JPS62197782A - 高計数率高分解能前置増幅器 - Google Patents
高計数率高分解能前置増幅器Info
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- JPS62197782A JPS62197782A JP3946486A JP3946486A JPS62197782A JP S62197782 A JPS62197782 A JP S62197782A JP 3946486 A JP3946486 A JP 3946486A JP 3946486 A JP3946486 A JP 3946486A JP S62197782 A JPS62197782 A JP S62197782A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は放射線検出器の前置増幅器として用いられる高
計数率高分解能前置増幅器に関し、更に詳しくは、デュ
アルゲートＦＥＴを用いてＦＥＴゲート電荷による不具
合に改善を施した高計数率高分解能前置増幅器に関する
。
計数率高分解能前置増幅器に関し、更に詳しくは、デュ
アルゲートＦＥＴを用いてＦＥＴゲート電荷による不具
合に改善を施した高計数率高分解能前置増幅器に関する
。
［従来の技術］
低エネルギーγ線やＸ線等の放射線の半導体検出器の前
置増ＩＩＡ器としてはＦＥＴ入力の電荷増幅器が一般的
である。ＦＥＴは入力抵抗が極めて高＜１００ＧΩにも
達する。従って放射線検出器の入力回路に使用したとき
ゲートに電荷が蓄積されるのでこの電荷を放電させる必
要がある。その方法は歴程か実用化されており、例を示
すと次の通りである。
置増ＩＩＡ器としてはＦＥＴ入力の電荷増幅器が一般的
である。ＦＥＴは入力抵抗が極めて高＜１００ＧΩにも
達する。従って放射線検出器の入力回路に使用したとき
ゲートに電荷が蓄積されるのでこの電荷を放電させる必
要がある。その方法は歴程か実用化されており、例を示
すと次の通りである。
（１） 抵抗帰還型 第３図（イ）に示す方式である。
１は放射線検出器、２はＦＥＴ、３はアンプ、４は帰還
容Ｍ（以下Ｃｆという）、５は帰還抵抗器Ｒｆである。
容Ｍ（以下Ｃｆという）、５は帰還抵抗器Ｒｆである。
放射線入力に対し放射線検出器１が電荷を故出し、ＦＥ
Ｔ２のゲートに入る。これによりドレイン−ソース間電
流ｉｄｓが変化し、その信号はアンプ３を経て出力■Ｏ
ｕｔを次段に送る。この回路では抵抗器５をＣｆ４に並
列に接続しであるので、ＦＥＴのグ−ト電荷を放電させ
ることは出来るが抵抗器５を接続することは雑音を生ず
る原因となる。抵抗値を高抵抗にすれば雑音は減少する
が、抵抗値が大きいとＣｆ ［の放電回路の時定数が大
きくなって速かな放電をしなくなるので計数率特性に限
度がある。逆に計数率特性を同じにした場合、後述する
光パルス帰遠方式と比較すると分解能は数１０ｅＶ悪い
。
Ｔ２のゲートに入る。これによりドレイン−ソース間電
流ｉｄｓが変化し、その信号はアンプ３を経て出力■Ｏ
ｕｔを次段に送る。この回路では抵抗器５をＣｆ４に並
列に接続しであるので、ＦＥＴのグ−ト電荷を放電させ
ることは出来るが抵抗器５を接続することは雑音を生ず
る原因となる。抵抗値を高抵抗にすれば雑音は減少する
が、抵抗値が大きいとＣｆ ［の放電回路の時定数が大
きくなって速かな放電をしなくなるので計数率特性に限
度がある。逆に計数率特性を同じにした場合、後述する
光パルス帰遠方式と比較すると分解能は数１０ｅＶ悪い
。
（２） 連続光帰還方式 第３図（ロ）に示す。
Ｖｏｕｔの直流レベルを増幅器６で検出し、Ｖｏｕｔに
比例した足の光をＬＥＤ７より発生させて、ＦＥＴ２に
照射し、ゲートに蓄積された電荷を放電させる。これは
光照射により常時リーク電流が流れるので雑音を生ずる
。そのため、この方式も光パルス帰還方式に比べ数１０
ｅＶ分解能が悪い。
比例した足の光をＬＥＤ７より発生させて、ＦＥＴ２に
