JPS62247338A - 液晶ライトバルブ - Google Patents
液晶ライトバルブInfo
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- JPS62247338A JPS62247338A JP61091561A JP9156186A JPS62247338A JP S62247338 A JPS62247338 A JP S62247338A JP 61091561 A JP61091561 A JP 61091561A JP 9156186 A JP9156186 A JP 9156186A JP S62247338 A JPS62247338 A JP S62247338A
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Landscapes
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶ライトバルブに関し、特に強誘電性液晶
を用いた液晶ライトバルブをマルチブレクス駆動によっ
て高コントラストで高速応答できる液晶ライトバルブに
関する。
を用いた液晶ライトバルブをマルチブレクス駆動によっ
て高コントラストで高速応答できる液晶ライトバルブに
関する。
従来の液晶ライトバルブとしては、特開57−1715
78号に示されているものがある。これは、$8図の駆
動波形で示すように、ネマチック液晶の誘電異方性がゼ
ロとなる周波数に対して、液晶素子に高い周波数が印加
されると透過状態となり、低い周波数が印加されると非
透過状態となる液晶ライトバルブである。これは、第8
図に示すように1選択期間七! の間だけしか透過状態
となるず、マルチブレクス駆動で分割数を増すa開口時
間が短かぐなシ透過元゛凌が減ってしまう。この問題を
解決するものとして、特開昭59−13190に示され
ている強誘電性液晶を用いた液晶ライトバルブ751.
1) ル。
78号に示されているものがある。これは、$8図の駆
動波形で示すように、ネマチック液晶の誘電異方性がゼ
ロとなる周波数に対して、液晶素子に高い周波数が印加
されると透過状態となり、低い周波数が印加されると非
透過状態となる液晶ライトバルブである。これは、第8
図に示すように1選択期間七! の間だけしか透過状態
となるず、マルチブレクス駆動で分割数を増すa開口時
間が短かぐなシ透過元゛凌が減ってしまう。この問題を
解決するものとして、特開昭59−13190に示され
ている強誘電性液晶を用いた液晶ライトバルブ751.
1) ル。
上記の強訴電性液晶を用いたライトバルブにおいて、第
9図に示す駆動をした場合、904に示す光学応答特性
からもわかるように、選択期間に書き込んだ状態を非選
択期間に保持できるという点では良いが、非選択期間の
メモリー状態が選択期間に書き込んだ状態と比べてだい
ぶ悪くなり、コントラストが低下してしまう。このよう
な液晶ライトバルブを印写装置に使用した場合、印字品
質等が悪くなってしまう。
9図に示す駆動をした場合、904に示す光学応答特性
からもわかるように、選択期間に書き込んだ状態を非選
択期間に保持できるという点では良いが、非選択期間の
メモリー状態が選択期間に書き込んだ状態と比べてだい
ぶ悪くなり、コントラストが低下してしまう。このよう
な液晶ライトバルブを印写装置に使用した場合、印字品
質等が悪くなってしまう。
本発明の液晶ライトバルブは、上記の問題点を解決する
ために、マルチブレクス駆動における非選択期間に高周
彼又流波形を印加することによって、非選択期間にメモ
リー性が悪くなることを防止することによってコントラ
ス十を高くすることができる。
ために、マルチブレクス駆動における非選択期間に高周
彼又流波形を印加することによって、非選択期間にメモ
リー性が悪くなることを防止することによってコントラ
ス十を高くすることができる。
第1図は、本発明の液晶ライトバルブによって元の透過
量を制御した印写装置の構成を示す図であり、101の
部分が光信号発生部である。第2図は、光信号発生部の
構成を示す図である。第2図の202が液晶ライトバル
ブで、これによって、201の光源からの光量を制御す
るものである。
量を制御した印写装置の構成を示す図であり、101の
部分が光信号発生部である。第2図は、光信号発生部の
構成を示す図である。第2図の202が液晶ライトバル
ブで、これによって、201の光源からの光量を制御す
るものである。
第5図は、2u2の拡大図でめシ、液晶ライトバルブの
構成例である。301は信号電極で、305は走査電極
