JPS62221185A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS62221185A JPS62221185A JP6511386A JP6511386A JPS62221185A JP S62221185 A JPS62221185 A JP S62221185A JP 6511386 A JP6511386 A JP 6511386A JP 6511386 A JP6511386 A JP 6511386A JP S62221185 A JPS62221185 A JP S62221185A
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- Japan
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- active
- cladding
- wavelength
- Prior art date
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は、２つの波長帯で発光することができる半導
体レーザに関する。
体レーザに関する。
「従来の技術」
半導体レーザの多くは、１つの波長帯で発光するが、２
つの波長帯で選択的に発光することができると、極めて
有利な場合が多い。
つの波長帯で選択的に発光することができると、極めて
有利な場合が多い。
そこで、従来は２つの素子をハイブリッド構成して選択
的に発光させたり、あるいは、第２図の如く同一素子内
に活性層と導波路層を２組設ける構造とし、これによっ
て、２つの波長帯で選択的に発光させるようにしたもの
が開発されている。
的に発光させたり、あるいは、第２図の如く同一素子内
に活性層と導波路層を２組設ける構造とし、これによっ
て、２つの波長帯で選択的に発光させるようにしたもの
が開発されている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、上述した従来の半導体レーザにおいては
、各波長帯によって光の出射位置が異なり、発光出力を
同一の光ファイバに入射するためには、特殊なカプラ等
が必要になるという欠点を有していた。また、ハイブリ
ッド構成のものにおいては、その形状の小型化という点
においても不利となる問題があった。
、各波長帯によって光の出射位置が異なり、発光出力を
同一の光ファイバに入射するためには、特殊なカプラ等
が必要になるという欠点を有していた。また、ハイブリ
ッド構成のものにおいては、その形状の小型化という点
においても不利となる問題があった。
この発明は上述した問題点に鑑みてなされたもので、単
一素子で２つの波長帯による発光を行うことができると
ともに、出力光の出射位置を各波長帯とも等しくするこ
とができる半導体レーザを提供することを目的としてい
る。
一素子で２つの波長帯による発光を行うことができると
ともに、出力光の出射位置を各波長帯とも等しくするこ
とができる半導体レーザを提供することを目的としてい
る。
「問題点を解決するための手段」
この発明は、上記問題点を解決するために、第１クラッ
ド層の上面の一側に設けられる第１活性層と、前記第１
クラッド層の上面の他側に設けられ、前記第１活性層と
はバンドギャップ波長が異なる第２活性層と、前記第１
、第２活性層の各上面に設けられ、これら各活性層のバ
ンドギャップ波長より小さなバンドギャップ波長の導波
路層と、この導波路層の上面に設けられる第２クラッド
層と、首記第１、第２クラッド層を介して前記第１およ
び第２活性層に選択的に電流注入を行う電極とを具備し
ている。
ド層の上面の一側に設けられる第１活性層と、前記第１
クラッド層の上面の他側に設けられ、前記第１活性層と
はバンドギャップ波長が異なる第２活性層と、前記第１
、第２活性層の各上面に設けられ、これら各活性層のバ
ンドギャップ波長より小さなバンドギャップ波長の導波
路層と、この導波路層の上面に設けられる第２クラッド
層と、首記第１、第２クラッド層を介して前記第１およ
び第２活性層に選択的に電流注入を行う電極とを具備し
ている。
「作用」
前記第１、第２の活性層が各々の組成波長によって選択
的に発光するとともに、前記導波路層が各波長の光に対
して共通の共振′器として使用されるので、出力光の出
射位置が各波長とも等しくなる。
的に発光するとともに、前記導波路層が各波長の光に対
して共通の共振′器として使用されるので、出力光の出
射位置が各波長とも等しくなる。
「実施例」
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、この発明の一実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
第１図において１は、下端面に全面電極２が設けられて
いる第１クラッド層であり、ｐ−１ｎＰによって構成さ
れている。次に、３はバンドギャップ波長λｇ＝ １．
５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなっている第１活性層であ
り、第１クラッド層Ｉの上面の左側に積層されている。
いる第１クラッド層であり、ｐ−１ｎＰによって構成さ
れている。次に、３はバンドギャップ波長λｇ＝ １．
５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなっている第１活性層であ
り、第１クラッド層Ｉの上面の左側に積層されている。
４はλｇ＝１．３μｍのＩｎＧａＡｓＰからなっている
第２活性層であり、第１クラッド層Ｉの上面の右側に第
１活性層より厚く積層されている。５はλｇ＝ １．１
５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなっている導波路層であり
