JPS62200541A - 情報記録再生装置 - Google Patents
情報記録再生装置Info
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- JPS62200541A JPS62200541A JP61040710A JP4071086A JPS62200541A JP S62200541 A JPS62200541 A JP S62200541A JP 61040710 A JP61040710 A JP 61040710A JP 4071086 A JP4071086 A JP 4071086A JP S62200541 A JPS62200541 A JP S62200541A
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- recording
- laser beam
- laser
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえば追加記録可能なコンパクトディスク
やビデオディスク、消去可能なコンピューターアウトプ
ットメモリ、あるいはレーザーカード等の情報記tg媒
体に対し集束光を用いて少なくとも情報の記録再生を行
なう情報記録再生装置に適用される発光量制御装置に関
する。
やビデオディスク、消去可能なコンピューターアウトプ
ットメモリ、あるいはレーザーカード等の情報記tg媒
体に対し集束光を用いて少なくとも情報の記録再生を行
なう情報記録再生装置に適用される発光量制御装置に関
する。
このflの情報記録再生装置としては、従来、情報記憶
媒体上に同時に2個以上の集光スポットを照射する光学
ヘッドを備えたものがある。
媒体上に同時に2個以上の集光スポットを照射する光学
ヘッドを備えたものがある。
すなわち、情報記憶媒体上のトラックに沿って記録用レ
ーザー光および再生用レーザー光を並べて集光させ、先
行する記録用レーザー光で記録した記録内容をこれに後
行する再生用レーザー光で読取り、その記録状況(エラ
ーレイト等)をチェックする機能を持つ光学ヘッドや、
情報記ms体上の1〜ラツクに沿って楕円形状の消去用
レーザー光と略円形状の記録/再生用レーザー光とを並
べて集光させ、予め記録されている情報を先行する消去
用レーザー光で消去しながら記録/′再再生用レーザ先
光再記録を行なったり、あるいはトラック上に記録/′
再再生用レーザ先光集光させ、予め記録されている情報
を記録/再生用レーザー光で再生する機能を持つ光学ヘ
ッド等を備えた情報記録再生装置が知られている。
ーザー光および再生用レーザー光を並べて集光させ、先
行する記録用レーザー光で記録した記録内容をこれに後
行する再生用レーザー光で読取り、その記録状況(エラ
ーレイト等)をチェックする機能を持つ光学ヘッドや、
情報記ms体上の1〜ラツクに沿って楕円形状の消去用
レーザー光と略円形状の記録/再生用レーザー光とを並
べて集光させ、予め記録されている情報を先行する消去
用レーザー光で消去しながら記録/′再再生用レーザ先
光再記録を行なったり、あるいはトラック上に記録/′
再再生用レーザ先光集光させ、予め記録されている情報
を記録/再生用レーザー光で再生する機能を持つ光学ヘ
ッド等を備えた情報記録再生装置が知られている。
ここで、後者の一例を説明する。第11図において、a
は記録/再生用半導体レーザーであり°、この記録/′
′生用半導体レーザーaから発せられた記録/再生用レ
ーザー光Laは、コリメートレンズb、ダイクロイック
ミラーC,偏光ビームスプリッタd、1/4波長板01
対物レンズfを順次通過して情報記憶媒体Qのトラッキ
ングガイド(トラック)上に集光される。この情報記憶
媒体9のトラッキングガイドから反射した記録/′再再
生用レーザ先光aは再び対物レンズfおよび1./4波
長板eを通過して偏光ビームスプリッタdに戻され、こ
の偏光ビームスプリッタdで反射される。この反射され
た記録/再生用レーザー光1−aはダイクロイックミラ
ーh、球面レンズiおよびシリンドリカルレンズjを順
次通過して光検出器に上に照射され、これにより情報の
読取りの他、非点収差法によるトラックずれ検出および
焦点ぼけ検出が行われる。また、2は消去用半導体レー
ザーであり、この消去用半導体レーザー2から発せられ
た消去用レーザー光Lbはダイクロイックミラーhに導
かれ、このダイクロイックミラーhで反射されろことに
より記録/再生用レーザー光laと合成され、略同−の
光路を進むことになるが、この消去用レーザー光Lbが
光検出器kに照射されると焦点ぼけ検出やトラックずれ
検出等に悪影響を与えるため、この消去用レーザー光L
bは光検出器kに到達する前でダイクロイックミラーh
により記録/再生用レーザー光Laから分離されるよう
になっている。
は記録/再生用半導体レーザーであり°、この記録/′
′生用半導体レーザーaから発せられた記録/再生用レ
ーザー光Laは、コリメートレンズb、ダイクロイック
ミラーC,偏光ビームスプリッタd、1/4波長板01
対物レンズfを順次通過して情報記憶媒体Qのトラッキ
ングガイド(トラック)上に集光される。この情報記憶
媒体9のトラッキングガイドから反射した記録/′再再
生用レーザ先光aは再び対物レンズfおよび1./4波
長板eを通過して偏光ビームスプリッタdに戻され、こ
の偏光ビームスプリッタdで反射される。この反射され
た記録/再生用レーザー光1−aはダイクロイックミラ
ーh、球面レンズiおよびシリンドリカルレンズjを順
次通過して光検出器に上に照射され、これにより情報の
読取りの他、非点収差法によるトラックずれ検出および
焦点ぼけ検出が行われる。また、2は消去用半導体レー
ザーであり、この消去用半導体レーザー2から発せられ
た消去用レーザー光Lbはダイクロイックミラーhに導
かれ、このダイクロイックミラーhで反射されろことに
より記録/再生用レーザー光laと合成され、略同−の
光路を進むことになるが、この消去用レーザー光Lbが
光検出器kに照射されると焦点ぼけ検出やトラックずれ
検出等に悪影響を与えるため、この消去用レーザー光L
bは光検出器kに到達する前でダイクロイックミラーh
により記録/再生用レーザー光Laから分離されるよう
になっている。
しかしながら、前記光学ヘッドの構成では、記録/再生
用レーザー光1aに対し消去用レーザー光しbを合成し
たり分離したりするためのダイクロイックミラーc、h
を必要とするので、光学ヘッドが複雑な構造となり、大
型重量化かつ高コスト化するばかりか、ダイクロイック
ミラーC11)によりレーザー光1a、lbの合成・分
離を行なうには同一波長のレーザー光をWl数本用いる
ことができない。しかも、光学ヘッドが電くなることよ
り、アクセス時間が長くなるという問題がある。
用レーザー光1aに対し消去用レーザー光しbを合成し
たり分離したりするためのダイクロイックミラーc、h
を必要とするので、光学ヘッドが複雑な構造となり、大
型重量化かつ高コスト化するばかりか、ダイクロイック
ミラーC11)によりレーザー光1a、lbの合成・分
離を行なうには同一波長のレーザー光をWl数本用いる
ことができない。しかも、光学ヘッドが電くなることよ
り、アクセス時間が長くなるという問題がある。
なお、記録/再生用レーザー光1aから消去用レーザー
光Lbを分離する方法として遮光板等を用いた光学ヘッ
ドもあるが、この場合、光学ヘッドが複雑化する他に光
学ヘッドの組立て調整時に光軸調整が難しくなるという
問題がある。
光Lbを分離する方法として遮光板等を用いた光学ヘッ
ドもあるが、この場合、光学ヘッドが複雑化する他に光
学ヘッドの組立て調整時に光軸調整が難しくなるという
問題がある。
そこで、最近、半導体レーザーアレイを用い、その11
11ilのチップから複数のレーザー光を発光させるよ
うにしたものが開発されている。
11ilのチップから複数のレーザー光を発光させるよ
うにしたものが開発されている。
前記半導体レーザーアレイでは温度による特性変化等に
より各発光点の発光量が変化するという問題がある。
より各発光点の発光量が変化するという問題がある。
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、光源アレイの各発光源の発光量を温
度による特性変化等に拘らず安定させることができるよ
うにした発光量制御装置を提供することにある。
的とするところは、光源アレイの各発光源の発光量を温
度による特性変化等に拘らず安定させることができるよ
うにした発光量制御装置を提供することにある。
[発明の構成]
〔問題点を解決するための手段〕
よ
本発明は、上記間11決するために、複数の発光源を有
する光源アレイと、この光源アレイの各発光源から発光
した光の一部を独立的に検出する光検出手段と、この光
検出手段の検出結果にもとづいて各発光源の発光量を独
立的に制御する先山制御回路とを具備したことを特徴と
するものである。
する光源アレイと、この光源アレイの各発光源から発光
した光の一部を独立的に検出する光検出手段と、この光
検出手段の検出結果にもとづいて各発光源の発光量を独
立的に制御する先山制御回路とを具備したことを特徴と
するものである。
光源アレイの各発光源から発光した光の一部を独立的に
検出し、その検出結果にもとづいて各発光源の発光値を
独立的に制御する。
検出し、その検出結果にもとづいて各発光源の発光値を
独立的に制御する。
以下、本発明の第1の実施例を第1図〜第7図を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
第3図は本発明に係る発光d制御11Wt置を適用した
情報記録再生装置を示すもので、この図中1はディスク
状の情報記憶媒体であり、これは駆動シャフト2により
回転駆動されるターンテーブル3上にti!され、上側
から押え部材4により押えられている。
