JPS6217626A - 測定装置 - Google Patents
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- JPS6217626A JPS6217626A JP15509785A JP15509785A JPS6217626A JP S6217626 A JPS6217626 A JP S6217626A JP 15509785 A JP15509785 A JP 15509785A JP 15509785 A JP15509785 A JP 15509785A JP S6217626 A JPS6217626 A JP S6217626A
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は空気や排ガスなどの被検出体における温度や流
速などを検出する測定装置に係り、特に被検出体の高温
、Ｉ！！耗、腐食性雰囲気下における好適な測定装置に
関するものである。
速などを検出する測定装置に係り、特に被検出体の高温
、Ｉ！！耗、腐食性雰囲気下における好適な測定装置に
関するものである。
ジェット・エンジンやガスタービンなどの速度型流体機
械の測定においては、空気あるいはガスの流れに関する
測定が重要である。
械の測定においては、空気あるいはガスの流れに関する
測定が重要である。
流速の測定装置としては、ベルヌイの定理を用いた各種
ピトー管による方法がよく知られている。
ピトー管による方法がよく知られている。
また、風洞あるいは流体機械などの内部流体の乱れを測
定するために熱線風速計が使用される。
定するために熱線風速計が使用される。
この熱線風速計は空気、ガスの流れ方向に対して直角に
細い金属線を張り、これに一定の電流を流して加熱する
と、風速の変動に応じて金属線の温度が変化し、従って
、その抵抗値が変化することを利用したものである。そ
してこの熱線には、普通白金線に銀被覆を施したウオラ
ストン線が使用されているが、これは細い針の先に、は
んだ付けし、その先端を長さｌｓ＋ｍ程度の間だけ約１
／３にうすめた硝酸で銀被覆をエツチングして白金線の
み裸にして使用されている。流速変化に対する応答の遅
れをできるだけ小さくするためには、細いほどよいが、
あまり細いと切断しやすくこのために普通は５μ程度の
ものが使用されているが、使用可能の限界はせいぜい１
μまである。また、強さの点から場合によってはタング
ステン線も使用されているが、これは白金に比べて最高
使用温度が低い欠点がある。
細い金属線を張り、これに一定の電流を流して加熱する
と、風速の変動に応じて金属線の温度が変化し、従って
、その抵抗値が変化することを利用したものである。そ
してこの熱線には、普通白金線に銀被覆を施したウオラ
ストン線が使用されているが、これは細い針の先に、は
んだ付けし、その先端を長さｌｓ＋ｍ程度の間だけ約１
／３にうすめた硝酸で銀被覆をエツチングして白金線の
み裸にして使用されている。流速変化に対する応答の遅
れをできるだけ小さくするためには、細いほどよいが、
あまり細いと切断しやすくこのために普通は５μ程度の
ものが使用されているが、使用可能の限界はせいぜい１
μまである。また、強さの点から場合によってはタング
ステン線も使用されているが、これは白金に比べて最高
使用温度が低い欠点がある。
第１表にこれら各種熱線の特性を示す。
第１表
これら従来技術による流速の測定装置には、それぞれが
もつ欠点や問題点がある。たとえば、ピトー管の場合に
は、ばいじんなどの多いガス中では、測定孔がばいじん
によってつまる問題や、熱線流速計の場合には、熱線の
罫質にもよるが、最高使用温度は、タングステンを使用
した場合は３００℃、白金の場合でも８００℃と相対的
に低いうえ、前記したように測定時の熱線の処理が不便
である。
もつ欠点や問題点がある。たとえば、ピトー管の場合に
は、ばいじんなどの多いガス中では、測定孔がばいじん
によってつまる問題や、熱線流速計の場合には、熱線の
罫質にもよるが、最高使用温度は、タングステンを使用
した場合は３００℃、白金の場合でも８００℃と相対的
に低いうえ、前記したように測定時の熱線の処理が不便
である。
本発明はかかる従来の欠点を解消しようとするもので、
その目的とするところは、ばいじんなと゛の多いガス中
でも温度、流速を測定することができ、しかも最高使用
温度が高（ても測定できる測定装置を得ようとするもの
である。
その目的とするところは、ばいじんなと゛の多いガス中