、第１活性層３および第２活性層４の上面に積層されて
いる。６はｎ−ＩｎＰによって構成されている第２クラ
ッド層であり、導波路層５の上にその上端面が水平方向
に平坦となるように積層されている。７は、第１活性層
３の上方に対応する部分の第２クラッド層６の上面に設
けられている電極であり、８は、第２活性層４の上方に
対応する部分の第２クラッド層６の上面に設けられてい
る電極である。
第２活性層であり、第１クラッド層Ｉの上面の右側に第
１活性層より厚く積層されている。５はλｇ＝ １．１
５μｍのＩｎＧａＡｓＰからなっている導波路層であり
、第１活性層３および第２活性層４の上面に積層されて
いる。６はｎ−ＩｎＰによって構成されている第２クラ
ッド層であり、導波路層５の上にその上端面が水平方向
に平坦となるように積層されている。７は、第１活性層
３の上方に対応する部分の第２クラッド層６の上面に設
けられている電極であり、８は、第２活性層４の上方に
対応する部分の第２クラッド層６の上面に設けられてい
る電極である。
上記半導体レーザを製造する場合は、まず、第１クラッ
ド層１上の全域に、第１活性層３または第２活性層４の
いずれか一方の層を成長させ、この成長させた層の右側
または左側をエツチングにより除去し、その後に他方の
層を全面域で成長さける。そして、前記一方の層が露出
するように他方の層の片側を除去すると、第１活性層３
と第２活性層４が完成する。そして、その後において、
第１活性層３および第２活性層４の各上面に導波路層５
を成長させ、次いで、導波路層５の上面に第２クラッド
層を成長させ、電極２．７．８を取り付けると一連の製
造工程が終了する。
ド層１上の全域に、第１活性層３または第２活性層４の
いずれか一方の層を成長させ、この成長させた層の右側
または左側をエツチングにより除去し、その後に他方の
層を全面域で成長さける。そして、前記一方の層が露出
するように他方の層の片側を除去すると、第１活性層３
と第２活性層４が完成する。そして、その後において、
第１活性層３および第２活性層４の各上面に導波路層５
を成長させ、次いで、導波路層５の上面に第２クラッド
層を成長させ、電極２．７．８を取り付けると一連の製
造工程が終了する。
上記構成において、電極２と電極７との間に通電を行う
と、注入電流のほとんどが第１活性層３を流れるため、
この第１活性層３から波長１．５μｍの光が発生ずる。
と、注入電流のほとんどが第１活性層３を流れるため、
この第１活性層３から波長１．５μｍの光が発生ずる。
この場合、第１活性層３の組成波長が第２活性層４及び
導波路層５より大きいため、第１活性層３で発生した１
、５μｍの光りは、第２活性層及び導波路層５で吸収さ
れることなく端面まで導波され、ファブリペローモード
で共振し、１．５μｍのレーザ発振を行う。
導波路層５より大きいため、第１活性層３で発生した１
、５μｍの光りは、第２活性層及び導波路層５で吸収さ
れることなく端面まで導波され、ファブリペローモード
で共振し、１．５μｍのレーザ発振を行う。
一方、電極２と電極８との間に通電を行うと、注入電流
のほとんどが第２活性層４を流れるため、第２活性層４
からは１．３μｍの光が発生する。このとき、１．３μ
の光に対し第１活性層３は吸収層として働くので、第１
活性層３の層厚を薄くし、光閉じ込め係数が小さくなる
ように設計すると、１．３μｍの光は、第１活性層３上
の導波路層を伝搬して端面にまで達し、ファブリペロー
モードでレーザ発振を行う。
のほとんどが第２活性層４を流れるため、第２活性層４
からは１．３μｍの光が発生する。このとき、１．３μ
の光に対し第１活性層３は吸収層として働くので、第１
活性層３の層厚を薄くし、光閉じ込め係数が小さくなる
ように設計すると、１．３μｍの光は、第１活性層３上
の導波路層を伝搬して端面にまで達し、ファブリペロー
モードでレーザ発振を行う。
そして、上述したことから判るように、波長１．５μｍ
で発振を行う場合も、１．３μｍで発振を行う場合も共
に導波路層５を共通の共振器として使用するので、レー
ザ出力光の出射位置が両波長とも等しくなる。
で発振を行う場合も、１．３μｍで発振を行う場合も共
に導波路層５を共通の共振器として使用するので、レー
ザ出力光の出射位置が両波長とも等しくなる。
なお、上記実施例において、第１活性層３と導波層５と
の間、および第２活性層と導波層５°との間に、各々結
晶成長時の活性層保護のために薄膜のＩｎＰ保護層を設
けるようにしてもよい。
の間、および第２活性層と導波層５°との間に、各々結
晶成長時の活性層保護のために薄膜のＩｎＰ保護層を設
けるようにしてもよい。
また、第１クラッド層を基板とバッファ層との２層によ
って構成してもよい。
って構成してもよい。
「発明の効果」
以上説明したように、この発明によれば、第１クラブト
層の上面の一側に設けられる第１活性層と、前記第１ク
ラッド層の上面の他側に設けられ、前記第１活性層とは
バンドギャップ波長が異なる第２活性層と、前記第１、
第２活性層の各上面に設けられ、これら各活性層のバン
ドギャップ波長より小さなバンドギャップ波長の導波路
層と、この導波路層の上面に設けられる第２クラッド層
と、前記第１１第２クラツド層を介して前記第１および
第２活性層に選択的に電流注入を行う電極とを具備した
ので、単一素子で２つの波長帯による発光を行うことが
できるとともに、出力光の出射位置を各波長帯とも等し
くすることができる利点が得られる。
層の上面の一側に設けられる第１活性層と、前記第１ク
ラッド層の上面の他側に設けられ、前記第１活性層とは
バンドギャップ波長が異なる第２活性層と、前記第１、
第２活性層の各上面に設けられ、これら各活性層のバン
ドギャップ波長より小さなバンドギャップ波長の導波路
