JPS62247357A - コントラストが高く、金属イオンの少ないホトレジスト現像組成物および現像法 - Google Patents
コントラストが高く、金属イオンの少ないホトレジスト現像組成物および現像法Info
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- JPS62247357A JPS62247357A JP62019599A JP1959987A JPS62247357A JP S62247357 A JPS62247357 A JP S62247357A JP 62019599 A JP62019599 A JP 62019599A JP 1959987 A JP1959987 A JP 1959987A JP S62247357 A JPS62247357 A JP S62247357A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 53
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title description 7
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 42
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 40
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 35
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims description 13
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 quinonediazide sulfonic acid derivative Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 235000019864 coconut oil Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000003240 coconut oil Substances 0.000 claims description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 29
- 239000002585 base Substances 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M tetrakis(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].OCC[N+](CCO)(CCO)CCO VHLDQAOFSQCOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDMUQNOYNAWAAL-UHFFFAOYSA-N 3-diazo-1,4-dioxonaphthalene-2-sulfonic acid Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N+]=[N-])C(S(=O)(=O)O)C(=O)C2=C1 NDMUQNOYNAWAAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002871 Tectona grandis Species 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000536 complexating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N diazomethanone Chemical compound [N]N=C=O XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000019197 fats Nutrition 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-2-(3-formylindol-1-yl)acetamide Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=O)=CN1CC(=O)NCC1=CC=CC=C1 RCHKEJKUUXXBSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポジティブホトレジストの新規な現像法、さら
に詳しくは露光および非露光レジスト間の現像速度差、
境界コントラストを高めるように、アルカリ可溶性樹脂
／ジアゾケトンホトレジストを現像する方法に関する。
に詳しくは露光および非露光レジスト間の現像速度差、
境界コントラストを高めるように、アルカリ可溶性樹脂
／ジアゾケトンホトレジストを現像する方法に関する。
本発明は、ホトレジストフィルムを、有機塩基およびフ
ルオロケミカル表面活性剤の水溶液中で現像する前に、
有機塩基および陽イオン性表面活性剤の水浴液と接触さ
せると、非露光レジストの現像速度が実質的にはゼロと
なって非常に高いコントラストを生じるという発見に基
づく、さらに、露光ホトレジストは基体にきれいに出現
し、パターンは垂直なエツジ側面を有する。
ルオロケミカル表面活性剤の水溶液中で現像する前に、
有機塩基および陽イオン性表面活性剤の水浴液と接触さ
せると、非露光レジストの現像速度が実質的にはゼロと
なって非常に高いコントラストを生じるという発見に基
づく、さらに、露光ホトレジストは基体にきれいに出現
し、パターンは垂直なエツジ側面を有する。
ホトレジストは一般的には、照射源、たとえば紫外線、
にあてた後、現像液に応じて溶解度が変わるフィルムで
ある。露光の結果として、ホトレジストフィルムの露光
および非露光（マスクし７’ｊ）部分間に現像液中での
溶解速度に差が生じ、そのため現像後のホトレジストフ
ィルムにマスクパターンが生じる。露光領域がより溶解
性となるこれらのホトレジストはポジティブホトレジス
トと呼ばれ、本発明が扱５種類のものである。
にあてた後、現像液に応じて溶解度が変わるフィルムで
ある。露光の結果として、ホトレジストフィルムの露光
および非露光（マスクし７’ｊ）部分間に現像液中での
溶解速度に差が生じ、そのため現像後のホトレジストフ
ィルムにマスクパターンが生じる。露光領域がより溶解