情報記録再生装置を示すもので、この図中1はディスク
状の情報記憶媒体であり、これは駆動シャフト2により
回転駆動されるターンテーブル3上にti!され、上側
から押え部材4により押えられている。
この情報記憶媒体1は少なくとも片面にレーザー光等に
より情報の記録、再生、消去が可能である記録層をAl
lだ記録領域を有している。この記録領域にはプリグル
ープによるトラッキングガイド(トラック)がスパイラ
ル状あるいは同心円状に形成されている。
より情報の記録、再生、消去が可能である記録層をAl
lだ記録領域を有している。この記録領域にはプリグル
ープによるトラッキングガイド(トラック)がスパイラ
ル状あるいは同心円状に形成されている。
この情報記憶媒体1の下方には光学ヘッド5が設けられ
、これは固定部6に情報記憶媒体1の径方向に沿ってス
ライド自在に設けられたスライド部7に取付けられてい
る。
、これは固定部6に情報記憶媒体1の径方向に沿ってス
ライド自在に設けられたスライド部7に取付けられてい
る。
そして、情報の記録、再生、消去の開始時のアクセスは
メインCPtJ8が光学l\ラッドの移動用プログラム
、を作り、D/Aコンバーター9を介して光学ヘッド移
動用駆動回路10を作動させ光学ヘッド5全体を動かす
ようになっている。
メインCPtJ8が光学l\ラッドの移動用プログラム
、を作り、D/Aコンバーター9を介して光学ヘッド移
動用駆動回路10を作動させ光学ヘッド5全体を動かす
ようになっている。
また、アクセス時は情報記憶媒体1に設けられたトラッ
キングガイドの数が計数され、これにより光学ヘッド5
の現在の位置が6110されるようになっている。すな
わち、トラックずれ検出回路11の出力信号が2Ilf
I化回路12により2値化され、光学ヘッド5がトラッ
キングガイドを1本横切ると2値化回路12から1パル
スが発生するようになっており、このパルス数がトラッ
ク数計数用カウンター13でカウントされるようになっ
ている。
キングガイドの数が計数され、これにより光学ヘッド5
の現在の位置が6110されるようになっている。すな
わち、トラックずれ検出回路11の出力信号が2Ilf
I化回路12により2値化され、光学ヘッド5がトラッ
キングガイドを1本横切ると2値化回路12から1パル
スが発生するようになっており、このパルス数がトラッ
ク数計数用カウンター13でカウントされるようになっ
ている。
さらに、アクセス終了後にはトラックずれ補正が開始さ
れる。すなわち、光学ヘッド5内の後述する光検出器1
4から得られる光電信号がそれぞれプリアンプアレイ1
5で増幅され、演算回路16を介して1〜ラツクずれ検
出回路11に供給され、これによりトラックずれ検出信
号が得られる。
れる。すなわち、光学ヘッド5内の後述する光検出器1
4から得られる光電信号がそれぞれプリアンプアレイ1
5で増幅され、演算回路16を介して1〜ラツクずれ検
出回路11に供給され、これによりトラックずれ検出信
号が得られる。
そして、その信号がアナログスイッチ17が作動してい
る場合には光学ヘッド移動用駆動回路10に供給され、
これにより光学ヘッド5全体が移動されてトラックずれ
補正が行われるようになっている。
る場合には光学ヘッド移動用駆動回路10に供給され、
これにより光学ヘッド5全体が移動されてトラックずれ
補正が行われるようになっている。
上記光学へラド5内には対物レンズ18が設けられ、こ
の対18!lレンズ18は光学ヘッド5内において上下
方向(対物レンズ18の軸方向)すなわち情報記憶媒体
1に対して接離する一軸方向のみ移動可能となっている
。そして、焦点ぼけ検出回路19の信号に応じて対物レ
ンズ駆動回路20より移動されるようになっている。ま
た、焦点ぼけサーボループが閉じられる直前にはアナロ
グスイッチ21が切換えられ、これにより対物レンズ自
動引込み回路22が作動し、対物レンズ18が初期位置
に移動されるようになっている。
の対18!lレンズ18は光学ヘッド5内において上下
方向(対物レンズ18の軸方向)すなわち情報記憶媒体
1に対して接離する一軸方向のみ移動可能となっている
。そして、焦点ぼけ検出回路19の信号に応じて対物レ
ンズ駆動回路20より移動されるようになっている。ま
た、焦点ぼけサーボループが閉じられる直前にはアナロ
グスイッチ21が切換えられ、これにより対物レンズ自
動引込み回路22が作動し、対物レンズ18が初期位置
に移動されるようになっている。
なお、図中、23は情報記憶媒体1に記録される情報に
応じた記録用信号を発生させる記録用信号処理回路、2
4は記録用信号処理回路23の信号に応じた発光光重を
増幅する記録用光発生回路、25は所定の消去光を発生
する消去光発生回路、26は所定の再生用光を発生する
再生用光発生回路、27はアナログスイッチ、28はレ
ーザー光駆動回路、29は情報信号読取り回路、30は
21!!化回路、31は情報信号の変調、復調及びエラ
ー訂正等を行なう再生信号処理回路、32はインターフ
ェース回路である。
応じた記録用信号を発生させる記録用信号処理回路、2
4は記録用信号処理回路23の信号に応じた発光光重を
増幅する記録用光発生回路、25は所定の消去光を発生
する消去光発生回路、26は所定の再生用光を発生する
再生用光発生回路、27はアナログスイッチ、28はレ
ーザー光駆動回路、29は情報信号読取り回路、30は
21!!化回路、31は情報信号の変調、復調及びエラ
ー訂正等を行なう再生信号処理回路、32はインターフ
ェース回路である。
第4図は光学ヘッド5の可動構造を示すものであり、こ
の図中41は可vJ機構部である。そして、この可動機
構部41は、永久磁石42.42およびヨーク43・・
・により対物レンズ駆動用磁気回路と光学ヘッド駆動用
磁気回路とを共用する磁気回路46を構成した固定部6
と、ヘッド支持体48、光学ヘッド駆動用コイル49、
対物レンズ18、対物レンズ支持用ばね50、対物レン
ズ固定部材51、および対物レンズ駆動用コイル52よ
りなり、アクセス・トラックずれ補正時に一体となって
スライド動作する上記スライド部7と、対物レンズ18
、対物レンズ固定部材51、および対物レンズ駆動用コ
イル52からなり、焦点ぼけ補正時に一体となって光学
ヘッド駆動用コイル4つに対して上下方向に移動する可
動部54とで構成されている。
の図中41は可vJ機構部である。そして、この可動機
構部41は、永久磁石42.42およびヨーク43・・
・により対物レンズ駆動用磁気回路と光学ヘッド駆動用
磁気回路とを共用する磁気回路46を構成した固定部6
と、ヘッド支持体48、光学ヘッド駆動用コイル49、
対物レンズ18、対物レンズ支持用ばね50、対物レン
ズ固定部材51、および対物レンズ駆動用コイル52よ
りなり、アクセス・トラックずれ補正時に一体となって
スライド動作する上記スライド部7と、対物レンズ18
、対物レンズ固定部材51、および対物レンズ駆動用コ
イル52からなり、焦点ぼけ補正時に一体となって光学
ヘッド駆動用コイル4つに対して上下方向に移動する可
動部54とで構成されている。
すなわち、上記スライド部7にはヘッド支持体48が設
けられ、このノ\ツド支持体48には上記対物レンズ1
8を除く光学系が一体化され1つにまとめられて支持さ
れている。また、このヘッド支持体48上には上記対物
レンズ18が移動可能に取付けられている。さらに、対
物レンズ18の上方には情報記憶媒体1が配置され、ヘ
ッド支持体48の穴55から導出されたレーザー光りが
対物レンズ18で絞られて情報記憶媒体1上に照射され
、また情報記憶媒体1で反射したレーザー光1a、lb
は再び対物レンズ18を通過し、穴55からヘッド支持
体48内に入るようになっている。対物レンズ18はヘ
ッド支持体48に対し上下方向(Z方向)に移動可能で
、情報記憶媒体1の反り、面ぶれ等によって生じる焦点
ぼけを補正することができるようになっている。
けられ、このノ\ツド支持体48には上記対物レンズ1
8を除く光学系が一体化され1つにまとめられて支持さ
れている。また、このヘッド支持体48上には上記対物
レンズ18が移動可能に取付けられている。さらに、対
物レンズ18の上方には情報記憶媒体1が配置され、ヘ
ッド支持体48の穴55から導出されたレーザー光りが
対物レンズ18で絞られて情報記憶媒体1上に照射され
、また情報記憶媒体1で反射したレーザー光1a、lb
は再び対物レンズ18を通過し、穴55からヘッド支持
体48内に入るようになっている。対物レンズ18はヘ
ッド支持体48に対し上下方向(Z方向)に移動可能で
、情報記憶媒体1の反り、面ぶれ等によって生じる焦点
ぼけを補正することができるようになっている。
また、ヘッド支持体48は対物レンズ18とともに横方
向(×方向)に移動可能となっており、情報記憶媒体1
の記録φ域の範囲内で移動してアクセスを行なうように
なっている。
向(×方向)に移動可能となっており、情報記憶媒体1
の記録φ域の範囲内で移動してアクセスを行なうように
なっている。
さらに、情報記憶媒体1の隔心等により生じるトラック
ずれに関しては後述するようにヘッド支持体48および
対物レンズ18を共に動かしてトラックずれ補正を行な
うようになっている。すなわち、光学ヘッド5全体を動
かしてトラックずれ補正を行なっている。なお、このト
ラックずれ補正には高帯域な応答特性が必要となるが、
磁界の強さと光学ヘッド駆動用コイル49の巻数による
駆動力の増強と可a部分のaf!Aの軽減によりこれ°
が可能となる。
ずれに関しては後述するようにヘッド支持体48および
対物レンズ18を共に動かしてトラックずれ補正を行な
うようになっている。すなわち、光学ヘッド5全体を動
かしてトラックずれ補正を行なっている。なお、このト
ラックずれ補正には高帯域な応答特性が必要となるが、
磁界の強さと光学ヘッド駆動用コイル49の巻数による
駆動力の増強と可a部分のaf!Aの軽減によりこれ°