照射し、ゲートに蓄積された電荷を放電させる。これは
光照射により常時リーク電流が流れるので雑音を生ずる
。そのため、この方式も光パルス帰還方式に比べ数１０
ｅＶ分解能が悪い。
上記の方法は何れも欠陥があるので考案されたのが、光
パルス帰還方式である。第４図（イ）に示す。図におい
て放射線検出器１にｘｍが入射するとＱ−（ＩＥ／ε（
ｃ）の電荷が生ずる〔ｑ：単位電荷、ε：電子正孔対を
作るのに必要なエネルギー、Ｅ：Ｘ線のエネルギー〕。
パルス帰還方式である。第４図（イ）に示す。図におい
て放射線検出器１にｘｍが入射するとＱ−（ＩＥ／ε（
ｃ）の電荷が生ずる〔ｑ：単位電荷、ε：電子正孔対を
作るのに必要なエネルギー、Ｅ：Ｘ線のエネルギー〕。
これがＦＥＴ２゜Ｃｆ４．アンプ３によって構成される
電荷型前室増幅器により出力ｙｏｕｔとなる。ｖｏｕｔ
は次の式％式％ （Ａｏは電圧増幅度、Ｃｔは入力浮遊容量９の静電容量
） ここでＣｆ ＞＞Ｃｔ ／Ａｏとなるよう△０及び（ｊ
を選択するのでＶｏｕｔ−Ｑ／Ｃｆとなる。この信号電
荷（Ｘ線入射による）及びリーク電流によってＦＥＴ２
のゲート電位が下るとＶｏｕｔはＸ線パルスの度に電位
が上って第２図（１）（イ）のような波形となりＶｏｕ
ｔは段々上昇する。このまま放置するとｖｏｕｔはつい
に電源電圧により制限され動作不能となるため、Ｖｏｕ
ｔが上部閾値■ｔＨに達したとき、ウィンドコンパレー
タ８が働いてＬＥＤ７を発光させ、ＦＥＴ２はＬＥＤ７
の光を受けてゲートに蓄積した電荷をソースに逃がす。
電荷型前室増幅器により出力ｙｏｕｔとなる。ｖｏｕｔ
は次の式％式％ （Ａｏは電圧増幅度、Ｃｔは入力浮遊容量９の静電容量
） ここでＣｆ ＞＞Ｃｔ ／Ａｏとなるよう△０及び（ｊ
を選択するのでＶｏｕｔ−Ｑ／Ｃｆとなる。この信号電
荷（Ｘ線入射による）及びリーク電流によってＦＥＴ２
のゲート電位が下るとＶｏｕｔはＸ線パルスの度に電位
が上って第２図（１）（イ）のような波形となりＶｏｕ
ｔは段々上昇する。このまま放置するとｖｏｕｔはつい
に電源電圧により制限され動作不能となるため、Ｖｏｕ
ｔが上部閾値■ｔＨに達したとき、ウィンドコンパレー
タ８が働いてＬＥＤ７を発光させ、ＦＥＴ２はＬＥＤ７
の光を受けてゲートに蓄積した電荷をソースに逃がす。
ゲートの電荷が減少すると急速にＶＯｕｔが下がる。ｖ
□＋ｄが下部閾値ＶｔＬに達したときウィンドコンパレ
ータ８はこれを検出してしＥ［）７の発光を停止し、再
び充電サイクルに入る。この方式はＬＥＤ７の光が入っ
ている時は雑音を生じるがその時は計測を止めればよい
。この方式の分解能は５．９Ｋｅ Ｖにおいて１４０〜
１５０ｅ■である。その他にドレインパルス帰還方式が
ある。
□＋ｄが下部閾値ＶｔＬに達したときウィンドコンパレ
ータ８はこれを検出してしＥ［）７の発光を停止し、再
び充電サイクルに入る。この方式はＬＥＤ７の光が入っ
ている時は雑音を生じるがその時は計測を止めればよい
。この方式の分解能は５．９Ｋｅ Ｖにおいて１４０〜
１５０ｅ■である。その他にドレインパルス帰還方式が
ある。
これは第４図（ロ）に示す通りで第３図、第４図（イ）
と同じ部分には同じ符号が付しである。２０はリレー、
２１は抵抗器である。ＦＥＴはドレイン電圧■ｄの上昇
によって急激にゲートリーク電流１ｇが増加するのでそ
の特性を利用したものである。即らＶｏｕｔの上界に伴
ってコンパレータ８が動作しリレー２０を働かせ抵抗器
２１を短絡する。そのためトレイン電圧は急上昇しｒｇ
が増加してゲート電荷を放電する。
と同じ部分には同じ符号が付しである。２０はリレー、
２１は抵抗器である。ＦＥＴはドレイン電圧■ｄの上昇
によって急激にゲートリーク電流１ｇが増加するのでそ
の特性を利用したものである。即らＶｏｕｔの上界に伴
ってコンパレータ８が動作しリレー２０を働かせ抵抗器
２１を短絡する。そのためトレイン電圧は急上昇しｒｇ
が増加してゲート電荷を放電する。
