JPS62203387A - 非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法 - Google Patents
非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法Info
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- JPS62203387A JPS62203387A JP61045392A JP4539286A JPS62203387A JP S62203387 A JPS62203387 A JP S62203387A JP 61045392 A JP61045392 A JP 61045392A JP 4539286 A JP4539286 A JP 4539286A JP S62203387 A JPS62203387 A JP S62203387A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、金属基板を用いた非晶質光発電素子モジエ
ールの製造方法に関するものである、〔従来の技術〕 第３図は例えば電力用の非晶質先発′醍素子モジュール
に使用される１０ｃｍ×１０ｃｍの金属基板型非晶質光
発電素子を示したもので、第３図ｆａｔは正面図そして
第３図＋ｂｌは断面図である。図に〉いて、（ハは非晶
質光発電素子、（＝）はこの光発電素子（ハの金属基板
としてのステンレス基板、（３）はこのステンレス基板
（コ）上に形成された、非晶質光発電素子（ハのＰＩＮ
接合部、（ｑｌはこのＰＩＮ接合部（３）上て形成され
た透明電極、（５１はこの透明電極（り）上に形成され
かつ第３図ｆａｔに示した形状を有する集電極である。
ールの製造方法に関するものである、〔従来の技術〕 第３図は例えば電力用の非晶質先発′醍素子モジュール
に使用される１０ｃｍ×１０ｃｍの金属基板型非晶質光
発電素子を示したもので、第３図ｆａｔは正面図そして
第３図＋ｂｌは断面図である。図に〉いて、（ハは非晶
質光発電素子、（＝）はこの光発電素子（ハの金属基板
としてのステンレス基板、（３）はこのステンレス基板
（コ）上に形成された、非晶質光発電素子（ハのＰＩＮ
接合部、（ｑｌはこのＰＩＮ接合部（３）上て形成され
た透明電極、（５１はこの透明電極（り）上に形成され
かつ第３図ｆａｔに示した形状を有する集電極である。
このような非晶質先発１を素子（ハは予め所定の寸法に
切断されたステンレス基板（２）を用いて作られる。な
お、（コａ）はステンレス基板Ｌ２１の一部である。
切断されたステンレス基板（２）を用いて作られる。な
お、（コａ）はステンレス基板Ｌ２１の一部である。
第９図は第３図に示した非晶質光発電素子（ハを多数用
いて作られた電力用非晶質光発電素子モジュールにおけ
る非晶質光発電素子（ハの配置および接続を示す図であ
る。
いて作られた電力用非晶質光発電素子モジュールにおけ
る非晶質光発電素子（ハの配置および接続を示す図であ
る。
第り図に示した７個の非晶質光発電素子モジュールは例
えば横す列、縦／コ列合計≠Ｓ枚の非晶質光発電素子（
ハから成り右側２列の非晶質光発電素子（ハと左側２列
の非晶質光発電素子（ハとが互いに逆の向きに配列され
ている。、（４１は集電極Ｃｔｌとステンレス基板（２
）の一部（Ｕａ）との接続だ用いられる薄い平角のリー
ド線であって、タブリードと呼ばれる。
えば横す列、縦／コ列合計≠Ｓ枚の非晶質光発電素子（
ハから成り右側２列の非晶質光発電素子（ハと左側２列
の非晶質光発電素子（ハとが互いに逆の向きに配列され
ている。、（４１は集電極Ｃｔｌとステンレス基板（２
）の一部（Ｕａ）との接続だ用いられる薄い平角のリー
ド線であって、タブリードと呼ばれる。
次に第９図におけるｕｒ枚の光発電素子相互間の電気的
接続の仕方について説明する、ステンレス基板は非晶質
光発電素子（ハを成膜する際にその−１（２ａ）がマス
ク（図示しない）で予めじゃ蔽されることによって上述
のＰ工Ｎ接合部および透明電極が成膜しないようＫしで
あるので、ステンレス基板の一部（２ａ）と集電極（ｊ
ｌは逆の極性を有している。
接続の仕方について説明する、ステンレス基板は非晶質
光発電素子（ハを成膜する際にその−１（２ａ）がマス
ク（図示しない）で予めじゃ蔽されることによって上述
