JPS6223445B2 - - Google Patents
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- JPS6223445B2 JPS6223445B2 JP59138709A JP13870984A JPS6223445B2 JP S6223445 B2 JPS6223445 B2 JP S6223445B2 JP 59138709 A JP59138709 A JP 59138709A JP 13870984 A JP13870984 A JP 13870984A JP S6223445 B2 JPS6223445 B2 JP S6223445B2
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- aluminum foil
- etching
- diaphragm
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電解コンデンサ用電解箔の製造装置の
改良に係る。
改良に係る。
アルミ箔にエツチングを施すには、塩酸溶液中
にアルミ箔とカーボン電極とを浸漬し、アルミ箔
を陽極とし、カーボン電極を陰極として直流を印
加する。この場合、塩酸の電気分解により生じた
塩素イオンがアルミ箔の表面を浸蝕して、エツチ
ングを施す。また、この時アルミイオンが溶液中
に溶解、拡散する。一方、塩素イオンと同時に生
じた水素イオンはカーボン電極に集り、水素ガス
となる。
にアルミ箔とカーボン電極とを浸漬し、アルミ箔
を陽極とし、カーボン電極を陰極として直流を印
加する。この場合、塩酸の電気分解により生じた
塩素イオンがアルミ箔の表面を浸蝕して、エツチ
ングを施す。また、この時アルミイオンが溶液中
に溶解、拡散する。一方、塩素イオンと同時に生
じた水素イオンはカーボン電極に集り、水素ガス
となる。
連続エツチング装置内でも同様の状態が生じる
とすれば、エツチング溶液中の塩酸、アルミは、
それぞれ両極間に流れた電気量に比例した重量だ
け減少、増加する。
とすれば、エツチング溶液中の塩酸、アルミは、
それぞれ両極間に流れた電気量に比例した重量だ
け減少、増加する。
従つて、エツチング実施中溶液の塩酸濃度、ア
ルミ濃度を一定に保持するためには、増加したア
ルミを希釈して所定のアルミ濃度とするに足る
水、および減少した塩酸を補い得る塩酸を補給す
ることが必要である。
ルミ濃度を一定に保持するためには、増加したア
ルミを希釈して所定のアルミ濃度とするに足る
水、および減少した塩酸を補い得る塩酸を補給す
ることが必要である。
なお、直流エツチングにおいては、エツチング
溶液中のアルミ濃度が低い程、エツチング拡大率
が高いことはよく知られているが、上記のような
補給によつてこれを実現するには膨大な量の水、
塩酸の補給が必要である。
溶液中のアルミ濃度が低い程、エツチング拡大率
が高いことはよく知られているが、上記のような
補給によつてこれを実現するには膨大な量の水、
塩酸の補給が必要である。
本発明は上記の事情に基きなされたもので、エ
ツチング溶液中のアルミ濃度をできるだけ零に近
づけ、且つ酸の補給量を電気量相当だけにして、
エツチング拡大率の大きなエツチングを施し得る
電解コンデンサ用電解箔の製造装置を得ることを
目的としている。
ツチング溶液中のアルミ濃度をできるだけ零に近
づけ、且つ酸の補給量を電気量相当だけにして、
エツチング拡大率の大きなエツチングを施し得る
電解コンデンサ用電解箔の製造装置を得ることを
目的としている。
本発明の電解コンデンサ用電解箔の製造装置
は、エツチング液中にあるカーボン電極に対向さ
せてアルミ箔を走行させ、アルミ箔を正極、カー
ボン電極を負極として直流を印加し、アルミ箔に
エツチングを施すものにおいて、アルミ箔カーボ
ン電極間に陽イオン透過性の隔膜を配置したこと
を特徴とする。
は、エツチング液中にあるカーボン電極に対向さ
せてアルミ箔を走行させ、アルミ箔を正極、カー
ボン電極を負極として直流を印加し、アルミ箔に
エツチングを施すものにおいて、アルミ箔カーボ
ン電極間に陽イオン透過性の隔膜を配置したこと
を特徴とする。
第３図は本発明の原料を示す。陽極であるアル
ミ箔１と陰極であるカーボン電極２との間には、
特殊な隔膜３が介在されている。この隔膜は、水
素イオン、アルミイオンのような陽イオンを透過
させるが、塩素イオンのような陰イオンは透過さ
せない特性を有するものとする。前記の各電極お
よび隔膜３を塩酸溶液中に浸漬し、直流を印加す
ると、アルミ箔１から出て隔膜３を透過し、カー
ボン電極に向つたアルミイオンや、電極分解によ
り発生し隔膜３を透過し、カーボン電極に向つた
水素は、隔膜３とアルミ箔１との間にあるエツチ
ング液Ａ中に対流によつて拡散されることはな
い。而して、隔膜３とカーボン電極２との間にあ
るエツチング液Ｂはアルミ濃度の高いものとな
る。なお、エツチング液Ａは電気量に応じて塩酸
が減少するが、前記のようにアルミ濃度が低い状
態に保持されているので、電気量に相当した塩酸
を補給するだけでよい。
ミ箔１と陰極であるカーボン電極２との間には、
特殊な隔膜３が介在されている。この隔膜は、水
素イオン、アルミイオンのような陽イオンを透過
させるが、塩素イオンのような陰イオンは透過さ
せない特性を有するものとする。前記の各電極お
