JPS62177902A - 安定高抵抗透明被覆およびその形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は、高抵抗透明被覆、特にそのような被覆を形成
して、電気抵抗を増加４゛る方法、およびそのような抵
抗が増加した被覆を含む何州な物品に関４゛る。

［従来の技術］ 高抵抗透明被覆には、多くの用途がある。例えば、静電
画像を使用して画像を複写する場合、表面に誘電材料を
有４−るフィルムを電位にさらし、静電荷を付与し、次
いでフィルムの上にトナーを適用することにより現像す
るのが通常である。

フィルム自体は、ポリエステルのような基材の−ににあ
る高抵抗透明被覆の−１−で屓状にした誘電材料を有し
て成る。この場合、高抵抗透明被覆は、接地面として作
用し、従って、被覆が必要な機能を果た４−ような所定
の範囲の電気抵抗を有することが必要である。

特に、接地面被覆の電気抵抗が、低ずぎる、例えばＩ　
Ｏ（＋　、　０００Ω／スクエアの場合、接地面被覆は
、不当に導電性であり、その結果、電荷を誘電体にイ・
１着させるための電位を形成する他の電極に接近した電
極によりゴースト画像が形成されることになる。あるい
（」、接地面被覆が不当に大きい、典型的には２０ＭΩ
／スクエア以ｌ−である場合、フィルムへの電荷の付着
の時定数が長くなり過ぎて画像形成が非常に遅くなる。

更に、たとえ、静電画像法が作用するような接地面被覆
の電気抵抗の範囲が存在しても、静電画像を適当に形成
するのに望ましい最適抵抗値は、しばしば使用する静電
画像法の種類に存在する。

従来技術の欠点は、特に最適の電気抵抗を発生ずる材料
組成物が一般には不安定であるという点である。特に、
製造中の飼料組成の小さい変動が、電気抵抗を不当に変
化させる傾向がある。更に、使用に際して、例えば酸化
移行のような環境的影響により組成に生じる変動は、電
気抵抗を変化さ貝“る。

［発明の目的） 従って、本発明の目的は、−ト述のような欠点を除いて
、非常に安定であり、また所望の電気抵抗および良好な
光学的透明性、特に可視光波長域における透明性のいず
れをも有するように形成できる、静電画像法における接
地面被覆として適当である改善された被覆を提供するこ
とである。

［発明の構成］ 本発明の−１−述のおよび他の目的は、適当な材料によ
りドーピングして、酸化物の電気抵抗が未ドーピングの
同一酸化物が達成し得る電気抵抗より相当大きく変える
ようにしたワイドバンドギャッ゛ブ（ｗｉｄｅ　　ｂａ
ｎｄ　　ｇａＰ）半導体酸化物を含む部分的透明導電性
被覆を宵して成る被覆により達成される。特に、選択さ
れたドーパントは、金属酸化物と電気的に相互作用して
電気抵抗を増加させる。

これらおよび他の目的は、添付の図面を参照して更に詳
しく説明する。

第１図は、未ドーピングおよび最適にドーピングしたス
ズ酸化物フィルムの電気抵抗が、それらの酸素濃度に従
ってどのように変化するのかを一般的に示すグラフであ
る。

第２図は、適当にドーピングしたスズ酸化物フィルムの
電気抵抗および光透過率が、酸素濃度の関数としてどの
ように変化するのかを示す実際のグラフである。

第３図は、極小電気抵抗に対応する酸素濃度を有する第
２図に示した被覆の相対的安定性を示すグラフであり、
３種類の環境試験条件の場合を示ず。

第４図は、複合ターゲットの銅ドーパントの表面被覆率
を４．８．１４および１７％にして製造した最も安定な
被覆の電気抵抗および可視光透過率を示す。

第５図は、アルミニウム６０％−スズ４０％複合ターゲ
ットの電気抵抗および可視光透過率を、酸素濃度の関数
として示す。

第６図は、第５図に示した最も安定な被覆、例えば、極
小電気抵抗を有する被覆の環境的安定性を示す。

第７図は、）′ルミニウム被覆率が２３．３５．４２．
５０．６（）および７０％である複合アルミ、：”、　
ｒ’ｔ　ｌ、−スズターゲノ］・から形成した最も安定
な被覆の電気抵抗および可視光透過率を小セ、１第８図
は、本発明の態様を含む静電画像フィルノ・を示す。

