JPS6217367B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6217367B2 JPS6217367B2 JP53142372A JP14237278A JPS6217367B2 JP S6217367 B2 JPS6217367 B2 JP S6217367B2 JP 53142372 A JP53142372 A JP 53142372A JP 14237278 A JP14237278 A JP 14237278A JP S6217367 B2 JPS6217367 B2 JP S6217367B2
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- JP
- Japan
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- film
- etching
- mask
- resist
- permalloy
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- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
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- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子の製造方法に関
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method of manufacturing a magnetic bubble memory device.
周知のように、磁気バブルメモリ素子のコンダ
クタパターンやパーマロイパターンは、それぞれ
異なるレジストパターンを用いるホトリングラフ
イーによつて形成される。 As is well known, the conductor pattern and permalloy pattern of a magnetic bubble memory element are formed by photolithography using different resist patterns.
しかし、このような従来の方法では、単に工程
が煩雑であるばかりでなく、マスク合わせをくり
返して行なわねばならないため、形成されるパタ
ーン精度も、必然的に限定されたものであつた。 However, in such a conventional method, not only the process is complicated, but also mask alignment must be performed repeatedly, so the accuracy of the formed pattern is inevitably limited.
このような問題を解決するため、紫外線、電子
線、Ｘ線、可視光線（本明細書ではこれらを光と
総称する）などの透過率の異なるマスクを用い、
レジスト膜に強度の異なる照射を行なうことによ
つて、厚さが部分的に異なるレジストパターンを
形成し、それによつてマスク合わせを省略する方
法（この方法を一マスク法という）が提案されて
いる。 In order to solve this problem, we use masks with different transmittances for ultraviolet rays, electron beams, X-rays, visible light (hereinafter collectively referred to as light), etc.
A method has been proposed in which the resist film is irradiated with different intensities to form resist patterns with partially different thicknesses, thereby omitting mask alignment (this method is called the one-mask method). .
本発明は、上記一マスク法に関するものであ
り、湿式あるいはプラズマエツチンなどの乾式の
化学エツチングと物理エツチングをエツチング手
段とに用ることにより、コンダクタパターンとパ
ーマロイパターンを精度よく形成するものであ
る。 The present invention relates to the above-mentioned mask method, in which conductor patterns and permalloy patterns are formed with high precision by using wet or dry chemical etching such as plasma etching and physical etching as etching means. .
本発明の要旨は、
(1) 基板上に少なくとも導電体膜、絶縁膜、パー
マロイ膜、マスク膜およびレジスト膜を順次積
層して被着する工程。 The gist of the present invention is as follows: (1) A step of sequentially laminating and depositing at least a conductive film, an insulating film, a permalloy film, a mask film, and a resist film on a substrate.
(2) 前記レジスト膜を部分的に厚さの異なるレジ
ストパターンに加工する工程。(2) Processing the resist film into resist patterns with partially different thicknesses.
(3) 前記(2)の工程により部分的に露出した前記マ
スク膜を化学的エツチングにより除去する工
程。(3) A step of removing the mask film partially exposed in the step (2) above by chemical etching.
(4) 前記(3)の工程により部分的に露出した前記パ
ーマロイ膜を物理的エツチングにより除去する
工程。(4) A step of removing the permalloy film partially exposed in the step (3) above by physical etching.
(5) 前記(4)の工程により部分的に露出した前記絶
縁膜および前記マスク膜を化学的エツチングに
より除去する工程。(5) A step of removing the insulating film and the mask film partially exposed in the step (4) by chemical etching.
(6) 前記(5)の工程により部分的に露出した前記パ
ーマロイ膜および導電体膜を物理的エツチング
より除去する工程を含み、
前記マスク膜は前記化学的エツチングによりエ
ツチングされやすい材料により形成されているこ
とを特徴とする磁気バブルメモリ素子の製造方法
にある。(6) A step of removing the permalloy film and the conductive film partially exposed in the step (5) above by physical etching, and the mask film is formed of a material that is easily etched by the chemical etching. A method of manufacturing a magnetic bubble memory element is provided.
