JPS62186576A - 砒化ガリウム赤外発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
砒化ガリウム赤外発光ダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS62186576A JPS62186576A JP61029359A JP2935986A JPS62186576A JP S62186576 A JPS62186576 A JP S62186576A JP 61029359 A JP61029359 A JP 61029359A JP 2935986 A JP2935986 A JP 2935986A JP S62186576 A JPS62186576 A JP S62186576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaas
- gallium arsenide
- epitaxial layer
- emitting diode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は砒化ガリウム赤外発光ダイオードの製造方法に
関し、特に硅素（以下８ｉ）を不純物として添加する砒
化ガリウム（ＧａＡｓ ）赤外発光ダイオードの製造方
法に関する。
関し、特に硅素（以下８ｉ）を不純物として添加する砒
化ガリウム（ＧａＡｓ ）赤外発光ダイオードの製造方
法に関する。
発光ダイオード線長寿命、低消費電力、高速郷の長所を
有するため、近年各方面において使用されるようになシ
各種ディスプレイ、及び家庭電化製品等のリモートコン
トロール装置の発光源、及び光結合素子等に幅広く用い
られている。
有するため、近年各方面において使用されるようになシ
各種ディスプレイ、及び家庭電化製品等のリモートコン
トロール装置の発光源、及び光結合素子等に幅広く用い
られている。
特に、ＳｉドープＧａＡｓ赤外発光ダイオードは、Ｎ
Ｗ ＧａＡｓ基板１上に、 ＧａＡｇ多結晶、不純物と
しての８ｉを含むＧａ溶融液を接触させ、ＳｉがＣｈＡ
ｓ中において両性不純物であるという性質を利用して徐
冷法によル、高温側よＪＮ型エピタキシャル層１．Ｐｆ
ｆｉエピタキシャル層３と順次連続的に容易に形成する
ことが可能であ〕、さらに５ｉＯＧａＡｓ中の発光に寄
与する不純物レベルがかな如深く（アクセプターレベル
〜Ｑ、１ｅＶ）、結晶中での再吸収が比較的少なく、高
効率であることＫよシ最も大量に製造されている。
Ｗ ＧａＡｓ基板１上に、 ＧａＡｇ多結晶、不純物と
しての８ｉを含むＧａ溶融液を接触させ、ＳｉがＣｈＡ
ｓ中において両性不純物であるという性質を利用して徐
冷法によル、高温側よＪＮ型エピタキシャル層１．Ｐｆ
ｆｉエピタキシャル層３と順次連続的に容易に形成する
ことが可能であ〕、さらに５ｉＯＧａＡｓ中の発光に寄
与する不純物レベルがかな如深く（アクセプターレベル
〜Ｑ、１ｅＶ）、結晶中での再吸収が比較的少なく、高
効率であることＫよシ最も大量に製造されている。
上述した従来の８ｉド一プＧａＡａ赤外発光ダイオード
は、ＧａＡｓ中の８１がエピタキシャル成長において偏
析係数が０．１４と小さい性質により成長方向に対して
濃度が上昇する傾向があシ以下に図を使用して説明する
ようにペレット上面での吸収によシ光の取シ出し効率を
低下させる構造となっていた。
は、ＧａＡｓ中の８１がエピタキシャル成長において偏
析係数が０．１４と小さい性質により成長方向に対して
濃度が上昇する傾向があシ以下に図を使用して説明する
ようにペレット上面での吸収によシ光の取シ出し効率を
低下させる構造となっていた。
第３図（ａ）、 （ｂ）に従来のＳｉドーグＧａＡｓ赤
外発光ダイオードの構造及び正味の不純物濃度プロファ
イルを示す。また第２図にはカセイ等（Ｈ、Ｃ、Ｃａ５
