JPS62222059A - スパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング方法Info
- Publication number
- JPS62222059A JPS62222059A JP4169986A JP4169986A JPS62222059A JP S62222059 A JPS62222059 A JP S62222059A JP 4169986 A JP4169986 A JP 4169986A JP 4169986 A JP4169986 A JP 4169986A JP S62222059 A JPS62222059 A JP S62222059A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- shield plate
- sputtering
- sputtered film
- sputter target
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
スパッタターゲット表面をその周辺部に設置されたシー
ルド板の表面側と同じかまたはそれより高くなるように
形成することにより、異常放電をなくしスパッタ膜の表
面形態を改善する。
ルド板の表面側と同じかまたはそれより高くなるように
形成することにより、異常放電をなくしスパッタ膜の表
面形態を改善する。
本発明はスパッタリング方法に関するもので、さらに詳
しく言えば、シールド板表面の付着物がスパッタターゲ
ット面に落下しないよう改善したスパッタリング方法に
関するものである。
しく言えば、シールド板表面の付着物がスパッタターゲ
ット面に落下しないよう改善したスパッタリング方法に
関するものである。
基板上に金属薄膜を形成させるものにスパッタリング装
置がある。
置がある。
この装置は第２図に示される如く、真空容器１１中の対
向する電極の一方の陽極側（アノード側）に基板１２が
、他方の陰極側（カソード側）にスパッタターゲット１
３が配置されており、該真空容器１１中に供給されたア
ルゴン等のイオンによってスパッタターゲラ）１３の原
子が外部に飛び出し、対向電極上に配置された基板１２
表面に付着（堆積）するものである。
向する電極の一方の陽極側（アノード側）に基板１２が
、他方の陰極側（カソード側）にスパッタターゲット１
３が配置されており、該真空容器１１中に供給されたア
ルゴン等のイオンによってスパッタターゲラ）１３の原
子が外部に飛び出し、対向電極上に配置された基板１２
表面に付着（堆積）するものである。
カソード側部分の詳細は、第３図の断面図および第４図
の平面図に示される如（、ターゲット支持台１４の上面
に熱伝導の良い銅（Ｃｕ）等からなる支持プレート１５
を介してスパッタターゲット１３が配置され接着剤など
により接着されている。
の平面図に示される如（、ターゲット支持台１４の上面
に熱伝導の良い銅（Ｃｕ）等からなる支持プレート１５
を介してスパッタターゲット１３が配置され接着剤など
により接着されている。
このスパッタターゲツト１３０周縁部は、ビス１６で取
り付けた押え板１７により支持プレート１５に固定され
ている。このようにスパックターゲット１３を押え板１
７により支持プレート１５に固定する理由は、例えば２
連あるいは３連式のものでスパッタターゲット１３を傾
斜して配置した場合に、接着剤のみにより固定したもの
では、熱によりずり落ちるため、これを防止できるよう
にするためである。
り付けた押え板１７により支持プレート１５に固定され
ている。このようにスパックターゲット１３を押え板１
７により支持プレート１５に固定する理由は、例えば２
連あるいは３連式のものでスパッタターゲット１３を傾
斜して配置した場合に、接着剤のみにより固定したもの
では、熱によりずり落ちるため、これを防止できるよう
にするためである。
そして、スパックターゲット１３周辺部の押え板１７、
ビス１６、支持プレート１５等の外側はアルゴン等のイ
オンによってスパックされないようにステンレス等の材
質からなるシールド板１８により覆われている。
ビス１６、支持プレート１５等の外側はアルゴン等のイ
オンによってスパックされないようにステンレス等の材
質からなるシールド板１８により覆われている。
なお、ターゲット支持台１４はシールド部１９により真
空容器１１と電気的に絶縁されるとともに、外部から供
給される冷却水により冷却されるようになっている。ま
た、ターゲット支持台１４側は負の高電圧が印加される
。
空容器１１と電気的に絶縁されるとともに、外部から供
給される冷却水により冷却されるようになっている。ま
た、ターゲット支持台１４側は負の高電圧が印加される
。
しかし、このような構造のスパッタリング装置を使った
スパッタリングでは、スパッタ物質がシールド板１日の
周縁部に付着し、この付着したスパッタ物質がスパッタ
中に剥がれ、スパッタターゲット１３上に落下する。こ
の時異常放電が発生し、落下したスパッタ物質は２〜３
μｍ程度以下の粒状になり、基板１２表面に運ばれてス
パッタ膜（金属薄膜）２０の中に取り込まれ、その表面
状態に凹凸を与える。
スパッタリングでは、スパッタ物質がシールド板１日の
周縁部に付着し、この付着したスパッタ物質がスパッタ
中に剥がれ、スパッタターゲット１３上に落下する。こ
の時異常放電が発生し、落下したスパッタ物質は２〜３
μｍ程度以下の粒状になり、基板１２表面に運ばれてス
パッタ膜（金属薄膜）２０の中に取り込まれ、その表面
状態に凹凸を与える。
そのため、第５図（ａ）に示される如く、基板１２表面
に異物付着による凸部２１が形成され、その結果、後工