性となるこれらのホトレジストはポジティブホトレジス
トと呼ばれ、本発明が扱５種類のものである。
ポジティブホトレジストは一般的には、水性アルカリ可
溶性樹脂、たとえばノボラック樹脂またはポリ−（ｐ−
ヒドロキシスチレン）、およヒ有機溶剤に溶解したジア
ゾナフトキノンスルホン酸エステルよりなる。レジスト
は通常、スピンキャスティング法によって、二酸化珪素
、アルミニクム、窒化珪素、ガラスまたは集積回路の製
造に一般的に使われる他の材料の薄い被覆を有するシリ
コンウェファ−に塗布スル。
溶性樹脂、たとえばノボラック樹脂またはポリ−（ｐ−
ヒドロキシスチレン）、およヒ有機溶剤に溶解したジア
ゾナフトキノンスルホン酸エステルよりなる。レジスト
は通常、スピンキャスティング法によって、二酸化珪素
、アルミニクム、窒化珪素、ガラスまたは集積回路の製
造に一般的に使われる他の材料の薄い被覆を有するシリ
コンウェファ−に塗布スル。
被覆したウェファ−は、様々な回路部品をウェファ−上
に組込むためのパターンをもたらすマスクを通して露光
する。パターンは、浸漬、スプレーまたは現像液のパド
ルをウェハー上に置くことＫよって現像する。
に組込むためのパターンをもたらすマスクを通して露光
する。パターンは、浸漬、スプレーまたは現像液のパド
ルをウェハー上に置くことＫよって現像する。
使用される現像剤は通常、無機塩基たとえばＫＯＨ％Ｎ
ａＯＨおよびＮａ！５ｔ０１１、または有機塩基たとえ
ば水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化（２−
ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム、の水性塩
基溶液である。無機の金属イオン含有塩基は、装置の移
動性イオン汚染が予想されるため、集積回路のパターニ
ングには好ましくない。
ａＯＨおよびＮａ！５ｔ０１１、または有機塩基たとえ
ば水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化（２−
ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム、の水性塩
基溶液である。無機の金属イオン含有塩基は、装置の移
動性イオン汚染が予想されるため、集積回路のパターニ
ングには好ましくない。
一般的には、現像液中でのホトレジストの溶解度の変化
は相対的な変化にすぎない：従って、ホトレジストの非
露光部分もある程度溶解する。比較的可溶性の露光およ
び比較的不溶性の非露光ホトレジストフィルム間の現像
速度差を高めるいかなるプロセスも好都合である。現像
中、露光レジストを基板に至るまで完全に除去させる条
件下で。
は相対的な変化にすぎない：従って、ホトレジストの非
露光部分もある程度溶解する。比較的可溶性の露光およ
び比較的不溶性の非露光ホトレジストフィルム間の現像
速度差を高めるいかなるプロセスも好都合である。現像
中、露光レジストを基板に至るまで完全に除去させる条
件下で。
非露光レジストへの攻撃ができるだけ少ないことがたい
へん好ましい。露光レジストに対する非露光レジストの
溶解速度が遅いほど、コントラストは高くなる。コント
ラストが高いと、はっきりした垂直側壁を有するパター
ンが得られ、でこぼこした表面上のパターンにおける変
化がわずかＫなる。
へん好ましい。露光レジストに対する非露光レジストの
溶解速度が遅いほど、コントラストは高くなる。コント
ラストが高いと、はっきりした垂直側壁を有するパター
ンが得られ、でこぼこした表面上のパターンにおける変
化がわずかＫなる。
米国特許出願第０６７５０５，５７１号Ｓよび第０６／
６６０，６００号に各々記載されてい、るようパに、高
いコントラストを得るために、フルオロカーボ／２よび
有機酸表面活性剤が無機現像液と共に使用されてきた。
６６０，６００号に各々記載されてい、るようパに、高
いコントラストを得るために、フルオロカーボ／２よび
有機酸表面活性剤が無機現像液と共に使用されてきた。
また、第四アンモニウム表面活性剤は有機塩基現像剤と
共に使用されてきた。
共に使用されてきた。
しかしながら、どちらの場合に２いても、一般的には現
像剤浴へのただ一回の浸漬後に、表面活性剤が急速にな
くなり、その結果、表面活性剤によって与えられる高コ
ントラストが失われ、そしてプロセスをコントロールす
るのが難しくなる。さらに、第四アンモニワム表面活性
剤と共に有機塩基現像剤は、露光領域から確実に残留物
を取り去らない。
像剤浴へのただ一回の浸漬後に、表面活性剤が急速にな
くなり、その結果、表面活性剤によって与えられる高コ
ントラストが失われ、そしてプロセスをコントロールす
るのが難しくなる。さらに、第四アンモニワム表面活性
剤と共に有機塩基現像剤は、露光領域から確実に残留物
を取り去らない。
米国特許第３，９６１，１００号に記載されている別の
現像法では、表面活性剤なしのダブル現像プロセスを用
いて、感度を改良しそしてフィルム損失を減じ、高いコ
ントラストを得ている。これは、本発明で達成されるコ
ントラストと比較するとわずかな改良にすぎない。
現像法では、表面活性剤なしのダブル現像プロセスを用
いて、感度を改良しそしてフィルム損失を減じ、高いコ
ントラストを得ている。これは、本発明で達成されるコ
ントラストと比較するとわずかな改良にすぎない。
米国特許第４，２１２，９３５号に記載されている別の
方法では、有機溶剤浸液を用いて現像剤の非露光レジス
トフィルムへの攻撃を減じている。この処理は低分子量
の樹脂をフィルムから除き、こうすることによってレジ
ストの表面の現像速度を低下させる。露光領域では、表
面の現像速度は、現像剤が下にある未処理レジメ）Ｋ突
破するのになお十分なものである。このような処理の結
果、アンダーカットされた側面となり、そして非露光レ
ジストへの攻撃はわずかとなる。ＩＢＭ Ｔｅａｋ％ｓ
ｅａｌＢｍ１１ａｔｔｍ−第２７巻、／ｆ６１Ａ、第３
７７〜３７８頁（１９８４年６月）に記載されているよ
うに、この方法は時間がかかり、コントロールが峻しい
。
方法では、有機溶剤浸液を用いて現像剤の非露光レジス
トフィルムへの攻撃を減じている。この処理は低分子量
の樹脂をフィルムから除き、こうすることによってレジ
ストの表面の現像速度を低下させる。露光領域では、表
面の現像速度は、現像剤が下にある未処理レジメ）Ｋ突
破するのになお十分なものである。このような処理の結
果、アンダーカットされた側面となり、そして非露光レ
ジストへの攻撃はわずかとなる。ＩＢＭ Ｔｅａｋ％ｓ
ｅａｌＢｍ１１ａｔｔｍ−第２７巻、／ｆ６１Ａ、第３
