JPS62189430A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPS62189430A JPS62189430A JP61032365A JP3236586A JPS62189430A JP S62189430 A JPS62189430 A JP S62189430A JP 61032365 A JP61032365 A JP 61032365A JP 3236586 A JP3236586 A JP 3236586A JP S62189430 A JPS62189430 A JP S62189430A
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Classifications
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- G—PHYSICS
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- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
- G10K11/16—Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野Ｊ
この発明は、電界の向きでスイッチングが行われる液晶
の代表例の１つである強誘電性液晶（以下ＦＬＣという
）を用いた液晶装置であって、よりコントラスト比の向
上を図り、マイクロ・コンピュータ、ワードプロセッサ
またはテレビ等の表示部の薄型化を図る液晶表示装置、
更にディスクメモリ等のメモリ装置、スピーカ等の音響
機器、光学スイッチ機器へ応用する液晶装置に関する。
の代表例の１つである強誘電性液晶（以下ＦＬＣという
）を用いた液晶装置であって、よりコントラスト比の向
上を図り、マイクロ・コンピュータ、ワードプロセッサ
またはテレビ等の表示部の薄型化を図る液晶表示装置、
更にディスクメモリ等のメモリ装置、スピーカ等の音響
機器、光学スイッチ機器へ応用する液晶装置に関する。
Ｖ従来技術ｊ
従来、液晶を用いて液晶装置、例えば液晶ディスプレイ
を作製せんとする場合、この液晶の一対の基板の内側に
一対の電極を設け、その電極上に絶縁物の薄膜を形成し
、これを対称配向膜として用いる方式が知られている。
を作製せんとする場合、この液晶の一対の基板の内側に
一対の電極を設け、その電極上に絶縁物の薄膜を形成し
、これを対称配向膜として用いる方式が知られている。
しかし、単純マトリックス構造または各画素に非線型素
子が直列に連結されたアクティブ素子構造を有する液晶
表示装置において、最も重要な要素として、前記した液
晶が十分大きいａｃ（１ｍ界電界またはスレッシュホー
ルド電界）を有することが重要である。このＥｃは、液
晶が所定の電界以下では初期の状Ｂ（例えば非透過）を
維持し、所定の電界以上においてきわめて急峻に反転し
、他の状Ｂ（例えば透過）を呈する現象、およびこの逆
に透過より非透過となる現象をいう。
子が直列に連結されたアクティブ素子構造を有する液晶
表示装置において、最も重要な要素として、前記した液
晶が十分大きいａｃ（１ｍ界電界またはスレッシュホー
ルド電界）を有することが重要である。このＥｃは、液
晶が所定の電界以下では初期の状Ｂ（例えば非透過）を
維持し、所定の電界以上においてきわめて急峻に反転し
、他の状Ｂ（例えば透過）を呈する現象、およびこの逆
に透過より非透過となる現象をいう。
しかしかかるＥｃはスメクチンク液晶それ自体において
はきわめてその存在が乏しいことが判明した。特にカイ
ラルスメクチックＣ相を用いる強誘電性液晶においては
、この液晶を印加するパルス電界の電界強度とそのパル
ス巾との値に太き（依存している。そのため、マトリッ
クス表示においてはｒＡＣバイヤス法」として知られて
いる励起方式を用いなければならないし、正方向に書換
えんとする時、一度負のパルスを加え、次に正のパルス
を所定の電界強度と時間とを精密に制御して加えなけれ
ばならない、また逆に負方向に書き換えんとする場合も
一度正のパルスを加え、次に負のパルスを所定の電界強
度と時間との精密な制御のもとに加えなければならない
。
はきわめてその存在が乏しいことが判明した。特にカイ
ラルスメクチックＣ相を用いる強誘電性液晶においては
、この液晶を印加するパルス電界の電界強度とそのパル
ス巾との値に太き（依存している。そのため、マトリッ
クス表示においてはｒＡＣバイヤス法」として知られて
いる励起方式を用いなければならないし、正方向に書換
えんとする時、一度負のパルスを加え、次に正のパルス
を所定の電界強度と時間とを精密に制御して加えなけれ
ばならない、また逆に負方向に書き換えんとする場合も
