JPS6217030B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6217030B2 JPS6217030B2 JP12531779A JP12531779A JPS6217030B2 JP S6217030 B2 JPS6217030 B2 JP S6217030B2 JP 12531779 A JP12531779 A JP 12531779A JP 12531779 A JP12531779 A JP 12531779A JP S6217030 B2 JPS6217030 B2 JP S6217030B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etched
- plasma
- treatment
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009279 wet oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は改良されたプラズマエツチング方法に
関する。
関する。
近年、平行平板電極に高周波（RF）電力を印
加し、導入したCF4やC2F6などのフロロカーボン
系ガスを放電させてガスプラズマを前記電極間に
形成せしめ、このガスプラズマ中の正イオンによ
り減圧下で前記電極上に置かれた半導体ウエーハ
（基体）表面の被膜をエツチングすることが行な
われている。
加し、導入したCF4やC2F6などのフロロカーボン
系ガスを放電させてガスプラズマを前記電極間に
形成せしめ、このガスプラズマ中の正イオンによ
り減圧下で前記電極上に置かれた半導体ウエーハ
（基体）表面の被膜をエツチングすることが行な
われている。
しかしプラズマエツチングに際しては半導体基
体表面のダメージは避けられず、殊にエツチング
終了の余裕度をみてオーバーエツチングを行なう
ために半導体基体表面は相当にエツチング雰囲気
にさらされることになる。このためシリコン表面
に欠陥層が形成され、又この欠陥層はＣ，Ｆ等の
有機物や装置に起因するFe，Ni，Cr等の重金属
で汚染され、PN接合リーフやフイールド電流の
不良を引き起こす原因となつたりする。
体表面のダメージは避けられず、殊にエツチング
終了の余裕度をみてオーバーエツチングを行なう
ために半導体基体表面は相当にエツチング雰囲気
にさらされることになる。このためシリコン表面
に欠陥層が形成され、又この欠陥層はＣ，Ｆ等の
有機物や装置に起因するFe，Ni，Cr等の重金属
で汚染され、PN接合リーフやフイールド電流の
不良を引き起こす原因となつたりする。
このダメージ層はその後の表面の熱酸化により
スタツキングフオールト（OSF：Oxidation
induced Stacking Fault）と呼ばれる膨大な結晶
欠陥を誘発する。
スタツキングフオールト（OSF：Oxidation
induced Stacking Fault）と呼ばれる膨大な結晶
欠陥を誘発する。
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、半
導体装置製造の一工程として半導体基体表面の被
膜をプラズマエツチングしたのち、このエツチン
グ箇所に対して酸化、酸化物除去、重金属除去処
理をこの順に繰り返し行なうことを特徴とする、
電気特性の改善を図ることの出来るプラズマエツ
チング方法を提供するものである。
導体装置製造の一工程として半導体基体表面の被
膜をプラズマエツチングしたのち、このエツチン
グ箇所に対して酸化、酸化物除去、重金属除去処
理をこの順に繰り返し行なうことを特徴とする、
電気特性の改善を図ることの出来るプラズマエツ
チング方法を提供するものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して詳述す
る。
る。
先ずシリコン基板１にバツフアオキサイドとし
て600Å厚のシリコン酸化膜２を形成し、さらに
選択酸化用のシリコン窒化膜３及びレジストマス
ク４を形成する（第１図ａ）。次に先述平行平板
型プラズマエツチング装置でCF4＋H2ガスを
10-3Torrのもとで放電させてプラズマエツチン
グを行ないフイールド部のシリコン窒化膜３及び
シリコン酸化膜２をエツチングする（第１図
ｂ）。このとき基板１表面はプラズマ雰囲気にさ
らされ、イオン衝撃を受けて欠陥層が形成され、
同時にこの欠陥層は先述有機物や重金属で汚染さ
れる。又、１表面上には前記汚染物が付着してい
る。
て600Å厚のシリコン酸化膜２を形成し、さらに
選択酸化用のシリコン窒化膜３及びレジストマス
ク４を形成する（第１図ａ）。次に先述平行平板
型プラズマエツチング装置でCF4＋H2ガスを
10-3Torrのもとで放電させてプラズマエツチン
グを行ないフイールド部のシリコン窒化膜３及び
シリコン酸化膜２をエツチングする（第１図
ｂ）。このとき基板１表面はプラズマ雰囲気にさ
らされ、イオン衝撃を受けて欠陥層が形成され、
同時にこの欠陥層は先述有機物や重金属で汚染さ
れる。又、１表面上には前記汚染物が付着してい
る。
ここで先ず硫酸：過酸化化水素水＝３：１で10
分間煮沸して（酸化処理）から水洗し、さらに稀
