JPS622150A - 流体中の基質濃度の連続的測定方法 - Google Patents
流体中の基質濃度の連続的測定方法Info
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- JPS622150A JPS622150A JP14200385A JP14200385A JPS622150A JP S622150 A JPS622150 A JP S622150A JP 14200385 A JP14200385 A JP 14200385A JP 14200385 A JP14200385 A JP 14200385A JP S622150 A JPS622150 A JP S622150A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、流体中の基質濃度の連続的測定方法に関し、
特に基質濃度を測定すべき流体を流路に流し、その基質
濃度をその変化に即時に追従させながら、連続的に検出
器で測定する方法に関する。
特に基質濃度を測定すべき流体を流路に流し、その基質
濃度をその変化に即時に追従させながら、連続的に検出
器で測定する方法に関する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする問題点)従来
上り、液体中の化学的情報、即ちpH1各種基質の濃度
、色や蛍光の光学的特性などの測定は、主として断続的
に行なわれてきた。
上り、液体中の化学的情報、即ちpH1各種基質の濃度
、色や蛍光の光学的特性などの測定は、主として断続的
に行なわれてきた。
また、これらの測定用検出器についても、液体中で用い
られることを前提とした各種センサーの開発及び小型化
の研究も各方面で行なわれているが、いずれもその殆ど
は液体中の化学的情報を断続的にある一点で検出しよう
とするものであった。
られることを前提とした各種センサーの開発及び小型化
の研究も各方面で行なわれているが、いずれもその殆ど
は液体中の化学的情報を断続的にある一点で検出しよう
とするものであった。
一方、コンピューターなどの情報処理システム −の目
覚ましい発達で、大量の情報を高速で処理することが可
能となり、これに応じてその情報源である各種センサー
にも、高速かつ連続的な測定性能が求められるようにな
ってきているが、いうまでもなく、これに加えて、量産
性やコストなどの面から、その小型化も重要な開発テー
マの一つとなっている。
覚ましい発達で、大量の情報を高速で処理することが可
能となり、これに応じてその情報源である各種センサー
にも、高速かつ連続的な測定性能が求められるようにな
ってきているが、いうまでもなく、これに加えて、量産
性やコストなどの面から、その小型化も重要な開発テー
マの一つとなっている。
最近では、近年発達の着しいLSIプロセス技術を各種
センサー製作プロセスに応用することで、こうした諸要
求をみたすものが実用化されており、その主なものとし
ては、半導体、薄膜あるいはセラミックスなどを利用し
た圧力、温度、光、磁力などのセンサーが挙げられる。
センサー製作プロセスに応用することで、こうした諸要
求をみたすものが実用化されており、その主なものとし
ては、半導体、薄膜あるいはセラミックスなどを利用し
た圧力、温度、光、磁力などのセンサーが挙げられる。
しかしながら、前述の液体中の化学的情報を検出するた
めのセンサーについては、それの小型化の研究は進めら
れているものの、小型でかつ連続的な測定を可能にしよ
うとするような研究は殆ど行われていないのが実情であ
る。そして、液体の連続的測定方式そのものを小型化す
るためには、センサーのみを小型化するだけでは無意味
であり、試料液体の連続注入システム(70−インジェ
クションシステム)とセンサーとを一体化した上で小型
化する必要がある。
めのセンサーについては、それの小型化の研究は進めら
れているものの、小型でかつ連続的な測定を可能にしよ
うとするような研究は殆ど行われていないのが実情であ
る。そして、液体の連続的測定方式そのものを小型化す
るためには、センサーのみを小型化するだけでは無意味
であり、試料液体の連続注入システム(70−インジェ
クションシステム)とセンサーとを一体化した上で小型
化する必要がある。
従来から、液体を連続的かつ効率よく測定するためには
、試料液体をセンサーの検出面に対して約45°の角度
の方向より注入してやる必要のあることが分かっている
。これは、一様な流れの中に、流路を塞ぐことなくセン
サーを配置しよう、とすると、液体のもつ粘性のために
、センサーの表面に極めて薄い液体の不動層が形成され
、このために試料濃度が刻々と変動するような場合には
、センサー表面での試料液体の更新が生じ難く、センサ
ーとしての応答性が悪(なる問題があるためで、その対
策として上記のごとく45°の角度で処理することによ
って不動層の発生を解消し、常に新しい液体試料がセン
サー面と接触するようになすのである。
、試料液体をセンサーの検出面に対して約45°の角度
の方向より注入してやる必要のあることが分かっている