［発明が解決しようとする問題点］
前記の光パルス帰還方式においてＬＥＤ７の光がＦＥＴ
２を照射し、ＦＥＴゲートに蓄積された電荷を放電させ
るのに要する時間は数μｓｅｃであるのに対し、ゲート
電荷のｔｉ！ｉ電に伴う急激な電圧変化は、放（ト）線
計測系の増幅度が極めて大きいため、後段に大きな擾乱
を与え、それが定常状態に回復するまでに１００ｐＳｅ
Ｃ〜１１１１ＳｅＣの時間を要する。そこで、第２図（
１） （ハ）に示すような測定を禁止するための信号を
発生させ、誤信号の検出を防いでいる。この擾乱はＸ線
が弱いときは問題にならない。それは弱い入力に対して
はＶＯｕｔのベースラインの立上りが遅いため、ＬＥＤ
３が放電するに至る時間が良く、上記のデッドタイムが
計測時間に比し十分に短かくなるからである。併し電子
顕微鏡において強い電子ビームを照射して短かい時間で
所望のＸ線を放出させ作業時間を短かくする必要があり
、電子ビームを強くすると、Ｖｏｕｔ−Ｑ／ＣｆでＸ線
のエネルギーが大きくなるためＶＯｕｔのベースライン
の立上りは甲く、従って頻繁なリセットが必要となり、
擾乱時間の割合は相対的に非常に大きくなる。ドレイン
パルス帰還方式の場合も同様である。結局高計数率計測
の限界はこの長い系の擾乱が回復するまでのデッドタイ
ムによって決まる。
２を照射し、ＦＥＴゲートに蓄積された電荷を放電させ
るのに要する時間は数μｓｅｃであるのに対し、ゲート
電荷のｔｉ！ｉ電に伴う急激な電圧変化は、放（ト）線
計測系の増幅度が極めて大きいため、後段に大きな擾乱
を与え、それが定常状態に回復するまでに１００ｐＳｅ
Ｃ〜１１１１ＳｅＣの時間を要する。そこで、第２図（
１） （ハ）に示すような測定を禁止するための信号を
発生させ、誤信号の検出を防いでいる。この擾乱はＸ線
が弱いときは問題にならない。それは弱い入力に対して
はＶＯｕｔのベースラインの立上りが遅いため、ＬＥＤ
３が放電するに至る時間が良く、上記のデッドタイムが
計測時間に比し十分に短かくなるからである。併し電子
顕微鏡において強い電子ビームを照射して短かい時間で
所望のＸ線を放出させ作業時間を短かくする必要があり
、電子ビームを強くすると、Ｖｏｕｔ−Ｑ／ＣｆでＸ線
のエネルギーが大きくなるためＶＯｕｔのベースライン
の立上りは甲く、従って頻繁なリセットが必要となり、
擾乱時間の割合は相対的に非常に大きくなる。ドレイン
パルス帰還方式の場合も同様である。結局高計数率計測
の限界はこの長い系の擾乱が回復するまでのデッドタイ
ムによって決まる。
本発明は上記の問題点に罵みてなされたもので、その目
的は、ゲート電荷の放電回数を減少させて測定効率を上
昇させることである。
的は、ゲート電荷の放電回数を減少させて測定効率を上
昇させることである。
［問題点を解決するための手段］
前記の＠照点を解決するための本発明は、放射線の入射
による半導体放射線検出器の出力電荷をＦＥＴのゲート
に受けて出力電圧を次段に送る放射線検出回路にして、
コンパレータが設定された閾値により判断してリセット
回路を駆動し、前記ＦＥＴのゲート電荷を放電させる高
分解能前冒増幅器において、前記ＦＥＴをデュアルゲー
トＦＥＴとすると共に、前記増幅器出力のうち信号周波
数帯域より低い周波数成分を選択的に前記デュアルゲー
トＦＥＴの第２ゲートに負帰還させるための回路を備え
ることを特徴とするものである。
による半導体放射線検出器の出力電荷をＦＥＴのゲート
に受けて出力電圧を次段に送る放射線検出回路にして、
コンパレータが設定された閾値により判断してリセット
回路を駆動し、前記ＦＥＴのゲート電荷を放電させる高
分解能前冒増幅器において、前記ＦＥＴをデュアルゲー
トＦＥＴとすると共に、前記増幅器出力のうち信号周波
数帯域より低い周波数成分を選択的に前記デュアルゲー
トＦＥＴの第２ゲートに負帰還させるための回路を備え
ることを特徴とするものである。
［作用］
放射線入射による放射線検出器の出力電荷がデュアルゲ