であり、302がマイクロシャッタ一部分である。30
1の信号電極と503の走査電極は、306の透明電極
上に502のマイクロシャッタ一部分を除いて導電性の
光学的マスク(この実施例では光学的マスクとしてニッ
ケルを蒸着した。)をしたものである。これは、マイク
ロシャッタ一部分以外の元のもれをなくシ、よりコント
ラストを高くするためであると同時に、電極の抵抗値を
低くして高周波信号でも波形がなまることなく伝達され
るためにも必要なものである。
構成例である。301は信号電極で、305は走査電極
であり、302がマイクロシャッタ一部分である。30
1の信号電極と503の走査電極は、306の透明電極
上に502のマイクロシャッタ一部分を除いて導電性の
光学的マスク(この実施例では光学的マスクとしてニッ
ケルを蒸着した。)をしたものである。これは、マイク
ロシャッタ一部分以外の元のもれをなくシ、よりコント
ラストを高くするためであると同時に、電極の抵抗値を
低くして高周波信号でも波形がなまることなく伝達され
るためにも必要なものである。
以下に、実施例によって、本発明の詳細な説明する。
〔実施例1〕
第4図は、実施例1による液晶ライトバルブの駆動波形
を示すタイミングチャート及び光学応答特性図である。
を示すタイミングチャート及び光学応答特性図である。
401は走畳電極彼形であプ、この波形を第3図303
の走査電極に印加し、第4図402の信号電極波形で、
この波形を第3図301の信号電極に印加する。この駆
動条件を示すと次のようになる。
の走査電極に印加し、第4図402の信号電極波形で、
この波形を第3図301の信号電極に印加する。この駆
動条件を示すと次のようになる。
(第7図の電圧−透過率特性より、vthl は正の
しきい電圧、Vsatl は、正の飽和電圧、vt)
11は、負のしきい電圧、 V8at2は、負の飽和電
圧である。) 第4図のtl の期間が選択期間であり、このうちち
のt2 の間に液晶素子を元の非透過とするのに光分
な電圧パルスを印加し、tl の間に信号電極波形と
の合成波形で、飽和電圧より大きな電圧パルスか、しき
い電圧より小さな電圧パルスを印加して液晶素子を透過
状態とするか非透過状態とするかを選択する。そして、
非選択期間t4 の間には、液晶分子が応答できる限
度ぎシぎりの周波数と電圧(この実施例では周波数は、
10KHz、〜50KHz、電圧は、vl x 20
17.−V4−−201 )を印加することによって非
選択期間のメモリー性を良くする。
しきい電圧、Vsatl は、正の飽和電圧、vt)
11は、負のしきい電圧、 V8at2は、負の飽和電
圧である。) 第4図のtl の期間が選択期間であり、このうちち
のt2 の間に液晶素子を元の非透過とするのに光分
な電圧パルスを印加し、tl の間に信号電極波形と
の合成波形で、飽和電圧より大きな電圧パルスか、しき
い電圧より小さな電圧パルスを印加して液晶素子を透過
状態とするか非透過状態とするかを選択する。そして、
非選択期間t4 の間には、液晶分子が応答できる限
度ぎシぎりの周波数と電圧(この実施例では周波数は、
10KHz、〜50KHz、電圧は、vl x 20
17.−V4−−201 )を印加することによって非
選択期間のメモリー性を良くする。
〔実施例2〕
第5図は、実施例2による液晶ライトバルブの駆動波形
を示すタイミングチャート及び光学応答特性図である。
を示すタイミングチャート及び光学応答特性図である。
501は走査電極波形であり、この波形を第3図503
の走査電極に印加し、5o2の信号電極波形を301の
信号電極に印加する。
の走査電極に印加し、5o2の信号電極波形を301の
信号電極に印加する。
この駆動条件を示すと次のようになる。
(第7図の電圧−透過率特性よ)、vthl は正の
しきい電圧、 Vsatlは正の飽和電圧、 Vt、
は負のしきい電圧、VBatlは負の飽和電圧である。
しきい電圧、 Vsatlは正の飽和電圧、 Vt、
は負のしきい電圧、VBatlは負の飽和電圧である。
)第5図の1.の期間が奇数フレームであシ、そのうち
のtl 0期間が選択期間である。t1期間中のtl
の間に液晶素子を元の非透過状態とするのに充分な電圧
パルスを印加して非透過状態としb tSの間に走査電
極と信号電極に印加される波形によって液晶素子に印加
される電圧が、飽和電圧二゛り大きな電圧パルスか、し
きい電圧より小さな電圧パルスを印加して液晶素子を透
過状態とするか、非透過状態とするかを選択する。また
b tl@の期間が偶数フレームであり、そのうちのt
l の期間が選択期間である。1. 期間中のt・