本発明の１つの態様において、ワイドハンドギヤツブ半
導体被覆を含むフィルｌ、は、静電記録用の接地面とし
て形成される。好ましい態様は、スズ酸化物を使用する
。

第１図は、スズ酸化物の被覆について、電気抵抗がスズ
酸化物の酸素濃度の関数と（７てどの、Ｌうに変化４−
るのかを示４−グラフである。未ドーピングスズ酸化物
曲線を検討すると明白であるように、未ドーピングスズ
酸化物曲線の電気抵抗は、最初、酸素濃度と」（に増加
し、引用番号ｌで示すピークに達１２、その後、酸素濃
度が更に増加すると、未ドーピンク被覆の電気抵抗は減
少して引用番号２で示される極小値に達し、その後、酸
素濃度が更に増１１１１するにつイ１て、被覆の抵抗は
、再び増加する３、被覆１の酸素濃度付近より人Δい酸
素濃度の被覆／：ｉｌｔが、非常に透明である。。

第２図から明白な、Ｌうに、祠１１安定性のためには、
組成物の製造にお１する変動が点２において最小であり
、また被覆から外および中への酸素移行か被覆の電気抵
抗に与える影響が、この点において最小であるので、操
作点２に近い酸素濃度をｌｊ１゛る末ドーピンゲスズ酸
化物被覆を製造４゛ろのが好まし５い。従って、被覆は
、製造時および使用時に固自の安定性を示！。

しかしながら、操作点２は、厚さ約５００人の被覆では
、電気抵抗が約２にΩ／スクエアという結果どなり、こ
の電気抵抗は、被覆の望まｊ７い最終用途には最適では
ｔｆい。更に、引用番号３により示されるような操「１
点（ｆ、所定の電気抵抗４を達成することができるが、
この点にお（］る未ドーピングスズ酸化物被覆の電気抵
抗４は、非常に不安定である。特に、製造時に酸素濃度
が少１−２変動１刃こ場合、抵抗の変化か拡大して発生
１−る。更に、使用に際して、被覆内の酸素移行が、電
気抵抗を一１１＝ 追加的に変化さ且る。それ故、製品の信頼性は、相４ｊ
ｊ低いらのとなる。未ドーピングスズ酸化物祠＃１から
形成した被覆は、被覆をより傅ぐすることにより、より
高い抵抗を有するように製造できるか、この方法は、薄
い被覆の約１０００００倍以−１１抵抗を太きく４゛る
ことはできず、特に１００人以１；のより傅い被覆は、
機械的および環境的に不安定である３゜ 第１図の曲線７により示される本発明の好ましい態様に
よれば、スズ酸化物は、その形成時に金属、例えば銅ま
たはアルミニウムの特定量によりドーピングして、スズ
酸化物の電気抵抗を増加ざＵて、極小電気抵抗点６が所
望の電気抵抗４となる６Ｉ：、うにする。従って、被覆
は、最適電気抵抗を有するたけでなく、製造時にまたは
その後の被覆の化学的変質を引き起こす環境条件故、生
じる被覆の酸素の濃度変化か少しあっても、被覆の電気
抵抗の変化が最小であるので、最適安定性を有する。

好ましくは、安定性のために、選択する酸素濃１２一 度は、ドーピングしノこ被覆の電気抵抗が、ドーピング
した被覆の極小電気抵抗に相当するように最適化する。

実際に使用する酸素濃度は、最適濃度から」２％異なっ
てよく、更にト５％異なゲζもよいが、差が大きくなれ
ばなるほど、安定性は悪くなる。

銅およびアルミニウムは両者とし好ま（２いｌ”−パン
トであるが、スズより多いかまたは少ない奇数の電子を
有する限り、他の材料、例えば、インジウム、ガリウム
、ホウ素、タリウ１２、銀および金も同様に作用し、ま
た、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、カドミウム、
水銀およびパラジウムも所望であれば、使用できる。ド
ーパントの添加は、被覆の可視光透過率を減少させ、異
なる１、−バントは、可視光透過率に異なる影響を与え
る。