７７〜３７８頁（１９８４年６月）に記載されているよ
うに、この方法は時間がかかり、コントロールが峻しい
。
溶剤、特にクロロベンゼン、は取り扱うのに危険である
。
。
金属リフト−オフプロセス用のアンダーカットされた側
面を形成するために被覆ホトレジストな化学的に処理す
る他の方法が明らかにされてきた。
面を形成するために被覆ホトレジストな化学的に処理す
る他の方法が明らかにされてきた。
そのような種々の方法は米国特許第４．２１２．９３５
号に記載されているが、これは、高コントラスト、非露
光フィルム無損失Ｓよび本発明で明らかにするプロセス
の他の利点を達成するための本発明に、記載の方法Ｓよ
び組成物には触れていない。
号に記載されているが、これは、高コントラスト、非露
光フィルム無損失Ｓよび本発明で明らかにするプロセス
の他の利点を達成するための本発明に、記載の方法Ｓよ
び組成物には触れていない。
感度を犠牲にすることなく、少なくとも５の高コントラ
スト［（ガンマ）を待たらすことが可能であり、そして
前記の利点が得られかつ上述の欠点が最小となる、有機
水性塩基現像剤が望まれている。
スト［（ガンマ）を待たらすことが可能であり、そして
前記の利点が得られかつ上述の欠点が最小となる、有機
水性塩基現像剤が望まれている。
１９８３年６月１７日付米国特許出願第５０５゜５７１
号（現在放棄されている）の分割出願であり、そしてフ
ルオロカーボン表面活性剤含有現像液を使用する輻射線
に敏感なポジティブレジストフィルムの現像法に関する
、１９８５年８月１９日付米国特許出願第７６７．３１
８号、Ｓよびある種のカルボキシル化表面活性剤を使用
する輻射線に敏感なポジティブレジストフィルムの現像
法に関する、１９８４年１０月５日付米国特許出願第６
６０．６００号を参考文献としてあげる。
号（現在放棄されている）の分割出願であり、そしてフ
ルオロカーボン表面活性剤含有現像液を使用する輻射線
に敏感なポジティブレジストフィルムの現像法に関する
、１９８５年８月１９日付米国特許出願第７６７．３１
８号、Ｓよびある種のカルボキシル化表面活性剤を使用
する輻射線に敏感なポジティブレジストフィルムの現像
法に関する、１９８４年１０月５日付米国特許出願第６
６０．６００号を参考文献としてあげる。
本発明では、初めに露光ホトレジストフィルムを有機塩
基２よび陽イオン性表面活性剤よりなる水溶液と接触さ
せ、その後水ですすぎ、次にホトレジストフィルムを有
機塩基Ｓよびフルオロカーボン表面活性剤を含む水性現
像液と接触させると、非常に高いコントラスト２よび垂
直なまたは時にはアンダーカットされた側面を有するき
れいなパターンが得られることを発見した。
基２よび陽イオン性表面活性剤よりなる水溶液と接触さ
せ、その後水ですすぎ、次にホトレジストフィルムを有
機塩基Ｓよびフルオロカーボン表面活性剤を含む水性現
像液と接触させると、非常に高いコントラスト２よび垂
直なまたは時にはアンダーカットされた側面を有するき
れいなパターンが得られることを発見した。
この最初のまたは予備浸漬溶液は十分く濃いものではな
く、またホトレジストを現像するのに十分な接触条件で
もない。しかしながら、現像液は所望のプロセスによっ
て数秒〜数分間のうちに露光ホトレジストを現像するの
に十分に有機なものである。
く、またホトレジストを現像するのに十分な接触条件で
もない。しかしながら、現像液は所望のプロセスによっ
て数秒〜数分間のうちに露光ホトレジストを現像するの
に十分に有機なものである。
第四アンモニウム表面活性剤は樹脂と複合体を作って現
像剤に抵抗性の層を形成する。このバリヤ一層は、露光
レジストに２ける現像剤の攻撃を抑制するのには不十分
ではあるが、非露光レジストを現像剤が攻撃するのを妨
げる。第四アンモニウム表面活性剤は予備浸漬浴中にあ
るので、現傭浴からの溶解した脂肪と複合体を作ること
によってなくなることはない。現像剤浴中の、フルオロ
カーボン表面活性剤は、塩基の強さまたは濃度を高める
ことなく、現像剤をより攻撃的にすることに゛よって現
像を促進し、これによって現像剤はパターンをきれいに
出したり、感度の有意な損失を待たらすことなく残留物
を除去することができる。
像剤に抵抗性の層を形成する。このバリヤ一層は、露光
レジストに２ける現像剤の攻撃を抑制するのには不十分
ではあるが、非露光レジストを現像剤が攻撃するのを妨
げる。第四アンモニウム表面活性剤は予備浸漬浴中にあ
るので、現傭浴からの溶解した脂肪と複合体を作ること
によってなくなることはない。現像剤浴中の、フルオロ
カーボン表面活性剤は、塩基の強さまたは濃度を高める
ことなく、現像剤をより攻撃的にすることに゛よって現
像を促進し、これによって現像剤はパターンをきれいに
出したり、感度の有意な損失を待たらすことなく残留物
を除去することができる。
本発明の現像法で用いられるホトレジストはポジティブ
な作用をする、すなわち組成物の露光部分が露光と同時
により可溶性になるものである。
な作用をする、すなわち組成物の露光部分が露光と同時
により可溶性になるものである。
この種のポジティブホトレジストに使用される適当な増
感剤は、分子上の隣接位置にジアゾ３よびケト基を有す
るジアゾケトン、たとえばキノン−ジアジドスルホン酸
誘導体である。通したアルカリ可溶性樹脂をホトレジス
トに用いなければならない０本発明で考えられろものは
プレポリマー化したフェノールアルデヒド樹脂、たとえ
ばフェノールホルムアルデヒド、であり、これらはノボ
ラックとして昶られてＳす、市販されている。この種の
樹脂はたとえば米国特許第３，２０１．２３９号、第ふ
８６８，２５４号、第４，１２３，２１９号Ｓよび第４
，１７３，４７０号に示されて３す、これらを参考文献
として挙げて２く。これらのフェノールアルデヒド樹脂
系配合物は、有機溶剤２よび水性アルカリ性溶液に可溶
性でなければならない。
感剤は、分子上の隣接位置にジアゾ３よびケト基を有す
るジアゾケトン、たとえばキノン−ジアジドスルホン酸
誘導体である。通したアルカリ可溶性樹脂をホトレジス
トに用いなければならない０本発明で考えられろものは
プレポリマー化したフェノールアルデヒド樹脂、たとえ
ばフェノールホルムアルデヒド、であり、これらはノボ
ラックとして昶られてＳす、市販されている。この種の
樹脂はたとえば米国特許第３，２０１．２３９号、第ふ
８６８，２５４号、第４，１２３，２１９号Ｓよび第４
，１７３，４７０号に示されて３す、これらを参考文献
として挙げて２く。これらのフェノールアルデヒド樹脂
系配合物は、有機溶剤２よび水性アルカリ性溶液に可溶
性でなければならない。