のＰ工Ｎ接合部および透明電極が成膜しないようＫしで
あるので、ステンレス基板の一部（２ａ）と集電極（ｊ
ｌは逆の極性を有している。
このように構成された電力用非晶質光発電素子モジュー
ルにおいては、右−列、左−列の先頭の非晶質光発電素
子同士をリード線（６）で並列に接続すると共に、縦方
向に隣接する非晶質光発電素子（ハの互いに異なる極性
同士を示示のように直列に接続してゆき、最下端のψ枚
の非晶質光発電素子（ハにおいては中央の２枚の非晶質
光発電素子（ハ同±および両性側の２枚の非晶質光発電
素子（ハ同士を直列に接続することによって２直列コ並
列接続となるので、非晶質光発電素子モジュールはその
受光面に太陽などの光が照射されると■θ端子間に電気
出力を取り出せるように構成されている、〔発明が解決
しようとする問題点〕 非晶質光発電素子は単結晶素子や多結晶素子と異って例
えばプラズマＣ’ＶＤ法で大面積の素子に製造できるこ
とが７つの特徴である。しかしながら。
ルにおいては、右−列、左−列の先頭の非晶質光発電素
子同士をリード線（６）で並列に接続すると共に、縦方
向に隣接する非晶質光発電素子（ハの互いに異なる極性
同士を示示のように直列に接続してゆき、最下端のψ枚
の非晶質光発電素子（ハにおいては中央の２枚の非晶質
光発電素子（ハ同±および両性側の２枚の非晶質光発電
素子（ハ同士を直列に接続することによって２直列コ並
列接続となるので、非晶質光発電素子モジュールはその
受光面に太陽などの光が照射されると■θ端子間に電気
出力を取り出せるように構成されている、〔発明が解決
しようとする問題点〕 非晶質光発電素子は単結晶素子や多結晶素子と異って例
えばプラズマＣ’ＶＤ法で大面積の素子に製造できるこ
とが７つの特徴である。しかしながら。
薄膜素子であるため、単一素子で大面積化して大電流を
流すことができないので、従来の金属基板型非晶質光発
電素子およびそのモジュールは上述したように構成され
ており、多数の非晶質光発電素子を隣接するもの同士が
互いに接触しないように所定の絶縁間隔をあげて配列す
ると共に非晶質光発電素子間をリード線で接続してゆか
なければならないから、非晶質光発電素子モジュールの
組立てに人手と多くの時間を必要とする上、光発電に有
効な非晶質光発電素子のモジュール中での面積率も悪く
、また非晶質光発電素子の寸法が予め決っているので用
途に応じた寸法の七ジュールを作りたい場合に非晶質光
発電素子の寸法による制約を受けるという問題点があっ
た。
流すことができないので、従来の金属基板型非晶質光発
電素子およびそのモジュールは上述したように構成され
ており、多数の非晶質光発電素子を隣接するもの同士が
互いに接触しないように所定の絶縁間隔をあげて配列す
ると共に非晶質光発電素子間をリード線で接続してゆか
なければならないから、非晶質光発電素子モジュールの
組立てに人手と多くの時間を必要とする上、光発電に有
効な非晶質光発電素子のモジュール中での面積率も悪く
、また非晶質光発電素子の寸法が予め決っているので用
途に応じた寸法の七ジュールを作りたい場合に非晶質光
発電素子の寸法による制約を受けるという問題点があっ
た。
この発明は上述したような問題点を解決するためになさ
れたもので、非晶質光発電素子が形成される基板を用途
に応じた寸法に加工できると共だ、リード線を用いるこ
となく非晶質光発電素子間の電気的接続を行うことがで
き、かつモジュールの表面積に占める非晶質光発電素子
の占有面積率を向上させるようにした非晶質光発電素子
モジュールの製造方法を得ることを目的とする。
れたもので、非晶質光発電素子が形成される基板を用途
に応じた寸法に加工できると共だ、リード線を用いるこ
となく非晶質光発電素子間の電気的接続を行うことがで
き、かつモジュールの表面積に占める非晶質光発電素子
の占有面積率を向上させるようにした非晶質光発電素子
モジュールの製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る非晶質光発電素子モジュールの製造方法
は、長尺合端基板の上にまず非晶質光発電素子膜を次い
でその上に透明電極膜を形成したのちこの透明電極膜上
に必要な寸法に合わせた多数の櫛形集電極を形成して一
体型非晶質先発１を素子を形成する工程と、この一体型