ートＦＥＴの第１ゲートに加えられて生ずる出力電圧ｖ
ｏｕｔの低周波成分を抽出して前記ＦＥＴの第２ゲート
に負帰還を掛け、ｖｏｕｔのベースラインを安定化させ
る。
ートＦＥＴの第１ゲートに加えられて生ずる出力電圧ｖ
ｏｕｔの低周波成分を抽出して前記ＦＥＴの第２ゲート
に負帰還を掛け、ｖｏｕｔのベースラインを安定化させ
る。
［実施例コ
以下に本発明の実施例について説明する。第１図は本発
明の一実施例の回路図である。第３図ど同じ部分には同
じ符号を付しである。１０はデュアルゲートＦＥＴであ
る。ＦＥＴのゲー１へは模式的に第５図に示すように、
両者が＠続されているがこれを切離して異なった電圧を
掛けることが出来るようになっている。１１はローパス
フィルター （ＬＰＦ）で１２はアンプである。Ｘ線が
放射線検出器１に入ると電荷を放出しＦＥＴ１０の第１
ゲート１０ａに負電位を与える。帰還のない従来におい
ては、このためｉｄｓが減り第３図で説明したようにｙ
ｏｕｔの電位の上昇になる。本実施例においては、この
ｖ ｏｕｔの出力をＬＰＦｌｌを経てアンプ１２を通し
てＦＥＴｌ０の第２ゲート１ｏｂに印加する。ＬＰＦｌ
１を通しているため信号のパルス成分は阻止されて低
周波成分特に直流分がＦＥＴの第２ゲート１０ｂに加わ
る。第５図において（イ）はＸａ入射の無い時で、第１
．第２ゲート電圧を各々Ｖａｌ、 Ｖｇ２とすると、帰
還がない従来においては、Ｘ線が入射すると第５図（ロ
）のように第１ゲート１０ａの電圧がＶ（７１−△Ｖ（
１１となって空間電荷層の幅が大きくなり、チャンネル
幅が狭くなってｉｄｓが減少するが、本実施例の回路で
はＬＰＦｌｌを通して直流電圧の負帰還を掛けているた
め、第２ゲート１０ｂの電圧がｖｇ２＋八Ｖｇへとなっ
て空間電荷層の幅が小さくなり、図で明らかなようにチ
ャンネル幅はＸ線の入射のないときと同じになるように
帰還がかけられるため、ｉｄｓの低周波成分には変化は
ない。従ってＸ線が入射してもｖｏｕｔのベースライン
の変動が現われずｙｏｕｔの飽和は起らない。併しＦＥ
Ｔ１０の第１ゲート１０ａの負電荷の蓄積は進み、それ
に比例して第２ゲート１０ｂの電圧は上昇して閾値に達
するとコンパレータ８が動作して［ＥＤ７は発光し、Ｆ
ＥＴ１０の第１ゲート１０ａの電荷を１１ｉ電する。こ
の放電によって前述の擾乱は依然として生ずるが、その
回数は減少している。
明の一実施例の回路図である。第３図ど同じ部分には同
じ符号を付しである。１０はデュアルゲートＦＥＴであ
る。ＦＥＴのゲー１へは模式的に第５図に示すように、
両者が＠続されているがこれを切離して異なった電圧を
掛けることが出来るようになっている。１１はローパス
フィルター （ＬＰＦ）で１２はアンプである。Ｘ線が
放射線検出器１に入ると電荷を放出しＦＥＴ１０の第１
ゲート１０ａに負電位を与える。帰還のない従来におい
ては、このためｉｄｓが減り第３図で説明したようにｙ
ｏｕｔの電位の上昇になる。本実施例においては、この
ｖ ｏｕｔの出力をＬＰＦｌｌを経てアンプ１２を通し
てＦＥＴｌ０の第２ゲート１ｏｂに印加する。ＬＰＦｌ
１を通しているため信号のパルス成分は阻止されて低
周波成分特に直流分がＦＥＴの第２ゲート１０ｂに加わ
る。第５図において（イ）はＸａ入射の無い時で、第１
．第２ゲート電圧を各々Ｖａｌ、 Ｖｇ２とすると、帰
還がない従来においては、Ｘ線が入射すると第５図（ロ
）のように第１ゲート１０ａの電圧がＶ（７１−△Ｖ（
１１となって空間電荷層の幅が大きくなり、チャンネル
幅が狭くなってｉｄｓが減少するが、本実施例の回路で
はＬＰＦｌｌを通して直流電圧の負帰還を掛けているた
め、第２ゲート１０ｂの電圧がｖｇ２＋八Ｖｇへとなっ
て空間電荷層の幅が小さくなり、図で明らかなようにチ
ャンネル幅はＸ線の入射のないときと同じになるように
帰還がかけられるため、ｉｄｓの低周波成分には変化は
ない。従ってＸ線が入射してもｖｏｕｔのベースライン
の変動が現われずｙｏｕｔの飽和は起らない。併しＦＥ
