JPS6220649B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は分巻型の螺旋溶断遅速型ヒユーズに関
するものである。米国特許第4445106号及び第
4409729号は非分巻型の螺旋ヒユーズを開示して
いる。本発明の最良の実施例はこれらの米国特許
のものと類似しているが、本発明は、米国特許で
も用いられている１本の螺旋フイラメントに加
え、これと独特の関連を有する１本または２本の
ヒユーズ・フイラメントを更に使用している点で
異つている。

〔従来の技術〕

前記米国特許の螺旋ヒユーズは、透明な円筒ケ
ースと、その両端を閉鎖するカツプ型端子用金属
キヤツプと、両端子間に張設されてはんだ付され
たヒユーズワイア部とから成つている。ヒユーズ
ワイア部は、サイジングなどをしていないセラミ
ツク繊維を撚り合わせて形成した柔かい芯を含
み、この芯上にヒユーズワイア（以下ヒユーズ・
フイラメントとも呼ぶ）を螺旋状に巻いてやや硬
い部材に仕上げ、その硬さは両端のキヤツプ間に
はんだ付けしたときにその形状を保持できるよう
になつている。この絶縁性芯は熱吸収機能を有
し、これにより、ヒユーズは比較的低い過大電流
下で溶断遅速性を具備することとなる。

この型の遅速性ヒユーズにおいては、ヒユーズ
ワイアは概ね錫めつきした銅線で構成されてい
る。（概して、錫めつきによりはだか銅線の厚み
が約1.16の割合で増す。）錫めつき材がヒユーズ
ワイアの銅内に浸透して合体すると、錫めつきが
無い場合に比べ、銅線の抵抗を増大させ、溶断温
度を低下させる。めつき銅線が所定割合の過大電
流を所定の最少時間継続して受けることにより所
定の温度に加熱されるまでは、錫めつき材は被膜
としてヒユーズワイアの銅本体を被覆する。錫が
銅内に所定量浸透すると、純銅よりも溶断温度が
はるかに低い銅錫合金を形成する。この過大電流
が所定時間継続すると、銅合金は溶断温度に達
し、ヒユーズが飛ぶことになる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

錫めつきの浸透度は銅線の各部の温度にばらつ
きがあると、部位ごとに異つてくる。また、銅線
に傷があつたりすると、温度や錫の量を一定とし
て考えた場合、より短時間のうちに錫が銅線内に
すつかり浸透し、ヒユーズの溶断を早めてしま
う。すなわち、銅線の傷などのために、ヒユーズ
が耐久限度に達する前に切れてしまうという問題
がある。

中心の金属内に浸透してその溶断温度を低下さ
せる錫、その他のめつきをした遅速型ヒユーズの
最大の問題は、めつき材がいつたん浸透すると元
へは戻らないこと、そして、この浸透は過大電流
に満たない電流、すなわち定格電流以下の電流で
も、ゆつくりではあるが進行することである。従
つて、遅速型ヒユーズはすべて、時間とともに品
質が低下する。そこで、ヒユーズの耐久性を維持
し溶断温度の低下を防止するためには、通常の電
流がある定格電流の８割を越える回路には、その
定格電流のヒユーズなるべく使用しない方がよい
とされている。錫またはこれと同等のめつきの浸
透は上述したように、定格電流に満たない電流で
も進行するから、使用しているうちに徐々に品質
が低下し、その結果、長時間使用すると正常な電
流でも切れてしまうことがあるからである。

錫めつきに帰因したもう一つの問題として、錫
めつきあまり厚くなると、螺旋ヒユーズワイアの
湾曲部で内側の錫めつき層が寄れてかさばり、溶
断温度に達する前にヒユーズワイア自身が短絡す
るという事態を招く恐れがある。このような場
合、溶断条件が変化して、ヒユーズの機能が不安
定になつてしまう。

２本の錫めつきヒユーズワイアを互いに接触さ
せるように配設したヒユーズにおいては、２本の
銅線間に２重の厚みの錫層が介在することになる
ので、上述の欠点が更に大きくなることがわかつ
た。特に、１本の錫めつきヒユーズワイアの上に
上述したような錫めつき螺旋ヒユーズワイアを巻
くことにより機能の改善をはかつた分巻ヒユーズ
の場合、この現象が生じやすい。

