JPS6217875Y2 - - Google Patents

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JPS6217875Y2
JPS6217875Y2 JP5348982U JP5348982U JPS6217875Y2 JP S6217875 Y2 JPS6217875 Y2 JP S6217875Y2 JP 5348982 U JP5348982 U JP 5348982U JP 5348982 U JP5348982 U JP 5348982U JP S6217875 Y2 JPS6217875 Y2 JP S6217875Y2
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relay
numerical data
state change
change detection
contact
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はデイジタル数値データ等を情報処理装
置に取込む際の状態変化検出装置に係り、特に入
力データ群の状態変化が激しい場合でも安定した
動作を行ない、しかも回路構成を極力簡素化した
状態変化検出装置を提供しようとするものであ
る。
[Detailed description of the invention] The present invention relates to a state change detection device used when inputting digital numerical data, etc. to an information processing device, and is capable of stable operation even when a group of input data undergoes rapid state changes, and has a circuit configuration. The present invention aims to provide a state change detection device that is as simple as possible.

デイジタル数値データ群の入力情報を情報処理
装置に取込む場合、入力データが変化中であるか
否かと云う状態を検出する検出装置なるものを情
報処理装置とは別個に設ける、入力データは変化
中ではなく安定していると云う状態を確認して、
始めて情報処理装置のメモリーにラツチする所定
の信号処理法はよく知られている所である。かか
る状態変化検出装置の代表的な回路例を第1図に
示す。同図は入力データがnビツトの数値データ
の例を示し、1〜nは入力データのビツト数に対
応して設けられた図示しない検出リレーのメーク
接点で、A1〜Aoはデイジタル数値データの検出
用補助リレー群で、これらリレー群は図示するよ
うに、リレー個々にメーク接点a10−a11−ブレー
ク接点a12及びメーク接点A10o−a11o−ブレーク
接点a12oの各補助接点を有する所謂MBB接点付
きのワイヤースプリングリレーと呼称されている
もので、B1〜Boはデイジタル数値データの検出
用主リレー群で、これら主リレー群は図示するよ
うにリレー個々に対応してメーク接点b1−b2,b
10o−b11oをそれぞれ有している。TA及びTB
状態変化検出リレーで、これらリレーは図示する
ようにメーク接点ta1−ta2,メーク接点tb1
b2−ブレーク接点tb3をリレー個々に対応して
有する所謂MBB接点付きのワイヤースプリング
リレーと呼称されている。C1−R1及びC2−R2
状態変化検出時間を適宜調整する為の時定数回路
で、D1−D2及びDo1−Do2はそれぞれダイオード
群で、(+)−(−)は制御電源の正極母線及び負
極母線を示す。
When input information of a group of digital numerical data is taken into an information processing device, a detection device is provided separately from the information processing device to detect whether the input data is changing or not. Check that the condition is stable rather than
The predetermined signal processing method for latching into the memory of an information processing device for the first time is well known. A typical circuit example of such a state change detection device is shown in FIG. The figure shows an example where the input data is n-bit numerical data, where 1 to n are make contacts of detection relays (not shown) provided corresponding to the number of bits of the input data, and A1 to Ao are digital numerical data. As shown in the figure, these relay groups have respective auxiliary contacts of make contacts a 10 - a 11 - break contacts a 12 and make contacts A 10o - a 11o - break contacts a 12o . These are so-called wire spring relays with MBB contacts, and B 1 to B o are main relay groups for detecting digital numerical data. Contact b 1 −b 2 ,b
10o - b 11o , respectively. T A and T B are state change detection relays, and these relays have make contacts t a1 - t a2 and make contacts t b1 - as shown in the figure.
It is called a wire spring relay with a so-called MBB contact, which has a t b2 -break contact t b3 corresponding to each relay. C 1 -R 1 and C 2 -R 2 are time constant circuits for appropriately adjusting the state change detection time, and D 1 -D 2 and D o1 -D o2 are diode groups, respectively, (+) - (- ) indicates the positive and negative bus lines of the control power supply.

