JPS62197721A - 色識別素子 - Google Patents
色識別素子Info
- Publication number
- JPS62197721A JPS62197721A JP3818586A JP3818586A JPS62197721A JP S62197721 A JPS62197721 A JP S62197721A JP 3818586 A JP3818586 A JP 3818586A JP 3818586 A JP3818586 A JP 3818586A JP S62197721 A JPS62197721 A JP S62197721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light receiving
- zns
- interference filter
- spectral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の要約
色識別素子の干渉フィルタは、Ag/MgF2/・′A
g / M g F/ A g / M g F 2
の6層構造である。この発明は、最上層にある充填率約
0.7のMgF2を充填率かほぼlであるZnSに置き
かえることによって、大気中のH2Cの吸着を防ぎ、特
性劣化の防l[−を図った。
g / M g F/ A g / M g F 2
の6層構造である。この発明は、最上層にある充填率約
0.7のMgF2を充填率かほぼlであるZnSに置き
かえることによって、大気中のH2Cの吸着を防ぎ、特
性劣化の防l[−を図った。
発明の背景
技術分野
この発明は、肢色識別物体の色を識別するために用いら
れる色識別素子に関する。
れる色識別素子に関する。
従来技術
色センサは通常、ステムと、このステム上に固定された
色識別素子と2色識別素子の受光面に光を入射させるた
めの受光用窓を有しかっステムに固定されたキャップと
を備えている。色識別素子は、一般に、半導体基板に形
成された1個もしくは1隻数個の受光素子と、これらの
受光素子の1−に形成され、入射光に対して異なる分光
透過特性を有する光学フィルタとから構成されている。
色識別素子と2色識別素子の受光面に光を入射させるた
めの受光用窓を有しかっステムに固定されたキャップと
を備えている。色識別素子は、一般に、半導体基板に形
成された1個もしくは1隻数個の受光素子と、これらの
受光素子の1−に形成され、入射光に対して異なる分光
透過特性を有する光学フィルタとから構成されている。
従来この色識別素子の光学フィルタは、金属膜と誘電体
膜とが交互に積層された多層膜で構成されており、金属
11々とじては可視領域で吸収のないAgが、誘電体と
しては所望の分光透過特性を設置汁できるよう低屈折率
のIvlg F 2が選ばれている。
膜とが交互に積層された多層膜で構成されており、金属
11々とじては可視領域で吸収のないAgが、誘電体と
しては所望の分光透過特性を設置汁できるよう低屈折率
のIvlg F 2が選ばれている。
多層膜中の最上層のPvl g F 2の主目的は、そ
の下にあるAg膜を保護するこ吉にある。ところが、〜
1 g F 2膜は摺1nて成膜させるき、充填率が0
.7程度の為、真空蒸着装置ηから取出すとすぐに空気
中の水分を吸着してしまう。それが原因で色センサへの
組立中に色識別素子の分光特性が安住してしまうという
問題点がある。
の下にあるAg膜を保護するこ吉にある。ところが、〜
1 g F 2膜は摺1nて成膜させるき、充填率が0
.7程度の為、真空蒸着装置ηから取出すとすぐに空気
中の水分を吸着してしまう。それが原因で色センサへの
組立中に色識別素子の分光特性が安住してしまうという
問題点がある。
ここで充填率とは次のような概念をいう。一般に、真空
蒸着法等で成膜させた膜は、微視的にみると、柱(コラ
ム)状に結晶成長し、柱と柱の間には空隙かある。充填
率とは、全薄膜の体積からこの空隙を差引いて得られる
結晶の柱の体積の全薄膜の体積に対する割合をいう。し
たがって、充填率が1に近いほどその薄膜は緻密で、0
に近いほど粗いことになる。充填率は次式で表わされる
。
蒸着法等で成膜させた膜は、微視的にみると、柱(コラ
ム)状に結晶成長し、柱と柱の間には空隙かある。充填
率とは、全薄膜の体積からこの空隙を差引いて得られる
結晶の柱の体積の全薄膜の体積に対する割合をいう。し
たがって、充填率が1に近いほどその薄膜は緻密で、0
に近いほど粗いことになる。充填率は次式で表わされる
。
(充填率)−[(薄膜の全体積)−(空隙)〕/(薄膜
の全体積) −(結晶の柱の体積)/(薄j漠の全体積)基板温度を
200℃以上の高温にしてM g F 2を成膜させる
とその充填率は1に近づき、特性の変化を防ぐことがで
きる。しかしながら、高温にすると金属膜であるAgが