の間に、奇数フレームのときとは逆に、液晶素子を光
の透過状態とするのに充分な電圧パルスを印加して透過
状態とし、t7 の間に走査電極と信号電極に印加さ
れる波形によって液晶素子に印加されに電圧が、飽和電
圧より大きな電圧パルスか、しきい電圧より小さな電圧
パルスを印加して液晶素子を透過状態とするか、非透過
状態とするかを選択する。そして、奇数フレーム、偶数
フレームともに、非選択期間には、液晶分子が応答でき
る限度ぎ訪ぎりの周波数と電圧(この実施例では、周波
数は10KH2〜50 KH2,電圧は、vlmzov
、 −vss+m−20V)を印加することによって非
選択期間のメモリー性を良くするものである。また、液
晶素子に印加される電圧の平均値が2フレームで零とな
ることによって液晶ライトバルブの寿命も向上する。
のtl 0期間が選択期間である。t1期間中のtl
の間に液晶素子を元の非透過状態とするのに充分な電圧
パルスを印加して非透過状態としb tSの間に走査電
極と信号電極に印加される波形によって液晶素子に印加
される電圧が、飽和電圧二゛り大きな電圧パルスか、し
きい電圧より小さな電圧パルスを印加して液晶素子を透
過状態とするか、非透過状態とするかを選択する。また
b tl@の期間が偶数フレームであり、そのうちのt
l の期間が選択期間である。1. 期間中のt・
の間に、奇数フレームのときとは逆に、液晶素子を光
の透過状態とするのに充分な電圧パルスを印加して透過
状態とし、t7 の間に走査電極と信号電極に印加さ
れる波形によって液晶素子に印加されに電圧が、飽和電
圧より大きな電圧パルスか、しきい電圧より小さな電圧
パルスを印加して液晶素子を透過状態とするか、非透過
状態とするかを選択する。そして、奇数フレーム、偶数
フレームともに、非選択期間には、液晶分子が応答でき
る限度ぎ訪ぎりの周波数と電圧(この実施例では、周波
数は10KH2〜50 KH2,電圧は、vlmzov
、 −vss+m−20V)を印加することによって非
選択期間のメモリー性を良くするものである。また、液
晶素子に印加される電圧の平均値が2フレームで零とな
ることによって液晶ライトバルブの寿命も向上する。
〔実施例6〕
第6図は、実施例3によぞ液晶ライトバルブの駆動波形
を示すタイミングチャート及び光学応答特性図である。
を示すタイミングチャート及び光学応答特性図である。
601は走査電極波形で、これを第5図305の走査電
極に印加する。この駆動条件を示すと次のようになる。
極に印加する。この駆動条件を示すと次のようになる。
(第7図の電圧−透過率特性より、 7!1at1は
正の飽和電圧、V8atlは負の飽和電圧である。)第
6図の七1の期間が選択期間で、このときの信号電極に
印加される電圧パルスの極性によって、液晶素子に印加
される電圧が正であるか、負であるかによって、液晶素
子を透過状態とするか、非透過状態とするかを選択し、
非選択期間1.の間は液晶分子が応答できる限度ぎりぎ
りの周波数と電圧(この実施例では、周波数は、 1
0KHz〜50KF!z、電圧は、Vl−251,−1
2=−251)を印加することによって非選択期間のメ
モリー性を良くする。
正の飽和電圧、V8atlは負の飽和電圧である。)第
6図の七1の期間が選択期間で、このときの信号電極に
印加される電圧パルスの極性によって、液晶素子に印加
される電圧が正であるか、負であるかによって、液晶素
子を透過状態とするか、非透過状態とするかを選択し、
非選択期間1.の間は液晶分子が応答できる限度ぎりぎ
りの周波数と電圧(この実施例では、周波数は、 1
0KHz〜50KF!z、電圧は、Vl−251,−1
2=−251)を印加することによって非選択期間のメ
モリー性を良くする。
以上の実施例に示すように、液晶素子の非選択期間のメ
モリー性を良くするために高周波の交流バイアスを印加
することによって5強誘電性液晶のもつメモリー効果を
最大限に発揮した高速で高コントラストの液晶ライトバ
ルブを提供することができる。この液晶ライトバルブを
第1図に示す印写装置の光信号発生部の透過光強度制御
部分に使用する場合についてみると% 1ラインあたり
の印刷スピードを一定にしたときに、マルチブレクス駆
動の分割数を多くしても、従来のように開口時間が短か
くなることはなく、はぼフレーム周期と同じ開口時間が
あるために、1フレ一ム期間に透過する光エネルギーが
大きくなるため第2図に示す光源を従来より暗くするこ
とができ、使用できる光源の種類も幅広く使え、消費電
力も低くすることができる。また、光量が多くとれるた
め感光ドラムの感度を低くすることができ、従来のOd