よび隔膜３を塩酸溶液中に浸漬し、直流を印加す
ると、アルミ箔１から出て隔膜３を透過し、カー
ボン電極に向つたアルミイオンや、電極分解によ
り発生し隔膜３を透過し、カーボン電極に向つた
水素は、隔膜３とアルミ箔１との間にあるエツチ
ング液Ａ中に対流によつて拡散されることはな
い。而して、隔膜３とカーボン電極２との間にあ
るエツチング液Ｂはアルミ濃度の高いものとな
る。なお、エツチング液Ａは電気量に応じて塩酸
が減少するが、前記のようにアルミ濃度が低い状
態に保持されているので、電気量に相当した塩酸
を補給するだけでよい。
第１図は前記の原理により構成した本発明の一
実施例を示す。エツチング装置の筐体１０内に
は、アルミ箔を通過させる複数のスリツト１１を
有するカーボン電極の支持板１２が設けてあり、
支持板１２上にはスリツト１１をはさんでカーボ
ン電極１３が支持されている。支持板１２下方お
よびカーボン電極１３上方には、それぞれガイド
ローラ１４，１５が設けられている。アルミ箔１
６は、ガイドローラ１５，１６で折返される折返
し通路を通つて走行するが、各ガイドローラは、
アルミ箔の上行、下行の各走部が隣接するカーボ
ン電極の間に形成される位置に設けてある。ま
た、アルミ箔１６はスリツト１１を通過して走行
する。また、アルミ箔１６の上行、下行各走部と
カーボン電極との中間には、隔膜３と同様の隔膜
１７が設けてある。
実施例を示す。エツチング装置の筐体１０内に
は、アルミ箔を通過させる複数のスリツト１１を
有するカーボン電極の支持板１２が設けてあり、
支持板１２上にはスリツト１１をはさんでカーボ
ン電極１３が支持されている。支持板１２下方お
よびカーボン電極１３上方には、それぞれガイド
ローラ１４，１５が設けられている。アルミ箔１
６は、ガイドローラ１５，１６で折返される折返
し通路を通つて走行するが、各ガイドローラは、
アルミ箔の上行、下行の各走部が隣接するカーボ
ン電極の間に形成される位置に設けてある。ま
た、アルミ箔１６はスリツト１１を通過して走行
する。また、アルミ箔１６の上行、下行各走部と
カーボン電極との中間には、隔膜３と同様の隔膜
１７が設けてある。
なお、図中矢符１８として１箇のみを示した
が、隔膜１７とカーボン電極１３との間のアルミ
濃度の高くなつたエツチング液（第３図エツチン
グ液Ｂ）は、排出管を経て適宜排出される。ま
た、アルミ箔とスリツト１１との間隙から漏出し
たエツチング液はアルミ濃度が殆んど零に近いエ
ツチング液（第３図エツチング液Ａ）であるか
ら、筐体底部に滴下し貯溜したエツチング液を図
示１９の回収管で回収してエツチングに再び使用
する。
が、隔膜１７とカーボン電極１３との間のアルミ
濃度の高くなつたエツチング液（第３図エツチン
グ液Ｂ）は、排出管を経て適宜排出される。ま
た、アルミ箔とスリツト１１との間隙から漏出し
たエツチング液はアルミ濃度が殆んど零に近いエ
ツチング液（第３図エツチング液Ａ）であるか
ら、筐体底部に滴下し貯溜したエツチング液を図
示１９の回収管で回収してエツチングに再び使用
する。
上記の如く本発明によれば、直接にアルミ箔に
エツチングを施すエツチング液のアルミ濃度を極
度に低く保ち得るので、エツチング拡大率を向上
させることができる。また、アルミ濃度の高くな
つたエツチング液は排出されるがアルミ濃度の低
い電解液に対しては電気量に応じた塩酸を補給す
るのみでよく、さらにスリツトから漏出したエツ
チング液を回収して使用することができるので、
アルミ箔のコストを低下させることができる。
エツチングを施すエツチング液のアルミ濃度を極
度に低く保ち得るので、エツチング拡大率を向上
させることができる。また、アルミ濃度の高くな
つたエツチング液は排出されるがアルミ濃度の低
い電解液に対しては電気量に応じた塩酸を補給す
るのみでよく、さらにスリツトから漏出したエツ
チング液を回収して使用することができるので、
アルミ箔のコストを低下させることができる。
前記第３図に示した構成からなる場合は、隔膜
３に対してＡ室内のアルミイオンの移動は水素イ
オンの移動に比して遅いのでアルミイオンを速や
かに移動させ、Ａ室内のアルミイオンをできるだ
け少く保つためには、Ａ室内の液を強制的にまた
速やかに移動させる必要がある。
３に対してＡ室内のアルミイオンの移動は水素イ
オンの移動に比して遅いのでアルミイオンを速や
かに移動させ、Ａ室内のアルミイオンをできるだ
け少く保つためには、Ａ室内の液を強制的にまた
速やかに移動させる必要がある。
第４図は上記の点に留意して構成された本発明
の他の実施例の原理を示す。アルミ箔１とカーボ
ン電極２との間には、カーボン電極２側に陽イオ
ンのみを透過させる第１の隔膜３、アルミ箔１側
に陰イオンのみを透過させる第２の隔膜４が設け
てある。第２の隔膜４とアルミ箔１との間の空間
Ａには、エツチング液を強制的に流過させ、この
エツチング液は第１、第２の隔膜３，４間の空間
Ｂに送り込む。
の他の実施例の原理を示す。アルミ箔１とカーボ
ン電極２との間には、カーボン電極２側に陽イオ
ンのみを透過させる第１の隔膜３、アルミ箔１側
に陰イオンのみを透過させる第２の隔膜４が設け
てある。第２の隔膜４とアルミ箔１との間の空間
Ａには、エツチング液を強制的に流過させ、この
エツチング液は第１、第２の隔膜３，４間の空間
Ｂに送り込む。
上記の如くすることにより、空間Ａ内のエツチ