再配列を起こし、これによって干渉フィルタの分光特性
が変わってしまうという問題が生じる。
の全体積) −(結晶の柱の体積)/(薄j漠の全体積)基板温度を
200℃以上の高温にしてM g F 2を成膜させる
とその充填率は1に近づき、特性の変化を防ぐことがで
きる。しかしながら、高温にすると金属膜であるAgが
再配列を起こし、これによって干渉フィルタの分光特性
が変わってしまうという問題が生じる。
発明の概要
発明の目的
この発明は、Agの再配列を防ぐために常温で成膜させ
ることを前提とし、そうしてもlv1gF2が水分を吸
着することによる分光特性の変化を殆んど生じさせない
干渉フィルタをもつ色識別素子を提供することを目的と
する。
ることを前提とし、そうしてもlv1gF2が水分を吸
着することによる分光特性の変化を殆んど生じさせない
干渉フィルタをもつ色識別素子を提供することを目的と
する。
発明の構成と効果
この発明は、受光素子の受光面」−に1−渉フィルタが
設けられ、この干渉フィルタか金属膜と誘7L8゜体膜
が交互に積層された多層膜か゛らなるものにおいて、最
」一層の誘電体膜をZnSよりなる保護膜としたことを
特徴とする。
設けられ、この干渉フィルタか金属膜と誘7L8゜体膜
が交互に積層された多層膜か゛らなるものにおいて、最
」一層の誘電体膜をZnSよりなる保護膜としたことを
特徴とする。
ZnSは常温で成膜しても充填率はほぼ1である。干渉
フィルタの最上層がこのZnSて譚われているので、真
空蒸着装置で干渉フィルタを115成し、その後、大気
中に取出しても下層のM g F 2等がH2Oをほと
んど吸着することはなく1分光特性の劣化等をきたさな
い。具体的にいうと、後述する実施例から明らかになる
ように1分光透過曲線のピーク・ハイドの減少3分光透
過曲線の半値111の増加、および(長波長側光電流)
/(最大透過波長における光電流)の増大が抑えられる
。
フィルタの最上層がこのZnSて譚われているので、真
空蒸着装置で干渉フィルタを115成し、その後、大気
中に取出しても下層のM g F 2等がH2Oをほと
んど吸着することはなく1分光特性の劣化等をきたさな
い。具体的にいうと、後述する実施例から明らかになる
ように1分光透過曲線のピーク・ハイドの減少3分光透
過曲線の半値111の増加、および(長波長側光電流)
/(最大透過波長における光電流)の増大が抑えられる
。
最上層のZnS以外は、従来通り金属膜(Ag)と低屈
折率誘電体膜(MgF2)の多層膜構造とできるため1
分光感度特性の設計は従来通り容易である。
折率誘電体膜(MgF2)の多層膜構造とできるため1
分光感度特性の設計は従来通り容易である。
この発明は、一基板]−に慢数の受光素子を設け、これ
らの受光素子上に相互に異なる分光特性をもつ干渉フィ
ルタを形成した色識別素子のみならず、−基板上に一個
の受光素子を設けこの受光素子上に特定波長の通過帯域
をもつ干渉フィルタを形成した単色用の素子にも適用可
能であるのはいうまでもない。
らの受光素子上に相互に異なる分光特性をもつ干渉フィ
ルタを形成した色識別素子のみならず、−基板上に一個
の受光素子を設けこの受光素子上に特定波長の通過帯域
をもつ干渉フィルタを形成した単色用の素子にも適用可
能であるのはいうまでもない。
実施例の説明
第1図は色識別素子の(1■造を示している。n−3i
基1Pilにp −3i領域2が形成され、これによ
ってSiフォトダイオード(受光素=F )が$74成
されている。この受光素子の光7u流は、基板1の一ド
面に設けられたAu電極8と、基板1の上面にS io
2絶縁層3を介して形成されたAで電極4との間から
取出される。
基1Pilにp −3i領域2が形成され、これによ
ってSiフォトダイオード(受光素=F )が$74成
されている。この受光素子の光7u流は、基板1の一ド
面に設けられたAu電極8と、基板1の上面にS io
2絶縁層3を介して形成されたAで電極4との間から
取出される。
受光素子の受光面上には干渉フィルタが形成されている
。この干渉フィルタは、半透明金属膜(Ag)5と低屈
折率誘電体膜(M g 、F 2 ) 8とが交互に積
層されてなる多層膜構造の−にに保護膜(ZnS)7が
設けられてなる。すなわち、干渉フィルタは、Siフォ
トダイオード側から順にAg−MgF2−Ag−MgF
2−Ag ZnSの真空蒸着薄膜により(を成されて
いる。第1層のAg膜から第5層までのAg膜までは1
]標とする分光透過率が得られるよう設計され、最上層
のZnSは、光学的に第1層から第5層までの下層の分
光透過率に影響を与えないよう充分薄く、シかしながら
保護膜としての機能をはだすよう充分厚く設計されてい
る。具体的には2分光透過率か中心波長450r+m、
半値11155nI11の干渉フィルタに対して、Zn
S膜7は30nmの膜厚とした。ZnSは真空蒸着法に