s等の感光材料をOPc に変えることができ、安価で
安全性の高い感光ドラムを使用できる。
モリー性を良くするために高周波の交流バイアスを印加
することによって5強誘電性液晶のもつメモリー効果を
最大限に発揮した高速で高コントラストの液晶ライトバ
ルブを提供することができる。この液晶ライトバルブを
第1図に示す印写装置の光信号発生部の透過光強度制御
部分に使用する場合についてみると% 1ラインあたり
の印刷スピードを一定にしたときに、マルチブレクス駆
動の分割数を多くしても、従来のように開口時間が短か
くなることはなく、はぼフレーム周期と同じ開口時間が
あるために、1フレ一ム期間に透過する光エネルギーが
大きくなるため第2図に示す光源を従来より暗くするこ
とができ、使用できる光源の種類も幅広く使え、消費電
力も低くすることができる。また、光量が多くとれるた
め感光ドラムの感度を低くすることができ、従来のOd
s等の感光材料をOPc に変えることができ、安価で
安全性の高い感光ドラムを使用できる。
また、マルチブレクス駆動の分割数を増やすことができ
、液晶駆動ICの数を減らすことができ実装等も簡単と
なり、より安価な液晶ライトバルブを提供できる。また
、高コントラストの液晶ライトバルブであシ、光源の場
所による光量のバラツキを従来よりラフにすることもで
きる。
、液晶駆動ICの数を減らすことができ実装等も簡単と
なり、より安価な液晶ライトバルブを提供できる。また
、高コントラストの液晶ライトバルブであシ、光源の場
所による光量のバラツキを従来よりラフにすることもで
きる。
第1図は、本発明の液晶ライトバルブによる印写装置の
構成を示す図である。 第2図は、液晶ライトバルブを用いた元信号発生部の構
成の一例の図である。 第5図は%液晶ライトバルブのパネル構造の一例であL
(&)は平面図で、(b)はに−に7間の断面図である
。 第4図は、実施例1の駆動波形のタイミングチャート及
び光学応答特性図である。 第5図は、実施例2の駆動波形のタイミングチャート及
び光学応答特性図である。 第6図は、実施例3の駆動波形のタイはングチャート及
び光学応答特性図である。 第7図は、パルス@tの電圧パルスを印加したときの電
圧−光透過率特性図である。 第8図は、誘電異方性を利用した従来の液晶ライトバル
ブの駆動波形のタイミングチャート及び光学応答特性図
である。 第9図は、強誘電性液晶による従来の液晶ライトバルブ
の駆動波形のタイミングチャート及び光学応答特性図で
ある。 101・・・光信号発生部 102・・・感光ドラム 103・・・コロナチャージャー 104・・・除電ランプ 105・・・ブレード 106・・・定着器 107・・・転写コロナ放電器 108・・・普通紙 109・・・磁気ブラシ現像器 201・・・光源 202・・・液晶ライトバルブ 205・・・結像レンズ 204・・・感光ドラム 205・・・駆動IC 501・・・信号電極 302・・・マイクロシャッター 303・・・走査電極 304・・・偏光板 305・・・ガラス基板 306・・・ネサ電極 307・・・光学的マスク 308・・・絶縁板 309・・・液晶 401.501,601・・・走査電極波形402.5
02,602・・・信号電極彼形403.503,60
5・・・合成波形404,504,604・・・元学応
答特性以 上 第1!!l 清2図 第6図 第7図
構成を示す図である。 第2図は、液晶ライトバルブを用いた元信号発生部の構
成の一例の図である。 第5図は%液晶ライトバルブのパネル構造の一例であL
(&)は平面図で、(b)はに−に7間の断面図である
。 第4図は、実施例1の駆動波形のタイミングチャート及
び光学応答特性図である。 第5図は、実施例2の駆動波形のタイミングチャート及
び光学応答特性図である。 第6図は、実施例3の駆動波形のタイはングチャート及
び光学応答特性図である。 第7図は、パルス@tの電圧パルスを印加したときの電
圧−光透過率特性図である。 第8図は、誘電異方性を利用した従来の液晶ライトバル
ブの駆動波形のタイミングチャート及び光学応答特性図
である。 第9図は、強誘電性液晶による従来の液晶ライトバルブ
の駆動波形のタイミングチャート及び光学応答特性図で
ある。 101・・・光信号発生部 102・・・感光ドラム 103・・・コロナチャージャー 104・・・除電ランプ 105・・・ブレード 106・・・定着器 107・・・転写コロナ放電器 108・・・普通紙 109・・・磁気ブラシ現像器 201・・・光源 202・・・液晶ライトバルブ 205・・・結像レンズ 204・・・感光ドラム 205・・・駆動IC 501・・・信号電極 302・・・マイクロシャッター 303・・・走査電極 304・・・偏光板 305・・・ガラス基板 306・・・ネサ電極 307・・・光学的マスク 308・・・絶縁板 309・・・液晶 401.501,601・・・走査電極波形402.5