ング液のアルミイオン濃度は低く押えられ、空間
Ｂのエツチング液から隔膜４を透過して供給され
る塩素イオンにより拡大率の大きなエツチングが
なされる。アルミイオンは３価であり、水素イオ
ンは１価である。而して１価のイオンの方が角膜
３を透過し易いため、空間Ｂのエツチング液内で
はアルミイオン濃度がゆるやかに増大する。アル
ミイオン濃度がある値に達するとアルミイオンは
隔膜３を通過して、隔膜３とカーボン電極２との
間の空間Ｃに入る。空間Ｃのエツチング液は、ア
ルミイオン濃度が高くなつたところで排出され
る。
ング液のアルミイオン濃度は低く押えられ、空間
Ｂのエツチング液から隔膜４を透過して供給され
る塩素イオンにより拡大率の大きなエツチングが
なされる。アルミイオンは３価であり、水素イオ
ンは１価である。而して１価のイオンの方が角膜
３を透過し易いため、空間Ｂのエツチング液内で
はアルミイオン濃度がゆるやかに増大する。アル
ミイオン濃度がある値に達するとアルミイオンは
隔膜３を通過して、隔膜３とカーボン電極２との
間の空間Ｃに入る。空間Ｃのエツチング液は、ア
ルミイオン濃度が高くなつたところで排出され
る。
第２図は前記の原料に基く第２の実施例の概略
図である。図中、第１図と同一部分には同一符号
が付され２０は第２の隔膜を示す。強制的に流過
される空間Ａのエツチング液は、スリツト１１か
ら流過し筐体１０底部に貯溜する。これをポンプ
により管路２１を介して空間Ｂの下部に供給す
る。
図である。図中、第１図と同一部分には同一符号
が付され２０は第２の隔膜を示す。強制的に流過
される空間Ａのエツチング液は、スリツト１１か
ら流過し筐体１０底部に貯溜する。これをポンプ
により管路２１を介して空間Ｂの下部に供給す
る。
この実施例によつても第１の実施例と同様の効
果が得られる。
果が得られる。
本発明によれば、エツチング拡大率の大きなエ
ツチングを施した電解箔を、電気量相当だけの酸
の補給量によつて製造することができるので、良
質な電解箔を安価に供給することができる。
ツチングを施した電解箔を、電気量相当だけの酸
の補給量によつて製造することができるので、良
質な電解箔を安価に供給することができる。
第１図は本発明の第１の実施例の概略断面図、
第２図は第２の実施例の同様の図、第３図は第１
の実施例の原理を示す図、第４図は第２の実施例
の同様の図である。 １３……カーボン電極、１６……アルミ箔、１
７……第１の隔膜、２０……第２の隔膜。
第２図は第２の実施例の同様の図、第３図は第１
の実施例の原理を示す図、第４図は第２の実施例
の同様の図である。 １３……カーボン電極、１６……アルミ箔、１
７……第１の隔膜、２０……第２の隔膜。
Claims (1)
- １ エツチング液中にあるカーボン電極に対向さ
せてアルミ箔を走行させ、アルミ箔を正極、カー
ボン電極を負極として直流を印加し、アルミ箔に
エツチングを施すものにおいて、アルミ箔カーボ
ン電極間に陽イオン透過性の隔膜を配置したこと
を特徴とする電解コンデンサ用電解箔の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138709A JPS6116509A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 電解コンデンサ用電解箔の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59138709A JPS6116509A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 電解コンデンサ用電解箔の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116509A JPS6116509A (ja) | 1986-01-24 |
| JPS6223445B2 true JPS6223445B2 (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=15228289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59138709A Granted JPS6116509A (ja) | 1984-07-03 | 1984-07-03 | 電解コンデンサ用電解箔の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116509A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0788175B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1995-09-27 | 日産自動車株式会社 | 車体構造部材への樹脂注入強化方法および注入樹脂のせき止め構造 |
-
1984
- 1984-07-03 JP JP59138709A patent/JPS6116509A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6116509A (ja) | 1986-01-24 |
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