が可能となる。
また、Z方向の焦点ぼけ補正と×方向のアクセス・トラ
ックずれ補正を同一の磁気回路46で行なうことから、
有効磁界を発生するギャップ領域56内での磁界の方向
はY方向を向いている。
ックずれ補正を同一の磁気回路46で行なうことから、
有効磁界を発生するギャップ領域56内での磁界の方向
はY方向を向いている。
このため、永久磁石42が起立した状態で設けられ、こ
′の永久磁石42の回りをヨーク43が囲むように配置
されている。なお、この有効磁界を発生するギャップf
f1lff56はアクセスするヘッド支持体48の移動
範囲内で至る所均−1aS9を有している。
′の永久磁石42の回りをヨーク43が囲むように配置
されている。なお、この有効磁界を発生するギャップf
f1lff56はアクセスするヘッド支持体48の移動
範囲内で至る所均−1aS9を有している。
対物レンズ駆動用磁気回路と光学ヘッド駆動用磁気回路
とを共用した磁気回路46は2系統46a、46b設け
られ、ヨーク43を内側にして所定距離を置いて平行に
並んだ状態になっている。そして、対物レンズ18およ
びヘッド支持体48を動かす力は上記有効磁界を発生す
るギャップ領域56内で生じるため、対物レンズ18お
よびヘッド支持体48は2系銃の磁気回路46a。
とを共用した磁気回路46は2系統46a、46b設け
られ、ヨーク43を内側にして所定距離を置いて平行に
並んだ状態になっている。そして、対物レンズ18およ
びヘッド支持体48を動かす力は上記有効磁界を発生す
るギャップ領域56内で生じるため、対物レンズ18お
よびヘッド支持体48は2系銃の磁気回路46a。
46bの間すなわち2個の永久磁石42.42の間に配
置されている。これにより、2系統の磁気回路46a、
46bの外側に配置した場合に比べ移動時に力が伝わる
効率を良くすることができるようになっている。
置されている。これにより、2系統の磁気回路46a、
46bの外側に配置した場合に比べ移動時に力が伝わる
効率を良くすることができるようになっている。
しかも、ヨーク43を挟んで有効磁界を発生するギャッ
プ領域56の反対側にl\ラッド持体48が配置され、
ヘッド支持体48が2系統の磁気回路46a、46bの
ヨーク43.43との間に挟まれた状態となっている。
プ領域56の反対側にl\ラッド持体48が配置され、
ヘッド支持体48が2系統の磁気回路46a、46bの
ヨーク43.43との間に挟まれた状態となっている。
これにより、ヘッド支持体48はヨーク43を構成する
高透磁率材に囲まれ、ギヤツブ領[56からの磁界が漏
れてヘッド支持体48または対物レンズ18に到達する
ことが防止されるようになっている。
高透磁率材に囲まれ、ギヤツブ領[56からの磁界が漏
れてヘッド支持体48または対物レンズ18に到達する
ことが防止されるようになっている。
また、ヘッド支持体48を挟んだヨーク43゜43はア
クセスするために光学ヘッド5が移動する方向に沿って
設けられ、このヨーク43.43がヘッド支持体48と
対物レンズ18をスライドするためのガイドを兼用して
いる。
クセスするために光学ヘッド5が移動する方向に沿って
設けられ、このヨーク43.43がヘッド支持体48と
対物レンズ18をスライドするためのガイドを兼用して
いる。
また、光学ヘッド駆動用コイル49は同一平面に沿った
方向でガイド用のヨーク43を囲むようにして巻かれて
いる。したがって、Y方向に有効磁界を有するギャップ
V41ji56内で光学l\ラッド動用コイル49はZ
方向に伸びているため、電流を流すとX方向に力が作用
する。
方向でガイド用のヨーク43を囲むようにして巻かれて
いる。したがって、Y方向に有効磁界を有するギャップ
V41ji56内で光学l\ラッド動用コイル49はZ
方向に伸びているため、電流を流すとX方向に力が作用
する。
また、ヘッド支持体48はその上面の光学ヘッド駆動用
コイル49と接触する部分で光学ヘッド駆動用コイル4
9に強固に接続されている。このため、ギャップ領域5
6内で光学ヘッド駆動用コイル49の受ける力はそのま
まヘッド支持体48に伝わり、これによりヘッド支持体
48が移動されるようになっている。
コイル49と接触する部分で光学ヘッド駆動用コイル4
9に強固に接続されている。このため、ギャップ領域5
6内で光学ヘッド駆動用コイル49の受ける力はそのま
まヘッド支持体48に伝わり、これによりヘッド支持体
48が移動されるようになっている。
また、光学ヘッド駆動用コイル49は対物レンズ18を
挟むように2111i1配置されており、これにより光
学ヘッド駆動用コイル49が1個だけの場合よりも駆動
時に強い力が得られ応答速度が向上する。
挟むように2111i1配置されており、これにより光
学ヘッド駆動用コイル49が1個だけの場合よりも駆動
時に強い力が得られ応答速度が向上する。
上記対物レンズ18はその外周部で対物レンズ固定部材
51により対物レンズ、駆動用コイル52に強固に連結
され、これにより対物レンズ駆動用コイル52に連動し
て対物レンズ18が移動するようになっている。
51により対物レンズ、駆動用コイル52に強固に連結
され、これにより対物レンズ駆動用コイル52に連動し
て対物レンズ18が移動するようになっている。
また、対物レンズ駆動用コイル52と光学ヘッド駆動用
コイル49は板ばねよりなる対物レンズ支持用ばね50
で繋がれ、両コイル52.49は互いに独立的に移動可
能となっている。
コイル49は板ばねよりなる対物レンズ支持用ばね50
で繋がれ、両コイル52.49は互いに独立的に移動可
能となっている。
また、この対物レンズ駆動用コイル52は鞍型に構成さ
れ、ヘッド支持体48とヨーク43上に跨がった状態で
配置されている。すなわち、対物レンズ駆動用コイル5
2の対物レンズ18近鴎に位置する部分は対物レンズ1
8を挟んで対物レンズ18の光軸方向(Z方向)と直交
する方向に沿って設けられているとともにギャップ[5
6内に位置する部分とねじれの関係となっている。
れ、ヘッド支持体48とヨーク43上に跨がった状態で
配置されている。すなわち、対物レンズ駆動用コイル5
2の対物レンズ18近鴎に位置する部分は対物レンズ1
8を挟んで対物レンズ18の光軸方向(Z方向)と直交
する方向に沿って設けられているとともにギャップ[5
6内に位置する部分とねじれの関係となっている。
したがって、対物レンズ駆動用コイル52の一部はY方
向に有!21I磁界を有するギャップ領域56内でX方
向に伸びていることになり、これにより対物レンズ18
が焦点ぼけ補正を行なうべく上下方向(Z方向)に移動
されるようになっている。
向に有!21I磁界を有するギャップ領域56内でX方
向に伸びていることになり、これにより対物レンズ18
が焦点ぼけ補正を行なうべく上下方向(Z方向)に移動
されるようになっている。
第5図は光学ヘッド5を概略的に示すもので、図中61
は記録/再生用レーザー光1aを発生する記録/再生用
半導体レーザー(発光源)61aと消去用レーザー光1
bを発生させる消去用半導体レーデ−(発光源)61b
とを備えた半導体レーザーアレイ(光源アレイ)である
。この半導体レーザーアレイ61の記録/再生用半導体
レーザー61aから発せられた記録7/再生用レーザー
光Laと消去用半導体レーザー61bから発せられた消
去用レーザー光Lbは若干の傾きを持って進行するよう
になっており、これら記録、/′再再生用レーザ先光L
aよび消去用レーザー光1bは送光受光レンズ62を通
過することにより発散光から略平行光に変換された後、
プリズム63に入射される。このプリズム63のレーザ
ー光入射面は光軸に対して傾いた屈折面63aとなって
おり、これによりレーザー光1a、lbのへ〇J時に屈
折が生じ屈折した方向でレーザー光La、Lbのスポッ
トサイズが変化されることによりレーザー光La、Lb
の断面形状の補正が行われる。
は記録/再生用レーザー光1aを発生する記録/再生用
半導体レーザー(発光源)61aと消去用レーザー光1
bを発生させる消去用半導体レーデ−(発光源)61b
とを備えた半導体レーザーアレイ(光源アレイ)である
。この半導体レーザーアレイ61の記録/再生用半導体
レーザー61aから発せられた記録7/再生用レーザー
光Laと消去用半導体レーザー61bから発せられた消
去用レーザー光Lbは若干の傾きを持って進行するよう
になっており、これら記録、/′再再生用レーザ先光L
aよび消去用レーザー光1bは送光受光レンズ62を通
過することにより発散光から略平行光に変換された後、
プリズム63に入射される。このプリズム63のレーザ
ー光入射面は光軸に対して傾いた屈折面63aとなって
おり、これによりレーザー光1a、lbのへ〇J時に屈
折が生じ屈折した方向でレーザー光La、Lbのスポッ
トサイズが変化されることによりレーザー光La、Lb
の断面形状の補正が行われる。
上記プリズム63の屈折面63aに入射したレーザー光
1−a、1bはプリズム63の他の一面に設けられた偏
光ビームスブリット面64で略100%が反射され、1
/4波長板70、対物レンズ18を通過後、情報記憶媒
体1上で集光される。
1−a、1bはプリズム63の他の一面に設けられた偏
光ビームスブリット面64で略100%が反射され、1
/4波長板70、対物レンズ18を通過後、情報記憶媒
体1上で集光される。
情報記ti媒体1上で集光されたレーザー光la、lb
はこの情報記憶媒体1上で反射し、再び対物レンズ18
.1,74波長板70を通過した後、プリズム63に入
射され―光ビームスプリット面64に戻される。ここで
、レーザー光1−a。
はこの情報記憶媒体1上で反射し、再び対物レンズ18
.1,74波長板70を通過した後、プリズム63に入
射され―光ビームスプリット面64に戻される。ここで
、レーザー光1−a。
Lbは1/4波長板70を往復することにより偏光ビー
ムスブリット面64で反射された際に比べ振動方向が9
