JPS62230970A - マグネトロンスパツタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパツタ装置Info
- Publication number
- JPS62230970A JPS62230970A JP7484986A JP7484986A JPS62230970A JP S62230970 A JPS62230970 A JP S62230970A JP 7484986 A JP7484986 A JP 7484986A JP 7484986 A JP7484986 A JP 7484986A JP S62230970 A JPS62230970 A JP S62230970A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target plate
- magnet
- target
- plate
- permanent magnet
- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明はマグネトロンスパッタ装置に関する。
(ロ)従来の技術
従来から成膜技術の一つとして、マグネトロンスパッタ
装置が広く用いられている。このy&置は、第2図の如
く、アルゴンガスの存する真空チャンバの中で、膜が付
されるべき基板2に対向してターゲット板3が設けられ
、このターゲット板の背面ll1lI(反基板ntq
>に永久磁石5が配されたものであ′ る。そして、基
板2とターゲット板3との間に電圧がかけられている。
装置が広く用いられている。このy&置は、第2図の如
く、アルゴンガスの存する真空チャンバの中で、膜が付
されるべき基板2に対向してターゲット板3が設けられ
、このターゲット板の背面ll1lI(反基板ntq
>に永久磁石5が配されたものであ′ る。そして、基
板2とターゲット板3との間に電圧がかけられている。
また、永久磁′ri5は、i3図の如く、円柱磁石5a
の回りに間隔を存して同心に円環磁石5bが配置された
ものである。
の回りに間隔を存して同心に円環磁石5bが配置された
ものである。
そして、円柱磁石5aのターデツ)Illq端面をN極
、円環磁石5 bのそれをS極とすれば、第2図示の如
く、磁力線は中心N極から周囲sl+二至る。
、円環磁石5 bのそれをS極とすれば、第2図示の如
く、磁力線は中心N極から周囲sl+二至る。
従って、磁力線の折り返し点において、アルゴンイオン
は、矢示Bの如く、円環磁石の半径方向外側へ向く磁場
と同時に、矢示Eの如くターゲット板と垂直に向かう電
場に曝されることになる。そのため、7レミングの左手
の法則に上り、アルゴンイオンには磁場とTL場との両
方向に垂直な方向に力が加わる。そして、結局のところ
、ドーナツ状の空間内にアルゴンイオンが集まることに
なる。
は、矢示Bの如く、円環磁石の半径方向外側へ向く磁場
と同時に、矢示Eの如くターゲット板と垂直に向かう電
場に曝されることになる。そのため、7レミングの左手
の法則に上り、アルゴンイオンには磁場とTL場との両
方向に垂直な方向に力が加わる。そして、結局のところ
、ドーナツ状の空間内にアルゴンイオンが集まることに
なる。
このようにして集まったアルゴンイオンがターゲット板
3に衝突して原子をはじき出すので、ターデツ)[3の
表面は円環状に?2食され、いわゆる線状蒸発源が生成
される。
3に衝突して原子をはじき出すので、ターデツ)[3の
表面は円環状に?2食され、いわゆる線状蒸発源が生成
される。
また、マグネトロンスパッタ装置で1よ、限られた頭載
にアルゴンイオンが集められるので、全体としてのアル
ゴンイオンの個数が少なかつても、つまり、アルゴンガ
スの圧力が低かつても、スパッタ作用が充分に行なわれ
る。それ故に従来の装置て゛は、アルゴンゲスの圧力が
(出<保たれていた。゛(ハ)発明が解決しようとする
問題、α)肖記の如く、従来の装置では線状の蒸発源と
低圧力の2つの理由によ−って、基板表面・\の“つき
まわり(ステップカバレーノ)″が悪い。ここで、hr
−仮炙面にある凹凸の山の頂上と谷底のターゲット板・
8表面に平行な面1こ生成されrこ膜の厚さを1、クー
プツト板の表面に垂直な而(凹凸の側面)に生成された
膜の厚さをビとすれば、ピ/lの値が“つきまわり”と
呼ぼjしる。
にアルゴンイオンが集められるので、全体としてのアル
ゴンイオンの個数が少なかつても、つまり、アルゴンガ
スの圧力が低かつても、スパッタ作用が充分に行なわれ
る。それ故に従来の装置て゛は、アルゴンゲスの圧力が
(出<保たれていた。゛(ハ)発明が解決しようとする
問題、α)肖記の如く、従来の装置では線状の蒸発源と
低圧力の2つの理由によ−って、基板表面・\の“つき
まわり(ステップカバレーノ)″が悪い。ここで、hr
−仮炙面にある凹凸の山の頂上と谷底のターゲット板・
8表面に平行な面1こ生成されrこ膜の厚さを1、クー
プツト板の表面に垂直な而(凹凸の側面)に生成された
膜の厚さをビとすれば、ピ/lの値が“つきまわり”と
呼ぼjしる。
そして、線状蒸発源では、原子が飛び出してくるのはタ
ーデラミ板の全面がζ)ではな(、限られた領域のみか
らであるので、凹凸の側面に到達する)!;(丁は少な
くなっている。まrこ、圧力が低い場訃はアルゴンイオ
ンの数が少ないので、ターゲット板から飛び出した原子
はアルゴンイオンに衝突せずに基板表面に到達するが、
或は、衝突してもその回数が少ない。従って、ターゲッ
ト板から飛び出した原子の進行方向が変わる回数が少な
く、結局、凹凸の側面に至る原子が少な(なる。これら
の理由がら“つきよりり1が悪くなる。
ーデラミ板の全面がζ)ではな(、限られた領域のみか
らであるので、凹凸の側面に到達する)!;(丁は少な
くなっている。まrこ、圧力が低い場訃はアルゴンイオ
ンの数が少ないので、ターゲット板から飛び出した原子
はアルゴンイオンに衝突せずに基板表面に到達するが、
或は、衝突してもその回数が少ない。従って、ターゲッ
ト板から飛び出した原子の進行方向が変わる回数が少な
く、結局、凹凸の側面に至る原子が少な(なる。これら
の理由がら“つきよりり1が悪くなる。
従って、本発明の目的は、“つきまわり”の良好なマグ
ネトロンスパッタ装置を提供することを目的とする。
ネトロンスパッタ装置を提供することを目的とする。
(ニ)問題点を解決するための手段
前記目的を達成するため、本発明の(1η或は次の如(
である。即ち、ターゲット板の裏側に内、蔵されている
永久磁石を、前記ターゲット板の面に平行な面内で移動
させる駆動はtltが設けられたことである。
である。即ち、ターゲット板の裏側に内、蔵されている
永久磁石を、前記ターゲット板の面に平行な面内で移動