分巻ヒユーズの一例として、内側の錫めつきヒ
ユーズワイアがヒユーズの絶縁芯に沿つて直線状
に延びているものがある。この場合、外側の螺旋
錫めつきヒユーズワイアは一回転ごとに、互いに
離れた地点で、内側の直線状ヒユーズワイアと交
差接触し、ヒユーズの長さ方向に並び且つ二重の
錫めつき層で分離された一連の並列接続ヒユーズ
ワイア単位群を構成している。

〔問題点を解決するための手段及びその作用〕

従来の分巻ヒユーズでは、２本の並列接続され
たヒユーズワイアは同時に切れるか、同時でない
場合でも、１本のヒユーズワイアの溶断後、別の
ヒユーズワイアに全電流が流れて急激に加熱され
るため、相次いで切れるようになつているのが普
通である。

本発明の特徴は、分巻ヒユーズの２本の交差す
るヒユーズワイアが従来各ヒユーズワイアを被覆
していたと同じ厚みの錫層を片方にだけ設けて、
これを２本のヒユーズワイアが共有するようにし
たことである。この場合、後述する理由で、錫め
つきは短い方のヒユーズワイアにするとよい。過
大電流時に、両ヒユーズワイアが加熱され、錫が
両ヒユーズワイア内に浸透して、その溶断温度を
低下させる。

本発明の最上位概念は、内側の直線状または螺
旋状ヒユーズワイアにはめつき加工しないで、こ
の外側に巻く螺旋ヒユーズワイアを錫めつきして
構成した分巻ヒユーズをも包含しているが、比較
的高い定格電流ヒユーズの場合は特に、外側に巻
かれるヒユーズワイアにはめつき加工せずに、内
側のヒユーズワイアを軸方向に延びる直線形状に
して、１本あるいは１対設け、その１本に錫めつ
きするとよい。また、交差するヒユーズワイアの
うち短い方のワイアに錫めつきしたものを用いれ
ば、錫めつきをするワイアの長さを全体として短
縮できる。このように構成することにより、錫め
つきにより上述のようなヒユーズの欠点を低減す
ることができる。また、短い方のヒユーズワイア
だけを錫めつきすることにより、製造コストを低
減することができる。ただし、比較的低い定格電
流ヒユーズの場合には、後述の理由で、外側に巻
きつけられる螺旋ヒユーズワイアに錫めつきする
方がよい。

従来は分巻型を用いなかつた定格電流値におい
ても、上述の構成を用いることにより（ワイアが
あまり細くならなければ）、螺旋遅速型ヒユーズ
の信頼度を著しく改善できることがわかつた。す
なわち、１本の直線状ヒユーズワイアだけにめつ
きをすることで錫めつきの量を少くしたので、こ
れによつてヒユーズの信頼度が高まつた。それば
かりでなく、上述の理由、更には簡単には解明で
きない他の何らかの理由で、ヒユーズが耐久限度
に達しないうちに切れてしまうという不都合は実
際に減少した。電流状態の良し悪しにかかわら
ず、ヒユーズの使用中は常に錫の浸透が進行する
ので、錫めつきヒユーズワイアの抵抗が徐々に増
加し、元に戻ることがない。非めつきヒユーズワ
イア内への錫の浸透量はめつきされたヒユーズワ
イアへの浸透量に比べてはるかに少いので、非め
つきワイアで分流されているめつきワイア内の電
流量が次第に減少し、非めつきワイア内の電流量
の割合が徐々に増加していく。めつきワイア内の
電流が減少すると、あまり加熱されなくなり、従
つて、めつきワイア内への錫の浸透量も減少す
る。一方、非めつきワイアはそれ自身、あるいは
これと交差するヒユーズワイアが断面円形状をし
ているために、交差点においてめつきワイアと点
接触あるいは線接触しているにすぎず、非めつき
ワイア内に錫が浸透したとしても、その量は極く
わずかである。従つて、めつきワイア内への錫浸
透量が非めつきワイア内への浸透量よりもはるか
に多いという関係は変らない。その結果、非めつ
きワイアの時間当りの抵抗値増大量ははるかに少
ない。従つて、めつきワイアから非めつきワイア
へ電流が移流してめつきワイア内への錫の浸透を
減少させ、正常電流下におけるヒユーズの耐久性
を改善することができる。