0度回転した直ts (Q先光となる。このため、偏光
ビームスブリット面64に戻されたレーザー光1a、l
bはこの陽光ビームスブリット面64を通過し、偏光ビ
ームスブリッ(・而64に重合された光分離反射部材6
5の互いに傾きをもって隣接した3つの光分離反射面6
5a、65b。
ムスブリット面64で反射された際に比べ振動方向が9
0度回転した直ts (Q先光となる。このため、偏光
ビームスブリット面64に戻されたレーザー光1a、l
bはこの陽光ビームスブリット面64を通過し、偏光ビ
ームスブリッ(・而64に重合された光分離反射部材6
5の互いに傾きをもって隣接した3つの光分離反射面6
5a、65b。
65cで反射した後、再び偏光ビームスブリット而64
を通過する。その後、レーザー光La。
を通過する。その後、レーザー光La。
1bは半導体レーザーアレイ61から情報記憶媒体1へ
向うときに通った送光系の光路と略類似する光路を通り
、送光受光レンズ62を通過し、半導体レーザーアレイ
61に近接して設けられた光検出器14に向って進む。
向うときに通った送光系の光路と略類似する光路を通り
、送光受光レンズ62を通過し、半導体レーザーアレイ
61に近接して設けられた光検出器14に向って進む。
この場合、光分離反射面65a、65b、65cは偏光
ビームスブリット面64と非平行に設けられており、こ
のため、偏光ビームスブリット面64と光検出器14ま
たは半導体レーザーアレイ61との間では、半導体レー
ザーアレイ61から情報記憶媒体1/\の向う送光系の
レーザー光La、Lbの光軸と情報記憶媒体1から光検
出器14へ向う受光系のレーザー光りの光軸とは互いに
傾いた状態となる。ここで、光分離反射面65a、65
b、65cの少なくとも一面で反射したレーザー光成分
が光検出器14に到達する前に送光系のレー噌アー光り
の光軸と交差するように光分離反射面65a、65b、
65Gの方向が設定されている。また、光反射分離面6
5bと65cの境界線部は情報記憶媒体1のトラッキン
グガイドが伸びる方向あるいは光検出器14に投影され
たトラッキングガイドの象が伸びる方向に略平行になる
ように定められている。また、光分離反射面65aで反
射したレーザー光成分は、所謂ナイフエッチ法の原理を
用いた焦点ぼけ検出に用いられ、光検出器14上の焦点
ぼけ検出用光検出セル66a、66b上に集光される。
ビームスブリット面64と非平行に設けられており、こ
のため、偏光ビームスブリット面64と光検出器14ま
たは半導体レーザーアレイ61との間では、半導体レー
ザーアレイ61から情報記憶媒体1/\の向う送光系の
レーザー光La、Lbの光軸と情報記憶媒体1から光検
出器14へ向う受光系のレーザー光りの光軸とは互いに
傾いた状態となる。ここで、光分離反射面65a、65
b、65cの少なくとも一面で反射したレーザー光成分
が光検出器14に到達する前に送光系のレー噌アー光り
の光軸と交差するように光分離反射面65a、65b、
65Gの方向が設定されている。また、光反射分離面6
5bと65cの境界線部は情報記憶媒体1のトラッキン
グガイドが伸びる方向あるいは光検出器14に投影され
たトラッキングガイドの象が伸びる方向に略平行になる
ように定められている。また、光分離反射面65aで反
射したレーザー光成分は、所謂ナイフエッチ法の原理を
用いた焦点ぼけ検出に用いられ、光検出器14上の焦点
ぼけ検出用光検出セル66a、66b上に集光される。
また、光分離反射面65b、65Cで反射したレーザー
光成分は、集光したレーザー光のトラッキングガイドか
らの反射光の回折パターンを用いてi・ラックずれを検
出する所謂プッシュプル法によるトラックずれ検出に利
用される。すなわち、情報記憶媒体1の集光スポットに
対するファーフィールドパターンが光分離反射面65b
、65cで分けられ、それぞれが光検出器14のトラッ
クずれ検出用光検出セル678.67b上に集光される
。
光成分は、集光したレーザー光のトラッキングガイドか
らの反射光の回折パターンを用いてi・ラックずれを検
出する所謂プッシュプル法によるトラックずれ検出に利
用される。すなわち、情報記憶媒体1の集光スポットに
対するファーフィールドパターンが光分離反射面65b
、65cで分けられ、それぞれが光検出器14のトラッ
クずれ検出用光検出セル678.67b上に集光される
。
また、上記半導体レーザーアレイ61と光検出器14は
同一のマウント台68上に設けられている。ここで、上
記送光受光レンズ62は、半導体レーザーアレイ61か
ら発せられた送光系のレーザー光を平行化するレンズと
受光系のレーザー光を光検出器14上に集光させるため
のレンズを兼用している。すなわち、この送光受光レン
ズ62を送光系のレーザー光1−a、lbと受光系のレ
ーザー光La、Lbの両者が通過するようになっている
。そして、この送光受光レンズ62と対物レンズ18と
の間では合焦時にはレーザー光La、Lbは平行光であ
るため、合焦時には受光系のレーザー光La、Lbは半
導体レーザーアレイ61の発光点と同一平面上(送光受
光レンズ62の焦点面上)に集光することから、半導体
レーザーアレイ61の発光点と光検出器14の受光面は
実質的に略同一平面上に配置されている。
同一のマウント台68上に設けられている。ここで、上
記送光受光レンズ62は、半導体レーザーアレイ61か
ら発せられた送光系のレーザー光を平行化するレンズと
受光系のレーザー光を光検出器14上に集光させるため
のレンズを兼用している。すなわち、この送光受光レン
ズ62を送光系のレーザー光1−a、lbと受光系のレ
ーザー光La、Lbの両者が通過するようになっている
。そして、この送光受光レンズ62と対物レンズ18と
の間では合焦時にはレーザー光La、Lbは平行光であ
るため、合焦時には受光系のレーザー光La、Lbは半
導体レーザーアレイ61の発光点と同一平面上(送光受
光レンズ62の焦点面上)に集光することから、半導体
レーザーアレイ61の発光点と光検出器14の受光面は
実質的に略同一平面上に配置されている。
また、上記マウント台68は半円柱体68aに半円弧状
の枠体68bを連結したもので、全体が回転可能な構造
となっている。この場合、半導体レーザーアレイ61は
マウント台68の半円柱体68aに固定され、その発光
点がマウント台68の回転中心に位置されており、これ
によりマウント台68が回転したとき送光系のレーザー
光La、Lbの光軸がずれないようになっている。
の枠体68bを連結したもので、全体が回転可能な構造
となっている。この場合、半導体レーザーアレイ61は
マウント台68の半円柱体68aに固定され、その発光
点がマウント台68の回転中心に位置されており、これ
によりマウント台68が回転したとき送光系のレーザー
光La、Lbの光軸がずれないようになっている。
そして、第5図に示すように、このマウント台68の回
転方向(マウント台68を回転させたときの円周方向に
沿った方向)ないし弦方向に沿って焦点ぼけ検出用光検
出セル668.66bが配置され、光学ヘッド5の組立
て調整時にはこのマウント台68のみを回転させること
により焦点ぼけ検出系の調整が行なえるようになってい
る。また、そのような調整が可能なようにマウント台6
8の円周方向に沿った方向と情報記憶媒体1上の焦点ぼ
けに応じて焦点ぼけ検出用光検出セル66a、66b上
を移動するレーザー光1a。
転方向(マウント台68を回転させたときの円周方向に
沿った方向)ないし弦方向に沿って焦点ぼけ検出用光検
出セル668.66bが配置され、光学ヘッド5の組立
て調整時にはこのマウント台68のみを回転させること
により焦点ぼけ検出系の調整が行なえるようになってい
る。また、そのような調整が可能なようにマウント台6
8の円周方向に沿った方向と情報記憶媒体1上の焦点ぼ
けに応じて焦点ぼけ検出用光検出セル66a、66b上
を移動するレーザー光1a。
Lbの移動方向とが実質的に略平行とされている。
さらに、トラックずれ検出用光検出セル67a。
67bはマウント台68の略半径(動径)方向に沿?で
配置され、マウント台68の回転時によりトラックずれ
検出用レーザー光La、Lbがトラックずれ検出用光検
出セル67a、67b上を移動しないようになっている
。
配置され、マウント台68の回転時によりトラックずれ
検出用レーザー光La、Lbがトラックずれ検出用光検
出セル67a、67b上を移動しないようになっている
。
なお、トラックずれ検出用光検出セル67a。
67b上に照射されるレーザー光Laの光量のアン、バ
ランスの調整や焦点ぼけ検出とトラックずれ検出に用い
るレーザー光1aの光量比の調整はプリズム63.1/
4波長板65に対しマウント台68と送光受光レンズ6
2を同時に平行に移動させることにより行なうことがで
きるようになっている。
ランスの調整や焦点ぼけ検出とトラックずれ検出に用い
るレーザー光1aの光量比の調整はプリズム63.1/
4波長板65に対しマウント台68と送光受光レンズ6
2を同時に平行に移動させることにより行なうことがで
きるようになっている。
また、上記プリズム63の屈折面63aは送光系のレー
ザー光1a、1bおよび受光系のレーザー光La、Lb
が通過するが、この屈折面63aは送光系のレーザー光
La、Lbに対しては上述したようにレーザー光1a、
lbの断面形状の補正用屈折面として機能する。しかし
ながら、受光系のレーザー光1a、lbに対しては焦点
ぼけ検出感度向上用屈折面として機能する。すなわら、
この屈折面63aで受光系のし〜ブー光1−a。
ザー光1a、1bおよび受光系のレーザー光La、Lb
が通過するが、この屈折面63aは送光系のレーザー光
La、Lbに対しては上述したようにレーザー光1a、
lbの断面形状の補正用屈折面として機能する。しかし
ながら、受光系のレーザー光1a、lbに対しては焦点
ぼけ検出感度向上用屈折面として機能する。すなわら、