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
る。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using Examples.
実施例
第１図ａ〜ｅは、本発明の一実施例を示す工程
図である。Embodiment FIGS. 1a to 1e are process diagrams showing an embodiment of the present invention.
第１図ａに示すように、磁性ガーネツト膜を有
する基板１の表面上に、第１絶縁膜（SiO2膜）
２、導電体膜（Al―Cu膜）３、第２絶縁膜
（SiO2膜）４、パーマロイ膜５、マスク膜（Si
膜）６およびレジスト膜を順次積層して被着し、
該レジスト膜に、光の透過率が部分的に異なるマ
スクを介して、部分的に強度の異なる光を照射し
た後、現像して部分的に厚さの異なるレジストパ
ターン７，８を形成する。 As shown in FIG. 1a, a first insulating film (SiO 2 film) is formed on the surface of a substrate 1 having a magnetic garnet film.
2, conductor film (Al-Cu film) 3, second insulating film (SiO 2 film) 4, permalloy film 5, mask film (Si
film) 6 and a resist film are sequentially laminated and deposited,
The resist film is irradiated with light having a partially different intensity through a mask having a partially different light transmittance, and then developed to form resist patterns 7 and 8 having partially different thicknesses.
上記レジスト膜７，８をマスクにして、酸素を
含むフレオンガスプラズマによつて上記マスク膜
６をエツチし（第１図ｂ）、つぎに、イオンミリ
ングを行なうと、パーマロイ膜５の露出された部
分がエツチされて除去され、この際、ホトレジス
ト膜７，８の厚さも同時に減少する（第１図
ｃ）。 Using the resist films 7 and 8 as masks, the mask film 6 is etched by Freon gas plasma containing oxygen (FIG. 1b), and then ion milling is performed to remove the exposed permalloy film 5. A portion is etched away, the thickness of the photoresist films 7, 8 being reduced at the same time (FIG. 1c).
再び、上記酸素を含むフレオンガスプラズマに
よつてマスク膜６および第２絶縁膜４のそれぞれ
露出された部分をエツチして除く（第１図ｄ）。 Again, the exposed portions of the mask film 6 and the second insulating film 4 are etched away using the Freon gas plasma containing oxygen (FIG. 1d).
パーマロイ膜５およびAl―Cu膜３の露出され
た部分をイオンミリングによつて除去すれば、第
１図ｅに示した構造が得られるので、上記フレオ
ンガスプラズマによつて、残つたマスク膜６を除
去すればよい。 If the exposed parts of the permalloy film 5 and the Al-Cu film 3 are removed by ion milling, the structure shown in FIG. Just remove it.
上記工程において、プラズマエツチによるマス
ク膜６の除去は、Siとレジストのエツチレイト比
が10以上なので、選択的に行なわれ、この際に
は、レジスト膜はほとんど除去されない。 In the above process, the mask film 6 is selectively removed by plasma etching because the etching rate ratio of Si to resist is 10 or more, and at this time, almost no resist film is removed.
その結果、第１図ｂに示すように、階段状の段
差はさらに増大する。一方、イオンミリングは、
被食刻物質によるエツチングレイトにあまり差が
ないため、上記階段状の段差は、イオンミリング
後もそのまま保持される。 As a result, as shown in FIG. 1b, the step-like height difference further increases. On the other hand, ion milling
Since there is not much difference in the etching rate depending on the material to be etched, the stepped difference is maintained as it is even after ion milling.
一般に、一マスク法において、厚さが部分的に
異なるレジストパターン形成する際に、厚さの薄
い部分の膜厚を正確に制御するのは困難であるた
め、イオンミリングに対して高精度のマスク効果
を期待することはできない。 In general, when forming a resist pattern with partially different thickness using a single mask method, it is difficult to accurately control the film thickness in the thinner parts, so a high-precision mask is required for ion milling. You can't expect any results.