例えば、アルミニウムによりドーピングしたスズ酸化物
被覆は、操作点６において１ＭΩ／スクエアの抵抗率を
有するが、銅によりドーピング１７て操作点６において
１ＭΩ／スクエアの抵抗率を存するようにしたスズ酸化
物被覆より高い可視光透通事を何する。製造の容易性の
ような他の考えのために、低可視光透過率にするドーパ
ントを選択ケるようにすることも当然ながら考えられる
。例えば、スズ酸化物については、銅はドーピング被覆
の可視光透過率を僅かに減少させるが、スパッターリン
グの容易性のようなスズ酸化物をドーピングするための
アルミニウムをしのぐ他の利点を有する。

更に、本発明が適当である好ましい態様の１つと１．て
スズ酸化物を説明したが、他の酸化物、特にワイドバン
ドギャップ半導体酸化物を含んでなるいずれの酸化物も
本発明の範囲内において使用できる。そのような酸化物
を形成するだめの適当な金属には、例えば、インジウム
、亜鉛、カドミラｌえおよび鉛が包含される。ワイドバ
ンドギャップ半導体酸化物を製造するように選択される
いずれの金属についても、酸化物をドーピングして電気
抵抗を十分量増加させて、操作点６が最適に安定である
ようにするように選択される金属は、半導体酸化物を形
成する金属よりも多いかまたは少ない奇数の電子を有す
る金属のいずれでもよい。

異なる電子殻構造を有する他の元素を選択してもよい。

本発明を、いくつかの特定の実施例を参照して更に説明
する。

実施例Ｉ 種々の酸素気体分圧を含む雰囲気下で、複合スズ／銅タ
ーゲツトの反応スパッター付着により、ＰＥＴポリエス
テルフィルム上に被覆を形成した。

スズの銅に対する比は、反応スパッターリング放電内の
酸素分圧と同様に、系統的に変化させ、異なるスズ、銅
および酸素濃度の被覆を得た。次いで、これらの被覆の
特性を測定し、その後、被覆は環境安定性を評価するた
めに促進寿命試験に、付した。

直径４インチの平盤マグネトロンソース、および３イン
チ平方のＰ　Ｅ　Ｔポリエステルフィルムの基材を支持
するのに適当な基材ホルダーを直径１８インチのペルジ
ャーに入れ、標準的なオイル拡散ポンプ系により減圧に
した。移動可能シャッタ一をマグネトロンソースと基材
との間に配置した。

複合スズ／銅スパッターリングターゲットは、パイ形状
の銅セグメントを直径４インチのスズディスクに配置す
ることにより製造した。ターゲットは、銅による表面被
覆率が４．８．１４および１７％のものを製造した。各
組成について、被覆は、種々の酸素分圧下において形成
した。

被覆条件は、以下のようであった： ターゲットと基材の距離、３．２５インチスパッターリ
ングエネルギー、５１Ｗ 電圧、４０５Ｖ 電流、０．０８２Ａ アルゴン分圧；６．０ミリトール スパッターリング時間；　１２０秒 各ターゲット組成について酸素分圧を変化させ、例えば
１３〜１．８ミリトールの範囲を、１４％銅被覆率のス
ズのターゲットをスパッターするのに使用した。得られ
た被覆の厚さは、約４００人で比較的一定に保持された
。１４％銅被覆率の場合について、被覆の電気抵抗およ
び可視光透過率を酸素分圧の関数として第２図に示す。

酸素分圧１．５ミリトールで得られた被覆は、これらの
被覆の中で最も低い安定な電気抵抗を有することが見出
された。゛第３図は、この被覆が、空気中、１００℃乾
燥加熱、および６０℃相対湿度９５％において顕著な環
境安定性を有することを示す。

この手順を上述の他の組成のターゲットについても繰り
返し、一方、被覆の厚さは、比較的一定に保った。第４
図は、各複合ターゲットにより得られた最も安定な被覆
の電気抵抗および可視光透過率を示す。各場合において
、最も安定な被覆は、極小電気抵抗を有する場合、即ち
、第１図の操作点６またはその付近の酸素濃度である場
合のものであることが見出された。第４図の曲線から、
所望の電気抵抗を有する安定透明被覆を製造するのに必
要な表面ターゲット被覆率を予測することができる。

