JPS621874A - 金属被覆方法 - Google Patents
金属被覆方法Info
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- JPS621874A JPS621874A JP60139645A JP13964585A JPS621874A JP S621874 A JPS621874 A JP S621874A JP 60139645 A JP60139645 A JP 60139645A JP 13964585 A JP13964585 A JP 13964585A JP S621874 A JPS621874 A JP S621874A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
- C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
- C23C18/1216—Metal oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、任意の形状の基質材料の一部表面あるいは全
面に金属を被覆する方法に関する９［従来の技術］ 第３図は従来の金属被服方法に関する説明図であり、い
わゆる無電解メッキと呼ばれているものである。
面に金属を被覆する方法に関する９［従来の技術］ 第３図は従来の金属被服方法に関する説明図であり、い
わゆる無電解メッキと呼ばれているものである。
図において、（１）は金属を被覆する基質材料、（３）
は基質材料（１）および金属イオンおよび還元剤を含む
溶液（７）を収容する容器、（５）は前記溶液（７）を
加熱するための加熱装置である。
は基質材料（１）および金属イオンおよび還元剤を含む
溶液（７）を収容する容器、（５）は前記溶液（７）を
加熱するための加熱装置である。
溶液（７）中の金属イオンを生成する化合物として、た
とえば硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ，）を用い、還元剤とし
て次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯｉ）を用いた水
溶液を加熱装置（４）により加熱すると、硫酸ニッケル
と次亜リン酸ナトリウムとの間で酸化還元反応が起こり
、通常の処理を施した基質材料（１）の表面上にニッケ
ルが析出する。基質材料としては、絶縁性のものから導
電性のものまで種々のものが用いられる。
とえば硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ，）を用い、還元剤とし
て次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ２ＰＯｉ）を用いた水
溶液を加熱装置（４）により加熱すると、硫酸ニッケル
と次亜リン酸ナトリウムとの間で酸化還元反応が起こり
、通常の処理を施した基質材料（１）の表面上にニッケ
ルが析出する。基質材料としては、絶縁性のものから導
電性のものまで種々のものが用いられる。
［発明が解決しようとする問題魚］
従来の金属の被覆方法は、金属塩と還元剤との熱エネル
ギーによる酸化還元反応を利用したものであルタめ、被
覆量の制御が困難である。！Ａだ、金属の被覆は基質材
料の全面になされるため、基質材料の一部のみに金属を
被覆しようとするばあいには、基質材料に特別な処理を
施す必要があるなどの問題がある。
ギーによる酸化還元反応を利用したものであルタめ、被
覆量の制御が困難である。！Ａだ、金属の被覆は基質材
料の全面になされるため、基質材料の一部のみに金属を
被覆しようとするばあいには、基質材料に特別な処理を
施す必要があるなどの問題がある。
本発明は上記のような問題を解消するためになされたも
ので、金属の被覆量を容易に制御することができ、かつ
基質材料の任意の部分に金属を被覆することができる、
すなわち被覆のパターニングができるとと６に、さらに
いかなる形状の基質材料をも使用しうる金属の被覆方法
を開発することを目的とするものである。
ので、金属の被覆量を容易に制御することができ、かつ
基質材料の任意の部分に金属を被覆することができる、
すなわち被覆のパターニングができるとと６に、さらに
いかなる形状の基質材料をも使用しうる金属の被覆方法
を開発することを目的とするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段］
本発明は、基質材料に金属を被覆する際に、少なくとも
１種の有機物質を含む液中に被覆する金属を金属イオン
の形で溶解せしめ、該溶液に光を照射することにより、
基質材料表面を金属で被覆することを特徴とする金属被
覆方法に関する。
１種の有機物質を含む液中に被覆する金属を金属イオン
の形で溶解せしめ、該溶液に光を照射することにより、
基質材料表面を金属で被覆することを特徴とする金属被
覆方法に関する。
