JPS62197721A - 色識別素子 - Google Patents

色識別素子

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Publication number
JPS62197721A
JPS62197721A JP3818586A JP3818586A JPS62197721A JP S62197721 A JPS62197721 A JP S62197721A JP 3818586 A JP3818586 A JP 3818586A JP 3818586 A JP3818586 A JP 3818586A JP S62197721 A JPS62197721 A JP S62197721A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
light receiving
zns
interference filter
spectral
Prior art date
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Pending
Application number
JP3818586A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikio Matsumoto
幹雄 松本
Masahiro Ebara
江原 正廣
Kensuke Funabiki
船引 健介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Tateisi Electronics Co
Priority to JP3818586A priority Critical patent/JPS62197721A/ja
Publication of JPS62197721A publication Critical patent/JPS62197721A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Filters (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 色識別素子の干渉フィルタは、Ag/MgF2/・′A
 g / M g F/ A g / M g F 2
の6層構造である。この発明は、最上層にある充填率約
0.7のMgF2を充填率かほぼlであるZnSに置き
かえることによって、大気中のH2Cの吸着を防ぎ、特
性劣化の防l[−を図った。
発明の背景 技術分野 この発明は、肢色識別物体の色を識別するために用いら
れる色識別素子に関する。
従来技術 色センサは通常、ステムと、このステム上に固定された
色識別素子と2色識別素子の受光面に光を入射させるた
めの受光用窓を有しかっステムに固定されたキャップと
を備えている。色識別素子は、一般に、半導体基板に形
成された1個もしくは1隻数個の受光素子と、これらの
受光素子の1−に形成され、入射光に対して異なる分光
透過特性を有する光学フィルタとから構成されている。
従来この色識別素子の光学フィルタは、金属膜と誘電体
膜とが交互に積層された多層膜で構成されており、金属
11々とじては可視領域で吸収のないAgが、誘電体と
しては所望の分光透過特性を設置汁できるよう低屈折率
のIvlg F 2が選ばれている。
多層膜中の最上層のPvl g F 2の主目的は、そ
の下にあるAg膜を保護するこ吉にある。ところが、〜
1 g F 2膜は摺1nて成膜させるき、充填率が0
.7程度の為、真空蒸着装置ηから取出すとすぐに空気
中の水分を吸着してしまう。それが原因で色センサへの
組立中に色識別素子の分光特性が安住してしまうという
問題点がある。
ここで充填率とは次のような概念をいう。一般に、真空
蒸着法等で成膜させた膜は、微視的にみると、柱(コラ
ム)状に結晶成長し、柱と柱の間には空隙かある。充填
率とは、全薄膜の体積からこの空隙を差引いて得られる
結晶の柱の体積の全薄膜の体積に対する割合をいう。し
たがって、充填率が1に近いほどその薄膜は緻密で、0
に近いほど粗いことになる。充填率は次式で表わされる
。
(充填率)−[(薄膜の全体積)−(空隙)〕/(薄膜
の全体積) −(結晶の柱の体積)/(薄j漠の全体積)基板温度を
200℃以上の高温にしてM g F 2を成膜させる
とその充填率は1に近づき、特性の変化を防ぐことがで
きる。しかしながら、高温にすると金属膜であるAgが
再配列を起こし、これによって干渉フィルタの分光特性
が変わってしまうという問題が生じる。
発明の概要 発明の目的 この発明は、Agの再配列を防ぐために常温で成膜させ
ることを前提とし、そうしてもlv1gF2が水分を吸
着することによる分光特性の変化を殆んど生じさせない
干渉フィルタをもつ色識別素子を提供することを目的と
する。
発明の構成と効果 この発明は、受光素子の受光面」−に1−渉フィルタが
設けられ、この干渉フィルタか金属膜と誘7L8゜体膜
が交互に積層された多層膜か゛らなるものにおいて、最
」一層の誘電体膜をZnSよりなる保護膜としたことを
特徴とする。
ZnSは常温で成膜しても充填率はほぼ1である。干渉
フィルタの最上層がこのZnSて譚われているので、真
空蒸着装置で干渉フィルタを115成し、その後、大気
中に取出しても下層のM g F 2等がH2Oをほと
んど吸着することはなく1分光特性の劣化等をきたさな
い。具体的にいうと、後述する実施例から明らかになる
ように1分光透過曲線のピーク・ハイドの減少3分光透
過曲線の半値111の増加、および(長波長側光電流)
/(最大透過波長における光電流)の増大が抑えられる
。
最上層のZnS以外は、従来通り金属膜(Ag)と低屈
折率誘電体膜(MgF2)の多層膜構造とできるため1
分光感度特性の設計は従来通り容易である。
この発明は、一基板]−に慢数の受光素子を設け、これ
らの受光素子上に相互に異なる分光特性をもつ干渉フィ
ルタを形成した色識別素子のみならず、−基板上に一個
の受光素子を設けこの受光素子上に特定波長の通過帯域
をもつ干渉フィルタを形成した単色用の素子にも適用可
能であるのはいうまでもない。
実施例の説明 第1図は色識別素子の(1■造を示している。n−3i
基1Pilにp  −3i領域2が形成され、これによ
ってSiフォトダイオード(受光素=F )が$74成