この屈折面63aで受光系のし〜ブー光1−a。
lbが屈折するときの法線を含む平面(この屈折面63
aで屈折した受光系のレーザー光1a。
aで屈折した受光系のレーザー光1a。
Lbの入射光の光軸と射出光の光軸とを共に面内に含む
平面)に沿う方向と焦点ぼけ時に焦点ぼけ検出用光検出
セル66a、66b上でレーザー光la、lbの中心が
移動する方向とが平行の場合、合焦時に平行光である受
光系のレーザー光1a。
平面)に沿う方向と焦点ぼけ時に焦点ぼけ検出用光検出
セル66a、66b上でレーザー光la、lbの中心が
移動する方向とが平行の場合、合焦時に平行光である受
光系のレーザー光1a。
1bが上記屈折面63aを通過するとレーザー光La、
Lbの断面寸法が変化しくレーザー光La。
Lbの断面寸法が変化しくレーザー光La。
1bがプリズム63から外部に射出したときに断面径が
狭くなり)、これにより情報記憶媒体1上の集光スポッ
トに対する光検出314への実質的な結像倍率が増加し
、以て焦点ぼけ検出感度を変化(増加)させることにな
る。
狭くなり)、これにより情報記憶媒体1上の集光スポッ
トに対する光検出314への実質的な結像倍率が増加し
、以て焦点ぼけ検出感度を変化(増加)させることにな
る。
次に、第7図は情報記憶媒体1上での集光スポットの焦
点ぼけを補正する焦点ぼけ補正回路81を示すものであ
り、この焦点ぼけ補正回路81は、プリアンプアレイ1
5、サーボ回路である焦点ぼけ検出回路1つ、ゲインコ
ントロール・位相補償回路(図示しない)、対物レンズ
駆動回路20、演算回路16、メインCP(J8等で構
成されている。前記プリアンプアレイ15は、トラック
ずれ検出用光検出セル67a、67bおよび焦点ぼけ検
出用光検出セル66a、66bからのそれぞれの出力を
増幅するプリアンプ82a。
点ぼけを補正する焦点ぼけ補正回路81を示すものであ
り、この焦点ぼけ補正回路81は、プリアンプアレイ1
5、サーボ回路である焦点ぼけ検出回路1つ、ゲインコ
ントロール・位相補償回路(図示しない)、対物レンズ
駆動回路20、演算回路16、メインCP(J8等で構
成されている。前記プリアンプアレイ15は、トラック
ずれ検出用光検出セル67a、67bおよび焦点ぼけ検
出用光検出セル66a、66bからのそれぞれの出力を
増幅するプリアンプ82a。
82b、83a、83bt’構成サレテイル。前記演算
回路16は、プリアンプ82a、82b。
回路16は、プリアンプ82a、82b。
83a、83bからの出力にもとづいて種々の処理を行
なう処理回路84、プリアンプ82a。
なう処理回路84、プリアンプ82a。
82bからの出力を加算する加算回路85、この加算回
路85からの出力をA/D変換してメインCPU8に供
給するA/Dコンバータ86、このA 、/ Dコンバ
ータ86によりメインCPU8に供給され、メインCP
U8で後述する所定の処理が行われた信号をD/A変換
するD/Aコンバータ87、このD/Aコンバータ87
からの信号とプリアンプ83aからの信号を加算する加
算回路88等で構成されている。前記焦点ぼけ検出回路
19は、加算回路88からの信号とプリアンプ83bか
らの信号との減口処理を行なう減口回路89を備えた構
成となっている。そして、プリアンプ82a、82b、
加算回路85、A/D:]ンバータ86、メインCPU
8、D/Aコンバータ87により111i1する補正電
圧を発生する補正電圧発生部90が構成されている。
路85からの出力をA/D変換してメインCPU8に供
給するA/Dコンバータ86、このA 、/ Dコンバ
ータ86によりメインCPU8に供給され、メインCP
U8で後述する所定の処理が行われた信号をD/A変換
するD/Aコンバータ87、このD/Aコンバータ87
からの信号とプリアンプ83aからの信号を加算する加
算回路88等で構成されている。前記焦点ぼけ検出回路
19は、加算回路88からの信号とプリアンプ83bか
らの信号との減口処理を行なう減口回路89を備えた構
成となっている。そして、プリアンプ82a、82b、
加算回路85、A/D:]ンバータ86、メインCPU
8、D/Aコンバータ87により111i1する補正電
圧を発生する補正電圧発生部90が構成されている。
しかして、情報記憶媒体1上の情報の消去時以外すなわ
ち記録または再生時には、記録/再生用半導体レーザー
61aのみ点灯し、光検出器14の各セル66a、66
b、67a、67b上には記録/再生用レーザー光La
のみが照射されて焦点ぼけ検出およびトラックずれ検出
に用いられる。
ち記録または再生時には、記録/再生用半導体レーザー
61aのみ点灯し、光検出器14の各セル66a、66
b、67a、67b上には記録/再生用レーザー光La
のみが照射されて焦点ぼけ検出およびトラックずれ検出
に用いられる。
情報記憶媒体1上の情報の消去時には、記録/再生用半
導体レーザー61a、15よび消去用半導体レーザー6
1bがともに点灯され、光検出器14上には記録/再生
用レーザー光1aおよび消去用レーザー光Lbが照射さ
れる。この場合、トラックずれ検出系においては、消去
用レーザー光1bも記録/再生用レーザー光Laと同様
情報記憶媒体1上のトラッキングガイドの中心に集光さ
れ、そこでの反射光の回折パターンによりl−ラックず
れ検出が行われるので、トラックずれ検出用光検出セル
67a、67b上に消去用レーザー光Lbが照射されて
も記録/再生用レーザー光Laのみが照射されている場
合と同ゆに各光検出セル67a、67bの検出信号の差
を用いてトラックずれ検出が行われる。これに対し、焦
点ぼけ映出系においては、記録/再生用レーザー光La
を用いて焦点ぼけ検出が行われるため、合焦時には記録
/′再再生用レーザ先光aは焦点ぼけ検出用光検出セル
66a、66bの境部分に照射される(9成となってお
り、このため、消去用レーザー光Lbは一方の焦点ぼけ
検出セル66bのみに照射される。この消去用レーザー
光Lbの彰四を111正するために、補正電圧発生部9
0により疑似信号が発生され、他方の焦点ぼけ検出用光
検出セル66aからの信号が供給されるプリアンプ83
aの出力に加算回路88によって加iされる。すなわち
、トラックずれ検出用光検出セル67a、67bからの
出力が供給されるプリアンプ82a、82bの出力が加
算回路85で加締され、この加締回路85からの出力が
A 、−’ Dコンバータ86を介してメインCPU8
に供給される。これにより情報記憶媒体1の光反射率の
モニターが可能となり、メインcpusは、この情報記
4JA媒体1の光反射率をモニターしながら焦点ぼけ検
出用光検出セル66bに照射される消去用レーザー光1
bの光量をに1算し、その値に応じた補正用電圧をD/
Aコンバータ87を介して加算回路88に供給する。
導体レーザー61a、15よび消去用半導体レーザー6
1bがともに点灯され、光検出器14上には記録/再生
用レーザー光1aおよび消去用レーザー光Lbが照射さ
れる。この場合、トラックずれ検出系においては、消去
用レーザー光1bも記録/再生用レーザー光Laと同様
情報記憶媒体1上のトラッキングガイドの中心に集光さ
れ、そこでの反射光の回折パターンによりl−ラックず
れ検出が行われるので、トラックずれ検出用光検出セル
67a、67b上に消去用レーザー光Lbが照射されて
も記録/再生用レーザー光Laのみが照射されている場
合と同ゆに各光検出セル67a、67bの検出信号の差
を用いてトラックずれ検出が行われる。これに対し、焦
点ぼけ映出系においては、記録/再生用レーザー光La
を用いて焦点ぼけ検出が行われるため、合焦時には記録
/′再再生用レーザ先光aは焦点ぼけ検出用光検出セル
66a、66bの境部分に照射される(9成となってお
り、このため、消去用レーザー光Lbは一方の焦点ぼけ
検出セル66bのみに照射される。この消去用レーザー
光Lbの彰四を111正するために、補正電圧発生部9
0により疑似信号が発生され、他方の焦点ぼけ検出用光
検出セル66aからの信号が供給されるプリアンプ83
aの出力に加算回路88によって加iされる。すなわち
、トラックずれ検出用光検出セル67a、67bからの
出力が供給されるプリアンプ82a、82bの出力が加
算回路85で加締され、この加締回路85からの出力が
A 、−’ Dコンバータ86を介してメインCPU8
に供給される。これにより情報記憶媒体1の光反射率の
モニターが可能となり、メインcpusは、この情報記
4JA媒体1の光反射率をモニターしながら焦点ぼけ検
出用光検出セル66bに照射される消去用レーザー光1
bの光量をに1算し、その値に応じた補正用電圧をD/
Aコンバータ87を介して加算回路88に供給する。
つまり、消去時の消去用レーザー光Lbと記録/′再再
生用レーザ先光aとの光j比が情lIl記i!媒体1上
の照射される場所に拘らず至る所一定であるため、焦点
ぼけ検出用光検出セル66a、66b内での消去用レー
ザー光Lbと記録7/再生用レーザー光 1−aとの光
出比は常に一定に保たれる。
生用レーザ先光aとの光j比が情lIl記i!媒体1上
の照射される場所に拘らず至る所一定であるため、焦点
ぼけ検出用光検出セル66a、66b内での消去用レー
ザー光Lbと記録7/再生用レーザー光 1−aとの光
出比は常に一定に保たれる。
したがって、加算回路85の出力により情報記憶媒体1
の光反射率が求められ、この反射率と、光路中での光量
減衰係数と、消去用半導体レーザー61bから発せられ
る消去用レーザー光Lbの総和との積を求めることによ
り加算回路88に加えられる補正用電圧の値が求められ
る。この補正用電圧は消去用レーザー光Lbが照射され
ない方の焦点ぼけ検出用光検出セル66aの出力が供給
されるプリアンプ83aの出力に加締回路88によって
加譚され、この加算回路88の出力と、消去用レーザー
光1bが照射される焦点ぼけ検出用光検出セル66bか
らの出力が供給されるプリアンプ83bの出力とが減算