以上のように構成される従来装置の動作を第2
図のタイムチヤート図を参照し乍ら詳述するに、
nビツトのデイジタル数値データが図示装置に入
力され1ビツト目であると仮定すれば、第2図イ
に示す1ビツト目の数値データを基に1のメーク
接点を通して検出リレーA1が第2図ロに示す如
く励磁され、そのメーク接点a10及びa11はそれぞ
れ閉路する。後者のメーク接点a11が閉路するこ
とにより、正極母線(+)→メーク接点a11→ブ
レーク接点a12→リレーTA→負極母線(−)の経
路を通して、リレーTAが第2図ニに示すように
励磁されそのメーク接点Ta2を通して図示しない
情報処理装置に、例えば“データ変化中”と云う
状態変化検出信号を出力する。この動作と並列し
て前者のメーク接点ta1が接点tb2側へ切換り、
対向する状態変化検出用リレーTBが既に図示回
路より明らかなようにON状態にあるので、その
メーク接点tb2を通して接点ta1→接点tb2→リ
レーTAの経路で電流が流れリレーTAが自己保持
される。リレーTAが励磁を継続している期間、
メーク接点ta1が切換つた事を条件に他方のリレ
ーTBの励磁が解かれるので、当該リレーの励磁
コイルに蓄積されるエネルギーがC2−R2の時定
数回路を通して放出され、リレーTBが第2図ホ
に示す如く復帰すると今まで閉路状態にある接点
b1が開路し、他方の接点tb3が閉路して正極母
線(+)→接点tb3→接点a10→ダイオードD1
リレーB1の経路を通してリレーB1が励磁され、
第2図ハに示すようにリレーB1の励磁を待つて
そのメーク接点b2の接点出力を以つて図示しない
情報処理装置にデイジタル数値データが出力され
る。この動作と並行してリレーTBのメーク接点
b2が開路したことを条件に今まで励磁状態にあ
るリレーTAの励磁が解かれ、当該リレーTAが復
帰して情報処理装置に出力されてる“データ変化
中”の信号が「0」となり、その後は接点b2を通
して入力される数値データが図示しない情報処理
装置のメモリーに、始めて1ビツト目を示すデー
タとしてラツチされることになる。かかる状態で
第2図イに示すように1ビツト目の数値データが
消滅して2ビツト目のデータが入力され始める
と、メーク接点1が離落したことを条件にリレー
A1が復帰し、記憶能力を有する当該リレーA1
接点a11→a12→リレーTAの経路を通して再びTA
が励磁され、接点ta1→リレーTBの経路で励磁
されているリレーTBの励磁が解かれて復帰し始
める。このようにリレーTBが復帰すると、接点
a1→接点tb2→リレーTAの経路で自己保持され
てるリレーTAが接点tb2の離落を条件に復帰
し、当該リレーTAの接点ta1が切換つたことを
条件に再びリレーTBが励磁され初期状態に戻
り、入力される2ビツト目の数値データの処理に
移行する。
The operation of the conventional device configured as described above is explained in the second section.
To explain in detail with reference to the time chart in Fig.
Assuming that n-bit digital numerical data is input to the diagramming device and the first bit is the first bit, detection relay A1 is activated as shown in Figure 2 through make contact 1 based on the 1st bit numerical data shown in Figure 2A. It is excited as shown in (b), and its make contacts a10 and a11 are respectively closed. When the latter make contact a 11 closes, the relay T A moves to the position D in Figure 2 through the path of positive electrode bus (+) → make contact a 11 → break contact a 12 → relay T A → negative electrode bus (-). It is energized as shown and outputs a state change detection signal indicating, for example, "data changing" to an information processing device (not shown) through its make contact T a2 . In parallel with this operation, the former make contact t a1 switches to the contact t b2 side,
Since the opposing state change detection relay T B is already in the ON state as is clear from the illustrated circuit, current flows through its make contact t b2 in the path of contact t a1 → contact t b2 → relay T A , and relay T A is self-maintained. The period during which relay T A continues to be energized,
Since the excitation of the other relay T B is released on the condition that the make contact t a1 is switched, the energy accumulated in the excitation coil of the relevant relay is released through the time constant circuit of C 2 −R 2 and the relay T B When returns as shown in Figure 2 E, the contact t b1 which has been closed until now opens, and the other contact t b3 closes, positive bus bar (+) → contact t b3 → contact a 10 → diode D 1
Relay B 1 is energized through the path of relay B 1 ,
As shown in FIG. 2C, after waiting for relay B1 to be energized, digital numerical data is outputted to an information processing device (not shown) using the contact output of make contact B2 . In parallel with this operation, on the condition that the make contact t b2 of relay T B is opened, the relay T A that has been in the energized state is de-energized, and the relay T A returns to output power to the information processing device. The "data changing" signal becomes "0", and after that, the numerical data input through the contact b2 is latched into the memory of the information processing device (not shown) as data indicating the first bit. In this state, when the first bit of numerical data disappears and the second bit of data begins to be input as shown in Figure 2A, the relay is activated on the condition that make contact 1 has fallen off.
A 1 returns and T A returns through the path of relay T A through contact a 11 → a 12 → relay T A of the relevant relay A 1 that has memory ability.
is energized, and relay TB , which is energized along the path from contact t a1 to relay TB , is deenergized and begins to return. When the relay T B returns in this way, the relay T A , which is self-held in the path of contact t a1 → contact t b2 → relay T A , returns under the condition that contact t b2 falls off, and the contact of the relay T A On the condition that t a1 has been switched, relay T B is energized again to return to the initial state, and processing of the input second bit numerical data is started.