でも温度、流速を測定することができ、しかも最高使用
温度が高（ても測定できる測定装置を得ようとするもの
である。
（発明の概要〕
本発明は前述の目的を達成するために、検知部が導電性
セラミックスで構成された検出素子と、前記導電性セラ
ミックスの特性値と被検出項目との特性関係を予め記憶
しておく記憶部と、前記検出素子からの検出信号と記憶
部からの特性信号とから被検出体の温度と流速の少なく
とも一方を演算する演算部とによって構成されたもので
ある。
セラミックスで構成された検出素子と、前記導電性セラ
ミックスの特性値と被検出項目との特性関係を予め記憶
しておく記憶部と、前記検出素子からの検出信号と記憶
部からの特性信号とから被検出体の温度と流速の少なく
とも一方を演算する演算部とによって構成されたもので
ある。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施例に係る測定装置の概略構成図、
第２図１ａｌ、 （ｂｌ、 ｌｃ）、 ｆｄｌは検出素
子の製造工程を示す説明図、第３図は第２図の製造工程
によって得られた検出素子の斜視図、第４図は検出素子
の抵抗値と被検出体の温度との関係を示す特性図、第５
図は検出素子の消費電力と被検出体の流速との関係を示
す特性図、第６図は検出素子の電流値と断面積の関係を
示す特性図、第７図は検出素子の電圧値と長さの関係を
示す特性図、第８図は検出素子の耐摩耗試験の実験デー
タを示す特性図である。
第２図１ａｌ、 （ｂｌ、 ｌｃ）、 ｆｄｌは検出素
子の製造工程を示す説明図、第３図は第２図の製造工程
によって得られた検出素子の斜視図、第４図は検出素子
の抵抗値と被検出体の温度との関係を示す特性図、第５
図は検出素子の消費電力と被検出体の流速との関係を示
す特性図、第６図は検出素子の電流値と断面積の関係を
示す特性図、第７図は検出素子の電圧値と長さの関係を
示す特性図、第８図は検出素子の耐摩耗試験の実験デー
タを示す特性図である。
本発明による流速及び温度測定装置の実施例を第１図を
用いて説明する。
用いて説明する。
被検出体である高温度ガス流体Ｇが流れるダクト１の中
に、導電性セラミックスを用いた検出素子２とそのホル
ダ３とからなる検出装置を設置し、検出素子２に電力を
供給して制御する電源制御装置４とを配ＬＡ５で接続す
る。さらに、検出素子２に通電される電圧、電流値及び
、検出素子２の抵抗値を検出する電気特性測定装置！６
、また、この検出素子の特性値と流速−消費電力特性か
ら流速を求め、温度−抵抗値特性から温度を求める記憶
一部７、および検出素子２からの検出信号８と記憶部７
からの特性信号９から温度、流速を演算する演算部１０
からなり、処理結果をディスプレイ１１に表示する。
に、導電性セラミックスを用いた検出素子２とそのホル
ダ３とからなる検出装置を設置し、検出素子２に電力を
供給して制御する電源制御装置４とを配ＬＡ５で接続す
る。さらに、検出素子２に通電される電圧、電流値及び
、検出素子２の抵抗値を検出する電気特性測定装置！６
、また、この検出素子の特性値と流速−消費電力特性か
ら流速を求め、温度−抵抗値特性から温度を求める記憶
一部７、および検出素子２からの検出信号８と記憶部７
からの特性信号９から温度、流速を演算する演算部１０
からなり、処理結果をディスプレイ１１に表示する。
以下、本発明の検出素子２に用いる導電性セラミックス
について述べる。
について述べる。
導電性セラミックスには、ジルコニア・ポライド、ジル
コニア・カーバイト、タンタル・ナイトライド及びシリ
コン・カーバイト、シリコン・ナイトライド、アルミナ
を基材として、ジルコニア・ポライド、ジルコニア・カ
ーバイト、タンタル・ナイトライドなどの導電材を所定
量配合したものである。
コニア・カーバイト、タンタル・ナイトライド及びシリ
コン・カーバイト、シリコン・ナイトライド、アルミナ
を基材として、ジルコニア・ポライド、ジルコニア・カ
ーバイト、タンタル・ナイトライドなどの導電材を所定
量配合したものである。
本発明に用いる検出素子２の導電性セラミ・ンクスは、
これらに限定するものではないが、ジルコニア・ポライ
ド、ジルコニア・カーバイト、タンタル・ナイトライド
の導電性セラミックスを単独に検出素子２と使用するた
めには、抵抗値を上げるため、細く加工する必要があり
、加工上の問題がある。また、シリコン・カーバイトを
基材として、シリコニア・カーバイト、タンタル・ナイ
トライドの導電材を配合したものは、耐酸化性が１ 、
０００℃以上になると低下するが、これに較べ、シリコ
