JPS6220723B2 - - Google Patents
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- JPS6220723B2 JPS6220723B2 JP5656481A JP5656481A JPS6220723B2 JP S6220723 B2 JPS6220723 B2 JP S6220723B2 JP 5656481 A JP5656481 A JP 5656481A JP 5656481 A JP5656481 A JP 5656481A JP S6220723 B2 JPS6220723 B2 JP S6220723B2
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- circularly polarized
- polarized wave
- faraday
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- magnetization
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/18—Phase-shifters
- H01P1/19—Phase-shifters using a ferromagnetic device
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、優れた可逆位相特性をもつフアラ
デー旋波子形可逆移相器に関するものである。
デー旋波子形可逆移相器に関するものである。
第１図は従来のフアラデー旋波子形可逆移相器
の構造を示すための斜視図であり、第２図ａ，
ｂ，ｃは第１図のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ断面図
である。従来のフアラデー旋波子形可逆移相器
は、円柱状または底面が正方形の角柱状のフエリ
磁性体１の電波伝ぱん方向に平行な側面を金属被
覆し、フエリ磁性体１側面上に磁化用導線２を巻
きつけ、磁化Ｍが残留するようにヨーク３を配置
してフアラデー旋波子４を構成し、さらに、フエ
リ磁性体１側面上の両端に４個の永久磁石板５の
Ｎ極およびＳ極が対向するように配置して成る第
１の円偏波発生器６、および第１の円偏波発生器
６の永久磁石板４のＮ極とＳ極を逆に配置した第
２の円偏波発生器７を構成した構造となつてい
る。
の構造を示すための斜視図であり、第２図ａ，
ｂ，ｃは第１図のＡ−Ａ，Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ断面図
である。従来のフアラデー旋波子形可逆移相器
は、円柱状または底面が正方形の角柱状のフエリ
磁性体１の電波伝ぱん方向に平行な側面を金属被
覆し、フエリ磁性体１側面上に磁化用導線２を巻
きつけ、磁化Ｍが残留するようにヨーク３を配置
してフアラデー旋波子４を構成し、さらに、フエ
リ磁性体１側面上の両端に４個の永久磁石板５の
Ｎ極およびＳ極が対向するように配置して成る第
１の円偏波発生器６、および第１の円偏波発生器
６の永久磁石板４のＮ極とＳ極を逆に配置した第
２の円偏波発生器７を構成した構造となつてい
る。
次に動作説明を行なう。第２図ａの左側から直
線偏波が入射すると、第１の円偏波発生器６に入
り、右旋円偏波となつてフアラデー旋波子４を通
過する。このとき磁化用導線２にパルス状電流を
流すと、第２図ａに示した方向に磁化Ｍが残留す
る。この磁化Ｍの方向に対し円偏波の回転方向は
右ねじの関係にあるためフエリ磁性体１は、右旋
円偏波透磁率を示す。これによる位相変化を受け
た右旋円偏波は第２の円偏波発生器７を通過した
後、直線偏波に変換される。
線偏波が入射すると、第１の円偏波発生器６に入
り、右旋円偏波となつてフアラデー旋波子４を通
過する。このとき磁化用導線２にパルス状電流を
流すと、第２図ａに示した方向に磁化Ｍが残留す
る。この磁化Ｍの方向に対し円偏波の回転方向は
右ねじの関係にあるためフエリ磁性体１は、右旋
円偏波透磁率を示す。これによる位相変化を受け
た右旋円偏波は第２の円偏波発生器７を通過した
後、直線偏波に変換される。
また逆に、第２図ａに示す移相器の右側から直
線偏波が入射すると、第２の円偏波発生器７に入