以上のように第1図に示す従来装置にあつて
は、特殊接点MBB付きのワイヤースプリングリ
レーなるものを用いて所定の状態変化検出を行な
うものであるが、問題となるのは、先ず第1に状
態変化中の検出信号をC1−R1,C2−R2の各時定
数回路で設定し作成しているので、安定性のある
検出時間が得られないことである。第2に状態変
化中の時間設定を行なう時定数回路のコンデンサ
のチヤージをリレーの接点を通して行なうので、
数値データの状態変化の頻度が高ければ高いほど
接点の磨耗が激しくなつてリレーの寿命を短かく
し、保守面での煩雑さが増大することである。第
3にワイヤースプリングリレーなる特殊のリレー
を用いているので非常に高価であるばかりでな
く、上記第2項の欠点も併せて装置そのものが非
常に不経済なものとなる。
As mentioned above, in the conventional device shown in Fig. 1, a wire spring relay with a special contact MBB is used to detect a predetermined state change. Since the detection signal during the state change is set and created by each time constant circuit of C1 - R1 and C2 - R2 , a stable detection time cannot be obtained. Second, since the capacitor of the time constant circuit that sets the time during state change is charged through the relay contacts,
The higher the frequency of state changes in the numerical data, the more intense the wear of the contacts becomes, shortening the lifespan of the relay and increasing the complexity of maintenance. Thirdly, since a special relay called a wire spring relay is used, it is not only very expensive, but also the disadvantage mentioned in item 2 above makes the device itself very uneconomical.

本考案はこの点に鑑みて考案されたものであつ
て、特に本願は一般のリレーを適用したことを特
徴とし以下第3図に示す実施例に基づき詳述する
ものとする。
The present invention has been devised in view of this point, and in particular, the present invention is characterized in that a general relay is applied, and will be described in detail below based on the embodiment shown in FIG. 3.

第3図の実施例で第1図と同一のものは同一符
号を付しており、Eは一般のリレーを用いた状態
変化検出用リレーで、このリレーは図示するよう
にメーク接点E11−E13及びブレーク接点E12をそ
れぞれ有する。Fは一般のリレーを用いた数値デ
ータ出力用リレーで、このリレーは図示するよう
にメーク接点F11〜F14をそれぞれ有する。D11
D13はそれぞれダイオードで、R1は抵抗を示す。
なお以上の回路構成のものと全く同一のものが破
線で覆つた他のビツト検出にも適用され、さらに
2はメーク接点E13〜E13oで構成したデータ変化
中信号出力回路で、同様に3はメーク接点F14
14oで構成したデイジタル数値データ出力回路
を示す。
In the embodiment shown in FIG. 3, the same parts as in FIG . E 13 and break contact E 12 respectively. F is a numerical data output relay using a general relay, and this relay has make contacts F 11 to F 14 , respectively, as shown. D11〜
D 13 are each diodes and R 1 is a resistance.
The same circuit configuration as above is also applied to other bit detections covered by broken lines, and 2 is a data change signal output circuit composed of make contacts E 13 to E 13o , and 3 is make contact F 14 ~
This figure shows a digital numerical data output circuit composed of F14o .