非晶質光発電素子を所定の寸法に切断して個別の非晶質
光発電素子を形成する工程と切断された１つの非晶質光
発電素子の櫛形集電極と次の非晶質光発電素子の金属基
板とを重ね合わせて電気的に接続することにより、個別
の非晶質光発電素子を電気的に直列接続する工程とを含
んだものである。
は、長尺合端基板の上にまず非晶質光発電素子膜を次い
でその上に透明電極膜を形成したのちこの透明電極膜上
に必要な寸法に合わせた多数の櫛形集電極を形成して一
体型非晶質先発１を素子を形成する工程と、この一体型
非晶質光発電素子を所定の寸法に切断して個別の非晶質
光発電素子を形成する工程と切断された１つの非晶質光
発電素子の櫛形集電極と次の非晶質光発電素子の金属基
板とを重ね合わせて電気的に接続することにより、個別
の非晶質光発電素子を電気的に直列接続する工程とを含
んだものである。
この発明においては、長尺金属基板上て一体型非晶質光
発電素子を直接形成し、あとで目的に応じた寸法に非晶
質光発電素子を加工するので非晶質素子成膜時の基板の
配列、取付けに要する手間が省けるばかりでな、く、極
めて簡単な手段によって非晶質光発電素子間の接続が行
えるので非晶質光発電素子間の電気的接続箇所が減少し
て手間が大幅に減少する。また、非晶質光発電素子間の
絶縁空間も不要であるのでモジエール当りの光発電変換
効率も向上する。
発電素子を直接形成し、あとで目的に応じた寸法に非晶
質光発電素子を加工するので非晶質素子成膜時の基板の
配列、取付けに要する手間が省けるばかりでな、く、極
めて簡単な手段によって非晶質光発電素子間の接続が行
えるので非晶質光発電素子間の電気的接続箇所が減少し
て手間が大幅に減少する。また、非晶質光発電素子間の
絶縁空間も不要であるのでモジエール当りの光発電変換
効率も向上する。
以下、この発明の一実施例を第１図および第２図につい
て説明する。第１図はこの発明に基づいて長尺金属基板
上に作られた一体型非晶質光発電素子の正面図である。
て説明する。第１図はこの発明に基づいて長尺金属基板
上に作られた一体型非晶質光発電素子の正面図である。
第７図における一体型非晶質光発電素子（／ｌ）は、ま
ず厚さ例えば０． ／ ｍで幅広の長尺金属基板例えば
ステンレス基板（／コ）の上にプラズマＣＶＤ装置でＰ
ＩＮ接合を有する非晶質膜（ｔＪ）ｃ第二図参照］を成
膜し、この非晶質膜（／３）の上にスパッタ装置で透明
電極膜（／す）を成膜し、最後にこの透明電極膜（ハ・
の上にプリント印刷で多数の櫛形集電極（ｔ！ｒ）を印
刷することにより、作られる。なお、ＰＩＮ接合を有す
る非晶質膜（／３）は、長尺ステンレス基板（／、２）
と透明を極膜（／ｑ）の間に存在するので、第７図には
図示されていない。また、多数の櫛形集電極（／左）は
図示したように長尺ステンレス基板（１２）の上に長尺
方向だ所定の間隔をおいて同じ模様で次々忙印刷される
。
ず厚さ例えば０． ／ ｍで幅広の長尺金属基板例えば
ステンレス基板（／コ）の上にプラズマＣＶＤ装置でＰ
ＩＮ接合を有する非晶質膜（ｔＪ）ｃ第二図参照］を成
膜し、この非晶質膜（／３）の上にスパッタ装置で透明
電極膜（／す）を成膜し、最後にこの透明電極膜（ハ・
の上にプリント印刷で多数の櫛形集電極（ｔ！ｒ）を印
刷することにより、作られる。なお、ＰＩＮ接合を有す
る非晶質膜（／３）は、長尺ステンレス基板（／、２）
と透明を極膜（／ｑ）の間に存在するので、第７図には
図示されていない。また、多数の櫛形集電極（／左）は
図示したように長尺ステンレス基板（１２）の上に長尺
方向だ所定の間隔をおいて同じ模様で次々忙印刷される
。
第二図は、第１図のように構成された一体型非晶質光発
電素子（ｌ／）を第１図のＡＡ′線、 ＢＢ’線。
電素子（ｌ／）を第１図のＡＡ′線、 ＢＢ’線。
ＣＣ’線・・・・・・で切断して形成した個別の非晶質
光発電素子／／Ａ、／／Ｂ、／／Ｃ・・・・・・を重ね
合わせて電気的に直列接続した非晶質光発電素子モジュ
ールを示す斜視図で、（１３）はＰＩＮ接合を有する非
晶質膜、（／λ）、（ハ・および（ｌよ）は第１図に示
したものと同一である。
光発電素子／／Ａ、／／Ｂ、／／Ｃ・・・・・・を重ね
合わせて電気的に直列接続した非晶質光発電素子モジュ
ールを示す斜視図で、（１３）はＰＩＮ接合を有する非
晶質膜、（／λ）、（ハ・および（ｌよ）は第１図に示
したものと同一である。