予備浸漬浴は有機塩基８よび陽イオン表面活性剤の水溶
液よりなる。使用しつる塩基は、一般的な種類の水溶性
有機塩基に属する。この種類の例は水酸化テトラメチル
アンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメ
チルアンモニウムおよび水酸化テトラ−（２−ヒドロキ
シエチル）アンモニウムである。このリストは予備浸漬
浴中に使用しつる塩基の種類の例であるが、これらに限
定されない。
液よりなる。使用しつる塩基は、一般的な種類の水溶性
有機塩基に属する。この種類の例は水酸化テトラメチル
アンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメ
チルアンモニウムおよび水酸化テトラ−（２−ヒドロキ
シエチル）アンモニウムである。このリストは予備浸漬
浴中に使用しつる塩基の種類の例であるが、これらに限
定されない。
予備浸漬浴中の塩基の濃度は、レジストフィルムの露光
部分に測定しつるフィルム損失を生じさせるホトレジス
トフィルムの有意な溶解がない程度に低くすべきである
。ホトレジストは、これらが水性塩基溶液中に一緒に溶
解している塩基中で変化するので、塩基濃度をレジスト
の溶解度特性に対して調整する必要があるであろう、予
備浸漬溶液中の塩基の濃度は、現像剤中の塩基の濃度の
０．１％〜１００％の範囲である。好ましい範囲は現像
剤中の塩基濃度の２５〜７５％である。最も好ましい範
囲は現像剤中の塩基濃度の約５０％である。
部分に測定しつるフィルム損失を生じさせるホトレジス
トフィルムの有意な溶解がない程度に低くすべきである
。ホトレジストは、これらが水性塩基溶液中に一緒に溶
解している塩基中で変化するので、塩基濃度をレジスト
の溶解度特性に対して調整する必要があるであろう、予
備浸漬溶液中の塩基の濃度は、現像剤中の塩基の濃度の
０．１％〜１００％の範囲である。好ましい範囲は現像
剤中の塩基濃度の２５〜７５％である。最も好ましい範
囲は現像剤中の塩基濃度の約５０％である。
予備浸漬処理の後に、ホトレジストフィルムをすすぎ、
次いで現像剤と接触させる。現像剤配合物の製造に使用
される塩基は、一般的な種類の水溶性有機塩基から選択
しつる。水酸化テトラメチルアンモニ９ム、水酸化（２
−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム、水酸化
テトラ−（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムが、現
像剤中に使用しつる種類の塩基の例であるが、これらに
限定されない。ホトレジストは、これらが水性塩基溶液
中に一緒に溶解する塩基中で変化するので、塩基濃度を
レジストの溶解度特性に対して調整する必要があるであ
ろう。
次いで現像剤と接触させる。現像剤配合物の製造に使用
される塩基は、一般的な種類の水溶性有機塩基から選択
しつる。水酸化テトラメチルアンモニ９ム、水酸化（２
−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム、水酸化
テトラ−（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムが、現
像剤中に使用しつる種類の塩基の例であるが、これらに
限定されない。ホトレジストは、これらが水性塩基溶液
中に一緒に溶解する塩基中で変化するので、塩基濃度を
レジストの溶解度特性に対して調整する必要があるであ
ろう。
本発明の方法に従いそして本発明の配合物の溶液を使用
することによって、非露光ホトレジストフィルムの損失
なしにそして感度の有意な損失なしに、ジアゾナフトキ
ノン光活性化合物／ノボラック樹脂系ホトレジストのポ
ジティブホトレジストは高コントラスト（ガンマ−が５
よりよ）となる。この方法で得られるパターンは垂直な
エツジ側面を有し、露光レジストを現像した領域の基板
上にレジストが残留しない。
することによって、非露光ホトレジストフィルムの損失
なしにそして感度の有意な損失なしに、ジアゾナフトキ
ノン光活性化合物／ノボラック樹脂系ホトレジストのポ
ジティブホトレジストは高コントラスト（ガンマ−が５
よりよ）となる。この方法で得られるパターンは垂直な
エツジ側面を有し、露光レジストを現像した領域の基板
上にレジストが残留しない。
本発明は、垂直な側面、高分解能、非露光レジストフィ
ルムの無損失２よびすぐれた感度を生じる高コントラス
トを得るために、ポジティブな作用をするホトレジスト
を予備浸漬溶液と接触させ、基板を丁すぎ、現偉し、す
すぎそして乾燥さぜる方法からなる。予備浸漬溶液２よ
び現像溶液の組成は、効果を達成するために限定される
。
ルムの無損失２よびすぐれた感度を生じる高コントラス
トを得るために、ポジティブな作用をするホトレジスト
を予備浸漬溶液と接触させ、基板を丁すぎ、現偉し、す
すぎそして乾燥さぜる方法からなる。予備浸漬溶液２よ
び現像溶液の組成は、効果を達成するために限定される
。
本方法はジアゾナフトキノン系元活性化合物およびノボ
ラック樹脂に基づくホトレジストに対して用いる。一般
的に、ホトレジストは浴液からシリコン基板、あるいは
集積回路またはホトマスクの製造に使用される他のその
ような基板上にスピン被覆する。矢にレジストを熱対流
炉中で約１００℃にて３０分間ベータすることによって
乾燥する：他のベーキング法、たとえば熱板、でも十分
であろう、レジストおよび基板が冷却した後、レジスト
を紫外線または他の化学線で照射して、露ｚｇ、’よび
非露光レジストのパターンを形成する。
ラック樹脂に基づくホトレジストに対して用いる。一般
的に、ホトレジストは浴液からシリコン基板、あるいは
集積回路またはホトマスクの製造に使用される他のその
ような基板上にスピン被覆する。矢にレジストを熱対流
炉中で約１００℃にて３０分間ベータすることによって
乾燥する：他のベーキング法、たとえば熱板、でも十分
であろう、レジストおよび基板が冷却した後、レジスト
を紫外線または他の化学線で照射して、露ｚｇ、’よび
非露光レジストのパターンを形成する。
レジストを被覆した基板を次に予備浸漬溶液と、０．５
秒〜３０分間、さらに好ましくは１０秒〜２分間、最も
好ましくは１分間、接触させる。予備浸漬溶液は有機塩
基２よび第四アンモニウム表面活性剤よりなるが、これ
に限定されない。
秒〜３０分間、さらに好ましくは１０秒〜２分間、最も
好ましくは１分間、接触させる。予備浸漬溶液は有機塩
基２よび第四アンモニウム表面活性剤よりなるが、これ
に限定されない。
予備浸漬溶液中に使用される塩基は水溶性有機塩基から