ン・カーバイトにジルコニア・ポライドを配合したもの
は、耐酸化性よく、１，４００℃前後までの使用が可能
である。
これらに限定するものではないが、ジルコニア・ポライ
ド、ジルコニア・カーバイト、タンタル・ナイトライド
の導電性セラミックスを単独に検出素子２と使用するた
めには、抵抗値を上げるため、細く加工する必要があり
、加工上の問題がある。また、シリコン・カーバイトを
基材として、シリコニア・カーバイト、タンタル・ナイ
トライドの導電材を配合したものは、耐酸化性が１ 、
０００℃以上になると低下するが、これに較べ、シリコ
ン・カーバイトにジルコニア・ポライドを配合したもの
は、耐酸化性よく、１，４００℃前後までの使用が可能
である。
ヰ★出素子２に用いる導電性セラミックスの材質は、こ
こでは、シリコン・カーバイトを基材としてジルコニア
・ポライドを所定量配合した導電性セラミックスを用い
た検出素子２の製造工程について第２図を用いて説明す
る。
こでは、シリコン・カーバイトを基材としてジルコニア
・ポライドを所定量配合した導電性セラミックスを用い
た検出素子２の製造工程について第２図を用いて説明す
る。
第２図（ａｌ、 （ｂｌ、 ｔｅｌ、 （ｄｉは、検出
素子２の製造工程を、第３図は検出素子２の斜視図を示
す、第２図Ｔａｌに示すように導電性セラミックス（シ
リコン・カーバイトとジルコニア・ポライドを重量比５
０：５０で配合）１２及び絶縁性セラミックス（窒化ア
ルミニウム１３は、圧粉体１４を圧縮して成形される０
次いでこれらの圧粉体１４を第２図＋ｂｌに示すように
積層し、これを３，０００ｋ ｇ ／ｃｍ”程度の加圧
下、１，９６０℃〜２．０００℃の温度で焼結させ、さ
らに第２図ｔｅｌに示す如く所望の形状に切断し、第２
図（ｄｉに示す形状の検出素子２を得る。この検出素子
２は、通電時に必要な電気抵抗値を得るため、第３図の
斜視図に示すように、導電材の断面を狭くした検出部ｘ
ｓ、ｉ極１７を取付けるための端子部１６よりなる。
素子２の製造工程を、第３図は検出素子２の斜視図を示
す、第２図Ｔａｌに示すように導電性セラミックス（シ
リコン・カーバイトとジルコニア・ポライドを重量比５
０：５０で配合）１２及び絶縁性セラミックス（窒化ア
ルミニウム１３は、圧粉体１４を圧縮して成形される０
次いでこれらの圧粉体１４を第２図＋ｂｌに示すように
積層し、これを３，０００ｋ ｇ ／ｃｍ”程度の加圧
下、１，９６０℃〜２．０００℃の温度で焼結させ、さ
らに第２図ｔｅｌに示す如く所望の形状に切断し、第２
図（ｄｉに示す形状の検出素子２を得る。この検出素子
２は、通電時に必要な電気抵抗値を得るため、第３図の
斜視図に示すように、導電材の断面を狭くした検出部ｘ
ｓ、ｉ極１７を取付けるための端子部１６よりなる。
なお、検出素子２の装置工程及び形状についても、これ
らに限定するものではなく、鋳込成形法を用いても製作
してもよく、形状についても円筒。
らに限定するものではなく、鋳込成形法を用いても製作
してもよく、形状についても円筒。
楕円形状等であってもよい。
第４図に、この検出素子２に通電時の、発熱温度と検出
素子２の抵抗値の特性値を、第５図に普通抵抗一定法（
抵抗値１Ωを一定に保持する電源制御法）により測定し
た検出素子２の空気流速と消費電力の特性値を示す。
素子２の抵抗値の特性値を、第５図に普通抵抗一定法（
抵抗値１Ωを一定に保持する電源制御法）により測定し
た検出素子２の空気流速と消費電力の特性値を示す。
強制対流による熱伝達の問題では、Ｎｕ＝Ｆ（Ｒｅ、Ｐ
ｒ）（ただしＮｕ：ヌツセルト数、Ｒｅ：レイノルズ数
、Ｐ「ニブランドル敗）の関係の成立つことは知られて
いる。一般にガスのブランドル数（Ｐｒ）は温度、圧力
には無関係と考えてよいから、空気などの気体に対して
はＰｒ−ｃｏｎｓ ｔとすれば、Ｎｕ＝Ｆ （Ｒｅ）の
関係がなりたち、これらの理論式と消費電力との対応よ
り、流速を求めることが可能である。また、第４図。
ｒ）（ただしＮｕ：ヌツセルト数、Ｒｅ：レイノルズ数
、Ｐ「ニブランドル敗）の関係の成立つことは知られて
いる。一般にガスのブランドル数（Ｐｒ）は温度、圧力
には無関係と考えてよいから、空気などの気体に対して
はＰｒ−ｃｏｎｓ ｔとすれば、Ｎｕ＝Ｆ （Ｒｅ）の
関係がなりたち、これらの理論式と消費電力との対応よ
り、流速を求めることが可能である。また、第４図。
第５図に示すごとく、実験で求めた抵抗値−発熱温度、
消費電力−流速の特性値を記憶部７に記憶させ、その特
性信号９と検出信号８により演算部ｌＯで、温度、流速