ｅｙｅｔ ａｌ）によシジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス（Ｊｏｕｒｎ、ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈ）ｒｓｉｃ３）の１９７６年の４６巻、１号
、２５０頁に記載されたＰ型ＧａＡｓにおける吸収係数
の不純物濃度及び波長（光子エネルギー）依存性を示し
た。また、ＳｉドープＧａＡｓ赤外発光ダイオードの発
光領域はＰ−Ｎ接合近傍からＰ型エピタキシャル層領域
側へ約５０ｐｍ程度であることがアプライド・フィジッ
クス−ｖターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒ３）の１９６６年の９巻６号に工フイシェン
ト・エレクトロルミネセンス・フロムＧａＡｓダイオー
ド・アット・３００°にという題名で記載されている。
外発光ダイオードの構造及び正味の不純物濃度プロファ
イルを示す。また第２図にはカセイ等（Ｈ、Ｃ、Ｃａ５
ｅｙｅｔ ａｌ）によシジャーナル・オブ・アプライド
・フィジックス（Ｊｏｕｒｎ、ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｐｈ）ｒｓｉｃ３）の１９７６年の４６巻、１号
、２５０頁に記載されたＰ型ＧａＡｓにおける吸収係数
の不純物濃度及び波長（光子エネルギー）依存性を示し
た。また、ＳｉドープＧａＡｓ赤外発光ダイオードの発
光領域はＰ−Ｎ接合近傍からＰ型エピタキシャル層領域
側へ約５０ｐｍ程度であることがアプライド・フィジッ
クス−ｖターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒ３）の１９６６年の９巻６号に工フイシェン
ト・エレクトロルミネセンス・フロムＧａＡｓダイオー
ド・アット・３００°にという題名で記載されている。
以上より発光領域であるＰ型エピタキシャル層は成長方
向（上面方向）に対して不純物濃度が上昇し、それに伴
い吸収係数も増大する為、現状の不純物濃度プロファイ
ルにおいては、発光した光を外部特に上面から効率よく
取り出しているとは言えず、いまだ改善すべき点として
残されていた。
向（上面方向）に対して不純物濃度が上昇し、それに伴
い吸収係数も増大する為、現状の不純物濃度プロファイ
ルにおいては、発光した光を外部特に上面から効率よく
取り出しているとは言えず、いまだ改善すべき点として
残されていた。
そこで従来は、発光領域としてのＰｆｉエビタΦシャル
層（５０μｍ）の上に、 ＧａＡｓよ）禁制帯幅の広い
（１，６〜１．７ ｅＶ）８ｉドープＧａ １−ｘ Ａ
ｆｉｘＡａ層（０，１≦Ｘ≦０．３ ）ｆ：設け、Ｇａ
Ａｓ層内での発光外を効率よく取り出す構造が考案され
実用化され始めている。しかし、この構造の場合、光取
り出し効率は向上する反面、 Ｏａ＋−エＡｆｌＸＡｔ
Ａ層内でのキャリア移動度の低下及びＧａ Ｉ−ｘ Ｉ
Ｊ、ｘＡｓ層は混晶比Ｘが高くなるに従い金属電極との
オーミック性が低下することによシ赤外発光ダイオード
としての重要な特性のひとつである順方向電圧の増大と
いう副作用を伴ない、特に大電流領域（ｌｒ＝１００ｍ
Ａ以上）で使用される定電圧駆動リモートコントロール
装置の発光源としては取シ出し効率向上の効果を出しき
れていないことが大きな欠点となっている。
層（５０μｍ）の上に、 ＧａＡｓよ）禁制帯幅の広い
（１，６〜１．７ ｅＶ）８ｉドープＧａ １−ｘ Ａ
ｆｉｘＡａ層（０，１≦Ｘ≦０．３ ）ｆ：設け、Ｇａ
Ａｓ層内での発光外を効率よく取り出す構造が考案され
実用化され始めている。しかし、この構造の場合、光取
り出し効率は向上する反面、 Ｏａ＋−エＡｆｌＸＡｔ
Ａ層内でのキャリア移動度の低下及びＧａ Ｉ−ｘ Ｉ
Ｊ、ｘＡｓ層は混晶比Ｘが高くなるに従い金属電極との
オーミック性が低下することによシ赤外発光ダイオード
としての重要な特性のひとつである順方向電圧の増大と
いう副作用を伴ない、特に大電流領域（ｌｒ＝１００ｍ
Ａ以上）で使用される定電圧駆動リモートコントロール