回路89によって減算処理され、この減算回路89の出
力にもとづいて対物レンズ18が光軸方向に駆動されて
焦点ぼけ補正が行われる。
の光反射率が求められ、この反射率と、光路中での光量
減衰係数と、消去用半導体レーザー61bから発せられ
る消去用レーザー光Lbの総和との積を求めることによ
り加算回路88に加えられる補正用電圧の値が求められ
る。この補正用電圧は消去用レーザー光Lbが照射され
ない方の焦点ぼけ検出用光検出セル66aの出力が供給
されるプリアンプ83aの出力に加締回路88によって
加譚され、この加算回路88の出力と、消去用レーザー
光1bが照射される焦点ぼけ検出用光検出セル66bか
らの出力が供給されるプリアンプ83bの出力とが減算
回路89によって減算処理され、この減算回路89の出
力にもとづいて対物レンズ18が光軸方向に駆動されて
焦点ぼけ補正が行われる。
次に、半導体レーザーアレイ61の発光出を!II即す
る発光ωM卯装置を第1図および第2図にもとづいて説
明する。
る発光ωM卯装置を第1図および第2図にもとづいて説
明する。
第1図に示すように、マウント台68の半円柱体68a
の側平面には段部101が設けられており、この段部1
01に半導体レーザーアレイ61がマウントされ、その
後方の段部101以外の部分にモニター用光検出器10
2からなる光検出手段103が配置されている。このモ
ニター用光検出器102には記録/再生用レーザー光聞
モニター用光検出セル102aおよび消去用レーザー光
量モニター用光検出セル102bが形成され、記録/再
生用レーザー光最モニター用光検出セル102aは半導
体レーザーアレイ61の記録、/再生用半導体レーザー
61aのl! illから発生された記録/再生用レー
ザーモニター光1a=を受光し、消去用レーザー光量モ
ニター用光検出セル102bは半導体レーザーアレイ6
1の消去用半導体レーザー61bの裏側から発生された
消去用レーザーモニター光Lb=を受光する構成となっ
ている。
の側平面には段部101が設けられており、この段部1
01に半導体レーザーアレイ61がマウントされ、その
後方の段部101以外の部分にモニター用光検出器10
2からなる光検出手段103が配置されている。このモ
ニター用光検出器102には記録/再生用レーザー光聞
モニター用光検出セル102aおよび消去用レーザー光
量モニター用光検出セル102bが形成され、記録/再
生用レーザー光最モニター用光検出セル102aは半導
体レーザーアレイ61の記録、/再生用半導体レーザー
61aのl! illから発生された記録/再生用レー
ザーモニター光1a=を受光し、消去用レーザー光量モ
ニター用光検出セル102bは半導体レーザーアレイ6
1の消去用半導体レーザー61bの裏側から発生された
消去用レーザーモニター光Lb=を受光する構成となっ
ている。
そして、これら記録/再生用レーザー光aモニター用光
検出セル102aおよび消去用レーザー光聞モニター用
光検出セル102bからの検出信号は、第2図に示す発
光量制御回路104に供給されるようになっている。
検出セル102aおよび消去用レーザー光聞モニター用
光検出セル102bからの検出信号は、第2図に示す発
光量制御回路104に供給されるようになっている。
すなわち、記録2/再生用レーザー光醋モニター用光検
出セル102aからの検出信号は再生光発生回路26に
供給され、この再生光発生回路26は、記録/再生用レ
ーザー光Mモニター用光検出セル102aからの検出信
号の電流/′電圧変換を行なうプリアンプ105と、再
生光発生用の基t1!電圧を発生する再生先用基準電圧
発生回路106と、この再生先用基準電圧発生回路10
6から発生された基準電圧とプリアンプ105の出力と
の比較処理を行なう減算回路107とを有した構成とな
っている。また、消去用レーザー光最モニター用光検出
セル102bからの検出信号は消去光発生回路25に供
給され、この消去光発生回路25は、消去用レーザー光
量モニター用光検出セル102bからの検出信号の電流
/′電圧変換を行なうプリアンプ108と、消去光発生
用の基準電圧を発生する消去光用基準電圧発生回路10
9と、この消去光用基準電圧発生回路109から発生さ
れた基準電圧とプリアンプ108の出力との比較処理を
行なう減算回路110とを有した構成となっている。そ
して、減算回路107゜110の出力はアナログスイッ
チ27を介してレーザー光駆動回路28に供給されるよ
うになっている。
出セル102aからの検出信号は再生光発生回路26に
供給され、この再生光発生回路26は、記録/再生用レ
ーザー光Mモニター用光検出セル102aからの検出信
号の電流/′電圧変換を行なうプリアンプ105と、再
生光発生用の基t1!電圧を発生する再生先用基準電圧
発生回路106と、この再生先用基準電圧発生回路10
6から発生された基準電圧とプリアンプ105の出力と
の比較処理を行なう減算回路107とを有した構成とな
っている。また、消去用レーザー光最モニター用光検出
セル102bからの検出信号は消去光発生回路25に供
給され、この消去光発生回路25は、消去用レーザー光
量モニター用光検出セル102bからの検出信号の電流
/′電圧変換を行なうプリアンプ108と、消去光発生
用の基準電圧を発生する消去光用基準電圧発生回路10
9と、この消去光用基準電圧発生回路109から発生さ
れた基準電圧とプリアンプ108の出力との比較処理を
行なう減算回路110とを有した構成となっている。そ
して、減算回路107゜110の出力はアナログスイッ
チ27を介してレーザー光駆動回路28に供給されるよ
うになっている。
アナログスイッチ27はメインCPIJ8により切換制
御される切換接点27a、27b。
御される切換接点27a、27b。
27cを有した構成どなっている。
また、レーザー光駆動回路28は次のように構成されて
いる。すなわち、111はそのベースに減算回路107
の出力が切換接点27bを介して供給されるNPN形ト
ランジスタであり、このトランジスタ111は、コレク
タが記録/再生用半導体レーザー61aを介して電if
!(Vcc)に接続され、エミッタが抵抗112を介し
て接地されている。また、113はそのベースに減算回
路110の出力が切換接点27aを介して供給されるN
PN形トランジスタであり、このトランジスタ113は
、コレクタが消去用半導体レーザー61bを介して′i
4源(Vcc)に接続され、エミッタが抵抗114を介
しで接地されている。さらに、115はそのベースに記
録光発生回路24の出力が切換接点27cを介して供給
されるNPN形トランジスタであり、このトランジスタ
115は、コレクタが記録/再生用半導体レーザー61
aを介してN源<VCC>に接続され、エミッタが抵抗
116を介して接地されている。
いる。すなわち、111はそのベースに減算回路107
の出力が切換接点27bを介して供給されるNPN形ト
ランジスタであり、このトランジスタ111は、コレク
タが記録/再生用半導体レーザー61aを介して電if
!(Vcc)に接続され、エミッタが抵抗112を介し
て接地されている。また、113はそのベースに減算回
路110の出力が切換接点27aを介して供給されるN
PN形トランジスタであり、このトランジスタ113は
、コレクタが消去用半導体レーザー61bを介して′i
4源(Vcc)に接続され、エミッタが抵抗114を介
しで接地されている。さらに、115はそのベースに記
録光発生回路24の出力が切換接点27cを介して供給
されるNPN形トランジスタであり、このトランジスタ
115は、コレクタが記録/再生用半導体レーザー61
aを介してN源<VCC>に接続され、エミッタが抵抗
116を介して接地されている。
しかして、情報の再生の場合は、CP(J8により切y
A接点27bがオンされ、これにより再生先用基準電圧
とモニター光に対する電圧値との差出力が減算回路10
7からトランジスタ111のベースに供給される。これ
により、トランジスタ111は、その信号に応じた増幅
率で電流増幅を行なう。この結果、記録/再生用半導体
レーザー61aの先組に応じた電圧値と再生先用基準電
圧とが一致するように記録、/再生用半導体レーザー6
1al、:電流が流れ、これにより記録7・″再生用半
導体レーザー61aから連続的な低光強度の再生用レー
ザー光(La)が発生される。そして、この再生用レー
ザー光(La)を用いて情報の読取り、焦点ぼけ検出、
トラックずれ検出・が行われる。
A接点27bがオンされ、これにより再生先用基準電圧
とモニター光に対する電圧値との差出力が減算回路10
7からトランジスタ111のベースに供給される。これ
により、トランジスタ111は、その信号に応じた増幅
率で電流増幅を行なう。この結果、記録/再生用半導体
レーザー61aの先組に応じた電圧値と再生先用基準電
圧とが一致するように記録、/再生用半導体レーザー6
1al、:電流が流れ、これにより記録7・″再生用半
導体レーザー61aから連続的な低光強度の再生用レー
ザー光(La)が発生される。そして、この再生用レー
ザー光(La)を用いて情報の読取り、焦点ぼけ検出、
トラックずれ検出・が行われる。
また、情報の記録の場合は、CPtJ8により切換接点
27b、27cが共にオンされ、これにより前記の場合
同様に記録/再生用半導体レーザー61aから71Fi
的な低光強度の再生用レーザー光(La)が発生され、
また、これに重畳して記録データに応じた高光強度の記
録用レーザー光(La)が断続的に発生される。すなわ
ち、記録光発生回路24からの出力が切換接点27Cを
介してトランジスタ115のベースに供給され、これに
よりトランジスタ115は、その信号に応じた電流増幅
を行なう。したがって、記録/再生用半導体レーザー6
1aには記録データに応じて断続的に高M流が流れ、こ
れにより半導体レーザー618から断続的な高光強度の
レーザー光(La)が発生される。この結果、記録/′