り、左旋円偏波となつてフアラデー旋波子４を通
過する。前記と同じ磁化Ｍが残留している場合、
磁化Ｍの方向に対し円偏波の回転方向が右ねじの
関係にあるため、前記と同じく右旋円偏波透磁率
を示し、第１の円偏波発生器６通過後の透過位相
は、前記の場合と等しくなる。したがつて同じ残
留磁化Ｍに対して、移相器の左右いずれの方向か
ら直線偏波を入射しても同じ透過位相を示すた
め、可逆移相器として動作することになる。
線偏波が入射すると、第２の円偏波発生器７に入
り、左旋円偏波となつてフアラデー旋波子４を通
過する。前記と同じ磁化Ｍが残留している場合、
磁化Ｍの方向に対し円偏波の回転方向が右ねじの
関係にあるため、前記と同じく右旋円偏波透磁率
を示し、第１の円偏波発生器６通過後の透過位相
は、前記の場合と等しくなる。したがつて同じ残
留磁化Ｍに対して、移相器の左右いずれの方向か
ら直線偏波を入射しても同じ透過位相を示すた
め、可逆移相器として動作することになる。
ところが、移相器にひねり等の外部応力が加わ
つた場合、本来可逆であるべき移相器が、フエリ
磁性体１の磁歪効果により、非可逆性を有するこ
とがある。磁歪効果の少ないフエリ磁性体材料と
しては、Li（リチウム）系及びMg−Mn（マグネ
シウム−マンガン）系があげられるが、これらの
フエリ磁性体材料を用いた移相器にパルス状の高
周波を入射し、そのパルス状高周波電力の尖頭値
を増していくと、比較的低い尖頭値から急激に挿
入損失が増加するという現象がある。一方YIG
（イツトリウム−鉄−ガーネツト）系はHo（ホロ
ミウム）等の稀土類イオンを加えることにより前
記尖頭値を大幅に大きくすることができるが、前
記磁歪効果が大きくなるという欠点を有してい
る。したがつて、従来の高電力用移相器では、フ
エリ磁性体材料としてYIG系を用い、ある程度の
位相の非可逆性を許容して用いなければならなか
つた。
つた場合、本来可逆であるべき移相器が、フエリ
磁性体１の磁歪効果により、非可逆性を有するこ
とがある。磁歪効果の少ないフエリ磁性体材料と
しては、Li（リチウム）系及びMg−Mn（マグネ
シウム−マンガン）系があげられるが、これらの
フエリ磁性体材料を用いた移相器にパルス状の高
周波を入射し、そのパルス状高周波電力の尖頭値
を増していくと、比較的低い尖頭値から急激に挿
入損失が増加するという現象がある。一方YIG
（イツトリウム−鉄−ガーネツト）系はHo（ホロ
ミウム）等の稀土類イオンを加えることにより前
記尖頭値を大幅に大きくすることができるが、前
記磁歪効果が大きくなるという欠点を有してい
る。したがつて、従来の高電力用移相器では、フ
エリ磁性体材料としてYIG系を用い、ある程度の
位相の非可逆性を許容して用いなければならなか
つた。
第３図ａ，ｂは磁歪効果の一つである逆ビーデ
マン効果を説明するための図である。
マン効果を説明するための図である。
フエリ磁性体１にひねり力Ｐを加えたとき電波
伝ぱん方向に磁場Ｈを加えると、フエリ磁性体１
内では磁場Ｈ方向の磁化成分ＭHだけでなく、円
周方向にも磁化成分ＭRが現われる現象を逆ビー
デマン効果という。また、磁場Ｈの方向を逆にす
ると、円周方向の磁化成分ＭRも逆転することが
知られている。
伝ぱん方向に磁場Ｈを加えると、フエリ磁性体１
内では磁場Ｈ方向の磁化成分ＭHだけでなく、円
周方向にも磁化成分ＭRが現われる現象を逆ビー
デマン効果という。また、磁場Ｈの方向を逆にす
ると、円周方向の磁化成分ＭRも逆転することが
知られている。
上記の現象が移相器のフアラデー旋波子４内で
生じた場合、磁場Ｈ方向の磁化成分ＭHは、可逆
移相器に必要な磁化であり、円周方向の磁化成分
ＭRは非可逆性の原因となる不用な磁化である。
第４図ａ，ｂは、円周方向磁化成分ＭRと非可逆
性の関係を説明するため、磁化用導線２とヨーク
３を取り除いたフアラデー旋波子４を示した図で
ある。フアラデー旋波子４内には通過している円
偏波の回転方向に無関係で、伝ぱん方向Ｄにより
回転方向が異なる高周波回転磁界ｈが存在する。
したがつて、所定の円周方向の磁化成分ＭRが存
在する場合、第４図ａに示すＤ方向に伝ぱんする
円偏波に対し、フエリ磁性体１は左旋円偏波透磁
率を示す。これによる位相遅れをθとすると、第
４図ｂに示す逆のＤ方向に伝ぱんする円偏波に対
しフエリ磁性体１は右旋円偏波透磁率を示すた