装置の発光源としては取シ出し効率向上の効果を出しき
れていないことが大きな欠点となっている。
本発明の目的は、ＳｉドーグＧａ Ａｓエピタキシャル
層の性質である成長方向に対して不純物濃度が上昇し表
面に近づくにしたがって、吸収係数αが大きくなシ上面
からの光取シ出し効率が低下することを避けることが可
能で、高効率のＳｉドープＧａＡｓ赤外発光ダイオード
を実現し、またコスト面においても資材面、能率面で従
来法よシ優位性を有する砒化ガリウム赤外発光ダイオー
ドの製造方法を提供することにある。
層の性質である成長方向に対して不純物濃度が上昇し表
面に近づくにしたがって、吸収係数αが大きくなシ上面
からの光取シ出し効率が低下することを避けることが可
能で、高効率のＳｉドープＧａＡｓ赤外発光ダイオード
を実現し、またコスト面においても資材面、能率面で従
来法よシ優位性を有する砒化ガリウム赤外発光ダイオー
ドの製造方法を提供することにある。
本発明は、ＳｉドープＧａＡｓ赤外発光ダイオードの製
法において、ＳｉがＧａ Ａｓ中において両性不純物で
あるという性質を利用し、徐冷法によ、ＱＮ型ＧａＡ
ｓ基板上へＮ型エピタキシャル層、Ｐ型エピタキシャル
層を連続して形成するプロセスにおいて、Ｐ型エピタキ
シャル層成長中にアンモニアガス（ＮＨｌ） を雰囲
気ガスとして用いることにより、Ｐ型エピタキシャル層
の上に前記Ｐ層より低不純物濃度のＰ型エピタキシャル
層を連続して形成することを特徴とする。
法において、ＳｉがＧａ Ａｓ中において両性不純物で
あるという性質を利用し、徐冷法によ、ＱＮ型ＧａＡ
ｓ基板上へＮ型エピタキシャル層、Ｐ型エピタキシャル
層を連続して形成するプロセスにおいて、Ｐ型エピタキ
シャル層成長中にアンモニアガス（ＮＨｌ） を雰囲
気ガスとして用いることにより、Ｐ型エピタキシャル層
の上に前記Ｐ層より低不純物濃度のＰ型エピタキシャル
層を連続して形成することを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例によシ形成されたＳｉドープ
ＧａＡｓ赤外発光ダイオードの不純物濃度分布プロファ
イルを示す図である。
ＧａＡｓ赤外発光ダイオードの不純物濃度分布プロファ
イルを示す図である。
まず不純物濃度５ Ｘ １０’丁Ｃｍ−”、厚さ３５０
／１ｍ０８ｉドープＧａＡｓ単結晶基板を用いて、Ｇａ
１０ｇ当Ｆ） ＧａＡｓ多結晶１．５ ｇ、 ８ｉ２５
ｍｇを添加した融液を用いて、成長開始温度９２０℃降
温レートし５℃／分、雰囲気ガスＬ＋流量Ｚ５ ｆｉ／
分でＮ型エピタキシャル層１２５０μｍ、Ｐ型エピタキ
シャル層１３ａを５０μｍ成長させたところで（約ｓ
２０℃）、雰囲気ガスをアルゴン（Ａｒ ’） トＮＨ
，ガスに切シ換える。この時の流量はＡｒガス２１／分
、 ＮＨ，ガス０．５１フ分でｉｂ、８２０Ｃの状態ｍ
Ｍ保持した後再び降温レート１．５℃／分で成長開始さ
せた。この、静雰囲気中で８ｉはＮＨ。
／１ｍ０８ｉドープＧａＡｓ単結晶基板を用いて、Ｇａ
１０ｇ当Ｆ） ＧａＡｓ多結晶１．５ ｇ、 ８ｉ２５
ｍｇを添加した融液を用いて、成長開始温度９２０℃降
温レートし５℃／分、雰囲気ガスＬ＋流量Ｚ５ ｆｉ／
分でＮ型エピタキシャル層１２５０μｍ、Ｐ型エピタキ
シャル層１３ａを５０μｍ成長させたところで（約ｓ
２０℃）、雰囲気ガスをアルゴン（Ａｒ ’） トＮＨ
，ガスに切シ換える。この時の流量はＡｒガス２１／分
、 ＮＨ，ガス０．５１フ分でｉｂ、８２０Ｃの状態ｍ
Ｍ保持した後再び降温レート１．５℃／分で成長開始さ
せた。この、静雰囲気中で８ｉはＮＨ。
〜６−
の一部と反応して窒化物（ＳｉｓＮａ）となる為、団。
導入によシＳｉ濃度が低下し、低不純物濃度のＰ型エピ
タキシャル層１３ｂが形成される。なお、窒素（Ｎ）は
ＧａＡ ｓ中へも導入されるが、不純物の極性としては
Ｎ型を示し、不純物レベルもひじょうに浅い為、特に発
光ダイオードに対しての悪影響はない。これらに関して
はワイセンベルグ等（Ｌ、Ｒ，Ｗｅｉｓｅｎｂｅｒｇ
ｅｔ ａｌ ）の著書マチ−リア／ｌ／−リサーチ・オ
ン令ＧａＡｓ−アンド−ＩｎＰ（ＭａｔｅｒｉａｌＲｅ
ｓｅａｒｃｈ ｏｎ ＧａＡｓ ａｎｄ Ｉｎｋ）の２
５頁のプロバチ４”オフ゛・ニレメンタル・アンド・コ
ンパウンド・セミコンダクターズ（Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ ｏｆ Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ ａｎｄＣｏｍｐｏｕｎ
ｄ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）のところに記載さ
れている。以上の手法で３０μｍの低濃度Ｐ型エピタキ
シャル層を成長した。その時の不純物濃度プロファイル
は第１図に示す通シであった。
タキシャル層１３ｂが形成される。なお、窒素（Ｎ）は
ＧａＡ ｓ中へも導入されるが、不純物の極性としては
Ｎ型を示し、不純物レベルもひじょうに浅い為、特に発
光ダイオードに対しての悪影響はない。これらに関して
はワイセンベルグ等（Ｌ、Ｒ，Ｗｅｉｓｅｎｂｅｒｇ
ｅｔ ａｌ ）の著書マチ−リア／ｌ／−リサーチ・オ
ン令ＧａＡｓ−アンド−ＩｎＰ（ＭａｔｅｒｉａｌＲｅ
ｓｅａｒｃｈ ｏｎ ＧａＡｓ ａｎｄ Ｉｎｋ）の２
５頁のプロバチ４”オフ゛・ニレメンタル・アンド・コ
ンパウンド・セミコンダクターズ（Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅ
ｓ ｏｆ Ｅｌｅｍｅｎｔａｌ ａｎｄＣｏｍｐｏｕｎ
ｄ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）のところに記載さ
れている。以上の手法で３０μｍの低濃度Ｐ型エピタキ
シャル層を成長した。その時の不純物濃度プロファイル
は第１図に示す通シであった。
次に上記のようにして製造したエピタキシャルウェーハ
に対しＰ側電極形成用補償拡散を亜鉛（Ｚｎ ）で行な
い表面不純物濃度？］： Ｉ Ｘ １０２６ｃ ｍ’。
に対しＰ側電極形成用補償拡散を亜鉛（Ｚｎ ）で行な
い表面不純物濃度？］： Ｉ Ｘ １０２６ｃ ｍ’。
深さ１μｍのＰ＋層を形成し、その後所定のプロセスに
よりＡＪＩ表面（Ｐ層側）電極、基板側研磨、基板側電
極として人ｕＧｅ／ＡｕＮ ｉ／Ａｕの順の蒸着を行人
い、総厚２００／１ｍ、４００ｐｍ×４００ｐｍの細切
）のベレットにして所定のエツチングを施した後諸特性
を測定した。その結果、発光出力はペレットにエポキシ
樹脂をコーティングした状態で従来品に比較して２０％
向上し、ｖ慰従来品と同等である好結果を得た。ただし
出力測定は積分球を使用し、全光束を測定している。
よりＡＪＩ表面（Ｐ層側）電極、基板側研磨、基板側電
極として人ｕＧｅ／ＡｕＮ ｉ／Ａｕの順の蒸着を行人
い、総厚２００／１ｍ、４００ｐｍ×４００ｐｍの細切
）のベレットにして所定のエツチングを施した後諸特性
を測定した。その結果、発光出力はペレットにエポキシ
樹脂をコーティングした状態で従来品に比較して２０％
向上し、ｖ慰従来品と同等である好結果を得た。ただし
出力測定は積分球を使用し、全光束を測定している。
以上説明したように本発明によれば８ｉドープＧａＡ
ｓ基板上へＮ 型ＧａＡｓエピタキシャル層、Ｐ型Ｇａ
Ａｓエピタキシャル層を連続成長させた後、成長系の雰
囲気ガスとしてＮＨ，ガスを導入することによシ、前記
Ｐｆｉエピタキシャル層表面の不純物濃度に比較して低
い不純物濃度のＰ型エピタキシャル層を追加成長するこ
とによｊｔ、ＳｉドープＧａＡｓエピタキシャル層の性
質である成長方向に対して不純物濃度が上昇し表面に近
づくにしたがって吸収係数ａが大きくなシ上面からの光
取シ出し効率が低下することを避けることが可能で、高
効率の８ｉドープＧ ａＡｓ赤外発光ダイオードを実現
することが可能である。またコスト面においても従来と