再生用半導体レーザー61aから高光強度の記録用レー
ザー光(La)と低光強度の再生用レーザー光(La)
とが重畳的に発生される。そして、記録用レーザー光(
La)を用いて情報の記録が行われ、再生用レーザー光
(La)を用いて焦点ぼけ検出、1〜ラツクずれ検出が
行われる。
27b、27cが共にオンされ、これにより前記の場合
同様に記録/再生用半導体レーザー61aから71Fi
的な低光強度の再生用レーザー光(La)が発生され、
また、これに重畳して記録データに応じた高光強度の記
録用レーザー光(La)が断続的に発生される。すなわ
ち、記録光発生回路24からの出力が切換接点27Cを
介してトランジスタ115のベースに供給され、これに
よりトランジスタ115は、その信号に応じた電流増幅
を行なう。したがって、記録/再生用半導体レーザー6
1aには記録データに応じて断続的に高M流が流れ、こ
れにより半導体レーザー618から断続的な高光強度の
レーザー光(La)が発生される。この結果、記録/′
再生用半導体レーザー61aから高光強度の記録用レー
ザー光(La)と低光強度の再生用レーザー光(La)
とが重畳的に発生される。そして、記録用レーザー光(
La)を用いて情報の記録が行われ、再生用レーザー光
(La)を用いて焦点ぼけ検出、1〜ラツクずれ検出が
行われる。
つぎに、情報の消去の場合は、CPU8により切換接点
27a、27bが共にオンされ、これにより前記の場合
同様に記録、′再生用半導体レーザ−61aから連続的
な低光強度の再生用レーザー光(La)が発生され、ま
た、この再生用レーザー光(La)と同様に消去用半導
体レーザー61aから連続的な所定光強度の消去用レー
ザー光1bが発生される。そして、消去用レーザー光L
bを用いて情報の消去が行われ、再生用レーザー光(L
a)を用いて焦点ぼけ検出、トラックずれ検出が行われ
る。
27a、27bが共にオンされ、これにより前記の場合
同様に記録、′再生用半導体レーザ−61aから連続的
な低光強度の再生用レーザー光(La)が発生され、ま
た、この再生用レーザー光(La)と同様に消去用半導
体レーザー61aから連続的な所定光強度の消去用レー
ザー光1bが発生される。そして、消去用レーザー光L
bを用いて情報の消去が行われ、再生用レーザー光(L
a)を用いて焦点ぼけ検出、トラックずれ検出が行われ
る。
なめ、情報の消去を行ないながら記録を行なう場合は、
切換接点27a、27b、27cが共にオンされる。
切換接点27a、27b、27cが共にオンされる。
以上の構成によれば、半導体レーザーアレイ61の記録
/再生用半導体レーザー61aから発光した記録/再生
用レーザー光1−aの一部と消去用半導体レーザー61
bから発光した消去用レーザー光Lbの一部を記録/再
生用レーザー光量モニター用光検出セル102aと消去
用レーザー光吊モニター用光検出セル102bによって
それぞれ独立的に検出し、この検出結果にもとづいて記
録7/再生用半導体レーザー61aの発光出と消去用半
導体レーザー61bの発光出を独立的に制御するので、
記録/再生用半導体レーザー61aと消去用半導体レー
ザー61bの発光団を温度による特性変化等に拘らず安
定させることができる。
/再生用半導体レーザー61aから発光した記録/再生
用レーザー光1−aの一部と消去用半導体レーザー61
bから発光した消去用レーザー光Lbの一部を記録/再
生用レーザー光量モニター用光検出セル102aと消去
用レーザー光吊モニター用光検出セル102bによって
それぞれ独立的に検出し、この検出結果にもとづいて記
録7/再生用半導体レーザー61aの発光出と消去用半
導体レーザー61bの発光出を独立的に制御するので、
記録/再生用半導体レーザー61aと消去用半導体レー
ザー61bの発光団を温度による特性変化等に拘らず安
定させることができる。
なお、第8図は本発明の第2の実施例の要部を示すもの
で、この実施例では、光検出手段121は、モニター用
光検出器102の他に、消去用半導体レーザー61bの
裏側から発光した消去用レーザーモニター光しb′を記
録/再生用半導体レーザー61aの裏側から発光した記
録7/再生用レーザーモニター光1a−からl1fli
!する方向へ屈折させて消去用レーザー光聞モニター用
光検出セル102bに導くプリズム(光路変更部材)1
22を半導体レーザーアレイ61とモニター用光検出器
102との間に設けた構成となっている。このような構
成によれば、半導体レーザーアレイ61から発光する記
録/再生用レーザーモニター光La−および消去用レー
ザーモニター光Lb−の発散角が大きくてもモニター用
光検出器102を半導体レーザーアレイ61から111
間して設けることができる。したがって、製造上の高度
な精度が不要となる。
で、この実施例では、光検出手段121は、モニター用
光検出器102の他に、消去用半導体レーザー61bの
裏側から発光した消去用レーザーモニター光しb′を記
録/再生用半導体レーザー61aの裏側から発光した記
録7/再生用レーザーモニター光1a−からl1fli
!する方向へ屈折させて消去用レーザー光聞モニター用
光検出セル102bに導くプリズム(光路変更部材)1
22を半導体レーザーアレイ61とモニター用光検出器
102との間に設けた構成となっている。このような構
成によれば、半導体レーザーアレイ61から発光する記
録/再生用レーザーモニター光La−および消去用レー
ザーモニター光Lb−の発散角が大きくてもモニター用
光検出器102を半導体レーザーアレイ61から111
間して設けることができる。したがって、製造上の高度
な精度が不要となる。
また、第9図は本発明の第3の実施例の要部を示すもの
で、この実fAPilJでは、光検出手段123は、モ
ニター用光検出器102の他に、記録/再生用半導体レ
ーザー61aの裏側から発光した記録/再生用レーザー
モニター光1a=を記録/′再生用レしザー光多モニタ
ー用光検出セル102a上に、消去用半導体レーザー6
1bから発光した消去用レーザーモニター光Lb′を消
去用レーザー光量モニター用光検出セル102b上にそ
れぞれ結像させるとともにその結像間隔を記録/゛再生
用半導体レーザー61aと消去用半導体レーザー61b
との間の間隔より広げる拡大レンズ(光路変更部材)1
24を半導体レーザーアレイ61とモニター用光検出器
102との間に設けた構成となっている。このような構
成によれば、拡大レンズ124の結像横倍率の値に比例
してモニター用光検出器102上での記録/再生用レー
ザーモニター光1−a−と消去用レーザ“−モニター光
Lb−との間隔を広くすることができ、しかも、これら
を集光させることができる。したがって、第2の実施例
同様、マウント台68上でのモニター用光検出器102
の取付り位置精度が大幅に緩和され、製造性が向上する
。
で、この実fAPilJでは、光検出手段123は、モ
ニター用光検出器102の他に、記録/再生用半導体レ
ーザー61aの裏側から発光した記録/再生用レーザー
モニター光1a=を記録/′再生用レしザー光多モニタ
ー用光検出セル102a上に、消去用半導体レーザー6
1bから発光した消去用レーザーモニター光Lb′を消
去用レーザー光量モニター用光検出セル102b上にそ
れぞれ結像させるとともにその結像間隔を記録/゛再生
用半導体レーザー61aと消去用半導体レーザー61b
との間の間隔より広げる拡大レンズ(光路変更部材)1
24を半導体レーザーアレイ61とモニター用光検出器
102との間に設けた構成となっている。このような構
成によれば、拡大レンズ124の結像横倍率の値に比例
してモニター用光検出器102上での記録/再生用レー
ザーモニター光1−a−と消去用レーザ“−モニター光
Lb−との間隔を広くすることができ、しかも、これら
を集光させることができる。したがって、第2の実施例
同様、マウント台68上でのモニター用光検出器102
の取付り位置精度が大幅に緩和され、製造性が向上する
。
また、第10図は本発明の第4の実施例の要部を示すも
ので、この実施例では、光検出手段125は、モニター
用光検出器102の他に、消去用半導体レーザー61b
のIll!1から発光した消去用レーザーモニター光L
b′を消去用レーザー光量モニター用光検出セル102
b上に導く光ファイバー(光路変更部材)126を半導
体レーザーアレイ61とモニター用光検出器102どの
間に設けた構成となっている。すなわち、光ファイバー
126の一端面を消去用半導体レーザー61bの裏面に
接触させ、他端面を消去用レーザー光量モニター用光検
出セル102bに近接対向させた構成となっている。こ
のような構成によれば、記録/′再生用レーザー光量モ
ニター用光検出セル102aと消去用レーザー光聞モニ
ター用光検出セル102bとの間隔を広くすることがで
きとともにモニター用光検出器102を半導体レーザル
アレイ61から離間して配置することができる。
ので、この実施例では、光検出手段125は、モニター
用光検出器102の他に、消去用半導体レーザー61b
のIll!1から発光した消去用レーザーモニター光L
b′を消去用レーザー光量モニター用光検出セル102
b上に導く光ファイバー(光路変更部材)126を半導
体レーザーアレイ61とモニター用光検出器102どの
間に設けた構成となっている。すなわち、光ファイバー
126の一端面を消去用半導体レーザー61bの裏面に
接触させ、他端面を消去用レーザー光量モニター用光検
出セル102bに近接対向させた構成となっている。こ
のような構成によれば、記録/′再生用レーザー光量モ
ニター用光検出セル102aと消去用レーザー光聞モニ
ター用光検出セル102bとの間隔を広くすることがで
きとともにモニター用光検出器102を半導体レーザル
アレイ61から離間して配置することができる。
したがって、第2の実施例同様、マウント台68上での
モニター用光検出器102の取付は位置精度が大幅に!