弗酸0.5〜１％水溶液に30秒間浸けて酸化膜を除
去して水洗する。次に王水中で10分間煮弗（重金
属除去処理）して水洗する。以上の操作を数回繰
り返すことによりOSFは著しく減少した。
分間煮沸して（酸化処理）から水洗し、さらに稀
弗酸0.5〜１％水溶液に30秒間浸けて酸化膜を除
去して水洗する。次に王水中で10分間煮弗（重金
属除去処理）して水洗する。以上の操作を数回繰
り返すことによりOSFは著しく減少した。
第２図にはその繰り返し回数とOSF密度
（コ／cm2）との関係を示す（曲線Ａ）。曲線Ｂ，Ｃ
は比較の為に夫々王水処理と弗酸処理とを入れ換
えた場合、王水処理を行なわなかつた場合につい
て示す。この結果曲線Ａに示した本実施例の処理
は繰り返しによりOSF密度は著しく減少するこ
とが認められる。OSF観察では１μ厚の熱酸化
膜を成長させた後これを剥離し、さらに基板表面
をエツチング処理してエツチピツト（結晶欠陥に
対応）をカウントした。曲線Ｃに示した処理では
OSFは著しく、曲線Ｂに示した処理でも面内に
互いに垂直な方向に並ぶピツト像が多数認められ
た。
（コ／cm2）との関係を示す（曲線Ａ）。曲線Ｂ，Ｃ
は比較の為に夫々王水処理と弗酸処理とを入れ換
えた場合、王水処理を行なわなかつた場合につい
て示す。この結果曲線Ａに示した本実施例の処理
は繰り返しによりOSF密度は著しく減少するこ
とが認められる。OSF観察では１μ厚の熱酸化
膜を成長させた後これを剥離し、さらに基板表面
をエツチング処理してエツチピツト（結晶欠陥に
対応）をカウントした。曲線Ｃに示した処理では
OSFは著しく、曲線Ｂに示した処理でも面内に
互いに垂直な方向に並ぶピツト像が多数認められ
た。
第１図ｂに示した工程の後はCVD SiO2膜５を
0.5μ堆積してPOC３ガス中で高温熱処理を行
ない（第１図ｃ）、SiO2膜５を除去し、１×1013
cm-2のフイールドボロンイオン注入層６を形成す
る（第１図ｄ）。第１図ｃに示したCVD SiO2膜
５堆積及びPOC３処理は必ずしも必要でな
い。
0.5μ堆積してPOC３ガス中で高温熱処理を行
ない（第１図ｃ）、SiO2膜５を除去し、１×1013
cm-2のフイールドボロンイオン注入層６を形成す
る（第１図ｄ）。第１図ｃに示したCVD SiO2膜
５堆積及びPOC３処理は必ずしも必要でな
い。
こののち、ウエツト酸化で１μ厚のフイールド
酸化膜７を熱酸化形成し（第１図ｅ）、膜２，３
を除去し（第１図ｆ）、ゲート酸化膜８、多結晶
シリコン９、レジストマスク１０を形成して（第
１図ｇ）、レジストマスク１０をエツチングマス
クとして先述したと同様に多結晶シリコン膜９、
ゲート酸化膜８をプラズマエツチングし、n+イ
オン注入層１１，１１′を形成する（第１図ｈ）。
酸化膜７を熱酸化形成し（第１図ｅ）、膜２，３
を除去し（第１図ｆ）、ゲート酸化膜８、多結晶
シリコン９、レジストマスク１０を形成して（第
１図ｇ）、レジストマスク１０をエツチングマス
クとして先述したと同様に多結晶シリコン膜９、
ゲート酸化膜８をプラズマエツチングし、n+イ
オン注入層１１，１１′を形成する（第１図ｈ）。
次にCVD SiO2膜１２を堆積し、POC３中で
の高温熱処理を経て（第１図ｉ）、BPSG堆積１
３（第１図ｊ）、レジスト１４によるコンタクト
孔開口（第１図ｋ）を行ないＡ電極１５を形成
して（第１図）MISトランジスタを形成する。
の高温熱処理を経て（第１図ｉ）、BPSG堆積１
３（第１図ｊ）、レジスト１４によるコンタクト
孔開口（第１図ｋ）を行ないＡ電極１５を形成
して（第１図）MISトランジスタを形成する。
尚、弗酸水溶液の濃度は0.1％以上とし、10秒
以上浸漬することが好ましく、又王水の代わりに
塩酸：過酸化水素水：水＝１：１：５の混合液で
煮沸しても上記実施例と同様な効果が得られた。
以上浸漬することが好ましく、又王水の代わりに
塩酸：過酸化水素水：水＝１：１：５の混合液で
煮沸しても上記実施例と同様な効果が得られた。
又、プラズマエツチングする半導体基体表面の
被膜としては酸化シリコンの他窒化シリコン膜、
多結晶シリコン膜さらには金属・シリコン合金膜
が使用出来る。
被膜としては酸化シリコンの他窒化シリコン膜、
多結晶シリコン膜さらには金属・シリコン合金膜
が使用出来る。
第１図ａ〜は本発明の実施例を各工程に従い
示す断面図、第２図は本発明効果を示す特性図で
ある。
示す断面図、第２図は本発明効果を示す特性図で
ある。
Claims (1)
- １ 減圧下で導入ガスを放電せしめてガスプラズ
マを形成し、半導体装置製造の一工程として半導
体基体表面の被膜をエツチングしたのち、溶液中
で前記エツチング箇所に対して酸化，酸化物除
去，重金属除去処理をこの順に行なうことを特徴
とするプラズマエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12531779A JPS5651579A (en) | 1979-10-01 | 1979-10-01 | Plasma etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12531779A JPS5651579A (en) | 1979-10-01 | 1979-10-01 | Plasma etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5651579A JPS5651579A (en) | 1981-05-09 |