。これは、一様な流れの中に、流路を塞ぐことなくセン
サーを配置しよう、とすると、液体のもつ粘性のために
、センサーの表面に極めて薄い液体の不動層が形成され
、このために試料濃度が刻々と変動するような場合には
、センサー表面での試料液体の更新が生じ難く、センサ
ーとしての応答性が悪(なる問題があるためで、その対
策として上記のごとく45°の角度で処理することによ
って不動層の発生を解消し、常に新しい液体試料がセン
サー面と接触するようになすのである。
@3図には、そのようなセンサーの一例が示されており
、H2O,電極、pH電極などのセンサー21上に設置
された選択性透過膜、酵素固定膜などの機能膜22の検
出面に対し、試料液体はこれに対して45°の角度に穿
設された注入口23から注入され、同様の角度の排出口
24から排出されるような3次元的な構造を有する注入
セルが示されている。
、H2O,電極、pH電極などのセンサー21上に設置
された選択性透過膜、酵素固定膜などの機能膜22の検
出面に対し、試料液体はこれに対して45°の角度に穿
設された注入口23から注入され、同様の角度の排出口
24から排出されるような3次元的な構造を有する注入
セルが示されている。
このような構造の注入セルは、その製作に高精度加工が
要求されるばかりでな(、センサー自体の小型化が必ず
しもシステム全体の小型化につながらないので、連続測
定システムの小型化、低コスト化はこうした観点からは
達成することができない。
要求されるばかりでな(、センサー自体の小型化が必ず
しもシステム全体の小型化につながらないので、連続測
定システムの小型化、低コスト化はこうした観点からは
達成することができない。
本発明者らは、先に、こうした45°という液体試料の
注入角度設定を不要とする方法の一法として、センサー
近傍に超音波振動を与えて試料液体の不動屑発生を阻止
することによって、液体試料中の基質濃度を的確に連続
測定することを可能とする方法を提供した(特願昭60
−41976号)。
注入角度設定を不要とする方法の一法として、センサー
近傍に超音波振動を与えて試料液体の不動屑発生を阻止
することによって、液体試料中の基質濃度を的確に連続
測定することを可能とする方法を提供した(特願昭60
−41976号)。
(問題点を解決するための手段)
本発明者は、更に不動屑発生を解消する測定方法につい
て研究を進めた結果、液体試料の流路を、内面に傾斜凹
凸面を有する二枚の板状体を対接させて組み合わせるこ
とにより、内部に屈曲した流路として形成し、その屈曲
部にセンサーを配設して、流路に流される流体中の基質
濃度を連続的に測定する方法を開発した。
て研究を進めた結果、液体試料の流路を、内面に傾斜凹
凸面を有する二枚の板状体を対接させて組み合わせるこ
とにより、内部に屈曲した流路として形成し、その屈曲
部にセンサーを配設して、流路に流される流体中の基質
濃度を連続的に測定する方法を開発した。
(1)本発明はすなわち、内面に傾斜凹凸面を有する二
枚の板状体を対接させて組み合わせることにより、内部
に屈曲した流路を形成し、その屈曲部にセンサーを配設
して、流路に流される流体中の基質濃度を測定すること
を特徴とする流体中の基質濃度の連続的測定方法、であ
る。
枚の板状体を対接させて組み合わせることにより、内部
に屈曲した流路を形成し、その屈曲部にセンサーを配設
して、流路に流される流体中の基質濃度を測定すること
を特徴とする流体中の基質濃度の連続的測定方法、であ
る。
こう己た流路の製作は、二枚の板状体の内面を傾斜した
凹又は凸面を形成するように蝕刻あるいは切削し、それ
らを一枚の凸面に他の一枚の凹面が一定の流路間隔を置
いで対接させて組み合わせることによって、容易に実施
することができる。
凹又は凸面を形成するように蝕刻あるいは切削し、それ
らを一枚の凸面に他の一枚の凹面が一定の流路間隔を置
いで対接させて組み合わせることによって、容易に実施
することができる。
センサーによる測定は、流路に流される流体が約50°
以上の角度をもってセンサーに接触するよるにして行え
ば、常に新鮮な流体の基質濃度を測定することができる
のである。
以上の角度をもってセンサーに接触するよるにして行え
ば、常に新鮮な流体の基質濃度を測定することができる
のである。
そして検出器は二枚の板状体分程度の厚さで構成できる
ため、非常に薄型なものとなる。
ため、非常に薄型なものとなる。
更に流路の製作については、昨今のLSIプロセスを利
用するSi単結晶の異方性エツチング加工を応用すれば
、非常に効果的に実施することができ、その結果検出器
と一体化された注入セルを非常に小型なものとすること
ができる。
用するSi単結晶の異方性エツチング加工を応用すれば
、非常に効果的に実施することができ、その結果検出器
と一体化された注入セルを非常に小型なものとすること
ができる。
(2)本発明の具体的な方法の一例について述べる。
第1図(a)、(b)に示すごとく、2枚のSi単結晶
基板面(面方向は100)を異方性エツチング技術によ
り、1枚は流路上型1、他の1枚は流路下型2どなるよ