一度正のパルスを加え、次に負のパルスを所定の電界強
度と時間との精密な制御のもとに加えなければならない
。
「発明が解決しようとする問題点ｊ
かくの如き電界の向きでスイッチングを行う液晶、特に
表面安定化強誘電性液晶（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｔａｂｉ
−１ｉｚｅｄ ＦＬＣ）として用いんとした時、これま
での技術では前記した如きｒＡＣバイヤス法」を用いな
ければならない。しかし、このバイヤス法は、周辺回路
がきわめて複雑になってしまうため、その応用の一つで
ある薄型ディスプレイ装置を作らんとした時、これより
も簡単な周辺回路が求められている。そのためには、液
晶それ自体が十分明確なりｃを有していることが重要に
なる。この十分明確なＥｃを作らんとしても、これまで
の手段においては、その周波数特性をおとす等の制約の
もとに、不十分なＥｃで満足せざるを得ないのが実情で
あった。
表面安定化強誘電性液晶（Ｓｕｒｆａｃｅ ５ｔａｂｉ
−１ｉｚｅｄ ＦＬＣ）として用いんとした時、これま
での技術では前記した如きｒＡＣバイヤス法」を用いな
ければならない。しかし、このバイヤス法は、周辺回路
がきわめて複雑になってしまうため、その応用の一つで
ある薄型ディスプレイ装置を作らんとした時、これより
も簡単な周辺回路が求められている。そのためには、液
晶それ自体が十分明確なりｃを有していることが重要に
なる。この十分明確なＥｃを作らんとしても、これまで
の手段においては、その周波数特性をおとす等の制約の
もとに、不十分なＥｃで満足せざるを得ないのが実情で
あった。
本発明はかかる強誘電性液晶を用いた場合一液晶それ自
体にＢｃを有することを求めるのではなく、この液晶に
接して誘電体でくるまれた半導体を主成分とするクラス
タまたは薄膜よりなるフローティング電極（基板の内側
に設けられた一対の電極のいずれの電極とも電気的に連
結していない電極）を配し、これに所定の電荷を蓄積す
ることにより実質的に有効なＥｃ＋ＩＥｃ−を得んとし
たものである。
体にＢｃを有することを求めるのではなく、この液晶に
接して誘電体でくるまれた半導体を主成分とするクラス
タまたは薄膜よりなるフローティング電極（基板の内側
に設けられた一対の電極のいずれの電極とも電気的に連
結していない電極）を配し、これに所定の電荷を蓄積す
ることにより実質的に有効なＥｃ＋ＩＥｃ−を得んとし
たものである。
ｒ問題を解決するための手段ｊ
かかる問題を解くため、本発明は、基板の内側に一対の
電極、一般的には透光性電極を設ける。
電極、一般的には透光性電極を設ける。
そしてこの一対の電極の一方または双方の内側に誘電体
で囲まれた光、特に可視光を３０％以上減衰させない範
囲の平均厚さを有する半導体を主成分とするクラスタま
たは膜を設ける。そしてこの半導体を主成分とするクラ
スタまたは膜を不揮発性の電荷捕獲中心または中心層と
して機能せしめるものである。さらにこの電荷捕獲中心
に所定の電界で注入し捕獲させ保持されている電荷の種
類に従って、それに近接しているまたは隣接しているＦ
ＬＣの向きが、決められる。かくして例えば電荷捕獲中
心が１層の場合（一方の電極側のみに作られた場合）、
その中心に正の電荷が捕獲され保持しつづけられると電
界の印加を中止した後であっても、この正の電荷により
ＦＬＣの負の側が引き寄せられる。結果として、例えば
このパネルに対し光は「非透過」となる、また逆に、捕
獲中心に負の電荷が捕獲され保持しつづけると、ＦＬＣ
の正の側が電界の印加を中止しても引き寄せられ、逆に
例えば「透過」とすることができる。そしてこの透過、
非透過は捕獲中心に電荷が捕獲されている限り、不揮発
性を有する。
で囲まれた光、特に可視光を３０％以上減衰させない範
囲の平均厚さを有する半導体を主成分とするクラスタま
たは膜を設ける。そしてこの半導体を主成分とするクラ
スタまたは膜を不揮発性の電荷捕獲中心または中心層と
して機能せしめるものである。さらにこの電荷捕獲中心
に所定の電界で注入し捕獲させ保持されている電荷の種
類に従って、それに近接しているまたは隣接しているＦ
ＬＣの向きが、決められる。かくして例えば電荷捕獲中
心が１層の場合（一方の電極側のみに作られた場合）、
その中心に正の電荷が捕獲され保持しつづけられると電
界の印加を中止した後であっても、この正の電荷により
ＦＬＣの負の側が引き寄せられる。結果として、例えば
このパネルに対し光は「非透過」となる、また逆に、捕
獲中心に負の電荷が捕獲され保持しつづけると、ＦＬＣ
の正の側が電界の印加を中止しても引き寄せられ、逆に
例えば「透過」とすることができる。そしてこの透過、
非透過は捕獲中心に電荷が捕獲されている限り、不揮発
性を有する。