第一図のように構成された非晶質光発電素子それた隣接
の非晶質光発電素子（ｌｌＢ）の下部電極てなるステン
レス基板（ｌコ）とをハンダづけ接続・圧接・圧着また
はスポット溶接などの放電による溶接などの自動化量産
化に適した手段で電気的に接続してゆくことにより、個
別の非晶質光発電素子（／ｌＡ）、（ｌｌＢ）、（／ｌ
Ｃ）・・・・・・間の直列接続を行うことができる。従
って、非晶質光発電素子間には、第す図に示した従来の
モジュールの場合と違って絶縁間隔をあける必要がない
。
の非晶質光発電素子（ｌｌＢ）の下部電極てなるステン
レス基板（ｌコ）とをハンダづけ接続・圧接・圧着また
はスポット溶接などの放電による溶接などの自動化量産
化に適した手段で電気的に接続してゆくことにより、個
別の非晶質光発電素子（／ｌＡ）、（ｌｌＢ）、（／ｌ
Ｃ）・・・・・・間の直列接続を行うことができる。従
って、非晶質光発電素子間には、第す図に示した従来の
モジュールの場合と違って絶縁間隔をあける必要がない
。
なお、上記実施例では、幅広の長尺金属基板を用いた一
体型非晶質光発電素子から切断された幅広の個別非晶質
光発電素子を直列接続する場合について述べたが、一体
型非晶質光発電素子から切り出される非晶質光発電素子
の形状１寸法は、モジュールの用途に応じて任意に設定
できることはいうまでもない。
体型非晶質光発電素子から切断された幅広の個別非晶質
光発電素子を直列接続する場合について述べたが、一体
型非晶質光発電素子から切り出される非晶質光発電素子
の形状１寸法は、モジュールの用途に応じて任意に設定
できることはいうまでもない。
以上のように、この発明によれば、多数の櫛形集電極が
形成された一体型非晶質光発電素子を切断して形成した
個別の非晶質光発電素子を重ね合わせて電気的に直列接
続することによってモジュールを構成したので、非晶質
光発電素子間の接続にリード線を用いる必要がなく従っ
て接続が容易に行える。また非晶質光発電素子間の絶縁
間隔を必要としないので非晶質光発電素子の有効面積を
大きくすることができ、もつ高効率のモジュールが得ら
れるという効果がある。
形成された一体型非晶質光発電素子を切断して形成した
個別の非晶質光発電素子を重ね合わせて電気的に直列接
続することによってモジュールを構成したので、非晶質
光発電素子間の接続にリード線を用いる必要がなく従っ
て接続が容易に行える。また非晶質光発電素子間の絶縁
間隔を必要としないので非晶質光発電素子の有効面積を
大きくすることができ、もつ高効率のモジュールが得ら
れるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による一体型非晶質光発電
素子を示す正面図、第２図はこの発明の一実施例による
非晶質光発電素子モジュールの構成を示す斜視図、第３
図（ａｔおよびｆｂｌは従来の非晶質光発電素子の正面
図および断面図、第９図は従来の非晶質光発電素子モジ
ュールの正面図である。 図において、（１１）は一体型非晶質光発電素子、（／
／Ａ）、（ｌｌＢ）、（／／Ｃ）・・・・・・は個別の
非晶質光発電素子、（ｉｓ）は長尺ステンレス基板、（
／３）はＰＩＮ接合を有する非晶質膜、（１９）は透明
’ｌｉｔ極膜、（１５）は櫛形集電極である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 搗１図 死２図 ％３図 （０） （ｂ） 土 ２Ｇ ｔ。
素子を示す正面図、第２図はこの発明の一実施例による
非晶質光発電素子モジュールの構成を示す斜視図、第３
図（ａｔおよびｆｂｌは従来の非晶質光発電素子の正面
図および断面図、第９図は従来の非晶質光発電素子モジ
ュールの正面図である。 図において、（１１）は一体型非晶質光発電素子、（／
／Ａ）、（ｌｌＢ）、（／／Ｃ）・・・・・・は個別の
非晶質光発電素子、（ｉｓ）は長尺ステンレス基板、（
／３）はＰＩＮ接合を有する非晶質膜、（１９）は透明
’ｌｉｔ極膜、（１５）は櫛形集電極である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 搗１図 死２図 ％３図 （０） （ｂ） 土 ２Ｇ ｔ。
Claims (3)
- （１）長尺金属基板の上にまずＰＩＮ接合を有する非晶
質膜を次いでその上に透明電極膜を形成したのち、この