うに加工する。
基板面(面方向は100)を異方性エツチング技術によ
り、1枚は流路上型1、他の1枚は流路下型2どなるよ
うに加工する。
流路の形成はこれら2枚の基板の加工面を対向接着する
ことにより本発明の屈曲流路を形成する。
ことにより本発明の屈曲流路を形成する。
このとき流路は注入口側3は流路下型2に、排出口側4
は流路上型1にそれぞれ加工されでおり、かつ、上、下
型が対向した時、両型中の流路が基板はぼ中央で連絡す
るような配置になっている。
は流路上型1にそれぞれ加工されでおり、かつ、上、下
型が対向した時、両型中の流路が基板はぼ中央で連絡す
るような配置になっている。
上下型を対向接着して形成した流路の断面は図1(a)
のようになっており、この流路を流れる流体が下型流路
3′から上型流路4′に向かう時に流路が屈曲され、上
型の流路上面に50°以上の角度で接触することになる
。この流体の流れが屈曲して接触する壁部には窓が開い
ており、裏面より、例えばガラス基板5上に配設された
グルコースセンサー6が覗くように固定されている。
のようになっており、この流路を流れる流体が下型流路
3′から上型流路4′に向かう時に流路が屈曲され、上
型の流路上面に50°以上の角度で接触することになる
。この流体の流れが屈曲して接触する壁部には窓が開い
ており、裏面より、例えばガラス基板5上に配設された
グルコースセンサー6が覗くように固定されている。
ここで異方性エツチングについての概略を述べる。その
原理は、単結晶のエツチング加工において、エツチング
速度が結晶面の面方向依存性を有することを利用して特
定形状のエツチング断面を一得ることにある。例えばS
i単結晶面(100面)を適当なエッチャントでエツチ
ングすればそのエツチング側面は加工面に対し常に55
°の傾斜を形成することとなる。
原理は、単結晶のエツチング加工において、エツチング
速度が結晶面の面方向依存性を有することを利用して特
定形状のエツチング断面を一得ることにある。例えばS
i単結晶面(100面)を適当なエッチャントでエツチ
ングすればそのエツチング側面は加工面に対し常に55
°の傾斜を形成することとなる。
その工程は
■Si単結晶表面に酸化皮膜形成
■酸化皮膜を7オシリングラフイエ程によりパターニン
グ(7オトエツチンク) ■10〜44%KOH80°でエツチング(異方性エツ
チング) ゛■洗浄 がらなり、工程■、■はLSIプロセスで用いられる手
法と同様の工程であるため、高精度、微小加工ができる
のである。
グ(7オトエツチンク) ■10〜44%KOH80°でエツチング(異方性エツ
チング) ゛■洗浄 がらなり、工程■、■はLSIプロセスで用いられる手
法と同様の工程であるため、高精度、微小加工ができる
のである。
またグルコースセンサーについては、これはガラス基板
5上にH202電極(白金電極)6、即ち7ノードとし
て白金′WI膜、カソードとして銀薄膜が適宜なパター
ンに形成されたものであり、これら電極部の少なくとも
試料流との接触部にはグルコースセンサ−ゼを固定化し
た酵素固定化膜7が形成されている。
5上にH202電極(白金電極)6、即ち7ノードとし
て白金′WI膜、カソードとして銀薄膜が適宜なパター
ンに形成されたものであり、これら電極部の少なくとも
試料流との接触部にはグルコースセンサ−ゼを固定化し
た酵素固定化膜7が形成されている。
なお、測定用流体としては、主に血液や尿等を対象とし
ているが、その中の基質濃度の測定においては各種被測
定基質の種類に応じて適当な酵素と電極を組み合わせて
構成した酵素センサーが用いられる。その主な組み合わ
せを表1に示すが、更にこれら異なる種類の酵素センサ
ー複数個を同一基板上に形成することにより、同時に複
数種の基質濃度を検出、測定することができる。また、
各電極の代わりに半導体を用いたイオン感応型FET(
ISFET>を用いれば更に小型なものが得られる。
ているが、その中の基質濃度の測定においては各種被測
定基質の種類に応じて適当な酵素と電極を組み合わせて
構成した酵素センサーが用いられる。その主な組み合わ
せを表1に示すが、更にこれら異なる種類の酵素センサ
ー複数個を同一基板上に形成することにより、同時に複
数種の基質濃度を検出、測定することができる。また、
各電極の代わりに半導体を用いたイオン感応型FET(
ISFET>を用いれば更に小型なものが得られる。
礪
(2)上記構成の検出セルは第2図(、)のごとき測定
システム中で用いられるがこのシステムは下記のように
作動する。
システム中で用いられるがこのシステムは下記のように
作動する。
■まず、測定前においてはキャリア液11がポンプP1
によりインジェクションパルプ13を経て検出セル15
中を流れている。一方、試料液12はポンプP2により
インジェクションパルプ13に接続されたサンプリング
チューブ14中を満たしており、測定時インジェクショ
ンパルプ13を操作することにより、瞬時にその流路が
第2図(b)のように切替わり、サンプリングチューブ
14中の試料液12がキャリア液11に運ばれ、検出セ
ル15へ達する。