Ｔ１０の第１ゲート１０ａの負電荷の蓄積は進み、それ
に比例して第２ゲート１０ｂの電圧は上昇して閾値に達
するとコンパレータ８が動作して［ＥＤ７は発光し、Ｆ
ＥＴ１０の第１ゲート１０ａの電荷を１１ｉ電する。こ
の放電によって前述の擾乱は依然として生ずるが、その
回数は減少している。
叩ら第４図の従来のパルス光帰還回路ではｖｏｕｔ ＝
Ｑ／ （Ｃｆ ＋Ｃｔ ／Ａｏ ）によって示されるよ
うに、ＡＯが充分大ぎくないとＣｔが無視できなくなり
、ＳＮ比の低下やリニアリティーの劣化となる。そのた
め、３ｍ常アンプの裸ゲインＡｏは１０５以上に設計さ
れる。しかしながら、このゲインが大きいため、ＦＥＴ
ゲート電位の微少変化に対して、ｙｏｕｔが大ぎく変化
する。これはアンプのダイナミックレンジが入力で制限
されるのでなく、出力即ちｙｏｕｔがアンプの電源電圧
によって制限されることを意味する。
Ｑ／ （Ｃｆ ＋Ｃｔ ／Ａｏ ）によって示されるよ
うに、ＡＯが充分大ぎくないとＣｔが無視できなくなり
、ＳＮ比の低下やリニアリティーの劣化となる。そのた
め、３ｍ常アンプの裸ゲインＡｏは１０５以上に設計さ
れる。しかしながら、このゲインが大きいため、ＦＥＴ
ゲート電位の微少変化に対して、ｙｏｕｔが大ぎく変化
する。これはアンプのダイナミックレンジが入力で制限
されるのでなく、出力即ちｙｏｕｔがアンプの電源電圧
によって制限されることを意味する。
従って、前述したように従来においては、出力が飽和す
る以前にコンパレータを働かせて、リセットを行ってい
た。
る以前にコンパレータを働かせて、リセットを行ってい
た。
今、増幅器の電圧ゲインＡｏを１０５とし、従来の増幅
器においては、上下の閾値の差を１ｖとすると、この時
ゲート電位の変化ΔＶりｓは１０″ＳＶでしかない。本
実施例において、抵抗１８の値を１０にΩ、＠点の電位
が２０Ｖと１６Ｖにコンパレータの同値を設定する。Ｆ
ＥＴ２の相互コンダクタンスｇｍを４［Ｊ 、ＦＥＴ
２のドレインソース間電圧Ｖｄｓを５Ｖとすると、ＦＥ
Ｔにおいては、ΔＶＯｓ −（１／ａｍ）Δｉｄｓ で表わされる。そこで、この実施例の場合ΔＶｇｓの値
は以下のようになる。
器においては、上下の閾値の差を１ｖとすると、この時
ゲート電位の変化ΔＶりｓは１０″ＳＶでしかない。本
実施例において、抵抗１８の値を１０にΩ、＠点の電位
が２０Ｖと１６Ｖにコンパレータの同値を設定する。Ｆ
ＥＴ２の相互コンダクタンスｇｍを４［Ｊ 、ＦＥＴ
２のドレインソース間電圧Ｖｄｓを５Ｖとすると、ＦＥ
Ｔにおいては、ΔＶＯｓ −（１／ａｍ）Δｉｄｓ で表わされる。そこで、この実施例の場合ΔＶｇｓの値
は以下のようになる。
ΔＶｏｓ−（１／ （４ｘｌ Ｏ°３））×［（（２０
−５）／１０４ ）− （（１６−５）／１０４ ）］ ＝０．１ （Ｖｏｌｔ ） 以上の結果より、同一信号が入力したとき、この実施例
の増幅器のリセット回数は従来のものに比して１万分の
１となる。
−５）／１０４ ）− （（１６−５）／１０４ ）］ ＝０．１ （Ｖｏｌｔ ） 以上の結果より、同一信号が入力したとき、この実施例
の増幅器のリセット回数は従来のものに比して１万分の
１となる。
このように、出力は一定レベルに安定化されるため、従
来ＶＯｕｔによって制限されていたものが、原理的には
ＦＥＴがカットオフとなるまで、使用可能となり、本発
明の増幅器においてはリセット回数を著しく減少できる
。
来ＶＯｕｔによって制限されていたものが、原理的には
ＦＥＴがカットオフとなるまで、使用可能となり、本発
明の増幅器においてはリセット回数を著しく減少できる
。
第２図に従来のパルス光帰還方式の回路と本発明の回路
の各部波形を比較する。第２図（１）は従来の方式の波
形で、（２）は本発明の波形である。ＶＯｕｔが（１）
では信号のステップ電圧に検出器よりのリーク電流に基
づく電圧が加わり、Ｖｏｕｔは鋸歯状となっている。そ
して、ｖｏｕｔが下部同値ＶｔＨに達するとコンパレー