を求めることも可能である。
消費電力−流速の特性値を記憶部７に記憶させ、その特
性信号９と検出信号８により演算部ｌＯで、温度、流速
を求めることも可能である。
温度の測定については、通電しないで、第４図に示す関
係よりある温度雰囲気にさらされた検出素子２の抵抗値
を温度に変換することにより求めることが可能である。
係よりある温度雰囲気にさらされた検出素子２の抵抗値
を温度に変換することにより求めることが可能である。
また、検出素子２に通電する電力を増減し、消費電力が
増減しない検出素子２の抵抗値を温度に変換することに
よっても流体の温度を求めることが可能である。
増減しない検出素子２の抵抗値を温度に変換することに
よっても流体の温度を求めることが可能である。
実施例１
検出素子２のｉｔ材にシリコン・カーバイトとジルコニ
ア・ポライドを５０＝５０の重量比で配合したものを用
い、その断面積１．５ｓｍ”（２Ｘ ０．７５糟−）、
長さを６０−の検出素子２を第２図示す方法で製作した
。
ア・ポライドを５０＝５０の重量比で配合したものを用
い、その断面積１．５ｓｍ”（２Ｘ ０．７５糟−）、
長さを６０−の検出素子２を第２図示す方法で製作した
。
なお、第３図に示す端子部１６の導電材の断面積は１５
ａｍ”とした、このように端子部１６の抵抗値が無視で
きる程度に検出部１５の導電材の断面積（１，５−一９
に比べて端子部１６の断面積を大きくすることが望まし
い。
ａｍ”とした、このように端子部１６の抵抗値が無視で
きる程度に検出部１５の導電材の断面積（１，５−一９
に比べて端子部１６の断面積を大きくすることが望まし
い。
第６図、第７図は各種寸法の検出素子２に通電し、普通
抵抗一定法により、抵抗値を一定に制御し、無風時の発
熱温度、ｉｔ電流値び電圧値特性を整理したもので、直
線Ａは１ 、０００℃、直線Ｂは１．１００℃、直線Ｃ
は１ 、２００℃のものを示す、導電材断面積Ｓ、長さ
ｌと電流値、電圧値との関係は、Ｓ−１０ｐ／ｍｄ−１
，ｌ−１／１０ｐｗｄ・Ｅの関係にある。ここでρは導
電材の抵抗率（Ω−国）、ｗｄはパワー密度（Ｗ／ａｓ
’ ）である。
抵抗一定法により、抵抗値を一定に制御し、無風時の発
熱温度、ｉｔ電流値び電圧値特性を整理したもので、直
線Ａは１ 、０００℃、直線Ｂは１．１００℃、直線Ｃ
は１ 、２００℃のものを示す、導電材断面積Ｓ、長さ
ｌと電流値、電圧値との関係は、Ｓ−１０ｐ／ｍｄ−１
，ｌ−１／１０ｐｗｄ・Ｅの関係にある。ここでρは導
電材の抵抗率（Ω−国）、ｗｄはパワー密度（Ｗ／ａｓ
’ ）である。
本実施例の検出素子２のものは、無風時１，２００℃発
熱状態で、電流値？Ａ、ｉ圧値７Ｖ、抵抗値ｌΩであっ
た。第４図に発熱温度と抵抗値の関係、第５図に２０℃
空気流速と消費電力の関係を示す。
熱状態で、電流値？Ａ、ｉ圧値７Ｖ、抵抗値ｌΩであっ
た。第４図に発熱温度と抵抗値の関係、第５図に２０℃
空気流速と消費電力の関係を示す。
この特性値を記憶部７に記憶させ、空気流速を演算部１
０で測定した。実際に測定する空気の温度が２０℃より
高い場合や低い場合には強制対流による熱伝達式により
補正し流速を求めたが、ビート管による測定値と比較し
て±１％以下の差しか認められなかった。
０で測定した。実際に測定する空気の温度が２０℃より
高い場合や低い場合には強制対流による熱伝達式により
補正し流速を求めたが、ビート管による測定値と比較し
て±１％以下の差しか認められなかった。
実施例２
実施例１と同様の方法で制作した検出素子２を用い、通
電しないで、ボイラの各所に挿入し、抵抗値の変化を測
定した。火炉内では１，０Ω〜１．１Ω、過熱器入口で
は０．９５Ω、蒸発木管入口では０．７４Ωで、これを
演算部１０で処理し、火炉的温度１ 、２００〜１ 、
３５０℃、過熱器入口ガス温度１，１５０℃、蒸発木管
入口ガス温度８１２℃を求めた。
電しないで、ボイラの各所に挿入し、抵抗値の変化を測
定した。火炉内では１，０Ω〜１．１Ω、過熱器入口で
は０．９５Ω、蒸発木管入口では０．７４Ωで、これを
演算部１０で処理し、火炉的温度１ 、２００〜１ 、
３５０℃、過熱器入口ガス温度１，１５０℃、蒸発木管
入口ガス温度８１２℃を求めた。
実施例３
実施例１と同様の方法で製作した検出素子２にｉｌ Ｎ
Ｌ、抵抗値を１．１２５Ωに保持した。２０℃大気中
無風状態で検出素子２の検出部１５の温度を赤外線温度
計で測定した結果、１ 、４００℃であつた。この状態
になった検出素子２を１ 、０００℃のガス（流速Ｏｍ
／ｓ）中に挿入したところ消費電力は、大幅に低下した