によりインジェクションパルプ13を経て検出セル15
中を流れている。一方、試料液12はポンプP2により
インジェクションパルプ13に接続されたサンプリング
チューブ14中を満たしており、測定時インジェクショ
ンパルプ13を操作することにより、瞬時にその流路が
第2図(b)のように切替わり、サンプリングチューブ
14中の試料液12がキャリア液11に運ばれ、検出セ
ル15へ達する。
■検出セル15では、tpJ1図図示のごとく注入口3
より注入された試料流は下型流路3′を経て上型流路4
′へと流れる。
より注入された試料流は下型流路3′を経て上型流路4
′へと流れる。
■この際において、試料流は下型流路3′から上型流路
4′へと屈曲され、流体は上型流路4′の上壁、即ちグ
ルコースセンサー6の検出面に打ち当たることになる。
4′へと屈曲され、流体は上型流路4′の上壁、即ちグ
ルコースセンサー6の検出面に打ち当たることになる。
ところで、Si単結晶の(ioo)面を異方性エツチン
グ加工することによって流路を形成すると、その流路側
面の傾きは基板面に対し約55° となるが、下型流路
から上型流路へ向かう試料流体もほぼ同程度の角度で検
出面に打ち当たることになる。従って検出面での液体の
不動層の発生を抑制することができ、45゛方向からの
試料注入法とほぼ同程度の効果を得ることができる。
グ加工することによって流路を形成すると、その流路側
面の傾きは基板面に対し約55° となるが、下型流路
から上型流路へ向かう試料流体もほぼ同程度の角度で検
出面に打ち当たることになる。従って検出面での液体の
不動層の発生を抑制することができ、45゛方向からの
試料注入法とほぼ同程度の効果を得ることができる。
■この時、検出面では例えば検出器がグルコースセンサ
ーの場合には、試料流体中にグルコースが基質として存
在すると、下記の反応が起こり、酸素が消冑されてグル
コン酸(ラクトン)とH2O2とが生成される。
ーの場合には、試料流体中にグルコースが基質として存
在すると、下記の反応が起こり、酸素が消冑されてグル
コン酸(ラクトン)とH2O2とが生成される。
グルコース+02→グルコノラクトン+H2O2これは
、電極面上の膜(7)に固定されたグルフースオキシタ
ーゼの酸化触媒としての働きによるものである。
、電極面上の膜(7)に固定されたグルフースオキシタ
ーゼの酸化触媒としての働きによるものである。
■両電極間には0,6Vの直流電圧が印加されており、
この8202の発生により、その発生量に応じて、それ
ぞれ次のような反応が生じ、□ [7ノード側] H
20z→2 H” +02+2e−[カンード側]
2e−+2 H” +1/ 202→H20外部回路へ
微小電流変化として検出される。このようにして、試料
流体中のグルコース濃度を電気的に連続的に取り出すこ
とができるのである。
この8202の発生により、その発生量に応じて、それ
ぞれ次のような反応が生じ、□ [7ノード側] H
20z→2 H” +02+2e−[カンード側]
2e−+2 H” +1/ 202→H20外部回路へ
微小電流変化として検出される。このようにして、試料
流体中のグルコース濃度を電気的に連続的に取り出すこ
とができるのである。
更に、第1図(b)に他の実施例を示すが、この場合は
、下型流路3゛を流れてきた試料流が屈曲されて基板面
に対し50以上°の方向で上部検出器6の検出面に接触
した後更に屈曲されて排出口4へ流れて行く。したがっ
て、この例では検出器6の検出面付近の流れは大いに屈
曲され、よって検出面付近の流れが大いに乱され、新鮮
な試料流が接触流通することとなる。
、下型流路3゛を流れてきた試料流が屈曲されて基板面
に対し50以上°の方向で上部検出器6の検出面に接触
した後更に屈曲されて排出口4へ流れて行く。したがっ
て、この例では検出器6の検出面付近の流れは大いに屈
曲され、よって検出面付近の流れが大いに乱され、新鮮
な試料流が接触流通することとなる。
(発明の効果)
本発明は、以上の構成により次のような作用効果を奏す
る。■検出器セルは、2枚の板状体を対接することによ
って構成することができるため、流路パターンを小型化
しかつ、その製造を極めて容易とすることができる。■
流路材質にSi単結晶を用いたばあいには、更にSiの
半導体としての性質を利用すれば流路基板上に各種セン
サーや周辺の集積回路を形成することも可能である。
る。■検出器セルは、2枚の板状体を対接することによ
って構成することができるため、流路パターンを小型化
しかつ、その製造を極めて容易とすることができる。■
流路材質にSi単結晶を用いたばあいには、更にSiの
半導体としての性質を利用すれば流路基板上に各種セン
サーや周辺の集積回路を形成することも可能である。
■流路の加工にLSIプロセスと同様の工程を用いるこ
とかで訃るため、小型で高精度な加工ができ更に多数個
同時加工が可能である。
とかで訃るため、小型で高精度な加工ができ更に多数個
同時加工が可能である。
第1図(、)は本発明の実施例で用いられる検出セルの
斜視図、(b)は他の実施例の斜視図、tA2図(、)
