JPS62201637A - ガスソ−スセル - Google Patents
ガスソ−スセルInfo
- Publication number
- JPS62201637A JPS62201637A JP4323386A JP4323386A JPS62201637A JP S62201637 A JPS62201637 A JP S62201637A JP 4323386 A JP4323386 A JP 4323386A JP 4323386 A JP4323386 A JP 4323386A JP S62201637 A JPS62201637 A JP S62201637A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conduit
- raw material
- gas
- heater
- tantalum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
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- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J6/00—Heat treatments such as Calcining; Fusing ; Pyrolysis
- B01J6/008—Pyrolysis reactions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
この発明は、真空中で薄膜を作成するに際して用いられ
るガスソースセルに関する。
るガスソースセルに関する。
気体を熱分解して所望の蒸着物質の分子線を得るガスソ
ースセルにおいて、ガス導入管の側面にガスの噴出口を
設けることにより、製作の容易な構造で導入気体を効率
良く熱分解するガスソースセルを供給する。
ースセルにおいて、ガス導入管の側面にガスの噴出口を
設けることにより、製作の容易な構造で導入気体を効率
良く熱分解するガスソースセルを供給する。
従来、第２図に示すように一端を気体導入口４とし他の
一端を分子線噴出口５とする導管８と、導管８の一部を
加熱し周囲を熱シールド３で囲繞されるヒーター９と、
導管８の一部でヒーターにより加熱される熱分解部ｌを
持つガスソースセルが知られていた０例えば特開昭５８
−１９７７２０号公報に第２図に示すようなガスソース
セルが開示されている。また、第３図に示すように、一
端を気体導入口４とし他の一端を分子線噴出口５とする
導管８と、導管８の一部を加熱し周囲を熱シールド３で
囲繞されるヒーター９と、導管８の一部でヒーターによ
り加熱される熱分解部１を持ち、さらに、熱分解の効率
を上げるため、熱分解部ｌ中にパンフル１４をもつガス
ソースセルが知られていた。
一端を分子線噴出口５とする導管８と、導管８の一部を
加熱し周囲を熱シールド３で囲繞されるヒーター９と、
導管８の一部でヒーターにより加熱される熱分解部ｌを
持つガスソースセルが知られていた０例えば特開昭５８
−１９７７２０号公報に第２図に示すようなガスソース
セルが開示されている。また、第３図に示すように、一
端を気体導入口４とし他の一端を分子線噴出口５とする
導管８と、導管８の一部を加熱し周囲を熱シールド３で
囲繞されるヒーター９と、導管８の一部でヒーターによ
り加熱される熱分解部１を持ち、さらに、熱分解の効率
を上げるため、熱分解部ｌ中にパンフル１４をもつガス
ソースセルが知られていた。
しかしながら第２図に示すガスソースセルにおいては、
原料気体が熱分解部ｌで十分加熱されないために、原料
気体を効率良く熱分解できない。
原料気体が熱分解部ｌで十分加熱されないために、原料
気体を効率良く熱分解できない。
また、第２図に示すガスソースセルにおいてはパンフル
１４を有するため、第１図に示すガスソースセルに比べ
、熱分解の効率は、改善はされるが十分ではなく、さら
に、製作が困難となる欠点があった。
１４を有するため、第１図に示すガスソースセルに比べ
、熱分解の効率は、改善はされるが十分ではなく、さら
に、製作が困難となる欠点があった。
上記問題点を解決するため、この発明においては、ガス
ソースセルを一端を原料気体の導入口とし他の一端が閉
じられ側面に少なくとも１個の穴を有する導管と、該導
管の周囲に設けられ、前記穴から噴出される原料気体を
加熱する為の加熱手段と、前記加熱手段の周囲に設けら
れ、前記加熱手段からの熱が外部に散逸することを防ぐ
熱シールドを有する構造とした。
ソースセルを一端を原料気体の導入口とし他の一端が閉
じられ側面に少なくとも１個の穴を有する導管と、該導
管の周囲に設けられ、前記穴から噴出される原料気体を
加熱する為の加熱手段と、前記加熱手段の周囲に設けら
れ、前記加熱手段からの熱が外部に散逸することを防ぐ
熱シールドを有する構造とした。
上記のように構成されたガスソースセルを用いると、導
管８に設けられた穴１Ｂより原料気体が高温のヒーター
および熱シールドに吹きつけられるため熱分解の効率が
高い。また単純な構造のため製作が容易である。
管８に設けられた穴１Ｂより原料気体が高温のヒーター
および熱シールドに吹きつけられるため熱分解の効率が
高い。また単純な構造のため製作が容易である。
以下にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第
１図は本発明によるガスソースセルの一実施例の断面図
である。一端に気体導入口４を有する導管８の他の一端
１６が閉じられ、該閉じられた一端１６を含む導管８の
一部は、ヒーター９に囲まれている。導管８の、ヒータ