タ８をオンにして下部同値までベースラインを下降させ
る。一方、（２）では信号によるステップパルスは帰還
回路の時定数による減衰波形となるが、ベースラインは
略一定に保たれる。又、コンパレータ出力は（１）では
ＦＥＴのゲート電荷の蓄積が少ないためその出力波形の
幅は狭いが、本発明のものではゲート電荷の蓄積が大き
いためそのパルス幅が広い。併しこれは擾乱時間に比べ
て問題にはならず、放電回数が少ないので測定禁止時間
の全測定時間に占める割合が小さくなるため、測定効率
を向上できる。
の各部波形を比較する。第２図（１）は従来の方式の波
形で、（２）は本発明の波形である。ＶＯｕｔが（１）
では信号のステップ電圧に検出器よりのリーク電流に基
づく電圧が加わり、Ｖｏｕｔは鋸歯状となっている。そ
して、ｖｏｕｔが下部同値ＶｔＨに達するとコンパレー
タ８をオンにして下部同値までベースラインを下降させ
る。一方、（２）では信号によるステップパルスは帰還
回路の時定数による減衰波形となるが、ベースラインは
略一定に保たれる。又、コンパレータ出力は（１）では
ＦＥＴのゲート電荷の蓄積が少ないためその出力波形の
幅は狭いが、本発明のものではゲート電荷の蓄積が大き
いためそのパルス幅が広い。併しこれは擾乱時間に比べ
て問題にはならず、放電回数が少ないので測定禁止時間
の全測定時間に占める割合が小さくなるため、測定効率
を向上できる。
ここには光パルス帰還方式を例として挙げたがリセット
方式には特に関係はなくドレインパルス帰還方式でも差
支えない。又負帰還の回路要素はＬＰＦに限らず、ＤＣ
サーボ等の能動回路を用いてもよく、同様の効果をもた
らすものであればこの例に限るものではない。
方式には特に関係はなくドレインパルス帰還方式でも差
支えない。又負帰還の回路要素はＬＰＦに限らず、ＤＣ
サーボ等の能動回路を用いてもよく、同様の効果をもた
らすものであればこの例に限るものではない。
［発明の効果］
前述のように本発明によれば、従来の最も分解能が良い
とされているパルス光帰還方式に比し、光照射によるゲ
ート電荷放電の回数が非常に減ったため、擾乱による計
測中止の回数が減って計測効率が著しく上昇した。
とされているパルス光帰還方式に比し、光照射によるゲ
ート電荷放電の回数が非常に減ったため、擾乱による計
測中止の回数が減って計測効率が著しく上昇した。
第１図は本発明の実施例の回路図、第２図は従来の回路
の各部波形と本発明の実施例の各部波形図、第３図は従
来の回路図で、（イ）は抵抗帰還型、（ロ）は連続光帰
還方式、第４図（イ）は従来の光パルス帰還方式、（ロ
）はドレインパルス帰還方式の回路図、第５図はＦＥＴ
の模式図である。 １・・・放射線検出器 ２・・・ＦＥＴ３・・・アン
プ ４・・・帰還容は５・・・抵抗器
６・・・アンプ７・・・ＬＥＤ ８・・・
コンパレータ９・・・入力浮遊容徂 １０・・・デュアルゲートＦＥＴ １１・・・ＬＰＦ １２・・・アンプ特許出願
人 日本電子株式会社 代 理 人 弁理士 井島藤冶 外１名 第 １ 図 １；放射論検出器 ３］２；アンプ ７；ＬＥＤ ８１コンパレータ １０；ＦＥＴ 角等２ 図 （１）従来のパルスＢ遣方式 （ロ）コンパレータ出力 −目−ＩＬ−ロー（
２）本発明のパルス帰還方式 ％式％ 第 （イ） ｌ。 ４図 （ロ） ］；放刺總検出器 １ＦＥＴ ３Ｉアンプ ４ｉＳＩｌ還容量 １ＬＥＤ ８−コンパレータ ９；入カニ判止き！ に；リレー ２］；抵抗器 第１ （す ５ 図 （ロ） ］Ｏ；デュアルゲートＦＥＴ １０ａｒ第１ゲート １０ｂｉ第２ゲート
の各部波形と本発明の実施例の各部波形図、第３図は従
来の回路図で、（イ）は抵抗帰還型、（ロ）は連続光帰
還方式、第４図（イ）は従来の光パルス帰還方式、（ロ
）はドレインパルス帰還方式の回路図、第５図はＦＥＴ
の模式図である。 １・・・放射線検出器 ２・・・ＦＥＴ３・・・アン
プ ４・・・帰還容は５・・・抵抗器
６・・・アンプ７・・・ＬＥＤ ８・・・