は測定システム概略図、(b)は測定時インジェクショ
ンバルブの流路、第3図は従来の測定方法を示す。 (符号の説明) に流路上型、2:流路下型、3:注入口、3゛:下型流
路、4:排出口、4′二上型流路、5:〃ラス基板、6
:グルコースセンサー(H202電極)、7:酵素固定
膜
斜視図、(b)は他の実施例の斜視図、tA2図(、)
は測定システム概略図、(b)は測定時インジェクショ
ンバルブの流路、第3図は従来の測定方法を示す。 (符号の説明) に流路上型、2:流路下型、3:注入口、3゛:下型流
路、4:排出口、4′二上型流路、5:〃ラス基板、6
:グルコースセンサー(H202電極)、7:酵素固定
膜
Claims (3)
- (1)内面に傾斜凹凸面を有する二枚の板状体を対接さ
せて組み合わせることにより、内部に屈曲した流路を形
成し、その屈曲部にセンサーを配設して、流路に流され
る流体中の基質濃度を測定することを特徴とする流体中
の基質濃度の連続的測定方法。 - (2)流路がSi単結晶基板(100面)を異方性エッ
チング加工して形成されたものである特許請求の範囲第
1項記載の流体中の基質濃度の連続的測定方法。 - (3)流路に流される流体が50°以上の角度をもって
センサーに接触する特許請求の範囲第1項又は第2項記
載の流体中の基質濃度の連続的測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14200385A JPS622150A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 流体中の基質濃度の連続的測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14200385A JPS622150A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 流体中の基質濃度の連続的測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622150A true JPS622150A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15305117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14200385A Pending JPS622150A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 流体中の基質濃度の連続的測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622150A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016061694A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 流路一体型センサ |
| JP2018155757A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社イシダ | 管理システム及び計測装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826968A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-17 | 太平洋工業株式会社 | 冷却回路の制御方法 |
| JPS58180942A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-22 | イ−ストマン コダツク カンパニ− | 液体伝達装置 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14200385A patent/JPS622150A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5826968A (ja) * | 1981-08-08 | 1983-02-17 | 太平洋工業株式会社 | 冷却回路の制御方法 |
| JPS58180942A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-22 | イ−ストマン コダツク カンパニ− | 液体伝達装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016061694A (ja) * | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 流路一体型センサ |
| JP2018155757A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社イシダ | 管理システム及び計測装置 |
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