ヒユーズを溶断すべき過大電流があつたとき
は、めつきワイアの温度は錫が両ヒユーズワイア
に浸透する程度まで上昇する。そしてこの過大電
流が溶断を要する時間だけ継続すると、めつきワ
イアの最も高温の部分がまず溶断し、次いで、そ
の溶断による増加電流を受けて非めつきワイアが
溶断する。

〔実施例〕

以下、第１−４図に示した実施例に基いて、本
発明の溶断遅速型ヒユーズを詳細に説明する。

ヒユーズ２は、ガラスやセラミツクなどの適当
な絶縁材料製の円筒状ケース４と、その両端を閉
塞する導電性キヤツプ６，６′とから成つてい
る。キヤツプ６，６′間に亘り、螺旋ヒユーズ部
８が設けられ、このヒユーズ部８のヒユーズワイ
ア部をキヤツプ６，６′にはんだ１０，１０′で固
着することにより、両者を電気的に接続する。

ヒユーズ部８の芯８Ａとして、絶縁性、熱吸収
性材料、できれば、スリーエム（3M）社製の
NEXTEL（登録商標）312セラミツクフアイバと
呼ばれるセラミツク材料に後述する特殊加工をし
て得られる撚り糸で形成した柔軟なデツドセーン
を用いると、芯８Ａをサイジング処理したり、ヒ
ユーズ溶断時に炭化するような材料で結び束ねた
りする必要がない。ヒユーズワイアは、短絡時
や、定格電流以下であつても後述するような錫の
浸透を進行させる過剰電流が長く続いた時に、速
やかに溶断する銅、その他の材料をめつき無しで
用いて形成するのが最もよい。

ここに説明する本発明の最良の実施例では、ま
ず、柔軟な撚り糸の芯８Ａの外周上に約180゜隔
てて、錫めつきした断面円形状の銅線８Ｃと、め
つきしていない断面円形状の銅線８Ｄとを配設
し、その後これらの銅線８Ｃ，８Ｄと密着するよ
うに、螺旋状ヒユーズワイア８Ｂをきつく巻いて
いる。ヒユーズワイア８Ｃ，８Ｄは互いに接触し
ない限り、緩い螺旋状にしてもよいが、芯８Ａの
軸方向に延びる直線形状にする方がよい。一方の
ヒユーズワイア８Ｃは錫めつきされているので、
これと交差接触する螺旋ヒユーズワイア８Ｂとの
間に錫の層が介在することになる。すなわち第６
図に示すように、直線状ヒユーズワイア８Ｃの銅
芯１４周囲の錫めつき層１２が、めつきされてい
ない外側の螺旋ヒユーズワイア８Ｂに接してい
る。しかしながら、両ヒユーズワイア８Ｂ，８Ｃ
はいずれも断面円形状なので、その接触面積は極
くわずかである。

ユー・エル198ジ−（UL−198G）仕様に沿つた
ヒユーズの一例を次に示す。

ヒユーズ（全体寸法と定格電流）： 直径0.635cm×長さ3.17cm。15アンペア、125
ボルト。

ヒユーズワイア： ８Ｂ：直径0.028702cmのめつきされていない銅
線。

2.54cm当り23回転。

８Ｃ：厚さ0.002032cmの純錫めつきをした直径
0.024384cmの銅線。

８Ｄ：直径0.018542cmのめつきされていない銅
線。： コア：直径0.08128cmのスリーエム（3M）社製
321NEXTEL（登録商標）セラミツク・フアイ
バー・ヤーン。これは米国特許第4409729号に
開示されたようにセラミツク・フイラメント撚
り合せて得たストランド４本から成り、１本の
ストランドは390本のフイラメントから成る。