程におけるバターニングアラインメント時に、同図（ｂ
）に示される如く、スパッタ膜２０上に形成されたレジ
スト膜２２がマスク２３によりもっていかれ、レジスト
欠損によるパターン欠陥を発生するという問題を生じる
おそれがあった。
に異物付着による凸部２１が形成され、その結果、後工
程におけるバターニングアラインメント時に、同図（ｂ
）に示される如く、スパッタ膜２０上に形成されたレジ
スト膜２２がマスク２３によりもっていかれ、レジスト
欠損によるパターン欠陥を発生するという問題を生じる
おそれがあった。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、シー
ルド板１８面の付着物がスパッタターゲット１３表面に
落下することによる異常放電を防止し、スパッタ膜２０
表面形態が原因で生じていたパターン欠陥をなくし、歩
留りを向上できるスパッタリング方法を提供することを
目的としている。
ルド板１８面の付着物がスパッタターゲット１３表面に
落下することによる異常放電を防止し、スパッタ膜２０
表面形態が原因で生じていたパターン欠陥をなくし、歩
留りを向上できるスパッタリング方法を提供することを
目的としている。
（問題点を解決するための手段〕
第１図は本発明に係るスパッタリング装置のスパックタ
ーゲット部分の断面図を示す。
ーゲット部分の断面図を示す。
第１図において、１４はターゲット支持台、１５は支持
プレート、１７は押え板、３１はスパッタターゲット、
１８はシールド板である。
プレート、１７は押え板、３１はスパッタターゲット、
１８はシールド板である。
本発明においては、スパッタターゲット３１の表面をシ
ールド板１８表面と同じかそれよりも僅かに（数ｍｍ程
度）高く突出する形状に形成してスパッタリングを行う
ものである。
ールド板１８表面と同じかそれよりも僅かに（数ｍｍ程
度）高く突出する形状に形成してスパッタリングを行う
ものである。
シールド板１８表面には、スパッタ物質が付着しにくく
なるとともに、従来のように付着物の落下により生じて
いた異常放電がなくなる。
なるとともに、従来のように付着物の落下により生じて
いた異常放電がなくなる。
従って、基板１２表面に飛来して、スパッタ膜２０に取
り込まれる微小異物がなくなり、堆積するスパック薄膜
の表面形態が良くなる。
り込まれる微小異物がなくなり、堆積するスパック薄膜
の表面形態が良くなる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例に係わり、スパッタリング装置
におけるカソード側部分の断面図である。
におけるカソード側部分の断面図である。
この装置においては、第２図および第３図の従来例に示
される如く、ターゲット支持台１４の上面に支持プレー
ト１５を介してスパッタターゲット３１が配置されてい
る。
される如く、ターゲット支持台１４の上面に支持プレー
ト１５を介してスパッタターゲット３１が配置されてい
る。
このスパッタターゲット３１は、基板１２に形成される
金属薄膜２０に応じて、チタン、タングステン。
金属薄膜２０に応じて、チタン、タングステン。
モリブデン等の材質からなるほぼ円盤伏の形状に形成さ
れており、その周辺部は、とス１６で取り付けた押え板
１７により支持プレート１５に固定されている。
れており、その周辺部は、とス１６で取り付けた押え板
１７により支持プレート１５に固定されている。
そして、スパッタターゲット１３周縁の押え板１７、ビ
ス１６、支持プレート１５等の外側はスパックされない
ようにステンレス等の材質からなるシールド板１８によ
り覆われている。
ス１６、支持プレート１５等の外側はスパックされない
ようにステンレス等の材質からなるシールド板１８によ
り覆われている。
また、前記スパッタターゲット３１は、その基板１２側
に対向する表面部分が周辺部に設置されたシールド板１
８の表面より高い形状に形成されている。
に対向する表面部分が周辺部に設置されたシールド板１
８の表面より高い形状に形成されている。
その他の部分は従来の装置と同一の構成である。
本発明の好ましい実施例において、シールド板１８の表
面はスパッタターゲット３１の表面よりも数ｆｆ１Ｉ１
１程度高くした。
面はスパッタターゲット３１の表面よりも数ｆｆ１Ｉ１
１程度高くした。
このようにターゲット３１及びシールド板１８を設けて
スパッタリングを行う。本方法によれば、シールド板１
８表面にスパッタ物質が付着しにくくなり、異常放電が
なくなるので基板上に微小異物による凸部のない均一な
スパッタ膜が形成できる。
スパッタリングを行う。本方法によれば、シールド板１
８表面にスパッタ物質が付着しにくくなり、異常放電が
なくなるので基板上に微小異物による凸部のない均一な
スパッタ膜が形成できる。
なお、以上の実施例において、スパッタターゲット３１
は、少なくともスパッタ物質が付着しにくいように、そ
の表面部分がシールド板１８の表面近傍まで、あるいは
それより高く形成されていればよ（、また形状も円盤状
のものに限らない。
は、少なくともスパッタ物質が付着しにくいように、そ
の表面部分がシールド板１８の表面近傍まで、あるいは
それより高く形成されていればよ（、また形状も円盤状
のものに限らない。
以上述べてきたように、本発明によれば、シールド板表
面にスパッタ物質が付着しにくくなり、異常放電もなく
なり、スパッタ膜の表面形態が原因で生じていたパター
ン欠陥をなくし、歩留りを向上できる効果がある。
面にスパッタ物質が付着しにくくなり、異常放電もなく
なり、スパッタ膜の表面形態が原因で生じていたパター
ン欠陥をなくし、歩留りを向上できる効果がある。