め、位相がθ進むことになる。
生じた場合、磁場Ｈ方向の磁化成分ＭHは、可逆
移相器に必要な磁化であり、円周方向の磁化成分
ＭRは非可逆性の原因となる不用な磁化である。
第４図ａ，ｂは、円周方向磁化成分ＭRと非可逆
性の関係を説明するため、磁化用導線２とヨーク
３を取り除いたフアラデー旋波子４を示した図で
ある。フアラデー旋波子４内には通過している円
偏波の回転方向に無関係で、伝ぱん方向Ｄにより
回転方向が異なる高周波回転磁界ｈが存在する。
したがつて、所定の円周方向の磁化成分ＭRが存
在する場合、第４図ａに示すＤ方向に伝ぱんする
円偏波に対し、フエリ磁性体１は左旋円偏波透磁
率を示す。これによる位相遅れをθとすると、第
４図ｂに示す逆のＤ方向に伝ぱんする円偏波に対
しフエリ磁性体１は右旋円偏波透磁率を示すた
め、位相がθ進むことになる。
以上のことから、従来の移相器においては、正
常な可逆動作時に得られるべき位相をφとする
と、電波が、一方の方向へ通過した場合の位相が
φ−θ、逆の方向へ通過した場合の位相がφ＋θ
となり、２θの位相差が、非可逆性として現われ
るという欠点があつた。
常な可逆動作時に得られるべき位相をφとする
と、電波が、一方の方向へ通過した場合の位相が
φ−θ、逆の方向へ通過した場合の位相がφ＋θ
となり、２θの位相差が、非可逆性として現われ
るという欠点があつた。
この発明は、このような欠点を除去するため、
第１および第２の円偏波発生器６，７の間に、
180度板と２つのフアラデー旋波子を配置したも
ので、以下図面について詳細に説明する。
第１および第２の円偏波発生器６，７の間に、
180度板と２つのフアラデー旋波子を配置したも
ので、以下図面について詳細に説明する。
第５図と第６図ａ，ｂ，ｃ，ｄは、この発明の
実施例であつて、それぞれ斜視図とそのＡ−Ａ，
Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ断面図を示す。
実施例であつて、それぞれ斜視図とそのＡ−Ａ，
Ｂ−Ｂ，Ｃ−Ｃ，Ｄ−Ｄ断面図を示す。
この発明による移相器は、従来のものに比べ、
第１および第２の円偏波発生器６，７の間に、第
１のフアラデー旋波子８、180度板９および第２
のフアラデー旋波子１０を順に配列したことを特
徴としている。180度板９は、フエリ磁性体１の
側面に、所定形状の凹部１１を設け、これら凹部
１１と側面を金属被覆することにより形成されて
いる。第６図ｃは、180度板９の断面図であり、
断面は長方形となつていることを示している。図
中、ＥVは垂直偏波（TE10モード）の電界、ＥH
は水平偏波（TE01モード）の電界を示し、この
180度板９に同相で入射した垂直偏波の電界ＥVと
水平偏波の電界ＥHは、管内波長の違いにより、
180度板９通過後に、180度の位相差をもつことに
なる。この発明による移相器では、180度板９
は、右旋円偏波ＥV＋jEHを左旋円偏波（ＥV−
jEH）ｅ-j〓lに、左旋円偏波ＥV−jEHを右旋円偏
波（ＥV＋jEH）ｅ-j〓lに変換する働きをもつ。
ただし、｜ＥV｜＝｜ＥH｜であり、βは垂直偏波
の伝ぱん定数、ｌは180板９の長さを示す。
第１および第２の円偏波発生器６，７の間に、第
１のフアラデー旋波子８、180度板９および第２
のフアラデー旋波子１０を順に配列したことを特
徴としている。180度板９は、フエリ磁性体１の
側面に、所定形状の凹部１１を設け、これら凹部
１１と側面を金属被覆することにより形成されて
いる。第６図ｃは、180度板９の断面図であり、
断面は長方形となつていることを示している。図
中、ＥVは垂直偏波（TE10モード）の電界、ＥH
は水平偏波（TE01モード）の電界を示し、この
180度板９に同相で入射した垂直偏波の電界ＥVと
水平偏波の電界ＥHは、管内波長の違いにより、
180度板９通過後に、180度の位相差をもつことに
なる。この発明による移相器では、180度板９
は、右旋円偏波ＥV＋jEHを左旋円偏波（ＥV−
jEH）ｅ-j〓lに、左旋円偏波ＥV−jEHを右旋円偏
波（ＥV＋jEH）ｅ-j〓lに変換する働きをもつ。
ただし、｜ＥV｜＝｜ＥH｜であり、βは垂直偏波
の伝ぱん定数、ｌは180板９の長さを示す。
180度板９の両端に配置された第１のフアラデ
ー旋波子８と第２のフアラデー旋波子１０は、金