透明電極膜上に多数の櫛形集電極を長尺方向に所定の間
隔で次々に形成して一体型非晶質光発電素子を形成する
工程と、この一体型非晶質光発電素子を、前記多数の櫛
形集電極のうち必ず１つを含む切片に切断して個別の非
晶質光発電素子を形成する工程と、切断された１つの非
晶質光発電素子の櫛形集電極と次の非晶質光発電素子の
金属基板とが接触するように重ね合わせることにより前
記個別の非晶質光発電素子を電気的に直列接続する工程
とを含んだことを特徴とする非晶質光発電素子モジュー
ルの製造方法。 - （２）直列接続は、ハンダづけ接続、圧接、圧着、また
は放電による溶接で行われることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の非晶質光発電素子モジュールの製造
方法。 - （３）長尺金属基板が非晶質光発電素子の１つの電極を
兼ねていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の非晶質光発電素子モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045392A JPS62203387A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61045392A JPS62203387A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62203387A true JPS62203387A (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=12717991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61045392A Pending JPS62203387A (ja) | 1986-03-04 | 1986-03-04 | 非晶質光発電素子モジユ−ルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62203387A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252147A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| JP2009010355A (ja) * | 2007-05-29 | 2009-01-15 | Toray Eng Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2011036998A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 東レエンジニアリング株式会社 | 太陽電池モジュールの製造装置、その製造方法、及び、太陽電池モジュール |
-
1986
- 1986-03-04 JP JP61045392A patent/JPS62203387A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009010355A (ja) * | 2007-05-29 | 2009-01-15 | Toray Eng Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2008252147A (ja) * | 2008-07-22 | 2008-10-16 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
| WO2011036998A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 東レエンジニアリング株式会社 | 太陽電池モジュールの製造装置、その製造方法、及び、太陽電池モジュール |
| JP2011071311A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toray Eng Co Ltd | 太陽電池モジュールの製造装置、その製造方法、及び、太陽電池モジュール |
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