コンパレータ９・・・入力浮遊容徂 １０・・・デュアルゲートＦＥＴ １１・・・ＬＰＦ １２・・・アンプ特許出願
人 日本電子株式会社 代 理 人 弁理士 井島藤冶 外１名 第 １ 図 １；放射論検出器 ３］２；アンプ ７；ＬＥＤ ８１コンパレータ １０；ＦＥＴ 角等２ 図 （１）従来のパルスＢ遣方式 （ロ）コンパレータ出力 −目−ＩＬ−ロー（
２）本発明のパルス帰還方式 ％式％ 第 （イ） ｌ。 ４図 （ロ） ］；放刺總検出器 １ＦＥＴ ３Ｉアンプ ４ｉＳＩｌ還容量 １ＬＥＤ ８−コンパレータ ９；入カニ判止き！ に；リレー ２］；抵抗器 第１ （す ５ 図 （ロ） ］Ｏ；デュアルゲートＦＥＴ １０ａｒ第１ゲート １０ｂｉ第２ゲート
Claims (1)
- 放射線の入射による半導体放射線検出器の出力電荷をＦ
ＥＴのゲートに受けて出力電圧を次段に送る放射線検出
回路にして、コンパレータが設定された閾値により判断
してリセット回路を駆動し、前記ＦＥＴのゲート電荷を
放電させる高分解能前置増幅器において、前記ＦＥＴを
デュアルゲートＦＥＴとすると共に、前記増幅器出力の
うち信号周波数帯域より低い周波数成分を選択的に前記
デュアルゲートＦＥＴの第２ゲートに負帰還させるため
の回路を備えることを特徴とする高計数率高分解能前置
増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3946486A JPS62197782A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 高計数率高分解能前置増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3946486A JPS62197782A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 高計数率高分解能前置増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62197782A true JPS62197782A (ja) | 1987-09-01 |
| JPH0575275B2 JPH0575275B2 (ja) | 1993-10-20 |
Family
ID=12553771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3946486A Granted JPS62197782A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 高計数率高分解能前置増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62197782A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10221458A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-21 | Jeol Ltd | Ａｄ変換回路 |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP3946486A patent/JPS62197782A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10221458A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-21 | Jeol Ltd | Ａｄ変換回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0575275B2 (ja) | 1993-10-20 |
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