比較のために、ドーピング被覆とほぼ同じ厚さになるよ
うに未ドーピング酸化物を製造したところ、最も安定な
（即ち、操作点２にある）被覆は、約２にΩ／スクエア
の電気抵抗を有１．た、１従−・て、本発明は、同様に
形成された未ｌ・−ピンク被覆より次数の大島い極小最
安定電気抵抗を自４−る被覆の形成を可能にし、第２図
および第、１図は、次数が少なくとも１．２．３．４．
５．６、またはそれ以十大きくなることを示す。

害鵠鮒？− 銅でなく、アルミニウノ、のパイ形状セグメントをスズ
ターケソトに配置して複合スパッターリングターゲット
を製造１、た以外は、実施例１に使用（またものと同じ
装置および手順を使用して第２番［１の実験を行った。

ターゲットは、２３．３５．４２．５０．６（）お３１
、び７０％のアルミニウノ２、被覆率で製造した。被覆
条件は以ドのようであ一〕た。

ソース−基材距離；３．２５インチ スパッターリックエネルギー：　　１７５ｗ電圧；　　
２４４Ｖ 電流、０．６７Ａ アルゴン分圧１５．０ミリト一ル 被覆時間、４５秒 酸素分圧は、各ターゲット組成についで変化さ土主ノこ
。例えば、アルミニウム６０％のスズクーゲソトニ対し
、　ｒＣ１酸素分圧を０．７−１．２５ミリｌ−−ルで
変化さｌた。第５図は、６（）％゛ノ′ルミエウノータ
ーゲット被覆率の場合の電気抵抗およびｉ’ｉＪ視光透
過率の挙動を酸素分圧の関数と１５．て示４−ｏ酸素分
圧０．９５ミリトールにおいで、被覆は、最も安定であ
り、その環境安定性は、第６図に示１．−．．　？；ｘ
データにより例証される。この手順を、ｌ−述の各スズ
−アルミニウムターケラト被覆率条（４に−Ｈ）で繰り
返し、第７図に示し、たガータは、各ターゲットの被覆
率レベルにおいＣ得られた最も安定な被覆の電気抵抗お
よびｉｌ）視光透過率を示４゛。４゛べての場合（Ｊお
いて、最も安定な被覆は、極小電気抵抗の時に得られる
ことが見出された。この曲線から、所望の電気抵抗を有
４“る安定透明被覆を形成するターゲット被覆率レベル
を予測することができる。

実施例１および２ならびに第２〜７図で示されるように
、一度、ワイドバンドキャップ半導体酸化物の特定の電
気抵抗を選択すると、スズ酸化物に対１．て実施例はケ
へて行なわれているので、本発明の教示するところに、
Ｌす、操作点６および電気抵抗を正確に制御して、第１
図の操作点６における電気抵抗を、被覆が最も安定であ
る所望の電気抵抗に対応さｌるように、適当な金属ドー
パン］・を酸化物の形成の時に加えることかできる。

電気抵抗は、厚さにより変化１７、従−〕で、本発明は
、最適厚さを達成することができることに注■ず−・き
である。本発明の好ましい態様は、厚さが１００〜２０
００人、より好ましくは２００〜１０００人、最も好ま
しくは３００〜６００人である被覆を包含する。

本発明を、スズ酸化物に−）いて行った特定の実施例に
より説明したが、インジウ１１、亜鉛、カドミラ１３、
鉛などのような他の酸化物も、本発明で使用するのに適
当であるのは容易に理解されよう。