ケース：長さ3.048cm、壁厚0.06858cm、内径
0.42164cmのガラス製円筒。

時間−電流特性（近似値）： 1.1×定格電流Ｉ_oのとき、ヒユーズは溶断し
ない。

1.35×Ｉ_oのとき、ヒユーズは15分で溶断す
る。

５×Ｉ_oのとき、ヒユーズは560ミリセカンド
で溶断する。

上述のように、ヒユーズワイア内に錫が浸透す
ると、抵抗値が増し、もとへ戻らなくなる。明ら
かに、ヒユーズの耐久性は錫の浸透によつて延
び、ヒユーズワイアの抵抗の変化は定格電流以下
で最少になる。従つて、上述の従来例のように、
交差する２本のヒユーズワイアを複数箇所で並列
接続し、且つ、両者間に介在する錫めつき層の錫
が両ワイア内に同じように浸透する状態にある
と、両ヒユーズワイア内では同じような抵抗の変
化が生じ、本発明におけるように、時間とともに
電流を変化させて錫の浸透量を減少させるという
効果は期待できない。

これに対して本発明では、交差するヒユーズワ
イアの一方だけに錫めつきしているので、定格定
電以下では、この錫はめつきされていない方のヒ
ユーズワイアにはほとんど浸透しない。従つて、
めつきされたワイアの抵抗が時間とともに徐々に
増大するとき、これを通過する電流が減少し、錫
の浸透量を減少させるとともに、ヒユーズの耐久
性を増すことになる。

この実施例では、ヒユーズワイア８Ｃ内に錫が
浸透する前は、直線状ヒユーズワイア８Ｃ内の電
流は52.5％、螺旋ヒユーズワイア８Ｂの電流は
17.7％、めつきされていない直線状ヒユーズワイ
ア８Ｄ内の電流は29.8％であつた。理論的に、あ
る定格電流におけるヒユーズの溶融を遅延させる
ためには、芯と螺旋ヒユーズワイアの全体積を最
大限にするとよいことになる。例えば芯の断面積
が一定のとき、理論上は螺旋ヒユーズワイアの断
面積をできるだけ大きくするとよい。しかしなが
ら、本実施例のように最長のワイアとしてめつき
加工していないものを用いるときは、ヒユーズワ
イア８Ｃ上の錫めつき層を十分に厚くして、両ワ
イア８Ｂ，８Ｃ間に十分な量の錫を介在させる必
要がある。従来の錫めつき装置を使用したとこ
ろ、ヒユーズワイアの寸法にかかわらず、めつき
後の直径をめつき前の直径に対して一定の割合と
なるよう定めると良いことがわかつた。本出願人
が用いた錫めつき装置によれば、最良の割合は
1.163であつた。このとき、螺旋ヒユーズワイア
８Ｂの直径は直線状ヒユーズワイア８Ｃの錫めつ
きの厚さにより制限されることになる。すなわ
ち、15アンペア用ヒユーズの場合、理論的には螺
旋形ヒユーズワイア８Ｂの直径を直線状ヒユーズ
ワイア８Ｃよりもはるかに大きくすることが望ま
しいのだが、実際には両ヒユーズワイア８Ｂ，８
Ｃともほぼ同径にするとよいことがわかつた。

ただし、比較的高い定格電流用ヒユーズにおけ
るめつき及び非めつきヒユーズワイアの直径比
は、比較的低い定格電流用ヒユーズにおける直径
比よりも大きくとることができる。

例えば、３アンペアおよびこれ以下の比較的低
い定格電流の場合、所望の溶断遅速型ヒユーズを
得ようとする芯とフイラメント・ワイアの体積を
最大限にしなければならないので、直線状ヒユー
ズワイア８Ｃの代りに螺旋ヒユーズワイア８Ｂに
錫めつきをした方が良いことになる。すなわち、
低い定格電流では各ヒユーズワイアは細くなるの
で、ヒユーズ全体の直径が最少となり、ヒユーズ
ワイアを十分な体積にするには最長の螺旋ヒユー
ズワイア８Ｂに錫めつきした方がよい。しかしこ
の場合、以下に述べるように、ヒユーズの製造コ
ストが多少増大する。

定格電流の大きさは、ヒユーズワイアの直径ま
たは形状、錫めつきの層、芯の熱吸収特性、更に
は直線状ヒユーズワイアの本数により定まる。

芯８Ａの材料、構成、寸法は適宜選択可能だ
が、前記米国特許第4409729号に開示したものが
望ましい。

これまで述べたことは本願の特に重要な点であ
るが、本発明の範囲内で種々変形が可能であるこ
とは言うまでもない。例えば、比較的高い定格電
流用ヒユーズの場合、８Ｃ，８Ｄのようなヒユー
ズを更に追加して用い、ヒユーズの定格電流を高
くするなどが可能である。