02,602・・・信号電極彼形403.503,60
5・・・合成波形404,504,604・・・元学応
答特性以 上 第1!!l 清2図 第6図 第7図
Claims (4)
- (1)N本(Nは整数)の走査電極を形成した基板と、
M本(Mは整数)の信号電極を形成した基板間に強誘電
性液晶を挾持した液晶ライトバルブにおいて、非選択期
間に高周波交流波形を印加したマルチブレクス駆動する
ことを特徴とする液晶ライトバルブ。 - (2)マルチブレクス駆動において、選択期間の前半で
液晶素子を第1の状態とするのに充分な飽和電圧より絶
対値の大きな電圧パルスを印加し、選択期間後半で、前
半とは逆極性でしきい電圧より絶対値の小さな電圧パル
スか、飽和電圧より絶対値の大きな電圧パルスを印加し
て液晶素子を第1の状態のままか、第2の状態とするか
を選択し、非選択期間には、高周波の交流波形を印加す
ることによつて選択期間後半の状態を保持することを特
徴とした特許請求の範囲第1項記載の液晶ライトバルブ
。 - (3)マルチブレクス駆動において、奇数フレームにつ
いてみると、選択期間の前半で液晶素子を第1の状態と
するのに充分な飽和電圧より絶対値の大きな電圧パルス
を印加し、選択期間の後半で、前半とは逆極性でしきい
電圧より絶対値の小さな電圧パルスか、飽和電圧より絶
対値の大きな電圧パルスを印加して液晶素子を第1の状
態のままか、第2の状態とするかを選択し、非選択期間
は、高周波の交流波形を印加し、偶数フレームでは、選
択期間の前半で液晶素子を第2の状態とするのに充分な
飽和電圧より絶対値の大きな電圧パルスを印加し、選択
期間の後半で、前半とは逆極性でしきい電圧より絶対値
の小さな電圧パルスか、飽和電圧より絶対値の大きな電
圧パルスを印加して液晶素子を第2の状態のままか、第
1の状態とするかを選択し、非選択期間は高周波交流波
形を印加することによつて、液晶に印加される電圧の平
均値が零となることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の液晶ライトバルブ。 - (4)マルチブレクス駆動において、選択期間に液晶素
子に印加される飽和電圧より絶対値の大きな電圧パルス
の極性によつて、第1の状態とするのか、第2の状態と
するのかを選択し、非選択期間には、高周波交流波形を
印加することによつて、選択期間の状態を保持すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶ライトバ
ルブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61091561A JPS62247338A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 液晶ライトバルブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61091561A JPS62247338A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 液晶ライトバルブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247338A true JPS62247338A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=14029921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61091561A Pending JPS62247338A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 液晶ライトバルブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247338A (ja) |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP61091561A patent/JPS62247338A/ja active Pending
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