本発明の好ましい用途は、第８図に示すような静電画像
に使用するフィルムの製造用である。第８図において、
フィルム■０は、プラスチックの＝２０＝ ような基材１３の上に配置された本発明により製造した
部分的透明高抵抗被覆１２の１−に配置さイまた誘電層
１０を含む。ト述のＪ、うに、被覆１２は、誘電層１１
の表面に組曲１８を付Ｌｊ、ｌる人二めに電場を発生さ
ｌ゛るのに使用４−る電極１６から離イ］へ電極１５に
電流が流れるほど、矢印１・１のｂ向の導電率がそれほ
ど大きくないようにＪるために充分大溝い抵抗を有する
必要がある１、従−）で、被覆Ｉ２の電気抵抗は、相当
人恋い必要がある４、しかしながら、被覆１２の電気抵
抗が不ご眉こ大Ａい場合、電極１９と組み合わＵ゛て電
極１６により所望の大きさの電場を発生さｔする場合、
静電荷１８の誘電層ＩＩへのトｊ与の時定数は、非常に
長くなり、従って、画像の書）込みまたは形成か、実施
でΔないほど遅くなる。従って、この技術分！ｉ１ｆで
知られているように、被覆１２は、大き過ぎない、かつ
小さ過ぎない電気抵抗を有する必要がある。本発明によ
り、特定の電極装置および特定の静電画像法を使用して
、被覆１２の電気抵抗の最適値を決定でき、その後、被
覆１２を形成する時に、被覆をドーピングする本発明の
教示するところを使用して、使用する特定の酸化物の酸
素濃度の範囲内で極小電気抵抗に対応４−る所望の電気
抵抗および所望の厚さを有する被覆１２を製造すること
は簡単な手順である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、未ドーピングおよびドーピングしたスズ酸化
物フィルムの電気抵抗と酸素濃度との関係を一般的に示
すグラフ、第２図は、ドーピングしたスズ酸化物フィル
ムの電気抵抗および光透過率を酸素濃度の関数として示
した実際のグラフ、第３図は、第２図に示した被覆の相
対安定性を示すグラフ、第４図は、複合ターゲットの銅
ドーパントによる表面被覆率を変えて製造した最も安定
な被覆の電気抵抗および可視光透過率を示すグラフ、第
５図は、アルミニウム６０％−スズ４０％複合ターゲッ
トの電気抵抗および可視光透過率を示すグラフ、第６図
は、第５図に示した最も安定な被覆の環境安定性を示す
グラフ、第７図は、異なるアルミニウム被覆率の複合ア
ルミニウムースズターゲットから形成した最も安定な被
覆の電気抵抗および光透過率を示すグラフである。第８
図は、本発明の態様を含む静電画像フィルムを示す。 １０・フィルム、１１・誘電層、１２・被覆、１３・・
・基材、１５．１６・・・電極、１８・・・電荷、Ｉ９
　・電極。 特許出願人　アンダス・コーポレイション代　理　人　
弁理士　青白　葆　ほか２湯口／ｌｒ　　マド骨隆李 西麦　粂　分β　（ジノトール） ＦＩＧ　　２ ＦＩＧ　　４ ＦＩＧ　　６ ＦＩＧ　　？