以上のように構成される本実施例の動作を第4
図のタイムチヤート図を参照し乍ら詳述すると、
デイジタル数値データの1ビツト目が第4図イに
示す如く入力されると、図示しない検出リレーの
メーク接点1→ダイオードD12→リレーE→抵抗
R1→負極母線(−)の経路を通して電流が流
れ、状態変化検出用リレーEが第4図ロのt0点で
示すように励磁され始める。リレーEが第4図の
時刻t1点でONするとそのメーク接点E11−E13
閉路すると共にブレーク接点E12が開路し、メー
ク接点E11の閉路により正極母線(+)→メーク
接点1→メーク接点E11→リレーF→負極母線
(−)の経路を通して、データ出力用リレーFが
第4図ハのt1点で示す如く励磁され始める。この
ようにリレーFが励磁され第4図のt2点でONす
ると、その各メーク接点F11〜F13−F13oがそれ
ぞれ閉路して正極母線(+)→メーク接点1→ダ
イオードD13→メーク接点F13→リレーFの経路を
通してデータ出力用リレーFが自己保持すると同
時に、状態変化検出用リレーEの入力側には正極
母線(+)→メーク接点F12の経路を通して電源
電圧が印加され(ダイオードD12は逆バイアスさ
れOFFする)、又、状態変化検出用リレーEの出
力側には正極母線(+)→メーク接点1→ダイオ
ードD11→メーク接点F11の経路を通して電源電圧
が印加され、入力端と出力端との印加電圧の値は
略相等しいのでリレーEの端子間電圧は零とな
り、状態変化検出用リレーEは無励磁状態となつ
てOFFする。このOFF時点を示したのが第4図
ロのt3点で、リレーEがOFFするとそのメーク接
点E11−E13はそれぞれ離落して“データ変化中”
の信号が「0」となり、データ出力回路3のメー
ク接点F14を通して入力される1ビツト目の数値
データを図示しない情報処理装置のメモリーにラ
ツチすると共に、リレーEのブレーク接点E12
閉路によつて正極母線(+)→ブレーク接点E12
→メーク接点E13→リレーFの経路を通して、数
値データ出力用リレーFが自己保持状態を継続し
て出力回路3のメーク接点F14を通して1ビツト
目のデータの送出を継続する。以上の動作説明よ
り明らかなように状態変化検出用リレーEが励磁
を開始し復帰するまでの所要時間t0〜t3が、本願
ではデータ変化中の時間とし“データ変化中”の
信号を作成している訳であるが、実際のデータの
変化の期間は第4図のt1〜t2間を示す。さて第4
図のt3点以後に於けるデータ有効期間で第4図の
t4点に示す如く1ビツト目のデータ入力信号が消
滅すると、第3図のメーク接点1が離落するの
で、今まで閉路状態にあるメーク接点1→ダイオ
ードD11→メーク接点F11のループは開路され、こ
れによつて正極母線(+)→メーク接点F12→リ
レーE→抵抗R1→負極母線(−)の経路を通し
てリレーEが励磁され始め、第4図のt5点でリレ
ーEが完全にONすると、データ変化中信号出力
回路2のメーク接点E13を通して再び“データ変
化中”を意味する信号が図示しない情報処理装置
に出力され、メモリーにデータをラツチするのを
停止させる。この動作と並行してリレーEのブレ
ーク接点E12が開路するので、リレーFの自己保
持ループは開路しデータ出力用リレーFの励磁が
解かれる。第4図のt6点でリレーFがOFFすると
そのメーク接点F11〜F14はそれぞれ離落し、メー
ク接点F12の離落によつてリレーEの励磁が再び
解かれ第4図のt7点でリレーEがOFFして初期状
態に戻り、以上の動作と全く同一の動作が順次入
力される2ビツト目のデータ,3ビツト目のデー
タ……nビツト目のデータと云うように処理され
る。
The operation of this embodiment configured as described above is explained in the fourth section.
To explain in detail with reference to the time chart in the figure,
When the first bit of digital numerical data is input as shown in Fig. 4A, the make contact 1 of the detection relay (not shown) → diode D 12 → relay E → resistor
A current flows through the path from R 1 to the negative bus (-), and the state change detection relay E begins to be energized as shown at point t 0 in FIG. 4B. When relay E is turned ON at time t 1 point in Figure 4, its make contacts E 11 -E 13 are closed and break contact E 12 is opened, and as make contact E 11 is closed, the positive electrode bus (+) → make contact 1. -> Make contact E 11 -> Relay F -> Negative bus (-), data output relay F begins to be energized as shown at point t1 in Fig. 4C. When relay F is energized in this way and turns ON at point t2 in Figure 4, each of its make contacts F 11 to F 13 -F 13o is closed, and positive bus bar (+) → make contact 1 → diode D 13 → At the same time, the data output relay F is self-held through the path from make contact F 13 to relay F, and at the same time, power supply voltage is applied to the input side of state change detection relay E through the path from positive