また、明細書及び図面には、分巻ヒユーズを構
成する１対交差ヒユーズワイアの一方に錫めつき
した場合のみを示しているが、他方のヒユーズワ
イアに同様の錫めつきをしてもヒユーズの溶断特
性にほとんど変化がない。このような方法で本出
願から生じる特許権が侵害されるのを防止するた
めに、本願特許請求の範囲では、交差するヒユー
ズワイアのうち一方だけが錫の“効果”層を有す
る、との文言により、十分な厚みを有する錫また
はその他の物質で形成された一つの層が、十分に
錫を浸透させ、もつてヒユーズの溶断特性に影響
を与えるものであることを表現した。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による遅速型ヒユーズの斜視
図、第２図は第１図のヒユーズの２−２線縦断面
図、第３図は第１，２図のヒユーズの一部を拡大
した側面図、第４図は第３図に示した部分を直角
方向から示した図、第５図は第４図に示した部分
の５−５線断面図、第６図は第３図に示した部分
の６−６線断面図である。 ２……螺旋遅速型分巻ヒユーズ、４……円筒ケ
ース、６，６′……導電性キヤツプ、８……ヒユ
ーズ部、８Ａ……芯、８Ｂ……螺旋ヒユーズワイ
ア、８Ｃ，８Ｄ……ヒユーズワイア、１２……め
つき層、１４……銅芯。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 互いに離れて設けられた１対の端子と両端子
   間に接続保持されたヒユーズワイア部とを有し、
   このヒユーズワイア部が絶縁性の芯とこの周囲に
   螺旋状に巻かれたヒユーズ・フイラメントとから
   絞る溶断遅速型ヒユーズにおいて、前記芯上に、
   前記螺旋ヒユーズ・フイラメントとその軸方向に
   離れた複数位置で接し且つ電気的に接続された少
   なくとも第２のヒユーズ・フイラメントを設ける
   ことにより、少なくともこれらの２本のフイラメ
   ントを複数位置で接続するように交差させて電気
   的に並列接続し、各ヒユーズ・フイラメントの本
   体材料としては、短絡電流時に即時に溶断すると
   ともに、過大電流が継続して与えられその結果、
   当初はこの本体材料の外側に設けられた溶断温度
   低下用錫めつきその他の被膜材がこの本体材料内
   に徐々に浸透して所定効果値に達したときに溶断
   するような金属を用い、前記両ヒユーズ・フイラ
   メントの１つのみの本体金属の外周にはその長手
   方向に沿つて上記ヒユーズ・フイラメント内に浸
   透し得る溶断温度低下用錫その他の予め施された
   被膜が設けられ、前記各接触位置において前記錫
   めつきその他の被膜材の単一層が共有され、過大
   電流時にそのめつき材が両ヒユーズ・フイラメン
   ト内へ浸透することを特徴とする、溶断遅速型ヒ
   ユーズ。 ２ 前記位置で互いに接する前記両ヒユーズ・フ
   イラメントの一方が他方のヒユーズ・フイラメン
   トよりはるかに短く、前記錫めつき被膜が短い方
   のヒユーズ・フイラメントにのみ塗布されている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載し
   た溶断遅速型ヒユーズ。 ３ 前記過大電流値未満の電流であつて且つ前記
   錫めつきその他の被膜で被覆されているヒユー
   ズ・フイラメントの抵抗を徐々に増大させる電流
   が流れるときに、この被膜の材料が少なくともそ
   のヒユーズ・フイラメント内に浸透するようにな
   つており、はだかのヒユーズ・フイラメントが被
   覆ヒユーズ・フイラメントと接する位置では、は
   だかのヒユーズ・フイラメント内への錫めつき材
   などの浸透量がほとんど無いか、あるいは、前記
   過大電流値未満の電流時に被覆ヒユーズ・フイラ
   メントに浸透する量よりもはるかに少ないことを
   特徴とする特許請求の範囲第２項に記載した溶断
   遅速型ヒユーズ。 ４ 前記交差するヒユーズ・フイラメント間の接
   触面積を少なくするように少なくとも一方のヒユ
   ーズ・フイラメントを曲回し、これにより、はだ
   かのヒユーズ・フイラメントへの錫などの浸透度
   を前記被覆ヒユーズワイアに比して少なくしたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載した
