１０″′ｅ程度に
維持される結果、このような差動排気によってディスチ
ャージ・チャンバ１内で生じたリンのラジカルビームは
トランスボートチューブ６内に吸引された後、更にグロ
ースチャンバ１内に移動せしめられて基１＆Ｓに照射せ
しめられることとなる。
而して上述の如き本発明方法にあっては基板Ｓとして例
えばＧａＡｓを用い、これにセル２，３からＺｎ分子線
、Ｓｅ分子線を投射して、化合物であるＺｎ５ｅをエピ
タキシャル成長させる過程で、所定のタイミングでセル
４からリンのラジカルビームを化合物上に投射１７、ド
ーピングさせる。これによって、リンを効果的に、しか
も効率よくドープさせることができて、低抵抗のｐ−ｎ
接合を有する高効率の発光素子であるＺｎ５ｅ等の化合
物半導体を容易に製造することが可能となる。
えばＧａＡｓを用い、これにセル２，３からＺｎ分子線
、Ｓｅ分子線を投射して、化合物であるＺｎ５ｅをエピ
タキシャル成長させる過程で、所定のタイミングでセル
４からリンのラジカルビームを化合物上に投射１７、ド
ーピングさせる。これによって、リンを効果的に、しか
も効率よくドープさせることができて、低抵抗のｐ−ｎ
接合を有する高効率の発光素子であるＺｎ５ｅ等の化合
物半導体を容易に製造することが可能となる。
なお上述の実施例においては周期律表の■族と■族との
化合物半導体につき説明したが、何らこれに限るもので
はなく、他の化合物半導体の製造にも適用し得ることは
勿論である。またＺｎ５ｅに限らずＺｎＳ等についても
通用し得ることも言うまでもない。
化合物半導体につき説明したが、何らこれに限るもので
はなく、他の化合物半導体の製造にも適用し得ることは
勿論である。またＺｎ５ｅに限らずＺｎＳ等についても
通用し得ることも言うまでもない。
以上の如く本発明方法にあっては不純物を電気的に中性
であり、且つ化学的に活性な粒子、所謂ラジカルなビー
ムとして化合物にドーピングすることとしているから化
合物中への付着確立が大きく、化合物中への不純物の取
り込みが容易となり、しかも基板自体に与える損傷も少
ないなど本発明は優れた効果を奏するものである。
であり、且つ化学的に活性な粒子、所謂ラジカルなビー
ムとして化合物にドーピングすることとしているから化
合物中への付着確立が大きく、化合物中への不純物の取
り込みが容易となり、しかも基板自体に与える損傷も少
ないなど本発明は優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明方法の実施状態を示す分子線エピタキシ
ャル装置の模式図、第２図は同じく不純物のガスセルの
部分拡大図である。 １・・・グロースチャンバ ２，３．４・・・セル ５
・・・ディスチャージ・チャンバ ６・・・トランスボ
ートチューブ Ｓ・・・基板 特 許 出腐人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 大 卒 １ 図 仝 ↓ 第２ 図
ャル装置の模式図、第２図は同じく不純物のガスセルの
部分拡大図である。 １・・・グロースチャンバ ２，３．４・・・セル ５
・・・ディスチャージ・チャンバ ６・・・トランスボ
ートチューブ Ｓ・・・基板 特 許 出腐人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 大 卒 １ 図 仝 ↓ 第２ 図
Claims (1)
- １、化合物半導体を構成する２以上の元素を夫々分子線
として基板面に投射し、基板面にこれら元素の化合物を
エピタキシャル成長させる過程で、不純物用原料ガスを
、プラズマ化し、その構成元素を電気的に中性であり、
且つ化学的に活性な粒子ビームとして基板面に投射し、
前記化合物にドーピングすることを特徴とする化合物半
導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008473A JPH07105342B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61008473A JPH07105342B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 化合物半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165940A true JPS62165940A (ja) | 1987-07-22 |
| JPH07105342B2 JPH07105342B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=11694082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61008473A Expired - Fee Related JPH07105342B2 (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105342B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63303899A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法 |
| JPS63303889A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体結晶薄膜製造装置 |
| JPH0323289A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-31 | Nec Corp | 分子線結晶成長装置および結晶成長方法 |
| JPH04234136A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-08-21 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | Ｉｉｂ−ｖｉａ族半導体層を含む発光半導体デバイス |
| JPH0653257A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-02-25 | Nec Corp | 不純物ドーピング方法及び不純物ドーピングによるキャリア濃度制御方法 |
| CN114038948A (zh) * | 2021-05-11 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 红光外延层及其刻蚀修复方法、led芯片及电子设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170942A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | ２−６族化合物半導体の分子線エピタキシヤル成長方法 |
| JPS61117199A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-04 | Nec Corp | 結晶成長法 |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP61008473A patent/JPH07105342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170942A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | ２−６族化合物半導体の分子線エピタキシヤル成長方法 |
| JPS61117199A (ja) * | 1984-11-08 | 1986-06-04 | Nec Corp | 結晶成長法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS63303899A (ja) * | 1987-05-30 | 1988-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の製造方法 |
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| EP0793281A3 (en) * | 1990-08-24 | 1998-02-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Electro-magnetic transducers |
| JPH0653257A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-02-25 | Nec Corp | 不純物ドーピング方法及び不純物ドーピングによるキャリア濃度制御方法 |
| CN114038948A (zh) * | 2021-05-11 | 2022-02-11 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 红光外延层及其刻蚀修复方法、led芯片及电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105342B2 (ja) | 1995-11-13 |
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