［実施例］
本発明の方法を第１図にもとづいて説明する。
第１図において、（１）は基質材料、（２）は金属イオ
ンおよび少なくとも１種の有機物質を含む溶液、（３）
は基質材料（１）および前記溶液（２）を入れる容器、
（４）は光源である。
ンおよび少なくとも１種の有機物質を含む溶液、（３）
は基質材料（１）および前記溶液（２）を入れる容器、
（４）は光源である。
本発明においては、金属イオンおよび少なくとも１種の
有機物質を含む溶液（２）中に浸漬せしめられた基質材
料（１）に、光源（４）からの光が照射され、光照射に
より励起された金属イオンと有機物質との酸化還元反応
により金属イオンが還元され、生じた金属が基質材料（
１）の表面を被覆する。
有機物質を含む溶液（２）中に浸漬せしめられた基質材
料（１）に、光源（４）からの光が照射され、光照射に
より励起された金属イオンと有機物質との酸化還元反応
により金属イオンが還元され、生じた金属が基質材料（
１）の表面を被覆する。
それゆえ、光照射の時間と光強度の制御により金属の被
覆量が容易に制御されうる。また、金属の被覆は光が照
射される部分でのみ進行するため、基質材料の任意の部
分に金属が被覆される。なお、パターン状に基質材料上
に金属を被覆するばあいには、＃ｓ２図に示すように所
定のバターニングを施したマスク材（６）を用いればよ
い。
覆量が容易に制御されうる。また、金属の被覆は光が照
射される部分でのみ進行するため、基質材料の任意の部
分に金属が被覆される。なお、パターン状に基質材料上
に金属を被覆するばあいには、＃ｓ２図に示すように所
定のバターニングを施したマスク材（６）を用いればよ
い。
前記基質材料にはとくに限定はなく、所定の形状を有す
る固形物であるかぎりいかなる性状のものをも使用しう
る。このような基質材料の具体例としては、たとえばポ
リメチルメタクリレート板、プラス板、セラミックス、
金属、半導体などがあげられる。基質材料は必要に応じ
て、通常の無電解メッキと同様の表面処理を施してもよ
い。
る固形物であるかぎりいかなる性状のものをも使用しう
る。このような基質材料の具体例としては、たとえばポ
リメチルメタクリレート板、プラス板、セラミックス、
金属、半導体などがあげられる。基質材料は必要に応じ
て、通常の無電解メッキと同様の表面処理を施してもよ
い。
前記金属イオンとしては、たとえば塩化第２白金カリウ
ム、塩化パ？ツウム、塩化金、塩化ルテニウム、塩化ロ
ジツム、塩化イリツウムナトリウム、塩化第１白金カリ
ウム、塩化コバルト、塩化ニッケル、硝酸銀、酸化オス
ミウムなどの塩や錯体などから生成する第２白金イオン
、パラジウムイオン、會イオン、ルテニウムイオン、ロ
クウムイオン、イリジウムイオン、第１白金イオン、コ
バルトイオン、ニッケルイオン、銀イオン、オスミウム
イオンなどがあげられる０通常、これらの金属イオンは
単独で用いられるが、要すれば２〜５種併用してもよい
。
ム、塩化パ？ツウム、塩化金、塩化ルテニウム、塩化ロ
ジツム、塩化イリツウムナトリウム、塩化第１白金カリ
ウム、塩化コバルト、塩化ニッケル、硝酸銀、酸化オス
ミウムなどの塩や錯体などから生成する第２白金イオン
、パラジウムイオン、會イオン、ルテニウムイオン、ロ
クウムイオン、イリジウムイオン、第１白金イオン、コ
バルトイオン、ニッケルイオン、銀イオン、オスミウム
イオンなどがあげられる０通常、これらの金属イオンは
単独で用いられるが、要すれば２〜５種併用してもよい
。
前記有機物質としては、たとえばメチルアルコールなど
のアルコール類あるいはアルコール類と５！［似の性質
、すなわちそれ自身は酸化されやすく、他の物質を還元
させる傾向性の大なる性質を有するアルデヒド類、エス
テル類、アミン類、多糖類などが用いられる。これらは
単独で用いてもよく、併用してもよい。
のアルコール類あるいはアルコール類と５！［似の性質
、すなわちそれ自身は酸化されやすく、他の物質を還元
させる傾向性の大なる性質を有するアルデヒド類、エス
テル類、アミン類、多糖類などが用いられる。これらは
単独で用いてもよく、併用してもよい。
前記ｊ液は、有機物質に金属イオンを与える塩や錯体な
どを溶解させたものであってもよく、要すれば水、アセ
トン、エタノールなどの媒体やｐＨ緩衝液などを加えた
ものであってもよい。
どを溶解させたものであってもよく、要すれば水、アセ
トン、エタノールなどの媒体やｐＨ緩衝液などを加えた
ものであってもよい。
前記溶液中における有機物質の量としては、金属イオン
が還元されるのに充分な量であればよく、溶媒をかねる
ばあいにはその作用をはだす量以上あればよ（、とくに
限定はない、また金属イオンの濃度にもとくに限定はな
く、溶液を形成する量であればよいが、好ましくは１０
−３〜１０−１モル／！程度である。
が還元されるのに充分な量であればよく、溶媒をかねる
ばあいにはその作用をはだす量以上あればよ（、とくに
限定はない、また金属イオンの濃度にもとくに限定はな