されている。この受光素子の光7u流は、基板1の一ド
面に設けられたAu電極8と、基板1の上面にS io
 2絶縁層3を介して形成されたAで電極4との間から
取出される。
受光素子の受光面上には干渉フィルタが形成されている
。この干渉フィルタは、半透明金属膜(Ag)5と低屈
折率誘電体膜(M g 、F 2 ) 8とが交互に積
層されてなる多層膜構造の−にに保護膜(ZnS)7が
設けられてなる。すなわち、干渉フィルタは、Siフォ
トダイオード側から順にAg−MgF2−Ag−MgF
2−Ag  ZnSの真空蒸着薄膜により(を成されて
いる。第1層のAg膜から第5層までのAg膜までは1
]標とする分光透過率が得られるよう設計され、最上層
のZnSは、光学的に第1層から第5層までの下層の分
光透過率に影響を与えないよう充分薄く、シかしながら
保護膜としての機能をはだすよう充分厚く設計されてい
る。具体的には2分光透過率か中心波長450r+m、
半値11155nI11の干渉フィルタに対して、Zn
S膜7は30nmの膜厚とした。ZnSは真空蒸着法に
よって常温で成膜したとき充填率が約1.0である物質
の代表的なものである。また光学的にも可視域で透明で
使いやすい物質である。
第2図は1色識別素子(フォトダイオード)から出力さ
れる光電流の分光特性を2種々の構造。
条件の下で比較したものである。簡略化のために、青に
強く感じる素子についてのみ示しである。
実線Aで示す特性は、この発明による(すなわち第1図
に示す構造をもつ)素子を常温実装したサンプルのもの
である。
破線Bで示す特性は、この発明による構造の素子を加温
実装したサンプルのものである。
鎖線Cで示す特性は、従来の構造(すなわち。
ZnS保護膜をイイしていないもの)の素子を加温実装
したサンプルのものである。
加温実装とは、いわゆる通常の実装のやり方であり、ス
テムにAgペーストを塗布し色識別素子チップを乗せて
焼付けるとともに、温度を 1. O0℃以上に上げ超
音波とこの加温によってワイヤ・ボンディングを行なう
。この実装方法は信頼性か高い。
これに対して常温実装とは、実装中に高温にしないで実
装するやり方であり、たとえば常’/MA硬化型の導電
性エポキシ樹脂を使用して色識別素子をステムに固定す
るとともに、超音波のみでワイヤ・ボンディングを行な
う。この方法は、樹脂硬化による接着のために2作業で
きる時間が短い、樹脂の硬化時間が長くかかる。抵触抵
抗が大きいというデメリットがあり、また超音波のみに
よるボンディングでは、ボンディング強度を上げるため
にパワーを大きくする必要があり、そうするとS i 
O2膜やSi中に欠陥を生じるおそれがあるというデメ
リットがある。
常温実装は色識別素子に悪影響を与えないために常温実
装によるサンプルAを基準とする。
従来の素子を加温実装すると1色識別素子が高温にさら
されるので、干渉フィルタのM g F 2に1吸着さ
れたH2Oと同じ干渉フィルタの昂を成要素であるAg
とが反応してAgが酸化し1曲線Cで示すように1分光
特性が劣化する。
これに対して、この発明による色識別素子では、ZnS
保護膜があるためにMgF2にほとんとH2Oが吸着さ
れず1曲線Bで示すように分光特性の劣化は少ない。
すなわち2分光透過曲線のピーク・ノーイトの加温実装
による減少は10%以下に抑えることが可能である。同
曲線の半値中の増加は596以下に抑えられる。さらに
、(長波長側光電流)/(最大透過波長における光電流
)もきわめて小さく2%以下となる。この(長波長側光
電流)/(最大透過波長における光電流)は、たとえば
波長GOOnmにおける光電流値を1 ピーク・ハイド
の光電流値で割った%であり、この値が小さいほど分光
感度がすぐれているといえる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の実施例を示すもので1色識別素子の
構造を表わす1tli面図である。 第2図は、この発明による色識別素子の分光特性を従来
例のものと比較して示すグラフである。 1・・・n型基板、     2・・・p領域。 5・・・半透明金属膜、   6・・・誘電体膜。 7・・・ZnS保護膜。 以  −L

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 受光素子の受光面上に干渉フィルタが設けられ、この干
    渉フィルタが金属膜と誘電体膜が交互に積層された多層
    膜からなるものにおいて、最上層の誘電体膜をZnSよ
    りなる保護膜としたことを特徴とする色識別素子。
JP3818586A 1986-02-25 1986-02-25 色識別素子 Pending JPS62197721A (ja)

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JP3818586A JPS62197721A (ja) 1986-02-25 1986-02-25 色識別素子

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ID=12518317

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8187964B2 (en) 2007-11-01 2012-05-29 Infineon Technologies Ag Integrated circuit device and method
JP2015513685A (ja) * 2012-01-17 2015-05-14 イーストマン コダック カンパニー ダイクロイック層及び吸収層を有する立体視用眼鏡

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6021001A (ja) * 1983-07-14 1985-02-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 多層コ−テイング膜
JPS60225803A (ja) * 1984-04-24 1985-11-11 Horiba Ltd ガス分析計用多層膜干渉フイルタ

Patent Citations (2)

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