即ち、本発明においては、半導体を主成分とするクラス
タまたは膜が、正の電荷と負の電荷の双方を注入、捕獲
し得る特性を利用している。即ちこのクラスタまたは膜
がもし金属である場合は、負の電荷のみの捕獲しか一般
的に行わないため、半導体、特に単体で半導体であるシ
リコンまたはゲルマニュームを主成分とした材料であっ
て、透光性を妨げない好ましくはかかる半導体が存在し
ない場合に比べて可視光が３０％以上の減衰をしない程
度に薄いことが重要である。そのため、半導体の平均膜
厚が１０００人またはそれ以下を一般には用いる。そし
て不揮発性を存せしめるため、このクラスタまたは膜は
十分絶縁性を存する誘電体でくるまれており、加えて所
定のＥｃを有せしめるため、好ましくはこの半導体のク
ラスタまたは膜の一方の側より電子またはホールのキャ
リアがトンネル電流またはフロア・ノード・ハイム電流
等の電界のべき乗に従った電流で注入されるよう他方に
比べてコンダクタンスを大きくしている。
タまたは膜が、正の電荷と負の電荷の双方を注入、捕獲
し得る特性を利用している。即ちこのクラスタまたは膜
がもし金属である場合は、負の電荷のみの捕獲しか一般
的に行わないため、半導体、特に単体で半導体であるシ
リコンまたはゲルマニュームを主成分とした材料であっ
て、透光性を妨げない好ましくはかかる半導体が存在し
ない場合に比べて可視光が３０％以上の減衰をしない程
度に薄いことが重要である。そのため、半導体の平均膜
厚が１０００人またはそれ以下を一般には用いる。そし
て不揮発性を存せしめるため、このクラスタまたは膜は
十分絶縁性を存する誘電体でくるまれており、加えて所
定のＥｃを有せしめるため、好ましくはこの半導体のク
ラスタまたは膜の一方の側より電子またはホールのキャ
リアがトンネル電流またはフロア・ノード・ハイム電流
等の電界のべき乗に従った電流で注入されるよう他方に
比べてコンダクタンスを大きくしている。
その本発明の構成の１つの縦断面図を第１図に示す。
第１図において一対の透光性基板（４） 、 （４°）
を有する。さらにこの基板（４）、（４’）の内側には
一対を構成する透光性電極（３） 、 （３’ ”）を
有する。
を有する。さらにこの基板（４）、（４’）の内側には
一対を構成する透光性電極（３） 、 （３’ ”）を
有する。
液晶材料としては電界の向きでスイッチングを行う液晶
のすべての種類を用いることができる。
のすべての種類を用いることができる。
このためゲストホスト型または複屈折型の液晶を用い、
また光の検出方式も反射型または透過型を用い得る。し
かし、ここでは視野角の大きい強誘電性液晶（５）を用
いる。
また光の検出方式も反射型または透過型を用い得る。し
かし、ここでは視野角の大きい強誘電性液晶（５）を用
いる。
さらに透光性電極の一方（例えば（３））上（図面では
下側であるが、形成してゆく順序に従って以下上側と表
記する）には第１の誘電体薄膜（１）とフローティング
電極（６）とを有し、ここで１つのキャパシタを構成し
ている。またフローティング電極（６）を覆って第２の
誘電体膜（２）が形成される。このフローティング電極
（６）と他の電極（３゛）との間には他の誘電体膜（２
）および液晶（５）よりなる他のキャパシタを構成して
いる。ここでは、液晶の配向処理Ｎ（膜）の一方（７）
はフローティング電極（６）のない側（電極（３°）の
側）における液晶（１）の存在する側に設けられている
。
下側であるが、形成してゆく順序に従って以下上側と表
記する）には第１の誘電体薄膜（１）とフローティング
電極（６）とを有し、ここで１つのキャパシタを構成し
ている。またフローティング電極（６）を覆って第２の
誘電体膜（２）が形成される。このフローティング電極
（６）と他の電極（３゛）との間には他の誘電体膜（２
）および液晶（５）よりなる他のキャパシタを構成して
いる。ここでは、液晶の配向処理Ｎ（膜）の一方（７）
はフローティング電極（６）のない側（電極（３°）の
側）における液晶（１）の存在する側に設けられている
。
この第１図に示されている縦断面の電気的等価回路を第
２図に示す。この等価回路を用い本発明を以下に記す。
２図に示す。この等価回路を用い本発明を以下に記す。
この際のＦＬＣ（５）と第２の誘電体膜（２）とを電気
的等価回路としてＧ！（コンダクタンス）、Ｃｚ（キャ
パシタンス）で示す、又第１の誘電体（１）の等価回路
としてＧｔ（コンダクタンス）、ＣＩ＜キャパシタンス
）を有する。その境界には半導体を主成分とするクラス
タまたは膜（６）が電荷捕獲中心層として設けられてい
る。この両端子（３） 、 （３°）間にＶ、の電圧を
印加した時、Ｃ，、Ｇ、に加わる電圧Ｖｌ＋電荷Ｑ＋、
Ｃｚ、Ｇｚに加わる電圧をｖ２．電荷（ｈとすると、ｖ
Ｏ＝ｖｌ＋ｖｔ でｔ＝Ｑにおいて分圧される。
的等価回路としてＧ！（コンダクタンス）、Ｃｚ（キャ
パシタンス）で示す、又第１の誘電体（１）の等価回路
としてＧｔ（コンダクタンス）、ＣＩ＜キャパシタンス
）を有する。その境界には半導体を主成分とするクラス
タまたは膜（６）が電荷捕獲中心層として設けられてい
る。この両端子（３） 、 （３°）間にＶ、の電圧を
印加した時、Ｃ，、Ｇ、に加わる電圧Ｖｌ＋電荷Ｑ＋、
Ｃｚ、Ｇｚに加わる電圧をｖ２．電荷（ｈとすると、ｖ
Ｏ＝ｖｌ＋ｖｔ でｔ＝Ｑにおいて分圧される。
そしてこのフローティング電極にはこの分圧に従って並
列したコンダクタンス（Ｇｌ）、 （ｃｚ）より電流（
８）、（８”）が注入される。
列したコンダクタンス（Ｇｌ）、 （ｃｚ）より電流（
８）、（８”）が注入される。
この注入される電流は互いに逆向きになりその差により
ｔ秒後にＱの電荷が蓄積される。
ｔ秒後にＱの電荷が蓄積される。
例えば（８）の電流が（８°）の電流より大なる場合は
、正の電荷が（６）に注入捕獲される。また逆に（８°
）の電流が（８）より大なる場合は、負の電荷が注入・
捕獲される。その結果、フローティング電極にｔ秒後に
蓄積されるＱは次式で与えられる。
、正の電荷が（６）に注入捕獲される。また逆に（８°
）の電流が（８）より大なる場合は、負の電荷が注入・
捕獲される。その結果、フローティング電極にｔ秒後に
蓄積されるＱは次式で与えられる。
この一般式において前記したＣＩ＞ＣＩである条件を考
慮する。また抵抗（コンダクタンスの逆数）は液晶を２
μｍの厚さとし、１つのピクセルを３００μｍ Ｘ３０
０μｍである場合、１０９Ωのオーダを有する。また第
２の誘電体は１０〜１００人の平均厚さ例えば２０人の
厚さく非線型特性）を有するため、この薄膜に電界が加
わった状態で１０５〜１０６Ωであり、電界が除去され
た状態でｌＯ９Ωを有する。
慮する。また抵抗（コンダクタンスの逆数）は液晶を２
μｍの厚さとし、１つのピクセルを３００μｍ Ｘ３０
０μｍである場合、１０９Ωのオーダを有する。また第
２の誘電体は１０〜１００人の平均厚さ例えば２０人の
厚さく非線型特性）を有するため、この薄膜に電界が加
わった状態で１０５〜１０６Ωであり、電界が除去され
た状態でｌＯ９Ωを有する。
他方第１の誘電体膜（ＣＩ）は平均厚さ５００人の同一
条件でＩＱＩ！Ωのオーダを有し、Ｇ！に比べ十分大き
い抵抗を有する。このため、ここではＧＩ＝ＯとしＱ、
＝Ｑ、＋Ｃ，Ｖ小−ｅシｐ（−知）” Ｃ＋ Ｖ ｔ ＝Ｃ＋ （Ｖｏ Ｖｚ ） で与えられる。
条件でＩＱＩ！Ωのオーダを有し、Ｇ！に比べ十分大き
い抵抗を有する。このため、ここではＧＩ＝ＯとしＱ、
＝Ｑ、＋Ｃ，Ｖ小−ｅシｐ（−知）” Ｃ＋ Ｖ ｔ ＝Ｃ＋ （Ｖｏ Ｖｚ ） で与えられる。
即ちＧｔが大きいまたはｔが十分長いとｖ２は速やかに
飽和し、その値は で与えられる電位差がＦＬＣの両端に印加されることに
なる。この電位差は電荷捕獲中心に捕獲された電荷Ｑに
より作られたものであるため、ｖｏの電圧を除去しても
残存し、液晶がこの捕獲されている電荷量に従って保持
され、液晶が透過または非透過の状態を不揮発に保持し
得ることがわかる。
飽和し、その値は で与えられる電位差がＦＬＣの両端に印加されることに
なる。この電位差は電荷捕獲中心に捕獲された電荷Ｑに
より作られたものであるため、ｖｏの電圧を除去しても
残存し、液晶がこの捕獲されている電荷量に従って保持
され、液晶が透過または非透過の状態を不揮発に保持し
得ることがわかる。
その結果、液晶自体に十分なＥｃがなくても、フローテ
ィング電極に蓄積される電荷により実質的に決定される
Ｅｃを可変制御することにより、この電荷Ｑに従って液
晶が従属的に従い、見掛は上液具が明確なＥｃを有する
ようにさせることができる。
ィング電極に蓄積される電荷により実質的に決定される
Ｅｃを可変制御することにより、この電荷Ｑに従って液
晶が従属的に従い、見掛は上液具が明確なＥｃを有する
ようにさせることができる。
以上の結果より、本発明はスメクチック液晶と直列に誘
電体膜でくるまれたフローティング電極を存在せしめ、
このフローティング電極の上側の第１の誘電体と、下側
の第２の誘電体および液晶との分極に従って液晶の反転
、非反転を決定することをその思想としている。
電体膜でくるまれたフローティング電極を存在せしめ、
このフローティング電極の上側の第１の誘電体と、下側
の第２の誘電体および液晶との分極に従って液晶の反転
、非反転を決定することをその思想としている。
以下に本発明の実施例を示す。
実施例１
第１図は本発明の構成の縦断面図である。
図面において、ガラス基板（４）、（４’）上に透明導
電膜（３） 、 （３°）を例えばＩＴＯ（酸化インジ
ューム・スズ）により形成した。更にこの一方の上面に
第１の誘電体薄膜、例えば窒化珪素（２）を形成する。
電膜（３） 、 （３°）を例えばＩＴＯ（酸化インジ
ューム・スズ）により形成した。更にこの一方の上面に
第１の誘電体薄膜、例えば窒化珪素（２）を形成する。
即ち、誘電体薄膜としての窒化珪素はプラズマＣＶＤま
たは光ＣＶＤ法により作成した。例えば本発明人の出願
によるプラズマ気相反応装置（昭和５９年４月２０日出
願、特願昭５９−０７９６２３）を用いた。特にかかる
明細書の実施例１，２．４を用いた。そして基板および
電極上を覆って３５０℃に加熱し、シラン（ＳｉｎＨｚ
ｒ＋＋ｚ ｎ≧１）とアンモニア（ＮＨ３）または窒素
（Ｎ２）とをＮＨ３／ＳｉＨ４≧５０の混合比で混合し
、０．１ｔｏｒｒの反応圧力にした後１３．５６ＭＨｚ
の高周波を加えた。
たは光ＣＶＤ法により作成した。例えば本発明人の出願
によるプラズマ気相反応装置（昭和５９年４月２０日出
願、特願昭５９−０７９６２３）を用いた。特にかかる
明細書の実施例１，２．４を用いた。そして基板および
電極上を覆って３５０℃に加熱し、シラン（ＳｉｎＨｚ
ｒ＋＋ｚ ｎ≧１）とアンモニア（ＮＨ３）または窒素
（Ｎ２）とをＮＨ３／ＳｉＨ４≧５０の混合比で混合し
、０．１ｔｏｒｒの反応圧力にした後１３．５６ＭＨｚ
の高周波を加えた。
そしてこれら電極上を５００人の厚さの被膜とした。さ
らにこの上面に半導体を主成分とするクラスタまたは薄
膜を作成した。即ち、窒化珪素膜を形成した後、これら
反応容器を１０−’Ｌｏｒｒ以下に十分に真空引きした
。さらにこの後前記した特許側の実施例３を用いてシリ
コン半導体のクラスタまたは膜を形成した。即ちシラン
を２００ｃｃ／分の流量導入し、１３．５６ＭＨｚの高
周波電界を加えた。温度は３５０℃と同一温度とした。
らにこの上面に半導体を主成分とするクラスタまたは薄
膜を作成した。即ち、窒化珪素膜を形成した後、これら
反応容器を１０−’Ｌｏｒｒ以下に十分に真空引きした
。さらにこの後前記した特許側の実施例３を用いてシリ
コン半導体のクラスタまたは膜を形成した。即ちシラン
を２００ｃｃ／分の流量導入し、１３．５６ＭＨｚの高
周波電界を加えた。温度は３５０℃と同一温度とした。
かかる時、シリコン半導体膜の平均膜厚が１００Å以下
においては、一般に薄膜構造を構成せず、島状実部ちク
ラスタを構成する。そしてこの平均膜厚が１００〜１０
００人において薄膜上に形成させた。
においては、一般に薄膜構造を構成せず、島状実部ちク
ラスタを構成する。そしてこの平均膜厚が１００〜１０
００人において薄膜上に形成させた。
もちろん１０００Å以上０．５〜１μでも膜とすること
ができるが、光の透過率が悪くなり、光読みだし装置と
しては必ずしも適当でないため、ここでは光透過量がそ
れほど減衰しない程度の厚さである１０００人とした。
ができるが、光の透過率が悪くなり、光読みだし装置と
しては必ずしも適当でないため、ここでは光透過量がそ
れほど減衰しない程度の厚さである１０００人とした。
また反応容器の圧力により平均厚さが７０〜２００人で
はクラスタと薄膜とが混合する状態もある。
はクラスタと薄膜とが混合する状態もある。
さらにこの後、これら全体を真空引きをし、この後、第
１の誘電体と同様に、第２の誘電体膜を以下の要件のみ
を変更して形成した。かかる膜は真空度を０．０１ｔｏ
ｒｒとし、きわめて薄く形成されるようにした。その他
は第１の窒化珪素膜の形成と同一条件であった。かくし
て窒化珪素膜を１０〜１００人、例えば３０人の平均膜
厚に形成させた。
１の誘電体と同様に、第２の誘電体膜を以下の要件のみ
を変更して形成した。かかる膜は真空度を０．０１ｔｏ
ｒｒとし、きわめて薄く形成されるようにした。その他
は第１の窒化珪素膜の形成と同一条件であった。かくし
て窒化珪素膜を１０〜１００人、例えば３０人の平均膜
厚に形成させた。
また、他方の透明導電膜の電極（３゛）上には同様に窒
化珪素膜を３００人の平均膜厚に同様の方法にて形成し
た。この窒化珪素膜はガラス、透明導電膜からのナトリ
ューム等の不純物の液晶内への混入を防ぐこと、および
イオン化率の小さい非対称配向処理層として有効であっ
た。
化珪素膜を３００人の平均膜厚に同様の方法にて形成し
た。この窒化珪素膜はガラス、透明導電膜からのナトリ
ューム等の不純物の液晶内への混入を防ぐこと、および
イオン化率の小さい非対称配向処理層として有効であっ
た。
さらにこの上面に有機物被膜を用いて配向処理膜（７）
を形成させた。例えば、本発明においてはナイロン６を
スピナで形成し、１２０℃、３０分で乾燥して形成した
。この上面に対してラビング処理を施し、配向処理層と
した。
を形成させた。例えば、本発明においてはナイロン６を
スピナで形成し、１２０℃、３０分で乾燥して形成した
。この上面に対してラビング処理を施し、配向処理層と
した。
次にこの配向処理膜が形成された一対の基板の周辺部を
互いに封止（図示せず）し、公知の方法にてＦＬＣを充
填した。このＦＬＣは、例えばＳ８と８７との１：１の
ブレンド品を用いた。この液晶は０Ｍ０ＯＰＰとＭＢＲ
Ａとのブレンド品を用いてもよい。また、例えば特開昭
５６−１０７２１６．特開昭５９−９８０５１．特開昭
５９−１１８７４４に示される液晶を用いてもよい。
互いに封止（図示せず）し、公知の方法にてＦＬＣを充
填した。このＦＬＣは、例えばＳ８と８７との１：１の
ブレンド品を用いた。この液晶は０Ｍ０ＯＰＰとＭＢＲ
Ａとのブレンド品を用いてもよい。また、例えば特開昭
５６−１０７２１６．特開昭５９−９８０５１．特開昭
５９−１１８７４４に示される液晶を用いてもよい。
かかるセルの電極はｌｌｌ１ｍ×１１１ＩＩ＋となり、
マトリックス構成させ、それぞれに±ｌＯｖの電圧を加
えた。するとこの電界が加わっても画素はシランカップ
リング材のみを用いた従来の方法では見られないきわめ
てきれいなＥＣを実質的に有せしめることが可能となっ
た。
マトリックス構成させ、それぞれに±ｌＯｖの電圧を加
えた。するとこの電界が加わっても画素はシランカップ
リング材のみを用いた従来の方法では見られないきわめ
てきれいなＥＣを実質的に有せしめることが可能となっ
た。
第３図は縦軸に規格化した透過率、横軸に印加電圧を示
している。この図面において、従来例として示された曲
線（１６） 、 （１６’）はフローティング電極を設
けず、また図面における上側電極（３）上にシランカッ
プリング材のみを用いた非対称配向処理法で得たもので
ある。（そのＥｃはきわめて小さくばらつきやすい欠点
を有する。）また第１図に示す如き本発明の実施例にお
いては、曲線（１５） 。
している。この図面において、従来例として示された曲
線（１６） 、 （１６’）はフローティング電極を設
けず、また図面における上側電極（３）上にシランカッ
プリング材のみを用いた非対称配向処理法で得たもので
ある。（そのＥｃはきわめて小さくばらつきやすい欠点
を有する。）また第１図に示す如き本発明の実施例にお
いては、曲線（１５） 。
（１５’）を得ることができた。この特性において明ら
かなごとく、きわめてきれいなＥｃ＋ ＋ Ｂｃ−を得
ることができた。
かなごとく、きわめてきれいなＥｃ＋ ＋ Ｂｃ−を得
ることができた。
そしてかかるＢｃを有するため、例えば７２０ ｘ４８
０画素を存する大面積のディスプレイに対してもまった
くクロストークのない表示をさせることが可能となり得
る。
０画素を存する大面積のディスプレイに対してもまった
くクロストークのない表示をさせることが可能となり得
る。
本発明において、さらにシェアリング（液晶を充填した
後一方的に微小距離ずらすことにより配向を行う）法、
温度勾配法をラビング法に変えてまたはこれに加えて行
うことは有効である。
後一方的に微小距離ずらすことにより配向を行う）法、
温度勾配法をラビング法に変えてまたはこれに加えて行
うことは有効である。
実施例２
この実施例は第４図（八）にその構造を示す。ガラス基
ｔ７Ｎ （４） 、 （４”）により挟まれた透明導電
膜の電極（３）、（３’）を有する。それらの一方の側
にフローティング電極（６）を薄膜を形成してをせしめ
た。
ｔ７Ｎ （４） 、 （４”）により挟まれた透明導電
膜の電極（３）、（３’）を有する。それらの一方の側
にフローティング電極（６）を薄膜を形成してをせしめ
た。
即ち、平均厚さが５００〜２０００人の厚い窒化珪素膜
（１）、シリコン薄膜（平均厚さ１００〜１０００人）
（６） 。
（１）、シリコン薄膜（平均厚さ１００〜１０００人）
（６） 。
２０〜１００人の薄い窒化珪素膜（２）よりなる。他方
の電極（３゛）上は窒化珪素膜（５°）と有機配向膜（
７）とを有する。かかる構造において、フローティング
電極用薄膜（６）を形成した後、所定のバターニングを
行うことが重要である。この場合、電荷捕獲中心層（６
）への電荷の注入は液晶（５）側より行う。その他の記
載のないことに関しては実施例１と同じである。
の電極（３゛）上は窒化珪素膜（５°）と有機配向膜（
７）とを有する。かかる構造において、フローティング
電極用薄膜（６）を形成した後、所定のバターニングを
行うことが重要である。この場合、電荷捕獲中心層（６
）への電荷の注入は液晶（５）側より行う。その他の記
載のないことに関しては実施例１と同じである。
実施例３
この実施例は第４図（Ｂ）に示す。この図面において、
一対の基ｖｉ（４） 、 （４″）およびその内側の一
対の電極（３） 、 （３’ ）を有する。シリコン半
導体クラスタは双方の電極（３） 、 （３“）上に（
６） 、 （６°）として有し、それらは平均膜厚を５