よって常温で成膜したとき充填率が約1.0である物質
の代表的なものである。また光学的にも可視域で透明で
使いやすい物質である。
。この干渉フィルタは、半透明金属膜(Ag)5と低屈
折率誘電体膜(M g 、F 2 ) 8とが交互に積
層されてなる多層膜構造の−にに保護膜(ZnS)7が
設けられてなる。すなわち、干渉フィルタは、Siフォ
トダイオード側から順にAg−MgF2−Ag−MgF
2−Ag ZnSの真空蒸着薄膜により(を成されて
いる。第1層のAg膜から第5層までのAg膜までは1
]標とする分光透過率が得られるよう設計され、最上層
のZnSは、光学的に第1層から第5層までの下層の分
光透過率に影響を与えないよう充分薄く、シかしながら
保護膜としての機能をはだすよう充分厚く設計されてい
る。具体的には2分光透過率か中心波長450r+m、
半値11155nI11の干渉フィルタに対して、Zn
S膜7は30nmの膜厚とした。ZnSは真空蒸着法に
よって常温で成膜したとき充填率が約1.0である物質
の代表的なものである。また光学的にも可視域で透明で
使いやすい物質である。
第2図は1色識別素子(フォトダイオード)から出力さ
れる光電流の分光特性を2種々の構造。
れる光電流の分光特性を2種々の構造。
条件の下で比較したものである。簡略化のために、青に
強く感じる素子についてのみ示しである。
強く感じる素子についてのみ示しである。
実線Aで示す特性は、この発明による(すなわち第1図
に示す構造をもつ)素子を常温実装したサンプルのもの
である。
に示す構造をもつ)素子を常温実装したサンプルのもの
である。
破線Bで示す特性は、この発明による構造の素子を加温
実装したサンプルのものである。
実装したサンプルのものである。
鎖線Cで示す特性は、従来の構造(すなわち。
ZnS保護膜をイイしていないもの)の素子を加温実装
したサンプルのものである。
したサンプルのものである。
加温実装とは、いわゆる通常の実装のやり方であり、ス
テムにAgペーストを塗布し色識別素子チップを乗せて
焼付けるとともに、温度を 1. O0℃以上に上げ超
音波とこの加温によってワイヤ・ボンディングを行なう
。この実装方法は信頼性か高い。
テムにAgペーストを塗布し色識別素子チップを乗せて
焼付けるとともに、温度を 1. O0℃以上に上げ超
音波とこの加温によってワイヤ・ボンディングを行なう
。この実装方法は信頼性か高い。
これに対して常温実装とは、実装中に高温にしないで実
装するやり方であり、たとえば常’/MA硬化型の導電
性エポキシ樹脂を使用して色識別素子をステムに固定す
るとともに、超音波のみでワイヤ・ボンディングを行な
う。この方法は、樹脂硬化による接着のために2作業で
きる時間が短い、樹脂の硬化時間が長くかかる。抵触抵
抗が大きいというデメリットがあり、また超音波のみに
よるボンディングでは、ボンディング強度を上げるため
にパワーを大きくする必要があり、そうするとS i
O2膜やSi中に欠陥を生じるおそれがあるというデメ
リットがある。
装するやり方であり、たとえば常’/MA硬化型の導電
性エポキシ樹脂を使用して色識別素子をステムに固定す
るとともに、超音波のみでワイヤ・ボンディングを行な
う。この方法は、樹脂硬化による接着のために2作業で
きる時間が短い、樹脂の硬化時間が長くかかる。抵触抵
抗が大きいというデメリットがあり、また超音波のみに
よるボンディングでは、ボンディング強度を上げるため
にパワーを大きくする必要があり、そうするとS i
O2膜やSi中に欠陥を生じるおそれがあるというデメ
リットがある。
常温実装は色識別素子に悪影響を与えないために常温実
装によるサンプルAを基準とする。
装によるサンプルAを基準とする。
従来の素子を加温実装すると1色識別素子が高温にさら
されるので、干渉フィルタのM g F 2に1吸着さ
れたH2Oと同じ干渉フィルタの昂を成要素であるAg
とが反応してAgが酸化し1曲線Cで示すように1分光
特性が劣化する。
されるので、干渉フィルタのM g F 2に1吸着さ
れたH2Oと同じ干渉フィルタの昂を成要素であるAg
とが反応してAgが酸化し1曲線Cで示すように1分光
特性が劣化する。
これに対して、この発明による色識別素子では、ZnS
保護膜があるためにMgF2にほとんとH2Oが吸着さ
れず1曲線Bで示すように分光特性の劣化は少ない。
保護膜があるためにMgF2にほとんとH2Oが吸着さ
れず1曲線Bで示すように分光特性の劣化は少ない。
すなわち2分光透過曲線のピーク・ノーイトの加温実装
による減少は10%以下に抑えることが可能である。同
曲線の半値中の増加は596以下に抑えられる。さらに
、(長波長側光電流)/(最大透過波長における光電流
)もきわめて小さく2%以下となる。この(長波長側光
電流)/(最大透過波長における光電流)は、たとえば
波長GOOnmにおける光電流値を1 ピーク・ハイド