同等であＪ） Ｇａ Ｉ−ｘ Ａｌａｓ層を上積み成長
する場合と比較すれば資材面、能率面で大きく優位性を
示す。
ｓ基板上へＮ 型ＧａＡｓエピタキシャル層、Ｐ型Ｇａ
Ａｓエピタキシャル層を連続成長させた後、成長系の雰
囲気ガスとしてＮＨ，ガスを導入することによシ、前記
Ｐｆｉエピタキシャル層表面の不純物濃度に比較して低
い不純物濃度のＰ型エピタキシャル層を追加成長するこ
とによｊｔ、ＳｉドープＧａＡｓエピタキシャル層の性
質である成長方向に対して不純物濃度が上昇し表面に近
づくにしたがって吸収係数ａが大きくなシ上面からの光
取シ出し効率が低下することを避けることが可能で、高
効率の８ｉドープＧ ａＡｓ赤外発光ダイオードを実現
することが可能である。またコスト面においても従来と
同等であＪ） Ｇａ Ｉ−ｘ Ａｌａｓ層を上積み成長
する場合と比較すれば資材面、能率面で大きく優位性を
示す。
第１図は本発明による８ｉド一プＧａＡｓ赤外発光ダイ
オードの不純物濃度分布図、第２図はＰｇよる赤外発光
ダイオードで（ａ）は断面図、Φ）は不純物濃度分布図
である。 １・・・−・・Ｎ型ＧａＡｓ基板、２．１２・・・・・
・Ｎ型エピタキシャル層、３．１３１・・・・・・Ｐ型
エピタキシャル層、１３ｂ・−・・・・低不純物濃度Ｐ
型エピタキシャル層。 基ネ受７５’ Ｓ の ２巨離 （）とｍ）第１図 幀 口 第２図
オードの不純物濃度分布図、第２図はＰｇよる赤外発光
ダイオードで（ａ）は断面図、Φ）は不純物濃度分布図
である。 １・・・−・・Ｎ型ＧａＡｓ基板、２．１２・・・・・
・Ｎ型エピタキシャル層、３．１３１・・・・・・Ｐ型
エピタキシャル層、１３ｂ・−・・・・低不純物濃度Ｐ
型エピタキシャル層。 基ネ受７５’ Ｓ の ２巨離 （）とｍ）第１図 幀 口 第２図
Claims (1)
- 不純物として硅素を用い、１回の液相エピタキシャル成
長にてＮ型層、Ｐ型層の順に連続的に層を成長させる砒
化ガリウム赤外発光ダイオードの製造方法において、Ｐ
型層の成長途中段階において少なくともひとつの雰囲気
ガスとしてアンモニア（ＮＨ＿３）を導入することを特
徴とする砒化ガリウム赤外発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61029359A JPS62186576A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 砒化ガリウム赤外発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61029359A JPS62186576A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 砒化ガリウム赤外発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62186576A true JPS62186576A (ja) | 1987-08-14 |
Family
ID=12273993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61029359A Pending JPS62186576A (ja) | 1986-02-12 | 1986-02-12 | 砒化ガリウム赤外発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62186576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9112084B2 (en) | 2009-09-15 | 2015-08-18 | Showa Denko K.K. | Light emitting diode, light emitting diode lamp, and illuminating apparatus |
-
1986
