JPS62170663U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS62170663U JPS62170663U JP5928986U JP5928986U JPS62170663U JP S62170663 U JPS62170663 U JP S62170663U JP 5928986 U JP5928986 U JP 5928986U JP 5928986 U JP5928986 U JP 5928986U JP S62170663 U JPS62170663 U JP S62170663U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser device
- active layer
- disordered
- semiconductor laser
- impurities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例としてのＭＱＷレー
ザ装置の斜視図、第２図は発振波長一温度特性を
示す図、第３図は干渉型ＶＳＩＳレーザ装置の構
成を示す概略図である。 ４…活性層、１０…光反射領域（不純物拡散領
域）、ａ…光伝播方向。
ザ装置の斜視図、第２図は発振波長一温度特性を
示す図、第３図は干渉型ＶＳＩＳレーザ装置の構
成を示す概略図である。 ４…活性層、１０…光反射領域（不純物拡散領
域）、ａ…光伝播方向。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 多重量子井戸構造をした活性層の光伝播方
向途中における一部が無秩序化され、光反射領域
とされていることを特徴とする半導体レーザ装置
。 (2) 前記活性層の無秩序化は不純部の拡散によ
つて行われていることを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第(1)項に記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5928986U JPS62170663U (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5928986U JPS62170663U (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170663U true JPS62170663U (ja) | 1987-10-29 |
Family
ID=30890641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5928986U Pending JPS62170663U (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62170663U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236677A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP5928986U patent/JPS62170663U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01236677A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |