JPS62182679A - トランジスタ増幅器の高周波電力利得の温度係数測定方法 - Google Patents
トランジスタ増幅器の高周波電力利得の温度係数測定方法Info
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- JPS62182679A JPS62182679A JP2510486A JP2510486A JPS62182679A JP S62182679 A JPS62182679 A JP S62182679A JP 2510486 A JP2510486 A JP 2510486A JP 2510486 A JP2510486 A JP 2510486A JP S62182679 A JPS62182679 A JP S62182679A
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トランジスタ高周波増幅器の電力利得の温度
係数の測定方法に関する。
係数の測定方法に関する。
従来、この種の測定方法としては、被測定物となる試料
を用い【高周波増幅器を構成し、当該増幅器全体をヒー
タ又は恒温槽を用いて加熱または冷却することによシ試
料の温度を変化させ、これと同時に高周波電力利得特性
を測定することによシ、試料の温度に対する高周波電力
利得の変化を求め温度係数の測定を行っていた。
を用い【高周波増幅器を構成し、当該増幅器全体をヒー
タ又は恒温槽を用いて加熱または冷却することによシ試
料の温度を変化させ、これと同時に高周波電力利得特性
を測定することによシ、試料の温度に対する高周波電力
利得の変化を求め温度係数の測定を行っていた。
従来の方法では熱容量の大きい増幅器の温度を変化させ
る為に1加熱または冷却に長時間を要し、また、測定設
備もヒータまたは恒温槽と温度コントローラーが必要で
あり、大がかりな設備となる。すなわち、測定作業能率
が悪く、また高価な設備を長時間稼動せざるを得ない欠
点があった。
る為に1加熱または冷却に長時間を要し、また、測定設
備もヒータまたは恒温槽と温度コントローラーが必要で
あり、大がかりな設備となる。すなわち、測定作業能率
が悪く、また高価な設備を長時間稼動せざるを得ない欠
点があった。
本発明の目的は、トランジスタ高周波増幅器の全体を加
熱することによυ高周波電力利得の温度係数を測定する
のでなく、実効的にトランジスタの接合温度(バイポー
ラトランジスタの場合)あるいはチャネル温度(電界効
果トランジスタの場合)を変化させることにより温度係
数を求める測定方法を提供することにある。
熱することによυ高周波電力利得の温度係数を測定する
のでなく、実効的にトランジスタの接合温度(バイポー
ラトランジスタの場合)あるいはチャネル温度(電界効
果トランジスタの場合)を変化させることにより温度係
数を求める測定方法を提供することにある。
本発明では、過渡熱抵抗が既知であるトランジスタを組
込んだ高周波増幅器のバイアス端子に一定幅の矩形パル
ス波を印加し、矩形波状の消費電力を与えるとともにパ
ルス動作時の高周波電力出力の時間変化量を測定する。
込んだ高周波増幅器のバイアス端子に一定幅の矩形パル
ス波を印加し、矩形波状の消費電力を与えるとともにパ
ルス動作時の高周波電力出力の時間変化量を測定する。
そして前記過渡熱抵抗と消費電力とよシ求まるトランジ
スタの接合温度またはチャネル温度の時間変化量に対す
る前記高周波電力出力の時間変化量の比から温度係数を
定めるようにしたものである。
スタの接合温度またはチャネル温度の時間変化量に対す
る前記高周波電力出力の時間変化量の比から温度係数を
定めるようにしたものである。
トランジスタにバイアスを印加すると、トランジスタの
接合温度あるいはチャネル温度が上昇するので、高周波
電力利得が減少して、定常値に漸近して行く。
接合温度あるいはチャネル温度が上昇するので、高周波
電力利得が減少して、定常値に漸近して行く。
トランジスタの接合温度あるいはチャネル温度を知るこ
とができれば、高周波電力利得の温度係数を上記過渡状
態における変化から求めることができる。上記温度はト
ランジスタの過渡熱抵抗が既知であnば、消費電力より
計算して求まる。
とができれば、高周波電力利得の温度係数を上記過渡状
態における変化から求めることができる。上記温度はト
ランジスタの過渡熱抵抗が既知であnば、消費電力より
計算して求まる。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例につき説明す
る。第1図は電界効果トランジスタを組込んだ高周波増
幅器3について本発明を適用した場合である。
る。第1図は電界効果トランジスタを組込んだ高周波増
幅器3について本発明を適用した場合である。
パルス発生器7の出力により、高周波信号源1の出力が
AM変調器2によって変調をうけて、高周波増幅器3に
入力し、増幅された出力は検波器4により検波され、オ
シロスコープ5に表示される。パルス発生器7の出力は
同時にバイアス電源6に制御信号として入力し、さらに
オシロスコープ5へのトリガパルスとなっている。
AM変調器2によって変調をうけて、高周波増幅器3に
入力し、増幅された出力は検波器4により検波され、オ
シロスコープ5に表示される。パルス発生器7の出力は
同時にバイアス電源6に制御信号として入力し、さらに
オシロスコープ5へのトリガパルスとなっている。
いt、t1=0からt2″1でかパルス発生器7のパル
ス幅とすると、高周波増幅器3の直流バイアス電力PD
Cは第3図(a)に示すようにこの間一定である。厳密
にいえばトランジスタの実際上の電力消費と直流バイア
ス電力PDCとは異なるが、高周波電力出力が大きい場
合をのぞき、同一とみなす。高周波増幅器3への入力電
力Pinも第3図(b)に示すように一定である。また
、このときの高周波電力出力は第3図(d)のようK。
ス幅とすると、高周波増幅器3の直流バイアス電力PD
Cは第3図(a)に示すようにこの間一定である。厳密
にいえばトランジスタの実際上の電力消費と直流バイア
ス電力PDCとは異なるが、高周波電力出力が大きい場
合をのぞき、同一とみなす。高周波増幅器3への入力電
力Pinも第3図(b)に示すように一定である。また
、このときの高周波電力出力は第3図(d)のようK。
t1=0でPout2であるがtzでP out 1に
低下することが観測さnる。
低下することが観測さnる。
次にチャネル温度は、この電界効果トランジスタにつき
、あらかじめ判っている第2図の過渡熱抵抗RtFtt
lの特性を利用して、消費電力PDCから求められ第3
図(elに示すように、TlからTatで変化する。
、あらかじめ判っている第2図の過渡熱抵抗RtFtt
lの特性を利用して、消費電力PDCから求められ第3
図(elに示すように、TlからTatで変化する。
単一パルスの場合について、温度上昇量、高周波電力利
得の低下量が以下のように求められる。
得の低下量が以下のように求められる。
Δ””T2−Tt=Ppcx(Rth(tzl−Rth
(tt)): PDcX Rth(tz)
(11こ〜で11=0のときRth(o)
=Oである。
(tt)): PDcX Rth(tz)
(11こ〜で11=0のときRth(o)
=Oである。
ΔG = (pout(tz) −Pout(tt)1
= Pout2− Poutl (
21これよシ温度係数Kか に=ΔG/ΔT= (Pout2−Poutl)/(P
DCX Rth (tz) ) (3)として求められ
る。
= Pout2− Poutl (
21これよシ温度係数Kか に=ΔG/ΔT= (Pout2−Poutl)/(P
DCX Rth (tz) ) (3)として求められ
る。
過渡熱抵抗Rtft) f:あらかじめ知っておく必要
があるが、Rth(h)はtzが100m5以下であれ
ば、試料構造で決定される。したがって同種のトランジ
スタであnば、試料の電力利得の温度係数の大小を判別
するKは、出力検波波形よりpout2とpoutl
との差の大小を観測するだけでよい。
があるが、Rth(h)はtzが100m5以下であれ
ば、試料構造で決定される。したがって同種のトランジ
スタであnば、試料の電力利得の温度係数の大小を判別
するKは、出力検波波形よりpout2とpoutl
との差の大小を観測するだけでよい。
ナオ、上記の計算式(3)の誘導は単一パルスの場合で
あるが、測定にあたシパルスの間隔を充分広くとったパ
ルス列をパルス発生器7より出力し、′オシロスコープ
5上に静止画像を得て測定する。また、直流バイアス電
力PDCを消費電力と同一にとって計算したが、必要な
場合にはトランジスタの実際上の消費電力はPDc−P
out+ Pinとして補正する。
あるが、測定にあたシパルスの間隔を充分広くとったパ
ルス列をパルス発生器7より出力し、′オシロスコープ
5上に静止画像を得て測定する。また、直流バイアス電
力PDCを消費電力と同一にとって計算したが、必要な
場合にはトランジスタの実際上の消費電力はPDc−P
out+ Pinとして補正する。
以上、詳しく説明したように、本発明は従来の恒温槽を
用いて熱容量の大きい増幅器の温度を変化させて高周波
電力利得の温度係数を測定する方法に代り、試料に規定
のパルスバイアスと高周波信号を入力し、素子の温度上
昇を起すことにより上記温度係数を求めるものであるか
ら、測定時間は大幅に短縮できる。これによって作業能
率が格段と、改善されるほか、必要設備として恒温槽・
温度コントローラなど高価な設備を常時必要としない利
点が大きい。
用いて熱容量の大きい増幅器の温度を変化させて高周波
電力利得の温度係数を測定する方法に代り、試料に規定
のパルスバイアスと高周波信号を入力し、素子の温度上
昇を起すことにより上記温度係数を求めるものであるか
ら、測定時間は大幅に短縮できる。これによって作業能
率が格段と、改善されるほか、必要設備として恒温槽・
温度コントローラなど高価な設備を常時必要としない利
点が大きい。
図面は、本発明の実施例に係シ、第1図は測定回路ブロ
ック図、第2図は、トランジスタの過渡熱抵抗の一例を
示す図、第3図はトランジスタの各部の電力および素子
チャネル温度の波形図である。 l・・・高周波信号源、 2・・・AM変調器、3・
・・高周波増幅器、 4・・・検波器、5・・・オシ
ロスコープ、6・・・バイアス電源、7・・・パルス発
生器。 牙2図 を1藺(m sec)
ック図、第2図は、トランジスタの過渡熱抵抗の一例を
示す図、第3図はトランジスタの各部の電力および素子
チャネル温度の波形図である。 l・・・高周波信号源、 2・・・AM変調器、3・
・・高周波増幅器、 4・・・検波器、5・・・オシ
ロスコープ、6・・・バイアス電源、7・・・パルス発
生器。 牙2図 を1藺(m sec)
Claims (1)
- 過渡熱抵抗が既知であるトランジスタを組込んだ高周波
増幅器において、該高周波増幅器のバイアス端子に一定
幅の矩形パルス波を印加し、矩形波状の消費電力を与え
るとともに、パルス動作時の高周波電力出力の時間変化
量を測定し、前記過渡熱抵抗と消費電力とより求まるト
ランジスタの接合温度またはチャネル温度の時間変化量
に対する前記高周波電力出力の時間変化量の比から温度
係数を定めることを特徴とする高周波電力利得の温度係
数測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2510486A JPS62182679A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | トランジスタ増幅器の高周波電力利得の温度係数測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2510486A JPS62182679A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | トランジスタ増幅器の高周波電力利得の温度係数測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182679A true JPS62182679A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12156614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2510486A Pending JPS62182679A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | トランジスタ増幅器の高周波電力利得の温度係数測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62182679A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01301189A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の電気的特性測定方法 |
| CN104459509A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-25 | 中国科学院微电子研究所 | 测量待测器件的热阻的方法 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2510486A patent/JPS62182679A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01301189A (ja) * | 1988-05-30 | 1989-12-05 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の電気的特性測定方法 |
| CN104459509A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-25 | 中国科学院微电子研究所 | 测量待测器件的热阻的方法 |
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