、さらに好ましくは水酸化テトラメチルフッ％二９ム、
水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウ
ム３よび水酸化テトラ−（２−ヒドロキシエチル）アン
モニラから選択でき、最も好ましいのは水酸化テトラメ
チルアンモニタムである。予備浸漬溶液中の塩基の濃度
は０．００１〜０．５Ｎ、さらに好ましくは０．０５〜
０−３Ｎにすべきである。
、さらに好ましくは水酸化テトラメチルフッ％二９ム、
水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウ
ム３よび水酸化テトラ−（２−ヒドロキシエチル）アン
モニラから選択でき、最も好ましいのは水酸化テトラメ
チルアンモニタムである。予備浸漬溶液中の塩基の濃度
は０．００１〜０．５Ｎ、さらに好ましくは０．０５〜
０−３Ｎにすべきである。
予備浸漬浴中に使用することができる表面活性剤には次
のような化合物が含まれる： （式中、Ｒ８はＱ、Ｎ２よびＳから選択した０〜３個の
異原子を有する炭素原子数２〜６の環状基であり、但し
各異原子は互いにあるいは第四窒素原子と結合して８ら
ず、Ｒ８は炭素原子数６〜２０の飽和または不飽和の直
鎖または枝分れ炭化水素鎖であり、Ｒ２は炭素原子数が
１〜１２０である他はＲ１と同じであり、Ｘ−はＣＬｌ
ｌ；Ｂｆ１ＣＨＢＳ０４″ またはＣＨ，ＣＨ雪ＳＯＪ
で、ある） 予９４浸漬浴甲に使用することができる他の表面活性剤
には以下のような化合物が含まれる：■ 〔式中、Ｒ，’ＥよびＲ１は上記の通りであり、Ｒ１は
炭素原子数１〜４のアルキル基であり、Ｒ４は炭素原子
数１〜４の飽和または不飽和の直鎖または枝分れ炭化水
素鎖、１〜４個の式： ％式％） （式中、Ｒ３は炭素原子数１〜２０の飽和または不飽和
の直鎖または枝分れ炭化水素鎖であり、Ｒ６８よびＲ７
は同じまたは異なるものであり、各々炭素原子数１〜４
のアルキル基である） の第四アンモニ９ム基であり、あるいはアルキル部分が
炭素原子数０〜３の７エ／アルキルである〕。
のような化合物が含まれる： （式中、Ｒ８はＱ、Ｎ２よびＳから選択した０〜３個の
異原子を有する炭素原子数２〜６の環状基であり、但し
各異原子は互いにあるいは第四窒素原子と結合して８ら
ず、Ｒ８は炭素原子数６〜２０の飽和または不飽和の直
鎖または枝分れ炭化水素鎖であり、Ｒ２は炭素原子数が
１〜１２０である他はＲ１と同じであり、Ｘ−はＣＬｌ
ｌ；Ｂｆ１ＣＨＢＳ０４″ またはＣＨ，ＣＨ雪ＳＯＪ
で、ある） 予９４浸漬浴甲に使用することができる他の表面活性剤
には以下のような化合物が含まれる：■ 〔式中、Ｒ，’ＥよびＲ１は上記の通りであり、Ｒ１は
炭素原子数１〜４のアルキル基であり、Ｒ４は炭素原子
数１〜４の飽和または不飽和の直鎖または枝分れ炭化水
素鎖、１〜４個の式： ％式％） （式中、Ｒ３は炭素原子数１〜２０の飽和または不飽和
の直鎖または枝分れ炭化水素鎖であり、Ｒ６８よびＲ７
は同じまたは異なるものであり、各々炭素原子数１〜４
のアルキル基である） の第四アンモニ９ム基であり、あるいはアルキル部分が
炭素原子数０〜３の７エ／アルキルである〕。
この種類の化合物の例は表１中の実施例Ｂ８よびＣであ
る。
る。
予備浸漬浴中に便用することができる他の表面活性剤に
は以下の化合物が含まれる： Ｒ１ （式中、Ｒ８はヤシ油から誘導した炭化水素鎖であり、
Ｒ１８よびＲ２は炭素原子数１〜４のヒドロキシアルキ
ルである） この種類の化合物の例は表面中の実施例りである。
は以下の化合物が含まれる： Ｒ１ （式中、Ｒ８はヤシ油から誘導した炭化水素鎖であり、
Ｒ１８よびＲ２は炭素原子数１〜４のヒドロキシアルキ
ルである） この種類の化合物の例は表面中の実施例りである。
予備浸漬浴中の陽イオン性表面活性剤の濃度は、予備浸
漬浴の重量に基づいて０．０００１〜１．０％である。
漬浴の重量に基づいて０．０００１〜１．０％である。
好ましい濃度範囲は０．００１ＮＯ，７５％、最も好ま
しい範囲は０．０１〜０．２５％である。
しい範囲は０．０１〜０．２５％である。
次に基板を最少時間、好ましくは１０秒以上、さらに好
ましくは１分間、脱イオン水ですすぐ。
ましくは１分間、脱イオン水ですすぐ。
次いで、適当な露光を受けたレジストを、非露光レジス
トの損失なしに、きれいに溶解し去るまで、さらに好ま
しくは少なくとも１０秒間、最も好ましくは６０秒より
長い間、基板な現像液と接触させる。
トの損失なしに、きれいに溶解し去るまで、さらに好ま
しくは少なくとも１０秒間、最も好ましくは６０秒より
長い間、基板な現像液と接触させる。
現像液は有機塩基２よびフルオロカーボン表面活性剤よ
りなるが、これに限定されない、現像液中で、使用され
る塩基は水溶性有機塩基から、さらに好ましくは水酸化
テトラメチルアンモニワム、水酸化（２−ヒドロキシエ
チル）トリメチルアンモニワムＳよび水酸化テトラ−（
２−ヒドロキシエチル）アンモニワムから選択でき、最
も好ましいのは水酸化テトラメチルアンモニウムである
。
りなるが、これに限定されない、現像液中で、使用され
る塩基は水溶性有機塩基から、さらに好ましくは水酸化
テトラメチルアンモニワム、水酸化（２−ヒドロキシエ
チル）トリメチルアンモニワムＳよび水酸化テトラ−（
２−ヒドロキシエチル）アンモニワムから選択でき、最
も好ましいのは水酸化テトラメチルアンモニウムである
。
現像剤中の２よび予備浸漬浴中の塩基が同じであ・るの
が好ましい。
が好ましい。
現像剤浴中に使用することができる表面活性剤は式：
％式％）
（式中、Ｙは−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−１−４０，ＮＲ’−１
−ＳＯ，−１−ｓｏ、ｐｉＣｘ’） ｃｉ、ｃ偽−１−
ｃｏ、−ｇよび−ＣＯ−ＮＲ’−の群から選択した基で
あり、Ｒｆはｐが３〜１７の整数である弐〇、Ｆ２．＋
１の直鎖または枝分れ鎖であり、Ｒは水素または炭素原
子数１〜３０のアシルまたはアルキル基であり、偽は２
〜２６の整数であり、好ましくは偽は５〜２６の整数で
あり、Ｒ′は水素または炭素原子数１〜６のアルキル基
である） で特徴づけられるものである。現像剤中の表面活性剤は
上記の化合物から、さらに好ましくは表層中の化合物か
ら選択でき、最も好ましいのは表Ｉの実施例Ａである。
−ＳＯ，−１−ｓｏ、ｐｉＣｘ’） ｃｉ、ｃ偽−１−
ｃｏ、−ｇよび−ＣＯ−ＮＲ’−の群から選択した基で
あり、Ｒｆはｐが３〜１７の整数である弐〇、Ｆ２．＋
１の直鎖または枝分れ鎖であり、Ｒは水素または炭素原
子数１〜３０のアシルまたはアルキル基であり、偽は２
〜２６の整数であり、好ましくは偽は５〜２６の整数で