０人とした。窒化珪素膜（２）。
一対の基ｖｉ（４） 、 （４″）およびその内側の一
対の電極（３） 、 （３’ ）を有する。シリコン半
導体クラスタは双方の電極（３） 、 （３“）上に（
６） 、 （６°）として有し、それらは平均膜厚を５
０人とした。窒化珪素膜（２）。
（２”）は厚＜５００〜２０００人とし、電荷は電極（
３）。
３）。
（３゛）側より注入されるようにした。その結果、第１
図、第３図に示されたヒステリシスとは逆向きのヒステ
リシス特性を得ることができた。その他は実施例１と同
様である。
図、第３図に示されたヒステリシスとは逆向きのヒステ
リシス特性を得ることができた。その他は実施例１と同
様である。
実施例４
第４図（Ｃ）は実施例１に示した電荷を液晶側より注入
する方法であって、クラスタ（６） 、 （６°）が双
方の電極（３） 、 （３′）の液晶の側に設けられて
いる。
する方法であって、クラスタ（６） 、 （６°）が双
方の電極（３） 、 （３′）の液晶の側に設けられて
いる。
実施例１のＢｃをさらに強調する効果を有する。
実施例５
この実施例は第４図（Ｄ）に示しである一方の電極（３
）側に薄膜のフローティング電極（６）、他の電極（３
゛）側はクラスタのフローティング電鳳（６°）とした
。その他は実施例１と同じである。
）側に薄膜のフローティング電極（６）、他の電極（３
゛）側はクラスタのフローティング電鳳（６°）とした
。その他は実施例１と同じである。
ｒ効果ｊ
本発明は以上に示す如く、一方または双方の電極の内側
に誘電体で囲まれたフローティング電極を設け、このフ
ローティング電極に蓄積された電荷の種類に従ってより
一層Ｅｃの明確な液晶装置を得ることができた。
に誘電体で囲まれたフローティング電極を設け、このフ
ローティング電極に蓄積された電荷の種類に従ってより
一層Ｅｃの明確な液晶装置を得ることができた。
半導体の薄膜よりなるフローティング電極は第１図の電
極等の上に同じ大きさに形成しても、またこの電掻内に
小さい電極を所定のパターニングをしてクラスタ状に形
成してもよい。さらに選択的に形成しても、また電極を
含む全面に形成してもよい。
極等の上に同じ大きさに形成しても、またこの電掻内に
小さい電極を所定のパターニングをしてクラスタ状に形
成してもよい。さらに選択的に形成しても、また電極を
含む全面に形成してもよい。
′ また半導体のクラスタまたは膜としてＳｔを主と
して示した。しかし５ｉｘＧｅｌ−ｘ（０≦Ｘ≦１）で
示されるいずれを用いてもよく、またこの中にリン、ホ
ウ素を添加しても、また水素またはハロゲン元素が添加
されていてもよい。
して示した。しかし５ｉｘＧｅｌ−ｘ（０≦Ｘ≦１）で
示されるいずれを用いてもよく、またこの中にリン、ホ
ウ素を添加しても、また水素またはハロゲン元素が添加
されていてもよい。
この液晶装置は単にディスプレイのみならずスピーカ、
プリンタまたはディスクメモリに対しても適用でき、ス
メクチック液晶の光学的異方性の適用可能な製品に適用
できる。
プリンタまたはディスクメモリに対しても適用でき、ス
メクチック液晶の光学的異方性の適用可能な製品に適用
できる。
本発明においてフローティング電極をくるむ第１および
第２の誘電体膜に窒化珪素膜を示した。
第２の誘電体膜に窒化珪素膜を示した。
しかしその一方または双方を酸化珪素膜、酸化アルミニ
ューム、酸化タンタル、リンガラス、ホウ珪酸ガラス等
も用い得る。さらにビニリデンフロライドを一部一ご用
いた有機誘電体薄膜をも用い得る。 。
ューム、酸化タンタル、リンガラス、ホウ珪酸ガラス等
も用い得る。さらにビニリデンフロライドを一部一ご用
いた有機誘電体薄膜をも用い得る。 。
第１図は本発明の液晶装置の縦断面図である。
第２図は本発明の等価回路図を示す。
第３図は本発明と従来例の特性の一例を示す。
第４図は本発明の他の実施例を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一対の基板の内側に設けられた一対の電極を有し、
該電極間には電界の向きでスイッチングが行われる液晶
が設けられた液晶装置において、前記一対の電極の一方
または双方上には誘電体膜でくるまれた半導体のクラス
タまたは膜よりなるフローティング電極が設けられたこ
とを特徴とする液晶装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、誘電体でくるまれ
た半導体のクラスタまたは膜は第１の誘電体膜、半導体
のクラスタまたは膜、第２の誘電体膜の積層構造を有し
、前記第１および第２の誘電体の一方は他方に比べてコ
ンダクタンスが大きい構成を有したことを特徴とする液
晶装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、半導体のフローテ