| JPS6217030B2 true JPS6217030B2 (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=14907107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12531779A Granted JPS5651579A (en) | 1979-10-01 | 1979-10-01 | Plasma etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5651579A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01281748A (ja) * | 1988-05-07 | 1989-11-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1979
- 1979-10-01 JP JP12531779A patent/JPS5651579A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5651579A (en) | 1981-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6465352B1 (en) | Method for removing dry-etching residue in a semiconductor device fabricating process | |
| JP2937817B2 (ja) | 半導体基板表面の酸化膜の形成方法及びｍｏｓ半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH07335674A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族半導体ゲート構造およびその製造方法 | |
| US20020182851A1 (en) | Process for preparing cu damascene interconnection | |
| US5328867A (en) | Peroxide clean before buried contact polysilicon deposition | |
| JPH0629311A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| CN106024622B (zh) | 自对准硅化物阻挡层的制造方法 | |
| KR100616498B1 (ko) | 폴리/텅스텐 게이트 전극을 갖는 반도체 소자의 제조방법 | |
| JPS628512B2 (ja) | ||
| JPH07230988A (ja) | 高温金属層上に絶縁体層を形成する方法 | |
| JPH0133933B2 (ja) | ||
| US5930650A (en) | Method of etching silicon materials | |
| JP4228424B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6743715B1 (en) | Dry clean process to improve device gate oxide integrity (GOI) and reliability | |
| JPH09148429A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0799178A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0226025A (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
| JPS584930A (ja) | ホトレジスト剥離方法 | |
| JPS60233824A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP2524431B2 (ja) | イオン注入阻止方法 | |
| JP3162181B2 (ja) | 半導体製造方法 | |
| JP3674612B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2003079456A1 (fr) | Procede de production d'un substrat et d'un dispositif semi-conducteur par traitement au plasma | |
| JP3048752B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100997432B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 |