あり、Ｒ′は水素または炭素原子数１〜６のアルキル基
である） で特徴づけられるものである。現像剤中の表面活性剤は
上記の化合物から、さらに好ましくは表層中の化合物か
ら選択でき、最も好ましいのは表Ｉの実施例Ａである。
現像剤浴は少なくとも９のｐｇ、好ましくは約１０．５
より上のｐＨ１最も好ましくは１２より上のｐＨで作用
さぜる。現像剤中の有機塩基の濃度は、ホトレジストの
溶解度特性によって３よび非露光ホトレジストフィルム
の損失なしに所望の感度を得るための現像プロセスによ
って変えなければならない、現像液中の塩基の濃度は０
．０５〜ＩＮ１さらに好ましくは０．１〜０．５Ｎにす
べきである。
より上のｐＨ１最も好ましくは１２より上のｐＨで作用
さぜる。現像剤中の有機塩基の濃度は、ホトレジストの
溶解度特性によって３よび非露光ホトレジストフィルム
の損失なしに所望の感度を得るための現像プロセスによ
って変えなければならない、現像液中の塩基の濃度は０
．０５〜ＩＮ１さらに好ましくは０．１〜０．５Ｎにす
べきである。
現像剤中のフルオロカーボン表面活性剤の濃度は全現像
液の重量の０．００１〜５％の範囲である。
液の重量の０．００１〜５％の範囲である。
好ましい範囲はｏ、ｏｏｓ〜２％である。
以下の実施例は本発明を説明するためのものである。特
許請求の範囲に示したもの以外で、実施例に詳記したも
のは、本発明を限定するものではない。
許請求の範囲に示したもの以外で、実施例に詳記したも
のは、本発明を限定するものではない。
ウェファ−を従来の方法で被覆し、予備ベークしそして
ｇ元した。以下は一般的なものとして示すものである。
ｇ元した。以下は一般的なものとして示すものである。
ホトレジスト被覆物を、レジスト溶液をシリコンワエフ
ァー基板上にスピン被覆することによって製造した。シ
リコンウェファ−な１６時間、２００℃脱水ベークし：
次に、ホトレジストに被パ覆を施す直前に、キシレン中
の５０％へキサメチルジシラザン溶液で２０秒間処理し
た。厚みが１ミクロメーター（μ惰）のフィルムが得ら
れるように、クエファーを回転させた。被覆したウェフ
ァ−を強制空気対流炉内で、１００℃にて３０分間ベー
クした。ベークした後、同じウェファ−に様々な照射レ
ベルを施せるように種々の光学濃度の窓ヲ待ったステッ
プタブレットレゾルーションマスク（５ｔｅｐ ｔａｂ
ｌｅｔ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｍａｓ＆）を通して、
ワエファーに紫外線を照射した。投じた照射は、照射し
ながらレジストが基板に現像するに十分な照射までの範
囲であった。コントラストは、現像後に残っている標準
化したフィルムの厚み対照射の常用対数のプロットの下
降部分に平行に引いた線の勾配から決定した。 ′ 以下の実施例に２けるレジストフィルムは現像のために
上記のように製造した。
ァー基板上にスピン被覆することによって製造した。シ
リコンウェファ−な１６時間、２００℃脱水ベークし：
次に、ホトレジストに被パ覆を施す直前に、キシレン中
の５０％へキサメチルジシラザン溶液で２０秒間処理し
た。厚みが１ミクロメーター（μ惰）のフィルムが得ら
れるように、クエファーを回転させた。被覆したウェフ
ァ−を強制空気対流炉内で、１００℃にて３０分間ベー
クした。ベークした後、同じウェファ−に様々な照射レ
ベルを施せるように種々の光学濃度の窓ヲ待ったステッ
プタブレットレゾルーションマスク（５ｔｅｐ ｔａｂ
ｌｅｔ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｍａｓ＆）を通して、
ワエファーに紫外線を照射した。投じた照射は、照射し
ながらレジストが基板に現像するに十分な照射までの範
囲であった。コントラストは、現像後に残っている標準
化したフィルムの厚み対照射の常用対数のプロットの下
降部分に平行に引いた線の勾配から決定した。 ′ 以下の実施例に２けるレジストフィルムは現像のために
上記のように製造した。
実 施 例 １（比較）
ホトレジストを、全溶液の１重量％の、表「の実施例Ａ
Ｋおける表面活性剤を含有する。０．３７８Ｎ水酸化テ
トラメチルアンモニ９ム水性塩基溶液と、７５秒間、２
５℃にて接触させた。次に基板を脱イオン水中で６０秒
間すすぎ、そして窒素で乾燥した。結果は表Ｉに示す。
Ｋおける表面活性剤を含有する。０．３７８Ｎ水酸化テ
トラメチルアンモニ９ム水性塩基溶液と、７５秒間、２
５℃にて接触させた。次に基板を脱イオン水中で６０秒
間すすぎ、そして窒素で乾燥した。結果は表Ｉに示す。
実施例゛２（比較）
ホトレジストを６０秒間、２２℃にて脱イオン水と接触
させ、次に実施例１に記載のように現像した。結果は表
■に示す。
させ、次に実施例１に記載のように現像した。結果は表
■に示す。
実施例３（比較）
ホトレジストを０．１８９Ｎ水酸化テトラメチルアンモ
ニワム水性塩基溶液と、３０秒間、２５℃にて接触させ
た。基板を脱イオン水で６０秒間すすぎ、次いで実施例
１に記載のような現像剤中で現像した。結果は表面に示
す。
ニワム水性塩基溶液と、３０秒間、２５℃にて接触させ
た。基板を脱イオン水で６０秒間すすぎ、次いで実施例
１に記載のような現像剤中で現像した。結果は表面に示
す。
実施例４゜
ホトレジストを、全溶液の０．００２５重量％の、表！
の実施例ＡＫおける表面活性剤を含有する、０．１８９
７１／水酸化テトラメチルアン号二９ム水性塩基溶液と
、３０秒間、２５℃にて接触させた。
の実施例ＡＫおける表面活性剤を含有する、０．１８９
７１／水酸化テトラメチルアン号二９ム水性塩基溶液と
、３０秒間、２５℃にて接触させた。
基板を脱イオン水で６０秒間すすぎ、次臂で実施例１に
記載のような現像剤中で現像した。結果は表■に示す。
記載のような現像剤中で現像した。結果は表■に示す。
実施例５゜
ホトレジストを、全溶液の０．００１５重量％の、表■
の実施例ｆｆＫＥける表面活性剤を含有する、０．１８
９Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム水性塩基溶液と、
３０秒間、２５℃で接触させた。基板を脱イオン水で６
０秒間すすぎ、次いで実施例１に記載のような現像中で
現像した。結果は表■に示した。
の実施例ｆｆＫＥける表面活性剤を含有する、０．１８
９Ｎ水酸化テトラメチルアンモニウム水性塩基溶液と、
３０秒間、２５℃で接触させた。基板を脱イオン水で６
０秒間すすぎ、次いで実施例１に記載のような現像中で
現像した。結果は表■に示した。
実施例６゜
ホトレジストを、全溶液の０．００２重量％の、表Ｉの