ィング電極は可視光の透過を３０％以上減衰させない平
均厚さを有するシリコンまたはゲルマニュームを主成分
として設けられたことを特徴とする液晶装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032365A JPH0644114B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 液晶装置 |
| EP87101984A EP0234429B1 (en) | 1986-02-17 | 1987-02-12 | Liquid crystal device with a charge strage structure |
| DE3751311T DE3751311T2 (de) | 1986-02-17 | 1987-02-12 | Flüssigkristallvorrichtung mit einer Ladungs-Speicherstruktur. |
| CN87105320A CN1026264C (zh) | 1986-02-17 | 1987-02-16 | 有电荷存储结构的液晶器件 |
| KR1019870001246A KR920000568B1 (ko) | 1986-02-17 | 1987-02-16 | 전하 저장 구조를 구비한 액정장치 |
| CN87100746A CN1010057B (zh) | 1986-02-17 | 1987-02-16 | 有电荷存储结构的液晶器件 |
| US07/015,787 US4836655A (en) | 1986-02-17 | 1987-02-17 | Ferroelectric liquid crystal device with a charge storage structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61032365A JPH0644114B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62189430A true JPS62189430A (ja) | 1987-08-19 |
| JPH0644114B2 JPH0644114B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=12356924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61032365A Expired - Lifetime JPH0644114B2 (ja) | 1986-02-17 | 1986-02-17 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644114B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121017A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4890751A (ja) * | 1972-03-06 | 1973-11-27 | ||
| JPS54155795A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electro-optical display unit |
-
1986
- 1986-02-17 JP JP61032365A patent/JPH0644114B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4890751A (ja) * | 1972-03-06 | 1973-11-27 | ||
| JPS54155795A (en) * | 1978-05-30 | 1979-12-08 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electro-optical display unit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121017A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-25 | Canon Inc | 強誘電性液晶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644114B2 (ja) | 1994-06-08 |
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