属被覆したフエリ磁性体１側面上にヨーク３を配
置し、フエリ磁性体１またはヨーク３に、磁化用
導線２を、第１のフアラデー旋波子８と第２のフ
アラデー旋波子１０とにおいてたがいに逆向きに
巻きつけ、第１のフアラデー旋波子８と第２のフ
アラデー旋波子１０のそれぞれのフエリ磁性体１
内には、たがいに磁化Ｍが逆向きに残留するよう
に構成した構造となつている。
ー旋波子８と第２のフアラデー旋波子１０は、金
属被覆したフエリ磁性体１側面上にヨーク３を配
置し、フエリ磁性体１またはヨーク３に、磁化用
導線２を、第１のフアラデー旋波子８と第２のフ
アラデー旋波子１０とにおいてたがいに逆向きに
巻きつけ、第１のフアラデー旋波子８と第２のフ
アラデー旋波子１０のそれぞれのフエリ磁性体１
内には、たがいに磁化Ｍが逆向きに残留するよう
に構成した構造となつている。
第７図ａ，ｂは、この発明による移相器の動作
を説明するため磁化用導線２とヨーク３を取り除
いて示した図である。移相器にひねり力Ｐが加え
られたとき、パルス状電流を磁化用導線２に流す
と、第１のフアラデー旋波子８、第２のフアラデ
ー旋波子１０内には、それぞれ磁場Ｈ方向の磁化
成分ＭHがたがいに逆向きに残留するばかりでな
く、前述した逆ビーデマン効果により、円周方向
の磁化成分ＭRもたがいに逆向きに残留する。
を説明するため磁化用導線２とヨーク３を取り除
いて示した図である。移相器にひねり力Ｐが加え
られたとき、パルス状電流を磁化用導線２に流す
と、第１のフアラデー旋波子８、第２のフアラデ
ー旋波子１０内には、それぞれ磁場Ｈ方向の磁化
成分ＭHがたがいに逆向きに残留するばかりでな
く、前述した逆ビーデマン効果により、円周方向
の磁化成分ＭRもたがいに逆向きに残留する。
これにより、第７図ａに示す伝ぱん方向Ｄに沿
つて入射した直線偏波は、第１の円偏波発生器６
を通過し、第１のフアラデー旋波子８内では、右
旋円偏波Ｒとなるので磁場Ｈ方向の磁化成分ＭH
と右ねじの関係となり、フエリ磁性体１は右旋円
偏波透磁率を示す。これによる消磁状態からの位
相進みをφ′とする。一方、円周方向の磁化成分
ＭRと高周波回転磁界ｈとは左ねじの関係にあり
フエリ磁性体１は左旋円偏波透磁率を示す。これ
による位相遅れを−θ′とする。したがつて、第
１のフアラデー旋波子８を通過した右旋円偏波Ｒ
の位相変化はφ′−θ′となる。次にこの右旋円偏
波Ｒは180度板９を通過し左旋円偏波Ｌに変換さ
れ第２のフアラデー旋波子１０内を通過する。こ
のとき、左旋円偏波Ｌと磁場Ｈ方向の磁化成分Ｍ
Hとは右ねじの関係となり、第１のフアラデー旋
波子８内と同じくフエリ磁性体１は右旋円偏波透
磁率を示し、位相進みはφ′となる。一方、円周
方向の磁化成分ＭRと高周波回転磁界ｈとは右ね
じの関係にありフエリ磁性体１は右旋円偏波透磁
率を示す。これによる位相進みはθ′となる。し
たがつて、第２のフアラデー旋波子１０内にφ′
−θ′の位相変化をもつて入射した左旋円偏波Ｌ
は、さらにφ′＋θ′の位相変化を受け、式(1)に示
した通り、円周方向の磁化成分ＭRにより、第１
のフアラデー旋波子８内で生ずる位相遅れ−θ′
と第２のフアラデー旋波子１０内で生ずる位相進
みθ′がたがいに打ち消すことになる。
つて入射した直線偏波は、第１の円偏波発生器６
を通過し、第１のフアラデー旋波子８内では、右
旋円偏波Ｒとなるので磁場Ｈ方向の磁化成分ＭH
と右ねじの関係となり、フエリ磁性体１は右旋円
偏波透磁率を示す。これによる消磁状態からの位
相進みをφ′とする。一方、円周方向の磁化成分
ＭRと高周波回転磁界ｈとは左ねじの関係にあり
フエリ磁性体１は左旋円偏波透磁率を示す。これ
による位相遅れを−θ′とする。したがつて、第
１のフアラデー旋波子８を通過した右旋円偏波Ｒ
の位相変化はφ′−θ′となる。次にこの右旋円偏
波Ｒは180度板９を通過し左旋円偏波Ｌに変換さ
れ第２のフアラデー旋波子１０内を通過する。こ
のとき、左旋円偏波Ｌと磁場Ｈ方向の磁化成分Ｍ
Hとは右ねじの関係となり、第１のフアラデー旋
波子８内と同じくフエリ磁性体１は右旋円偏波透
磁率を示し、位相進みはφ′となる。一方、円周
方向の磁化成分ＭRと高周波回転磁界ｈとは右ね
じの関係にありフエリ磁性体１は右旋円偏波透磁
率を示す。これによる位相進みはθ′となる。し
たがつて、第２のフアラデー旋波子１０内にφ′