く、溶液を形成する量であればよいが、好ましくは１０
−３〜１０−１モル／！程度である。
このような溶液中の基質材料上に金属を被覆するために
照射する光としては、波長２５０〜７００ｎｘ程度の光
があげられる。このような光はキセノンランプ、水銀ラ
ンプ、ハロゲンランプと重水素ランプの組合せなどを用
いて生じせしめられる。
照射する光としては、波長２５０〜７００ｎｘ程度の光
があげられる。このような光はキセノンランプ、水銀ラ
ンプ、ハロゲンランプと重水素ランプの組合せなどを用
いて生じせしめられる。
このようして形成せしめられた金属被膜は、導電性、オ
レフィンへの水素添加触媒能、磁気遮蔽効果などを有す
るものである。
レフィンへの水素添加触媒能、磁気遮蔽効果などを有す
るものである。
つぎに本発明の方法を実施例にもとづき説明する。
実施例１
塩化第２白金カリワムを有機物質であるメチルアルコー
ルと等容量の水との混合液に溶解した溶液をＩＩ！！し
た。塩化＠２白金カリウムの濃度は１０−２モル／１で
あった。
ルと等容量の水との混合液に溶解した溶液をＩＩ！！し
た。塩化＠２白金カリウムの濃度は１０−２モル／１で
あった。
第１図に示すように該溶液中に、ポリメチルメタクリレ
ート（ＰＭＭ＾）板を浸漬し、１０分間チッ素をバブリ
ングして溶液中の酸素を除去したのち、ＰＭＭＡ板より
５０ｃｍの位置、液面より５１ＣＩの位置から５００Ｗ
キセ／ンランブを用い、さらに熱の効果をなくすため熱
線吸収フィルターを用いて光を照射した。光照射中の溶
液温度は約２０℃であった。
ート（ＰＭＭ＾）板を浸漬し、１０分間チッ素をバブリ
ングして溶液中の酸素を除去したのち、ＰＭＭＡ板より
５０ｃｍの位置、液面より５１ＣＩの位置から５００Ｗ
キセ／ンランブを用い、さらに熱の効果をなくすため熱
線吸収フィルターを用いて光を照射した。光照射中の溶
液温度は約２０℃であった。
５００Ｗキヤノンランプを２時間照射したところ、膜厚
が数十人の白金膜がＰＭＭＡ板上に析出し、光透過率数
十％の白金膜被覆が行なわれた。５時間照射したときに
は、光を透過しない膜厚が数＋ｎｚの白金膜がＰＭＭ八
板上板上出した。
が数十人の白金膜がＰＭＭＡ板上に析出し、光透過率数
十％の白金膜被覆が行なわれた。５時間照射したときに
は、光を透過しない膜厚が数＋ｎｚの白金膜がＰＭＭ八
板上板上出した。
また第２図に示す様に、透光部が３１１巾で５１置間隔
の格子状パターンを施したマスク材（６）を用いて、同
様の操作を行なったところ、マスク材（６）により光が
さえぎられた部分には白金膜が生成せず、本発明の方法
により金属被覆の格子状パターニングが容易に行なわれ
ることが示された。なお、本溶液と同様の溶液を３力月
間暗所で保存したのらも、実施例１と同様の結果かえら
れた。
の格子状パターンを施したマスク材（６）を用いて、同
様の操作を行なったところ、マスク材（６）により光が
さえぎられた部分には白金膜が生成せず、本発明の方法
により金属被覆の格子状パターニングが容易に行なわれ
ることが示された。なお、本溶液と同様の溶液を３力月
間暗所で保存したのらも、実施例１と同様の結果かえら
れた。
なお有機化合物としては、メタノール以外にエタノール
、プロピルアルコール、ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、モノエタノールアミン、メチルアセテート、ブ
チルアセテート、ブドウ糖などを用いたばあいにも、メ
タノールを用いたばあいと同様に白金を膜状にＰＭＭ＾
板上に析出させることが可能であった。よって有機化合
物としては、上記と［似のもの、すなわちそれ自身は酸
化されやすく他の物質を還元しやすい性質を有するもの
であれば使用しうる。
、プロピルアルコール、ホルムアルデヒド、アセトアル
デヒド、モノエタノールアミン、メチルアセテート、ブ
チルアセテート、ブドウ糖などを用いたばあいにも、メ
タノールを用いたばあいと同様に白金を膜状にＰＭＭ＾
板上に析出させることが可能であった。よって有機化合
物としては、上記と［似のもの、すなわちそれ自身は酸
化されやすく他の物質を還元しやすい性質を有するもの
であれば使用しうる。
実施例２
塩化金酸を有機物質であるホルムアルデヒドと等容量の
水との混合液に溶解した溶液を調製した。
水との混合液に溶解した溶液を調製した。
塩化金酸の濃度は２Ｘ１０−’モル／ｌであった。
基板としてガラス板を用い、以下実施例１と同様にして
５００Ｗキセノンランプを１時間照射したところ、膜厚
が数十人で光透過率が数十％の金膜が析出し、プラス板
上に金被覆が行なわれた。３時間照射したときには、光
をほとんど透過しない膜厚数十ｎｘの金膜でガラス板上
が被覆された。また実施例１と同様の金被覆のバターニ
ングも達成された。なお有機物質としては、他に実施例
１と同様のものを使用することができた。
５００Ｗキセノンランプを１時間照射したところ、膜厚
が数十人で光透過率が数十％の金膜が析出し、プラス板
上に金被覆が行なわれた。３時間照射したときには、光