bus (+) to make contact F 12 . (Diode D 12 is reverse biased and turns OFF), and the power supply voltage is applied to the output side of state change detection relay E through the path of positive bus (+) → make contact 1 → diode D 11 → make contact F 11 . Since the values of the voltages applied to the input end and the output end are substantially equal in phase, the voltage between the terminals of the relay E becomes zero, and the state change detection relay E becomes non-energized and turns OFF. This OFF point is shown at point t3 in Figure 4 B. When relay E is OFF, its make contacts E 11 - E 13 are separated and "data is changing".
The signal becomes "0", and the first bit of numerical data input through the make contact F14 of the data output circuit 3 is latched in the memory of the information processing device (not shown), and the break contact E12 of the relay E is closed. Therefore, positive electrode bus bar (+) → break contact E 12
→ Make contact E 13 → Through the path of relay F, the numerical data output relay F continues to maintain its self-holding state and continues to send out the 1st bit data through the make contact F 14 of the output circuit 3. As is clear from the above operation explanation, the time t 0 to t 3 required for the state change detection relay E to start excitation and return is defined as the time during which data is changing in this application, and a "data changing" signal is created. However, the period of actual data change is shown between t 1 and t 2 in FIG. Now the fourth
Figure 4 shows the data validity period after point t3 in the figure.
When the 1st bit data input signal disappears as shown at point t 4 , make contact 1 in Figure 3 falls off, so the loop of make contact 1 → diode D 11 → make contact F 11 , which has been in a closed state, closes. is opened, and as a result, relay E begins to be energized through the path of positive bus (+) → make contact F 12 → relay E → resistor R 1 → negative bus (-), and the relay is activated at point t5 in Figure 4. When E is completely turned ON, a signal meaning "data changing" is outputted again to the information processing device (not shown) through the make contact E 13 of the data changing signal output circuit 2, and the latching of data in the memory is stopped. . In parallel with this operation, break contact E12 of relay E is opened, so that the self-holding loop of relay F is opened and data output relay F is deenergized. When relay F turns off at point t6 in Figure 4, its make contacts F11 to F14 separate, and as make contact F12 falls off, relay E is de-energized again and at point t7 in Figure 4. At this point, relay E turns OFF and returns to the initial state, and the same operation as above is input sequentially.The 2nd bit data, the 3rd bit data, and so on are processed as the nth bit data. Ru.