ー９に囲まれた部分に、複数の穴１８が設けられている
。ヒーター９の周囲には輻射が外部に散逸することを防
ぐために熱シールド３が設けられている。熱シールド３
と底板１７により囲まれた部分が熱分解部１である。熱
電対７は熱分解部１に挿入され熱分解部１の温度を測定
しそれをもとにヒーター９へ供給する電力が制御される
。ここでヒーター９および熱シールド３はタンタル類で
ある。
１図は本発明によるガスソースセルの一実施例の断面図
である。一端に気体導入口４を有する導管８の他の一端
１６が閉じられ、該閉じられた一端１６を含む導管８の
一部は、ヒーター９に囲まれている。導管８の、ヒータ
ー９に囲まれた部分に、複数の穴１８が設けられている
。ヒーター９の周囲には輻射が外部に散逸することを防
ぐために熱シールド３が設けられている。熱シールド３
と底板１７により囲まれた部分が熱分解部１である。熱
電対７は熱分解部１に挿入され熱分解部１の温度を測定
しそれをもとにヒーター９へ供給する電力が制御される
。ここでヒーター９および熱シールド３はタンタル類で
ある。
気体導入口４より導入された原料気体は導管８により熱
分解部ｌに導かれ、導管８のうち熱分解部ｌに含まれる
部分で一部が分解される。導管８は一端１６が閉じられ
ているため、気体は、導管の一端１６より噴出すること
はできず、導管８の側面に設けられた穴１Ｂより噴出す
る。穴１８より噴出した気体は高温のクンタルヒーター
９およびタンタル熱シールド３に吹きつけられる。タン
クルヒーター９およびタンタル熱シールド３に吹きつけ
られた未分解の原料気体は、ヒーター９および熱シール
ド３の高熱とタンタルの触媒作用によって、効率的に熱
分解され蒸着物質を生ずる。
分解部ｌに導かれ、導管８のうち熱分解部ｌに含まれる
部分で一部が分解される。導管８は一端１６が閉じられ
ているため、気体は、導管の一端１６より噴出すること
はできず、導管８の側面に設けられた穴１Ｂより噴出す
る。穴１８より噴出した気体は高温のクンタルヒーター
９およびタンタル熱シールド３に吹きつけられる。タン
クルヒーター９およびタンタル熱シールド３に吹きつけ
られた未分解の原料気体は、ヒーター９および熱シール
ド３の高熱とタンタルの触媒作用によって、効率的に熱
分解され蒸着物質を生ずる。
上記のように熱分解部１で生じた蒸着物質は、分子線噴
出口５より分子線として噴出する。
出口５より分子線として噴出する。
この発明は以上説明したように、単純で製作の容易な構
造で効率良く原料気体を熱分解できる効果がある。
造で効率良く原料気体を熱分解できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例であるガスソースセルの構
造を示す断面図、第２図および第３図は従来のガスソー
スセルの構造を示す断面図である。 図において、１は熱分解部、３は熱シールド、４は気体
導入口、５は分子線噴出口、７は熱電対、８は導管、９
はヒーター、１４はバッファ、１６は閉じられた導管の
一端、１７は底板、１８は導管の側面に設けられた穴で
ある。 以上
造を示す断面図、第２図および第３図は従来のガスソー
スセルの構造を示す断面図である。 図において、１は熱分解部、３は熱シールド、４は気体
導入口、５は分子線噴出口、７は熱電対、８は導管、９
はヒーター、１４はバッファ、１６は閉じられた導管の
一端、１７は底板、１８は導管の側面に設けられた穴で
ある。 以上
Claims (1)
- 導入気体の少なくとも一部を熱分解し、所望の蒸着物質
の分子線を得るガスソースセルにおいて、一端を原料気
体の導入口とし他の一端が閉じられ側面に少なくとも１
個の穴を有する導管と該導管の周囲に設けられ、前記穴
から噴出する原料気体を加熱する為の加熱手段と前記加
熱手段の周囲に設けられ、前記加熱手段からの熱が外部
に散逸することを防ぐ熱シールドを有すガスソースセル
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323386A JPS62201637A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | ガスソ−スセル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4323386A JPS62201637A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | ガスソ−スセル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201637A true JPS62201637A (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=12658191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4323386A Pending JPS62201637A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | ガスソ−スセル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62201637A (ja) |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4323386A patent/JPS62201637A/ja active Pending
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