。この状態でガス流速を変え、流速と消費電力の特性値
を調べ、記憶部７にインプットし基礎特性データとして
、９５０℃のガス流体の流速を測定し、温度差について
は熱伝達式により補正し流速とした。
Ｌ、抵抗値を１．１２５Ωに保持した。２０℃大気中
無風状態で検出素子２の検出部１５の温度を赤外線温度
計で測定した結果、１ 、４００℃であつた。この状態
になった検出素子２を１ 、０００℃のガス（流速Ｏｍ
／ｓ）中に挿入したところ消費電力は、大幅に低下した
。この状態でガス流速を変え、流速と消費電力の特性値
を調べ、記憶部７にインプットし基礎特性データとして
、９５０℃のガス流体の流速を測定し、温度差について
は熱伝達式により補正し流速とした。
実施例４
実施例１と同様の方法で製作した検出素子２を燃焼用空
気の測定′Ｊ置として用い、かつ点火源として応用した
点火バーナへの応用例について説明する。
気の測定′Ｊ置として用い、かつ点火源として応用した
点火バーナへの応用例について説明する。
まず点火バーナに取付けた検出素子２に通電し抵抗値を
０．９５Ωに保持した。この時の検出素子２の発熱温度
は１，１５０℃であった。燃焼用空気を通風すると消費
電力は２倍に増加した。この消費電力の変化を電気信号
に変えて燃料弁の０Ｎ−ＯＦＦ操作電源回路に信号を送
信し、燃料弁を開くと着火した。
０．９５Ωに保持した。この時の検出素子２の発熱温度
は１，１５０℃であった。燃焼用空気を通風すると消費
電力は２倍に増加した。この消費電力の変化を電気信号
に変えて燃料弁の０Ｎ−ＯＦＦ操作電源回路に信号を送
信し、燃料弁を開くと着火した。
この様に本実施例の検出素子２は流速の検出と高温発熱
体（点火）としても応用できた。
体（点火）としても応用できた。
以上述べた様に、導電性セラミックスは、金属に較べて
耐摩耗性に優れているが、高濃度ばいじん中では、やは
り多少摩耗する。摩耗すると検出素子２の通電抵抗値が
増加するから、摩耗の検出素子としても使用することが
可能である。
耐摩耗性に優れているが、高濃度ばいじん中では、やは
り多少摩耗する。摩耗すると検出素子２の通電抵抗値が
増加するから、摩耗の検出素子としても使用することが
可能である。
第８図は、ダクト内に挿入した検出素子２の経時抵抗値
増加を示したもので、８．０００時間から１４．０００
時間まで急激な抵抗値増加が認められた・この摩耗につ
いて調べたところ、この８，０００〜１４．０００時間
の間には炭種の変更があったことが分った。
増加を示したもので、８．０００時間から１４．０００
時間まで急激な抵抗値増加が認められた・この摩耗につ
いて調べたところ、この８，０００〜１４．０００時間
の間には炭種の変更があったことが分った。
検知部が導電性セラミックスで構成された検出素子と、
前記導電性セラミックスの特性値と被検出項目との特性
関係を予め記憶しておく記憶部と、前記検出素子からの
検出信号と記憶部からの特性信号とから被検出体の温度
と流速の少なくとも一方を演算する演算部によって構成
されているので、ばいじんなどの多いガス中であっても
温度、流速を測定することができ、最高使用温度が高く
ても測定することができる。
前記導電性セラミックスの特性値と被検出項目との特性
関係を予め記憶しておく記憶部と、前記検出素子からの
検出信号と記憶部からの特性信号とから被検出体の温度
と流速の少なくとも一方を演算する演算部によって構成
されているので、ばいじんなどの多いガス中であっても
温度、流速を測定することができ、最高使用温度が高く
ても測定することができる。
第１図は本発明の実施例に係る測定装置の概略構成図、
第２図（ａｌ、 （ｂｌ、 （ｃｌ、 （ｄｉは検出素
子の製造工程を示す説明図、第３図は第２図の製造工程
によって得られた検出素子の斜視図、第４図は検出素子
の抵抗値と被検出体の温度との関係を示す特性図、第５
図は検出素子の消費電力と被検出体の流速との関係を示
す特性図、第６図は検出素子の電流値と断面積の関係を
示す特性図、第７図は検出素子の電圧値と長さの関係を
示す特性図、第８図は検出素子の耐摩耗試験の実験デー
タを示す特性図である。 ２・・・・検出素子、７・・・・記憶部、８・・・・検
出信号、９・・・・特性信号、１０・・・・演算部、Ｇ
・・・・被検出体。 第１図 第２図 第３図 第４図 □４熱壜崖 ｔ″Ｃノ 第５図 第６図 第７図
第２図（ａｌ、 （ｂｌ、 （ｃｌ、 （ｄｉは検出素
子の製造工程を示す説明図、第３図は第２図の製造工程
によって得られた検出素子の斜視図、第４図は検出素子