   溶断遅速型ヒユーズ。 ５ 前記共有された錫めつき材などの被膜が、ヒ
   ユーズ内の前記継続過大電流に満たない電流のと
   きにはだかのヒユーズ・フイラメントに浸透する
   よりもはるかに速く、被覆ヒユーズ・フイラメン
   ト内に浸透し、もつて、前記継続過大電流があつ
   たとき、被覆ヒユーズ・フイラメントがまず溶断
   し、その結果、溶断したフイラメントの電流の少
   なくとも一部が、これと接しているはだかのヒユ
   ーズ・フイラメント内に移流し、はだかのヒユー
   ズ・フイラメントが増加電流のために溶断するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載した
   溶断遅速型ヒユーズ。 ６ 前記両ヒユーズ・フイラメントのうち長い方
   が、短い方のヒユーズ・フイラメントの周囲に巻
   かれていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項に記載した溶断遅速型ヒユーズ。 ７ 前記両ヒユーズ・フイラメントのうち短い方
   が、前記芯の軸方向にほぼ直線状に延びているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または２項
   に記載した溶断遅速型ヒユーズ。 ８ 前記両ヒユーズ・フイラメントのうち短い方
   が、前記芯の軸方向にほぼ直線状に延びており、
   その外側に前記螺旋フイラメントが巻かれている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載し
   た溶断遅速型ヒユーズ。 ９ 少なくとも３本の前記ヒユーズ・フイラメン
   トが前記芯上で並列接続されており、そのうちの
   ２本が前記芯周囲の歯なれた角度位置でその軸方
   向にほぼ直線状に延びて前記螺旋ヒユーズ・フイ
   ラメントと接しており、これら直線状ヒユーズ・
   フイラメントの一方が錫めつき材の効果被膜を有
   していることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   に記載した溶断遅速型ヒユーズ。 １０ 前記芯上に前記ヒユーズ・フイラメントが
   少なくとも３本設けられ、そのうちの２本が前記
   芯周囲の離れた角度位置でその軸方向にほぼ直線
   状に延び、その外側に前記螺旋ヒユーズ・フイラ
   メントが巻かれていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項又は第２項に記載した溶断遅速型ヒ
   ユーズ。 １１ 前記芯上に前記ヒユーズ・フイラメントが
   少なくとも３本設けられ、そのうちの２本が前記
   芯周囲の対角位置でその軸方向にほぼ直線状に延
   び、その外側に接して前記螺旋ヒユーズ・フイラ
   メントが巻かれていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項又は第２項に記載した溶断遅速型ヒ
   ユーズ。 １２ 前記螺旋ヒユーズ・フイラメントによつて
   密接囲繞され、この螺旋ヒユーズ・フイラメント
   がその他の各ヒユーズ・フイラメントと複数位置
   で交差接触し、螺旋ヒユーズ・フイラメントの内
   側のヒユーズ・フイラメントの一方が錫めつき材
   の効果被膜を有していることを特徴とする特許請
   求の範囲第２項に記載した溶断遅速型ヒユーズ。 １３ 前記被覆されたフイラメント上のめつき層
   の被覆の厚さが、前記継続的過大電流があつたと
   きには、他方のヒユーズ・フイラメントがまず溶
   断してその電流の少なくとも一部をこれと接する
   前記一方のヒユーズ・フイラメントに移流させ、
   この移流のために増大した電流を受けて、前記一
   方のヒユーズ・フイラメントが溶断するように調
   整されていることを特徴とする、特許請求の範囲
   第１項に記載した溶断遅速型ヒユーズ。 １４ 前記交差するヒユーズ・フイラメント間の
   接触面積を少なくするように少なくとも一方のヒ
   ユーズ・フイラメント間を曲回し、これにより、
   はだかのヒユーズ・フイラメントへの錫などの浸
   透度を前記被覆ヒユーズワイアに比して少なくし
   たことを特徴とする特許請求の範囲第１３項に記
   載した溶断遅速型ヒユーズ。