−θ′の位相変化をもつて入射した左旋円偏波Ｌ
は、さらにφ′＋θ′の位相変化を受け、式(1)に示
した通り、円周方向の磁化成分ＭRにより、第１
のフアラデー旋波子８内で生ずる位相遅れ−θ′
と第２のフアラデー旋波子１０内で生ずる位相進
みθ′がたがいに打ち消すことになる。
φ′−θ′＋φ′＋θ′＝２φ′ (1)
そこで、第２の円偏波発生器７を通過後２φ′
の位相変化を受けた直線偏波が移相器の出力端に
現われる。
の位相変化を受けた直線偏波が移相器の出力端に
現われる。
また逆に、第７図ｂに示す伝ぱん方向Ｄに沿つ
て入射した直線偏波は、上記と同様の過程によ
り、第２のフアラデー旋波子１０内を通る右旋円
偏波Ｒはφ′＋θ′の位相変化を受け、さらに第１
のフアラデー旋波子８内を通過する左旋円偏波Ｌ
はφ′−θ′の位相変化を受ける。したがつて、上
記と同様２φの位相変化を受けた直線偏波が移相
器の出力端に現われる。
て入射した直線偏波は、上記と同様の過程によ
り、第２のフアラデー旋波子１０内を通る右旋円
偏波Ｒはφ′＋θ′の位相変化を受け、さらに第１
のフアラデー旋波子８内を通過する左旋円偏波Ｌ
はφ′−θ′の位相変化を受ける。したがつて、上
記と同様２φの位相変化を受けた直線偏波が移相
器の出力端に現われる。
なお、以上はフエリ磁性体１内に磁化Ｍを残留
させて用いるラツチング方式について説明した
が、この発明はこれに限らず、ヨーク３を用いな
いアナログ方式に使用してもよい。
させて用いるラツチング方式について説明した
が、この発明はこれに限らず、ヨーク３を用いな
いアナログ方式に使用してもよい。
また、180度板９を形成する凹部１１は、段差
形状のものばかりでなく、第８図に示すようなテ
ーパ状のもので凹部１１を設け180度板９を形成
してもよい。
形状のものばかりでなく、第８図に示すようなテ
ーパ状のもので凹部１１を設け180度板９を形成
してもよい。
一方、柱状フエリ磁性体１の底面は、正方形ば
かりでなく、第１および第２のフアラデー旋波子
８，１０内を円偏波が通過できる形状であればよ
く、第９図に示す円形、その他正八角形などでも
よい。
かりでなく、第１および第２のフアラデー旋波子
８，１０内を円偏波が通過できる形状であればよ
く、第９図に示す円形、その他正八角形などでも
よい。
以上のように、この発明に係るフアラデー旋波
子形可逆移相器では、電波伝ぱん方向に沿つて第
１の円偏波発生器６、第１のフアラデー旋波子
８、180度板９、第２のフアラデー旋波子１０、
および第２の円偏波発生器７を順に配置すること
によつて、磁歪による位相の非可逆成分を相殺す
ることが可能となり、優れた可逆位相特性を得る
ことができる。
子形可逆移相器では、電波伝ぱん方向に沿つて第
１の円偏波発生器６、第１のフアラデー旋波子
８、180度板９、第２のフアラデー旋波子１０、
および第２の円偏波発生器７を順に配置すること
によつて、磁歪による位相の非可逆成分を相殺す
ることが可能となり、優れた可逆位相特性を得る
ことができる。
第１図は、従来のフアラデー旋波子形可逆移相
器の斜視図、第２図ａは第１図のＡ−Ａ断面図、
第２図ｂは第１図のＢ−Ｂ断面図、第２図ｃは第
１図のＣ−Ｃ断面図、第３図ａ，ｂは逆ビーデマ
ン効果の説明図、第４図は従来のフアラデー旋波
子形可逆移相器の非可逆性の説明図、第５図はこ
の発明の実施例の斜視図、第６図ａは、第５図の
Ａ−Ａ断面図、第６図ｂは第５図のＢ−Ｂ断面
図、第６図ｃは第５図のＣ−Ｃ断面図、第６図ｄ
は第５図のＤ−Ｄ断面図、第７図ａ，ｂはこの発
明の効果の説明図、第８図と第９図はこの発明の
他の実施例の斜視図である。 図中、１はフエリ磁性体、２は磁化用導線、３
はヨーク、４はフアラデー旋波子、５は永久磁石
板、６は第１の円偏波発生器、７は第２の円偏波
発生器、８は第１のフアラデー旋波子、９は180
度板、１０は第２のフアラデー旋波子、１１は凹
部である。なお、図中、同一あるいは相当部分に
は同一の符号を付して示してある。
器の斜視図、第２図ａは第１図のＡ−Ａ断面図、
第２図ｂは第１図のＢ−Ｂ断面図、第２図ｃは第
１図のＣ−Ｃ断面図、第３図ａ，ｂは逆ビーデマ
ン効果の説明図、第４図は従来のフアラデー旋波
子形可逆移相器の非可逆性の説明図、第５図はこ
の発明の実施例の斜視図、第６図ａは、第５図の