の光電流値で割った%であり、この値が小さいほど分光
感度がすぐれているといえる。
による減少は10%以下に抑えることが可能である。同
曲線の半値中の増加は596以下に抑えられる。さらに
、(長波長側光電流)/(最大透過波長における光電流
)もきわめて小さく2%以下となる。この(長波長側光
電流)/(最大透過波長における光電流)は、たとえば
波長GOOnmにおける光電流値を1 ピーク・ハイド
の光電流値で割った%であり、この値が小さいほど分光
感度がすぐれているといえる。
第1図はこの発明の実施例を示すもので1色識別素子の
構造を表わす1tli面図である。 第2図は、この発明による色識別素子の分光特性を従来
例のものと比較して示すグラフである。 1・・・n型基板、 2・・・p領域。 5・・・半透明金属膜、 6・・・誘電体膜。 7・・・ZnS保護膜。 以 −L
構造を表わす1tli面図である。 第2図は、この発明による色識別素子の分光特性を従来
例のものと比較して示すグラフである。 1・・・n型基板、 2・・・p領域。 5・・・半透明金属膜、 6・・・誘電体膜。 7・・・ZnS保護膜。 以 −L
Claims (1)
- 受光素子の受光面上に干渉フィルタが設けられ、この干
渉フィルタが金属膜と誘電体膜が交互に積層された多層
膜からなるものにおいて、最上層の誘電体膜をZnSよ
りなる保護膜としたことを特徴とする色識別素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3818586A JPS62197721A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 色識別素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3818586A JPS62197721A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 色識別素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62197721A true JPS62197721A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12518317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3818586A Pending JPS62197721A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 色識別素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62197721A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
| JP2015513685A (ja) * | 2012-01-17 | 2015-05-14 | イーストマン コダック カンパニー | ダイクロイック層及び吸収層を有する立体視用眼鏡 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021001A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多層コ−テイング膜 |
| JPS60225803A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-11 | Horiba Ltd | ガス分析計用多層膜干渉フイルタ |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP3818586A patent/JPS62197721A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021001A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 多層コ−テイング膜 |
| JPS60225803A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-11 | Horiba Ltd | ガス分析計用多層膜干渉フイルタ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
| JP2015513685A (ja) * | 2012-01-17 | 2015-05-14 | イーストマン コダック カンパニー | ダイクロイック層及び吸収層を有する立体視用眼鏡 |
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