させる駆動はtltが設けられたことである。
(ホ)作 用
永久磁石がffi!l1JJ+茂枯によって、ターゲッ
ト板の面に平行な面内で移動せられ、これによってy−
ゲット板の表面には面状蒸発源が生成され、“つきまわ
り”が良くなる。
ト板の面に平行な面内で移動せられ、これによってy−
ゲット板の表面には面状蒸発源が生成され、“つきまわ
り”が良くなる。
(へ)実施例
次に本発明の一実施例を図面にもとづき説明する。
真空チャンバC内で、基板ホルダ1が鉛直面に展延して
立設され、その表面には被膜を付されるべき基板2が取
付けられている。基板2に対し間隔を存して対向するタ
ーデットハヮノング4の一!III ll1iにはター
デラミ板3が基板2に対し間隔を存して対向して取f・
1けられている。また、ターグツ1ハウノング・tの内
部で前記ターゲット板3の裏面側には永久磁石5が設け
られている。
立設され、その表面には被膜を付されるべき基板2が取
付けられている。基板2に対し間隔を存して対向するタ
ーデットハヮノング4の一!III ll1iにはター
デラミ板3が基板2に対し間隔を存して対向して取f・
1けられている。また、ターグツ1ハウノング・tの内
部で前記ターゲット板3の裏面側には永久磁石5が設け
られている。
また、磁石5の文面には、磁石の中心輪線がC)偏芯し
た位置に、回転柚6が取付けられ、この軸の部端はハフ
ノング・[の璧を貫通してハウゾング4の外側・\突出
している。そしてこの突出端には伝動歯1119を介し
てモータ7が接続されている。
た位置に、回転柚6が取付けられ、この軸の部端はハフ
ノング・[の璧を貫通してハウゾング4の外側・\突出
している。そしてこの突出端には伝動歯1119を介し
てモータ7が接続されている。
従って、そ−タ7を回転させれば、伝動歯1719をπ
して回転軸6が回転し、磁石5は偏心回転し、クープツ
ト板3の表面には面状蒸発源が生成される、 なお、ターゲット板3が円形でない場合には、回転軸9
と磁石5とをカムまたはゼネバ等の運動変換磯構を介し
て連結することにより、磁石5を揺動または平行往復運
動をさせてもよい。
して回転軸6が回転し、磁石5は偏心回転し、クープツ
ト板3の表面には面状蒸発源が生成される、 なお、ターゲット板3が円形でない場合には、回転軸9
と磁石5とをカムまたはゼネバ等の運動変換磯構を介し
て連結することにより、磁石5を揺動または平行往復運
動をさせてもよい。
(ト)発明の効果
本発明は以上の如く、永久磁石がターゲット板の面と平
行な面内で移動rるので、ターゲット板の表面には面状
蒸発源が生成され、これによって基板・\の“つきまわ
り”が向上することとなった。
行な面内で移動rるので、ターゲット板の表面には面状
蒸発源が生成され、これによって基板・\の“つきまわ
り”が向上することとなった。
m1121は本発明の一実施例を示す水平断面図、fj
S2図は従来技術の水平断面図、第3図は永久磁石の斜
ン見図である。 2・・・基板、3・・・ターゲット板、5・・・永久磁
石、6・・・回転軸、7・・・モータ、8・・・真空チ
ャンバ代理人 弁理士 西教 圭一部 代理人 弁理士 大館 新 平 代理人 弁理士 百聞 壬生弥 第1図 第2図 第3図
S2図は従来技術の水平断面図、第3図は永久磁石の斜
ン見図である。 2・・・基板、3・・・ターゲット板、5・・・永久磁
石、6・・・回転軸、7・・・モータ、8・・・真空チ
ャンバ代理人 弁理士 西教 圭一部 代理人 弁理士 大館 新 平 代理人 弁理士 百聞 壬生弥 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- ターゲット板の裏側に内蔵されている永久磁石を、前記
ターゲット板の面に平行な面内で移動させる駆動機構が
設けられたことを特徴とするマグネトロンスパッタ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7484986A JPS62230970A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | マグネトロンスパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7484986A JPS62230970A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | マグネトロンスパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62230970A true JPS62230970A (ja) | 1987-10-09 |
Family
ID=13559173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7484986A Pending JPS62230970A (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | マグネトロンスパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62230970A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63282263A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-18 | Fuji Electric Co Ltd | マグネトロンスパッタリング装置 |
| US6050398A (en) * | 1998-11-25 | 2000-04-18 | Novartis, Ag | Contact lens storage container |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP7484986A patent/JPS62230970A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63282263A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-18 | Fuji Electric Co Ltd | マグネトロンスパッタリング装置 |
| US6050398A (en) * | 1998-11-25 | 2000-04-18 | Novartis, Ag | Contact lens storage container |
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