第１図は本発明に係るスパッタリング装置のスパッタタ
ーゲット部分の断面図、 第２図は従来の装置の構成を示す断面図、第３図は第２
図のスパッタターゲット部分を示す拡大断面図、 第４図は第２図のスパッタターゲットの平面図、第５図
はスパッタ膜に異物が形成された基板によりパターン欠
陥を生ずる状態を示す従来例の断面図である。 第１図において、 １４はターゲット支持台、 １５は支持プレート、 １７は押え板、 １８はシールド板、 ３１はスパッタターゲットである。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 本発明実力篭例（；係る装置の断面圀 第１図
ーゲット部分の断面図、 第２図は従来の装置の構成を示す断面図、第３図は第２
図のスパッタターゲット部分を示す拡大断面図、 第４図は第２図のスパッタターゲットの平面図、第５図
はスパッタ膜に異物が形成された基板によりパターン欠
陥を生ずる状態を示す従来例の断面図である。 第１図において、 １４はターゲット支持台、 １５は支持プレート、 １７は押え板、 １８はシールド板、 ３１はスパッタターゲットである。 代理人 弁理士 久木元 彰 復代理人 弁理士 大 菅 義 之 本発明実力篭例（；係る装置の断面圀 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方の電極側に基板を保持し、他方の電極側に該基板と
対向して中央部が突出してなるスパッタターゲット（３
１）を設け、該ターゲット（３１）の突出してなる部分
の周辺部を覆うシールド板（１８）を設けて、 前記基板上にスパッタ膜を形成することを特徴とするス
パッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169986A JPS62222059A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | スパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4169986A JPS62222059A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | スパツタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222059A true JPS62222059A (ja) | 1987-09-30 |
| JPS6328988B2 JPS6328988B2 (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=12615663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4169986A Granted JPS62222059A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | スパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222059A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09195035A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-29 | Teijin Ltd | 透明導電性フィルムの製造装置 |
| JP2008025031A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Applied Materials Inc | マルチカソード設計用冷却暗部シールド |
| JP2013129871A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230979A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | スパツタリング方法 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4169986A patent/JPS62222059A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60230979A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | スパツタリング方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09195035A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-29 | Teijin Ltd | 透明導電性フィルムの製造装置 |
| JP2008025031A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Applied Materials Inc | マルチカソード設計用冷却暗部シールド |
| JP2013129871A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | マグネトロンスパッタリングカソード及びこれを備えたスパッタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328988B2 (ja) | 1988-06-10 |
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