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、未ドーピングワイドバンドギャップ半導体酸化物を
   選択する工程、および 未ドーピング酸化物を含んで成る要素およびドーパント
   からフィルムを形成して、未ドーピング酸化物より大き
   い電気抵抗を有するドーピングワイドバンドギャップ半
   導体酸化物を形成する工程を含んで成る部分的透明導電
   性被覆を形成する方法。 ２、フィルムが本質的に要素およびドーパントから成る
   特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、ドーピング酸化物が、未ドーピング酸化物の１０倍
   以上の電気抵抗を有する特許請求の範囲第１項記載の方
   法。 ４、ドーピング酸化物が、未ドーピング酸化物の１００
   倍以上の電気抵抗を有する特許請求の範囲第１項記載の
   方法。 ５、ドーピング酸化物が、未ドーピング酸化物の１００
   ０倍以上の電気抵抗を有する特許請求の範囲第１項記載
   の方法。 ６、ワイドバンドギャップ半導体酸化物が、第１金属を
   含み、ドーピングに使用するドーパントが第２金属を含
   んで成り、第２金属は、第１金属と異なる奇数の電子を
   有する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ７、ドーピング酸化物は、酸素濃度が増加するにつれて
   、電気抵抗が最初に極大値に達し、次いで極小値に達し
   、ドーピング酸化物の酸素濃度が、ドーピング酸化物の
   電気抵抗が極小になる酸素濃度の±２％以内にある特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ８、ドーピング酸化物の酸素濃度が、電気抵抗が極小に
   なる酸素濃度の±５％以内にある特許請求の範囲第７項
   記載の方法。 ９、ドーピング酸化物が、酸素分圧下、２つの金属の複
   合または合金ターゲットをスパッターリングすることに
   より製造される特許請求の範囲第８項記載の方法。 １０、第１金属が、スズ、インジウム、亜鉛、鉛および
   カドミウムから成る群から選択される特許請求の範囲第
   ６項記載の方法。 １１、第１金属が、スズである特許請求の範囲第１０項
   記載の方法。 １２、第２金属が、銅またはアルミニウムである特許請
   求の範囲第１０項記載の方法。 １３、第２金属が、銅またはアルミニウムである特許請
   求の範囲第１１項記載の方法。 １４、基材、 基材に配置された接地面、および 電極により形成された電場に付された場合、静電荷を担
   持するように接地面に配置された誘電材料、 を有して成る、静電荷を担持することにより情報を蓄積
   する装置であって、 接地面は、ワイドバンドギャップ半導体酸化物を含んで
   成り、酸化物は未ドーピングワイドバンドギャップ半導
   体酸化物を選択して、未ドーピング酸化物を構成する要
   素およびドーパントからフィルムを形成して未ドーピン
   グ酸化物より大きい電気抵抗を有するドーピング酸化物
   を形成することにより形成された装置。 １５、ドーピング酸化物は、酸素濃度が増加するにつれ
   て、電気抵抗が最初に極大値に達し、次いで極小値に達
   し、ドーピング酸化物の酸素濃度は、ドーピング酸化物
   の電気抵抗が極小になる酸素濃度の±２％以内にある特
   許請求の範囲第１４項記載の装置。 １６、ドーピング酸化物の酸素濃度が、電気抵抗が極小
   になる酸素濃度の±５％以内にある特許請求の範囲第１
   ５項記載の装置。 １７、ドーピング酸化物が、未ドーピング酸化物の１０
   ０倍以上の電気抵抗を有する特許請求の範囲第１６項記
   載の装置。 １８、ワイドバンドギャップ半導体酸化物が、第１金属
   を含み、酸化物のドーピングに使用するドーパントは第
   ２金属を含んで成り、第２金属は、第１金属と異なる奇
   数の電子を有する特許請求の範囲第１７項記載の装置。 １９、第１金属が、スズ、インジウム、亜鉛、鉛および
   カドミウムから成る群から選択される特許請求の範囲第
   １８項記載の装置。 ２０、第１金属が、スズである特許請求の範囲第１９項
   記載の装置。 ２１、第２金属が、銅またはアルミニウムである特許請
   求の範囲第１９項記載の装置。 ２２、第２金属が、銅またはアルミニウムである特許請
   求の範囲第２０項記載の装置。 ２３、ワイドバンドギャップ半導体酸化物、第１電気抵
   抗を有する未ドーピング組成物を有して成る高抵抗部分
   的透明導電性被覆であって、酸化物は、ドーピングされ
   て、電気抵抗が未ドーピング組成物の１０倍以上大きい
   ドーピングワイドバンドギャップ半導体酸化物を形成し
   、ドーピング酸化物は、酸素濃度が増加するにつれて、
   電気抵抗が、最初に極大値に達し、次いで極小値に達す
   るような種類であり、ドーピング酸化物の酸素濃度は、
   電気抵抗が極小になる酸素濃度の±５％以内にあるよう
   になっている被覆。 ２４、ドーピング酸化物が、可視光に対して少なくとも
   ７０％の透明性である特許請求の範囲第２３項記載の被
   覆。 ２５、接地面に配置された誘電層上で静電荷を担持する
   ことにより情報を蓄積するための装置の接地面の形成方
   法であって、 未ドーピングワイドバンドギャップ半導体酸化物を選択
   する工程、 未ドーピング酸化物を含んで成る要素およびドーパント
   からフィルムを形成して、ドーピングワイドバンドギャ
   ップ半導体酸化物を形成する工程を含んで成り、 ドーピング酸化物は、未ドーピング酸化物より大きい電
   気抵抗を有し、ドーピング酸化物は、可視光に対して少
   なくとも５０％の透明性であり、ドーピング酸化物は、
   酸素濃度が増加するにつれて、電気抵抗が、最初に極大
   値に達し、次いで極小値に達するような種類であり、ド
   ーピングワイドバンドギャップ半導体酸化物の酸素濃度
   は、電気抵抗が極小になる酸素濃度の±５％以内にある
   ようになっている方法。