!和され、製造性が向上する。
モニター用光検出器102の取付は位置精度が大幅に!
!和され、製造性が向上する。
[発明の効果1
以上説明したように本発明によれば、光源アレイの各発
光源から発光した光の一部を独立的に検出し、その検出
結果にもとづいて各発光源の発光量を独立的にIll
Illするので、光源アレイの各発光源の発光団を温度
による特性変化等に拘らず安定させることができる等の
優れた効果を奏する。
光源から発光した光の一部を独立的に検出し、その検出
結果にもとづいて各発光源の発光量を独立的にIll
Illするので、光源アレイの各発光源の発光団を温度
による特性変化等に拘らず安定させることができる等の
優れた効果を奏する。
第1図〜第7図は本発明の第1の実施例を示すもので、
第1図はマウント台部分を示す斜視図、第2図は光量制
御回路を示す構成図、第3図は情報記録再生装置を示す
ブロック図、第4図は光学ヘッドの可動磯構を示す斜視
図、第5図は光学ヘッドの概略的構成を示す斜視図、第
6図は半導体レーザーアレイおよび光検出器を示す正面
図、第7図は半導体レーザーアレイ、光検出器および焦
点ぼけ補正回路を示す構成図、第8図は本発明の第2の
実施例の要部を示す斜視図、第9図は本発明の第3の実
施例の藍部を示す平面図、第10図は本発明の第4の実
施例の要部を示す平面図、第11図は従来例を示す構成
図である。 1a・・・記録/再生用レーザー光、しb・・・消去用
レーザー光、La′・・・記録/再生用レーザーモニタ
ー光、Lb”・・・消去用レーザーモニター光、61・
・・半導体レーザーアレイ、61a・・・記録/再生用
半導体レーザー、61b・・・消去用半導体レーザー、
102・・・モニター用光検出器、102a・・・記録
、/再生用レーザー光量モニター用光検出セル、102
b・・・消去用レーザー光伍モニター用光検出セル、1
02・・・光検出手段、104・・・光ffl fl+
11御回路、121・・・光検出手段、122・・・光
路変更部材(プリズム)、123・・・光検出手段、1
24・・・光路変更部材(拡大レンズ)、125・・・
光検出器V、126・・・光路変更部材(光ファイバー
)。 第 2 図 第8図
第1図はマウント台部分を示す斜視図、第2図は光量制
御回路を示す構成図、第3図は情報記録再生装置を示す
ブロック図、第4図は光学ヘッドの可動磯構を示す斜視
図、第5図は光学ヘッドの概略的構成を示す斜視図、第
6図は半導体レーザーアレイおよび光検出器を示す正面
図、第7図は半導体レーザーアレイ、光検出器および焦
点ぼけ補正回路を示す構成図、第8図は本発明の第2の
実施例の要部を示す斜視図、第9図は本発明の第3の実
施例の藍部を示す平面図、第10図は本発明の第4の実
施例の要部を示す平面図、第11図は従来例を示す構成
図である。 1a・・・記録/再生用レーザー光、しb・・・消去用
レーザー光、La′・・・記録/再生用レーザーモニタ
ー光、Lb”・・・消去用レーザーモニター光、61・
・・半導体レーザーアレイ、61a・・・記録/再生用
半導体レーザー、61b・・・消去用半導体レーザー、
102・・・モニター用光検出器、102a・・・記録
、/再生用レーザー光量モニター用光検出セル、102
b・・・消去用レーザー光伍モニター用光検出セル、1
02・・・光検出手段、104・・・光ffl fl+
11御回路、121・・・光検出手段、122・・・光
路変更部材(プリズム)、123・・・光検出手段、1
24・・・光路変更部材(拡大レンズ)、125・・・
光検出器V、126・・・光路変更部材(光ファイバー
)。 第 2 図 第8図
Claims (6)
- (1)複数の発光源を有する光源アレイと、この光源ア
レイの各発光源から発光した光の一部を独立的に検出す
る光検出手段と、この光検出手段の検出結果にもとづい
て各発光源の発光量を独立的に制御する光量制御回路と
を具備したことを特徴とする発光量制御装置。 - (2)光検出手段は、各発光源からの光をそれぞれ検出
する複数の光検出セルを同一チップ上に配置してなる光
検出器を有する構成としたことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載の発光量制御装置。 - (3)光検出手段は、各発光源からの光をそれぞれ検出
する複数の光検出セルを同一チップ上に配置してなる光
検出器と、光源アレイの少なくとも1個の発光源から発
光した光の進行方向を変化させて対応する光検出セルに
導く光路変更部材とを有する構成としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の発光量制御装置。 - (4)光路変更部材は少なくとも1個の発光源から発光
した光を他の発光源から発光した光から離間する方向へ
屈折させるプリズムであることを特徴とする特許請求の
範囲第3項記載の発光量制御装置。 - (5)光路変更部材は少なくとも2個の発光源から発光
した光を対応する光検出セル上に結像させるとともにそ
の結像間隔を前記発光源相互の間隔より広げる拡大レン
ズであることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
発光量制御装置。 - (6)光路変更部材は少なくとも1個の発光源から発光
した光を対応する光検出セルに向けて案内する光ファイ
バーであることを特徴とする特許請求の範囲第3項記載
の発光量制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040710A JP2542577B2 (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 情報記録再生装置 |
| US07/018,493 US4825064A (en) | 1986-02-26 | 1987-02-25 | Apparatus for energizing a semiconductor laser array having a plurality of light beam emitting points |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040710A JP2542577B2 (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 情報記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200541A true JPS62200541A (ja) | 1987-09-04 |
| JP2542577B2 JP2542577B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=12588136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040710A Expired - Lifetime JP2542577B2 (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 情報記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4825064A (ja) |
| JP (1) | JP2542577B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02105341A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-17 | Canon Inc | 複数の発光点を有する光源を用いた光ヘッド |
| US5249857A (en) * | 1989-10-30 | 1993-10-05 | Kyoraku Co., Ltd. | Built-up furniture unit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2561668B2 (ja) * | 1987-06-22 | 1996-12-11 | 株式会社日立製作所 | 2レ−ザ光ヘッド |
| DE3855936T2 (de) * | 1987-08-24 | 1998-01-02 | Sharp Kk | Optische Abtastvorrichtung |
| NL8802988A (nl) * | 1988-12-05 | 1990-07-02 | Philips Nv | Inrichting voor het met optische straling aftasten van een informatievlak. |
| US5657164A (en) * | 1991-05-28 | 1997-08-12 | Discovision Associates | Optical beamsplitter |
| JPH08147745A (ja) * | 1994-11-17 | 1996-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マルチビームレーザパワー制御方法及びマルチビーム光学的記録再生装置 |
| US5543611A (en) * | 1995-02-06 | 1996-08-06 | Xerox Corporation | Method and apparatus for back facet monitoring of laser diode power output |
Citations (1)
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57130240A (en) * | 1981-02-05 | 1982-08-12 | Olympus Optical Co Ltd | Optical information recording and reproducing device and information recording medium for it |
| NL8101932A (nl) * | 1981-04-21 | 1982-11-16 | Philips Nv | Inrichting voor het inschrijven en uitlezen van informatiesporen in een optische registratiedrager. |
| JPS5919250A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-31 | Hitachi Ltd | 情報の記録再生装置 |
| JPS59167855A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-21 | Canon Inc | 情報記録再生装置 |
| US4660189A (en) * | 1984-03-24 | 1987-04-21 | Sony Corporation | Optical disk player having reduced laser output during track changes |
-
1986
- 1986-02-26 JP JP61040710A patent/JP2542577B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-25 US US07/018,493 patent/US4825064A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243957A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-30 | Nec Corp | 複数ビ−ム用レ−ザ光源 |
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| US5249857A (en) * | 1989-10-30 | 1993-10-05 | Kyoraku Co., Ltd. | Built-up furniture unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2542577B2 (ja) | 1996-10-09 |
| US4825064A (en) | 1989-04-25 |
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