の抵抗値と被検出体の温度との関係を示す特性図、第５
図は検出素子の消費電力と被検出体の流速との関係を示
す特性図、第６図は検出素子の電流値と断面積の関係を
示す特性図、第７図は検出素子の電圧値と長さの関係を
示す特性図、第８図は検出素子の耐摩耗試験の実験デー
タを示す特性図である。 ２・・・・検出素子、７・・・・記憶部、８・・・・検
出信号、９・・・・特性信号、１０・・・・演算部、Ｇ
・・・・被検出体。 第１図 第２図 第３図 第４図 □４熱壜崖 ｔ″Ｃノ 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- 検知部が導電性セラミックスで構成された検出素子と、
前記導電性セラミックスの特性値と被検出項目との特性
関係を予め記憶しておく記憶部と、前記検出素子からの
検出信号と記憶部からの特性信号とから被検出体の温度
と流速の少なくとも一方を演算する演算部とによつて構
成されていることを特徴とする測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15509785A JPS6217626A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15509785A JPS6217626A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217626A true JPS6217626A (ja) | 1987-01-26 |
Family
ID=15598558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15509785A Pending JPS6217626A (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6217626A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012513021A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ | “ｘ”ワイヤ風速計プローブ及びその製造方法 |
| US9069002B2 (en) | 2008-12-19 | 2015-06-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Device for regulating a wire anemometer |
| JP2020134379A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | アイシン精機株式会社 | 流体の加熱装置及び当該加熱装置を使用するコジェネレーションシステム |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP15509785A patent/JPS6217626A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012513021A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-06-07 | コミサリア ア レネルジィ アトミーク エ オ ゼネ ルジイ アルテアナティーフ | “ｘ”ワイヤ風速計プローブ及びその製造方法 |
| US8800379B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-08-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | “X” wired anemometric probe and its manufacturing method |
| US9069002B2 (en) | 2008-12-19 | 2015-06-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Device for regulating a wire anemometer |
| JP2020134379A (ja) * | 2019-02-22 | 2020-08-31 | アイシン精機株式会社 | 流体の加熱装置及び当該加熱装置を使用するコジェネレーションシステム |
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