をほとんど透過しない膜厚数十ｎｘの金膜でガラス板上
が被覆された。また実施例１と同様の金被覆のバターニ
ングも達成された。なお有機物質としては、他に実施例
１と同様のものを使用することができた。
実施例３
塩化パラジフムと塩化白金酸カリウムとを有機物質であ
るアセチルアセテートとその２倍容量の水との混合液に
溶解した溶液を調製した。塩化パラジウムと塩化白金酸
カリウムとの濃度はそれぞれ２Ｘ１０−２モル／ｌであ
った。
るアセチルアセテートとその２倍容量の水との混合液に
溶解した溶液を調製した。塩化パラジウムと塩化白金酸
カリウムとの濃度はそれぞれ２Ｘ１０−２モル／ｌであ
った。
基板としてセラミックスの酸化チタン板を用いて、以下
実施例１と同様にして、５０叶キヤノンランプを３時間
照射したところ、膜厚が数百人の均一なパラジウムと白
金との組成比が１：１の膜で酸化チタン板上が被覆され
た。実施例１と同様、被覆の４＜ターニングも可能であ
った。また、有機物質も他に実施例１と同様のものが使
用可能であった・ 実施例４ 塩化ニッケルを有機物質であるメタ／−ルとホルムアル
デヒドとの１：１混合液と′４ｐ容量の水との混合液に
溶解した溶液をａｌ！Ｉ！した。塩化ニッケルの濃度は
１０１モル／１であった。基板として鉄板を用い、以下
実施例１と同様にして５００Ｗキセ／ンランブを３時間
照射したところ、膜厚が数十人の均一なニッケル膜で鉄
板が被覆された。有機物質も他に実施例１と同様のもの
が使用可能であった。
実施例１と同様にして、５０叶キヤノンランプを３時間
照射したところ、膜厚が数百人の均一なパラジウムと白
金との組成比が１：１の膜で酸化チタン板上が被覆され
た。実施例１と同様、被覆の４＜ターニングも可能であ
った。また、有機物質も他に実施例１と同様のものが使
用可能であった・ 実施例４ 塩化ニッケルを有機物質であるメタ／−ルとホルムアル
デヒドとの１：１混合液と′４ｐ容量の水との混合液に
溶解した溶液をａｌ！Ｉ！した。塩化ニッケルの濃度は
１０１モル／１であった。基板として鉄板を用い、以下
実施例１と同様にして５００Ｗキセ／ンランブを３時間
照射したところ、膜厚が数十人の均一なニッケル膜で鉄
板が被覆された。有機物質も他に実施例１と同様のもの
が使用可能であった。
［発明の効果］
以上のように、本発明の方法は光照射により基質材料上
に金属を被覆させる方法であるため、光照射の条件によ
り、被覆する金属の性状お上Ｖ量を任意に制御すること
ができ、さらに金属イオンおよび有機物質を含む溶液の
条件に上っても被覆する金属の性状および量を任意に制
御することができる。また前記溶液は暗所に保存するだ
けでいつまでも保存できる１本発明の方法で従来の無電
解メッキ法と同様の基質材料の表面処理を施すことによ
り、基質材料と金属との密着性を上げることが可能であ
る。さらにマスク材の使用により、パターニングも可能
である。
に金属を被覆させる方法であるため、光照射の条件によ
り、被覆する金属の性状お上Ｖ量を任意に制御すること
ができ、さらに金属イオンおよび有機物質を含む溶液の
条件に上っても被覆する金属の性状および量を任意に制
御することができる。また前記溶液は暗所に保存するだ
けでいつまでも保存できる１本発明の方法で従来の無電
解メッキ法と同様の基質材料の表面処理を施すことによ
り、基質材料と金属との密着性を上げることが可能であ
る。さらにマスク材の使用により、パターニングも可能
である。
さらに本発明に用いる金属イオンの溶液には金属イオン
以外に有機物質が存在すればよいため、中性の溶液でも
よく、Ｗ酸性および耐アルカリ性に劣る基質材料でも使
用しうる。それゆえ、基質材料゛として使用しうるもの
の範囲が大幅に拡大される。よって、本発明の方法の工
業的価値は極めて大きい。
以外に有機物質が存在すればよいため、中性の溶液でも
よく、Ｗ酸性および耐アルカリ性に劣る基質材料でも使
用しうる。それゆえ、基質材料゛として使用しうるもの
の範囲が大幅に拡大される。よって、本発明の方法の工
業的価値は極めて大きい。
第１図は本発明の一実施態様に関する説明図、第２図は
本発明の他の実施例態様に関する説明図、第３図は従来
の４を属被覆方法に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）二基質材料 （２）：有機物質および金属イオンを含む溶液 代理人 大 岩 増 雄 金属イオンを含 む溶液 ７２票 手続補正書（自発） 昭和 ６霜 １０月２８日
本発明の他の実施例態様に関する説明図、第３図は従来
の４を属被覆方法に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）二基質材料 （２）：有機物質および金属イオンを含む溶液 代理人 大 岩 増 雄 金属イオンを含 む溶液 ７２票 手続補正書（自発） 昭和 ６霜 １０月２８日
Claims (3)
- （１）基質材料に金属を被覆する際に、少なくとも１種