層と、この導波路層の上面に設けられる第２クラッド層
と、前記第１１第２クラツド層を介して前記第１および
第２活性層に選択的に電流注入を行う電極とを具備した
ので、単一素子で２つの波長帯による発光を行うことが
できるとともに、出力光の出射位置を各波長帯とも等し
くすることができる利点が得られる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第２
図は従来の２波長帯発光レーザの構成を示す断面図であ
る。 ！・・・・・・第１クラッド層、２・・・・・・全面電
極、３・・・・・・第１活性層、４・・・・・・第２活
性層、５・・・・・導波路層、６・・・・・・第２クラ
ッド層、７．８・・・・・・電極。
図は従来の２波長帯発光レーザの構成を示す断面図であ
る。 ！・・・・・・第１クラッド層、２・・・・・・全面電
極、３・・・・・・第１活性層、４・・・・・・第２活
性層、５・・・・・導波路層、６・・・・・・第２クラ
ッド層、７．８・・・・・・電極。
Claims (1)
- 第１クラッド層の上面の一側に設けられる第１活性層と
、前記第１クラッド層の上面の他側に設けられ、前記第
１活性層とはバンドギャップ波長が異なる第２活性層と
、前記第１、第２活性層の各上面に設けられ、これら各
活性層のバンドギャップ波長より小さなバンドギャップ
波長の導波路層と、この導波路層の上面に設けられる第
２クラッド層と、前記第１、第２クラッド層を介して前
記第１および第２活性層に選択的に電流注入を行う電極
とを具備することを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065113A JPH0632342B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065113A JPH0632342B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221185A true JPS62221185A (ja) | 1987-09-29 |
| JPH0632342B2 JPH0632342B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=13277513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065113A Expired - Lifetime JPH0632342B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632342B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111969415A (zh) * | 2020-10-20 | 2020-11-20 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 一种宽谱多波长法布里-珀罗激光器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123384A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 多重波長半導体レ−ザ |
| JPS62170907A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Hitachi Ltd | 集積化発光素子 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61065113A patent/JPH0632342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123384A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 多重波長半導体レ−ザ |
| JPS62170907A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Hitachi Ltd | 集積化発光素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111969415A (zh) * | 2020-10-20 | 2020-11-20 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 一种宽谱多波长法布里-珀罗激光器 |
| CN111969415B (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-26 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 一种宽谱多波长法布里-珀罗激光器 |
| CN112542769A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-03-23 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 宽谱多波长法布里-珀罗激光器及其制造方法 |
| CN112542769B (zh) * | 2020-10-20 | 2022-04-08 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 宽谱多波长法布里-珀罗激光器及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0632342B2 (ja) | 1994-04-27 |
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