しかし、本発明においては、部分的に厚さの異
なるレジスト膜を形成した後、マスク膜の選択エ
ツチを行なうため、階段状の段差は一層増大し、
つぎのイオンミリングによるマスク効果の再現性
は良好である。 However, in the present invention, selective etching of the mask film is performed after forming resist films with partially different thicknesses, so that the step-like steps are further increased.
The reproducibility of the mask effect by the subsequent ion milling is good.
なお、上記実施例においては、化学エツチング
としてプラズマエツチを行なつたが、エツチ液を
用いる湿式の化学エツチをプラズマエツチのかわ
りに用いることも可能であることは勿論である。 In the above embodiment, plasma etching was used as the chemical etching, but it is of course possible to use wet chemical etching using an etchant instead of plasma etching.
また、マスク膜や絶縁膜などに、上記実施例と
は異なる材料を用いても、同様に好ましい結果が
得られることはいうまでもない。 Furthermore, it goes without saying that even if materials different from those in the above embodiments are used for the mask film, insulating film, etc., similarly favorable results can be obtained.
第１図は本発明の一実施例を示す工程図であ
る。
５……パーマロイ膜、６……マスク膜、７，８
……レジストパターン。
FIG. 1 is a process diagram showing an embodiment of the present invention. 5...Permalloy film, 6...Mask film, 7,8
...Resist pattern.
Claims (1)
パーマロイ膜、マスク膜およびレジスト膜を順
次積層して被着する工程。 (2) 前記レジスト膜を部分的に厚さの異なるレジ
ストパターンに加工する工程。 (3) 前記(2)の工程により部分的に露出した前記マ
スク膜を化学的エツチングにより除去する工
程。 (4) 前記(3)の工程により部分的に露出した前記パ
ーマロイ膜を物理的エツチングにより除去する
工程。 (5) 前記(4)の工程により部分的に露出した前記絶
縁膜および前記マスク膜を化学的エツチングに
より除去する工程。 (6) 前記(5)の工程により部分的に露出した前記パ
ーマロイ膜および導電体膜を物理的エツチング
により除去する工程を含み、 前記マスク膜は前記化学的エツチングによりエ
ツチングされやすい材料により形成されているこ
とを特徴とする磁気バブルメモリ素子の製造方
法。 ２ 上記化学的エツチングはプラズマエツチング
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気バブルメモリ素子の製造方法。 ３ 上記物理的エツチングはイオンミリングであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
磁気バブルメモリ素子の製造方法。[Claims] 1 (1) At least a conductive film, an insulating film,
A process in which a permalloy film, a mask film, and a resist film are sequentially laminated and deposited. (2) Processing the resist film into resist patterns with partially different thicknesses. (3) A step of removing the mask film partially exposed in the step (2) above by chemical etching. (4) A step of removing the permalloy film partially exposed in the step (3) above by physical etching. (5) A step of removing the insulating film and the mask film partially exposed in the step (4) by chemical etching. (6) A step of removing the permalloy film and the conductive film partially exposed in the step (5) above by physical etching, and the mask film is formed of a material that is easily etched by the chemical etching. 1. A method for manufacturing a magnetic bubble memory element, characterized in that: 2. The method of manufacturing a magnetic bubble memory element according to claim 1, wherein the chemical etching is plasma etching. 3. The method of manufacturing a magnetic bubble memory element according to claim 1, wherein the physical etching is ion milling.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14237278A JPS5568610A (en) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | Preparing magnetic bubble memory element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14237278A JPS5568610A (en) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | Preparing magnetic bubble memory element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5568610A JPS5568610A (en) | 1980-05-23 |
| JPS6217367B2 true JPS6217367B2 (en) | 1987-04-17 |
Family
ID=15313843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14237278A Granted JPS5568610A (en) | 1978-11-20 | 1978-11-20 | Preparing magnetic bubble memory element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5568610A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4001061A (en) * | 1975-03-05 | 1977-01-04 | International Business Machines Corporation | Single lithography for multiple-layer bubble domain devices |
-
1978
- 1978-11-20 JP JP14237278A patent/JPS5568610A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5568610A (en) | 1980-05-23 |
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