Ａ−Ａ断面図、第６図ｂは第５図のＢ−Ｂ断面
図、第６図ｃは第５図のＣ−Ｃ断面図、第６図ｄ
は第５図のＤ−Ｄ断面図、第７図ａ，ｂはこの発
明の効果の説明図、第８図と第９図はこの発明の
他の実施例の斜視図である。 図中、１はフエリ磁性体、２は磁化用導線、３
はヨーク、４はフアラデー旋波子、５は永久磁石
板、６は第１の円偏波発生器、７は第２の円偏波
発生器、８は第１のフアラデー旋波子、９は180
度板、１０は第２のフアラデー旋波子、１１は凹
部である。なお、図中、同一あるいは相当部分に
は同一の符号を付して示してある。
Claims (1)
- １ 円柱状または底面が正方形の角柱状フエリ磁
性体の側面に、所定形状の一つまたは二つ以上の
凹部を設け、上記凹部および側面を金属被覆して
成る180度板と、前記フエリ磁性体と同じ形状の
底面を持ち、側面を金属被覆した柱状フエリ磁性
体の周囲に、Ｎ極とＳ極とをそれぞれ所定の方向
に対向するように４個の永久磁石板を配置して成
る第１および第２の円偏波発生器と、前記フエリ
磁性体と同じ形状の底面を持ち、側面を金属被覆
した柱状フエリ磁性体側面に、磁気回路を形成す
るヨークを配し、このヨークまたはフエリ磁性体
に磁化用導線を巻きつけて成る第１および第２の
フアラデー旋波子を、それぞれ電波伝ぱん方向に
沿つて、第１の円偏波発生器、第１のフアラデー
旋波子、180度板、第１のフアラデー旋波子とは
常に逆向きに磁化が励磁される第２のフアラデー
旋波子、および第２の円偏波発生器の順に配置し
て構成したことを特徴とするフアラデー旋波子形
可逆移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5656481A JPS57171804A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Faraday rotator type reversible phase shifter (dual mode reversible phase shifter) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5656481A JPS57171804A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Faraday rotator type reversible phase shifter (dual mode reversible phase shifter) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57171804A JPS57171804A (en) | 1982-10-22 |
| JPS6220723B2 true JPS6220723B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=13030621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5656481A Granted JPS57171804A (en) | 1981-04-15 | 1981-04-15 | Faraday rotator type reversible phase shifter (dual mode reversible phase shifter) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57171804A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62135862A (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-18 | Canon Inc | 現像装置 |
-
1981
- 1981-04-15 JP JP5656481A patent/JPS57171804A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57171804A (en) | 1982-10-22 |
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