の有機物質を含む液中に被覆する金属を金属イオンの形
で溶解せしめ、該溶液に光を照射することにより基質材
料表面を金属で被覆することを特徴とする金属被覆方法
。 - （２）上記溶液中に１〜５種の金属イオンを含む特許請
求の範囲第（１）項記載の金属被覆方法。 - （３）所定のパターニングを施したマスク材を通して光
を照射し、マスク材のパターンに合致した形状に、基質
材料表面に金属を被覆する特許請求の範囲第（１）項記
載の金属被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139645A JPS621874A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 金属被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60139645A JPS621874A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 金属被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621874A true JPS621874A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15250097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60139645A Pending JPS621874A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 金属被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621874A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046431A1 (de) * | 1999-02-03 | 2000-08-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zur herstellung von nitrid-einkristallen |
| US20100051091A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Kwangyeol Lee | Electrode formation based on photo-induced reduction of metal ions in the presence of metal nanomaterials |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP60139645A patent/JPS621874A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000046431A1 (de) * | 1999-02-03 | 2000-08-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Verfahren zur herstellung von nitrid-einkristallen |
| US6527853B1 (en) | 1999-02-03 | 2003-03-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing nitride monocrystals |
| USRE40718E1 (en) | 1999-02-03 | 2009-06-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing nitride monocrystals |
| US20100051091A1 (en) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | Kwangyeol Lee | Electrode formation based on photo-induced reduction of metal ions in the presence of metal nanomaterials |
| US8268536B2 (en) * | 2008-08-29 | 2012-09-18 | Korea University Research And Business Foundation | Electrode formation based on photo-induced reduction of metal ions in the presence of metal nanomaterials |
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