- 1986-02-12 JP JP61029359A patent/JPS62186576A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9112084B2 (en) | 2009-09-15 | 2015-08-18 | Showa Denko K.K. | Light emitting diode, light emitting diode lamp, and illuminating apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970007135B1 (ko) | 이중 헤테로 구조체를 구비한 발광 질화갈륨계 화합물 반도체장치 | |
| Craford et al. | Vapor phase epitaxial materials for LED applications | |
| US7622398B2 (en) | Semiconductor device, semiconductor layer and production method thereof | |
| Münch et al. | Silicon carbide light-emitting diodes with epitaxial junctions | |
| JP2650730B2 (ja) | 炭化珪素半導体を用いたｐｎ接合型発光ダイオード | |
| US3690964A (en) | Electroluminescent device | |
| JPH03203388A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US3931631A (en) | Gallium phosphide light-emitting diodes | |
| JP3700609B2 (ja) | 化合物半導体発光素子、その製造方法、ランプ及び光源 | |
| US4001056A (en) | Epitaxial deposition of iii-v compounds containing isoelectronic impurities | |
| JP3567926B2 (ja) | ｐｎ接合型リン化硼素系半導体発光素子、その製造方法および表示装置用光源 | |
| JPS581539B2 (ja) | エピタキシヤルウエハ− | |
| Kressel et al. | Electroluminescence and photoluminescence of GaAs: Ge prepared by liquid phase epitaxy | |
| JP2579326B2 (ja) | エピタキシャル・ウエハ及び発光ダイオード | |
| JPH055191B2 (ja) | ||
| JP3792817B2 (ja) | ＧａＡｓＰエピタキシャルウェーハ及びその製造方法 | |
| JPS62186576A (ja) | 砒化ガリウム赤外発光ダイオ−ドの製造方法 | |
| JPH08139358A (ja) | エピタキシャルウエーハ | |
| Thomas | Light-emitting diodes | |
| Zhanghu et al. | P‐8.1: High‐performance AlGaInP Based Red Micro‐LED | |
| JP3646706B2 (ja) | リン化硼素系半導体発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH0397275A (ja) | 炭化硅素の青色発光ダイオード素子 | |
| Nuese et al. | Light-emitting diodes—LEDs | |
| Herzog et al. | Green emitting Zn-diffused LPE GaP diodes | |
| JPH04137771A (ja) | 半導体装置 |