以上のように本考案に於ては、MBB接点付き
のワイヤースプリングリレーなるものを全く用い
ずに、単に一般構造の電磁リレーとダイオードと
抵抗のみで状態変化検出装置を構成するようにし
たので、以下に示すように種々の効果を奏すもの
である。
As described above, in the present invention, the state change detection device is configured simply with a general electromagnetic relay, a diode, and a resistor without using any wire spring relay with MBB contacts. It has various effects as shown below.

時定数回路で状態変化中信号を作成するので
はなく、状態変化検出用リレーの励磁より動作
復帰までの時間を信号作成時間としているの
で、非常に安定した動作を行なうことができ
る。
Rather than creating a state change signal using a time constant circuit, the signal creation time is the time from energizing the state change detection relay to returning to operation, so very stable operation can be achieved.

従来装置にみられるようなリレーの接点を通
してコンデンサのチヤージを行なうような方法
は何ら用いてないので、適用するリレーを長寿
命化でき保守面での煩雑性を解決できるばかり
でなく、状態変化が激しい多重化分野の場合で
も全く安定した動作を行なうことができる。
Since there is no method of charging the capacitor through the contacts of the relay, which is the case with conventional devices, it not only extends the lifespan of the relay and eliminates the complexity of maintenance, but also eliminates the possibility of changes in condition. Completely stable operation is possible even in the case of heavily multiplexed fields.

一般構造の電磁リレー及びダイオード,抵抗
の3つのパーツ品で装置を構成するものである
から、回路構成を一層簡素化でき非常に経済的
な装置を実現することができる。
Since the device is constituted by three parts: an electromagnetic relay with a general structure, a diode, and a resistor, the circuit configuration can be further simplified and a very economical device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の状態変化検出装置を示す具体的
な回路構成図、第2図はその動作を示すタイムチ
ヤート図、第3図は本考案による状態変化検出装
置を示す具体的な回路構成図、第4図はその動作
を示すタイムチヤート図。 E……状態変化検出用リレー、F……デイジタ
ル数値データ出力用リレー、E11−E13−E13o
びF11〜F14−F14o……メーク接点、E12……ブレ
ーク接点、D11〜D13……ダイオード、R1……抵
抗、2……データ変化中信号出力回路、3……デ
イジタル数値データ出力回路。
FIG. 1 is a specific circuit diagram showing a conventional state change detection device, FIG. 2 is a time chart showing its operation, and FIG. 3 is a specific circuit diagram showing a state change detection device according to the present invention. , FIG. 4 is a time chart showing the operation. E... Relay for detecting state change, F... Relay for outputting digital numerical data, E 11 -E 13 - E 13o and F 11 - F 14 - F 14o ... Make contact, E 12 ... Break contact, D 11 ~ D13 ...Diode, R1 ...Resistor, 2...Data changing signal output circuit, 3...Digital numerical data output circuit.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) 入力される複数ビツトのデイジタル数値デー
タの各ビツトを検出する第1のリレー群と、こ
のリレーの動作出力を以つて前記デイジタル数
値データの状態変化を検出し、且つ所定期間に
渡つて状態変化中信号を出力する状態変化検出
用リレーと、このリレーの動作出力を以つて励
磁され、且つON動作した旨を条件に前記状態
変化検出用リレーの励磁を解除すると共に、前
記デイジタル数値データを出力する数値データ
出力用リレーと、このリレーが動作した旨を条
件に前記状態変化検出用リレーの入力端子と出
力端子との電位を同電位とする、数値データ出
力用リレーのメーク接点ループと、数値データ
出力用リレーが動作した旨を条件に前記数値デ
ータ出力用リレーの励磁を解除する、数値デー
タ出力用リレーのブレーク接点と数値データ出
力用リレーのメーク接点よりなる自己保持回路
と、状態変化中信号とデイジタル数値データと
を入力し、状態変化中信号が消滅した旨を条件
にデイジタル数値データをメモリーにラツチす
る情報処理装置とで構成したことを特徴とする
デイジタル数値データの状態変化検出装置。 (2) 状態変化検出用リレーと数値データ出力用リ
レーとを一般構造の電磁リレーとした、実用新
案登録請求の範囲第1項記載のデイジタル数値
データの状態変化検出装置。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A first relay group for detecting each bit of input digital numerical data of multiple bits, and detecting a state change of the digital numerical data using the operational output of this relay. and a state change detection relay that outputs a state change signal over a predetermined period of time, and is energized by the operation output of this relay, and the state change detection relay is energized on the condition that it is turned on. Numerical data that, when released, makes the potentials of the numerical data output relay that outputs the digital numerical data and the input terminal and output terminal of the state change detection relay the same potential on the condition that this relay is activated. A make contact loop of the output relay, a break contact of the numerical data output relay, and a make contact of the numerical data output relay, which de-energizes the numerical data output relay on the condition that the numerical data output relay is activated. and an information processing device that inputs a state change signal and digital numerical data and latches the digital numerical data in a memory on the condition that the state change signal disappears. A state change detection device for digital numerical data. (2) The state change detection device for digital numerical data according to claim 1, wherein the state change detection relay and the numerical data output relay are electromagnetic relays having a general structure.
JP5348982U 1982-04-13 1982-04-13 Digital numerical data state change detection device Granted JPS58159044U (en)

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