実施例ＣＫＢける表面活性剤を含有する、０．１８９Ｊ
Ｖ水酸化テトラメチルアンモニワム水性塩基溶液と、３
０秒間、２５℃にて接触させた。
実施例ＣＫＢける表面活性剤を含有する、０．１８９Ｊ
Ｖ水酸化テトラメチルアンモニワム水性塩基溶液と、３
０秒間、２５℃にて接触させた。
基板を脱イオン水で６０秒間すすぎ、次いで実施例１に
記載のような現像剤中で現像した。結果は表■に示す。
記載のような現像剤中で現像した。結果は表■に示す。
実施例？。
ホトレジストを、全溶液のｏ、ｏｏｓ重量％の、表■の
実施例ＤＩＩＣおける表面活性剤を含有する、０．１８
９＃水酸化テトラメチルアンモニウム水性塩基溶液と、
３０秒間、２５℃にて接触させた。
実施例ＤＩＩＣおける表面活性剤を含有する、０．１８
９＃水酸化テトラメチルアンモニウム水性塩基溶液と、
３０秒間、２５℃にて接触させた。
基板を脱イオン水で６０秒間すすぎ、次いで実施例１に
記載のような現儂剤中で現儂した。結果は表■に示す。
記載のような現儂剤中で現儂した。結果は表■に示す。
表 ！
表 ■
実
施
例 弗素表面活性剤
、４ ｃｒ、Ｃｃ八）ａ−ｃｒを、ｃｇ、ｏ−（ｃＨ
，ｃｇ、ｏ）４ｇＢＣろＣＣＦ＊＞５ Ｃｏ−Ｎ（ＣＨ
ｓ）−（ＣＨｔＣＨｔＯ）ｌｔ−ＣＨｓＣＣＦＢＣＣＦ
２）ｓ−８０２−ＮＨ−＜ＣＨ２ＣＨ＊Ｏ）ｓ＊−ＣＨ
５ＤＣ八ＣＣＦへ）ｓ−ｓｏ、−ｏ−（ｃｙ、ｃｇρ）
ｓ−ＣＨｓＥ ＣＦｓ（Ｃ’Ｊｓ−ＣＯｓ−＜ＣＨｔＣ
Ｈ２０）＠−Ｃ４Ｈ＠表 ■ （惰Ｊ／、♂） （ガンマ） （％）（°）１
３０ １．６ ６ ８０ ２ ３０ １．６ ６ ８０ ３ ２５ １．８ ７ ８０ ４ ３５ ５．２ ０ ９０ ６ ４２ ５ ０″９０ ７ ４５ ４．８ ０ ９０ 本発明の好ましい具体例を参考にして本発明の詳細な説
明してきた：しかしながら、本発明の精神および範囲か
ら逸脱することなく本発明を変更しうろことは、この分
野の技術者には明白なことであろう。
，ｃｇ、ｏ）４ｇＢＣろＣＣＦ＊＞５ Ｃｏ−Ｎ（ＣＨ
ｓ）−（ＣＨｔＣＨｔＯ）ｌｔ−ＣＨｓＣＣＦＢＣＣＦ
２）ｓ−８０２−ＮＨ−＜ＣＨ２ＣＨ＊Ｏ）ｓ＊−ＣＨ
５ＤＣ八ＣＣＦへ）ｓ−ｓｏ、−ｏ−（ｃｙ、ｃｇρ）
ｓ−ＣＨｓＥ ＣＦｓ（Ｃ’Ｊｓ−ＣＯｓ−＜ＣＨｔＣ
Ｈ２０）＠−Ｃ４Ｈ＠表 ■ （惰Ｊ／、♂） （ガンマ） （％）（°）１
３０ １．６ ６ ８０ ２ ３０ １．６ ６ ８０ ３ ２５ １．８ ７ ８０ ４ ３５ ５．２ ０ ９０ ６ ４２ ５ ０″９０ ７ ４５ ４．８ ０ ９０ 本発明の好ましい具体例を参考にして本発明の詳細な説
明してきた：しかしながら、本発明の精神および範囲か
ら逸脱することなく本発明を変更しうろことは、この分
野の技術者には明白なことであろう。
（外５名）
Claims (30)
- （１）基板上に被覆したキノンジアジドスルホン酸誘導
体およびアルカリ可溶性樹脂よりなり、そして表面レリ
ーフパターンを形成するために輻射線を、照射した輻射
線に敏感なポジティブホトレジストの現像法において、 ａ）露光フィルムを、ホトレジストの現像を行なわない
濃度に調整した有機塩基水溶液よりなりそして全溶液の
重量に基づいて、約０．０００１〜約１．０％、より好
ましくは約０．００．１〜約０．７５％、最も好ましく
は０．０１〜０．２５％の陽イオン性表面活性剤を含有
する溶液と接触させ、 ｂ）このフィルムを水ですすぎ、そして ｃ）このフィルムを、ｐＨが少なくとも９であり、そし
て現像剤の重量に基づいて、約０．０００１Ｒｆ−Ｙ−
（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿ｍＲ （式中、Ｙは−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−、−ＳＯ＿２ＮＲ
′−、−ＳＯ＿３−、−ＳＯ＿２Ｎ（Ｒ′）ＣＨ＿２Ｃ
Ｏ＿２−、−ＣＯ＿２−および−ＣＯ−ＮＲ′−の群か
ら選択した基であり、Ｒｆはｐが３〜１７の整数である
式Ｃ＿ｐＦ＿２＿ｐ＿＋＿１の直鎖または枝分れ鎖であ
り、Ｒは水素または炭素原子数１〜３０のアシルまたは
アルキル基であり、ｍは２〜２６の整数であり、好まし
くはｍは５〜２６の整数であり、Ｒ′は水素または炭素
原子数１〜６のアルキル基である） のフルオロカーボン表面活性剤を含有する有機水性塩基
現像液と、フィルムの露光部分が溶解するまで、接触さ
せる、 ことよりなる、上記の方法。 - （２）工程（ａ）における有機塩基が水酸化テトラメチ
ルアンモニウムである、特許請求の範囲第（１）項記載
の方法。 - （３）工程（ａ）における有機塩基が水酸化（２−ヒド
ロキシエチル）トリメチルアンモニウムである、特許請
求の範囲第（１）項記載の方法。 - （４）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が式：
▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿３は２〜６個の炭素原子と、Ｏ、Ｎおよび
Ｓよりなる群から選択した０〜３個の異原子との環状基
であり、但し各異原子は互いにあるいは第四窒素原子と
結合しておらず、Ｒ＿１は炭素原子数６〜２０の飽和ま
たは不飽和の直鎖または枝分れ炭化水素鎖であり、Ｒ＿
２は炭素原子数が１〜１２０である他はＲ＿１と同じで
あり、Ｘ＾−はＣｌ＾−、Ｉ＾−、Ｂｒ＾−、ＣＨ＿３
ＳＯ＿４＾−またはＣＨ＿３ＣＨ＿２ＳＯ＿４＾−であ
る）を有する化合物から選択したものよりなる、特許請
求の範囲第（１）項記載の方法。 - （５）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が▲数
式、化学式、表等があります▼ よりなる、特許請求の範囲第（４）項記載の方法。 - （６）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が式：
▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１およびＲ＿２は上記の通りであり、Ｒ＿
３は炭素原子数１〜４のアルキル基であり、Ｒ＿４は炭
素原子数１〜４の飽和または不飽和の直鎖または枝分れ
炭化水素鎖あるいはアルキル部分が炭素原子数０〜３の
フエンアルキルである） を有する化合物から選択したものよりなる、特許請求の
範囲第（１）項記載の方法。 - （７）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が▲数
式、化学式、表等があります▼ よりなる、特許請求の範囲第（６）項記載の方法。 - （８）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が式：
▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１、Ｒ＿２およびＲ＿３は上記の通りであ
り、Ｒ＿４は１〜４個の第四アンモニウム基−（Ｎ＾＋
Ｒ＿５Ｒ＿６Ｒ＿７）（式中、Ｒ＿５は炭素原子数１〜
２０の飽和または不飽和の直鎖または枝分れ炭化水素鎖
であり、Ｒ＿６およびＲ＿７は同じまたは異なるもので
あり、各々炭素原子数１〜４のアルキル基である）を含
む飽和または不飽和の直鎖または枝分れ炭化水素鎖であ
る。〕を有する化合物から選択したものよりなる、特許
請求の範囲第（１）項記載の方法。 - （９）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が▲数
式、化学式、表等があります▼ よりなる、特許請求の範囲第（８）項記載の方法。 - （１０）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が式
：▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿３はヤシ油から誘導した炭化水素鎖であり
、Ｒ＿１およびＲ＿２は炭素原子数１〜４のヒドロキシ
アルキル基である） を有する化合物から選択したものよりなる、特許請求の
範囲第（１）項記載の方法。 - （１１）工程（ａ）における陽イオン性表面活性剤が▲
数式、化学式、表等があります▼ よりなる、特許請求の範囲第（１０）項記載の方法。 - （１２）工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿３（Ｃ
Ｆ＿２）＿６−ＣＨ＿２−ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ
＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（１）項記載
の方法。 - （１３）工程（ｃ）における有機塩基が水酸化テトラメ
チルアンモニウムである、特許請求の範囲第（１）項記
載の方法。 - （１４）工程（ｃ）における有機塩基が水酸化（２−ヒ
ドロキシエチル）トリメチルアンモニウムである、特許
請求の範囲第（１）項記載の方法。 - （１５）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈであ
る、特許請求の範囲第（４）項記載の方法。 - （１６）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈであ
る、特許請求の範囲第（５）項記載の方法。 - （１７）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈであ
る、特許請求の範囲第（６）項記載の方法。 - （１８）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）４Ｈである
、特許請求の範囲第（７）項記載の方法。 - （１９）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈであ
る、特許請求の範囲第（８）項記載の方法。 - （２０）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈであ
る、特許請求の範囲第（９）項記載の方法。 - （２１）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈであ
る、特許請求の範囲第（１０）項記載の方法。 - （２２）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化テトラメチルアンモニウムであり、そして工程（ｃ
）における表面活性剤がＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿６−Ｃ
Ｈ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈであ
る、特許請求の範囲第（１）項記載の方法。 - （２３）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（４）項
記載の方法。 - （２４）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（５）項
記載の方法。 - （２５）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（６）項
記載の方法。 - （２６）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（７）項
記載の方法。 - （２７）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（８）項
記載の方法。 - （２８）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿３ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（９）項
記載の方法。 - （２９）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（１０）
項記載の方法。 - （３０）工程（ａ）および（ｃ）における有機塩基が水
酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム
であり、そして工程（ｃ）における表面活性剤がＣＦ＿
３（ＣＦ＿２）＿６−ＣＨ＿２ＣＨ＿２Ｏ−（ＣＨ＿２
ＣＨ＿２Ｏ）＿４Ｈである、特許請求の範囲第（１１）
項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US823892 | 1986-01-29 | ||
| US06/823,892 US4710449A (en) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | High contrast low metal ion positive photoresist developing method using aqueous base solutions with surfactants |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247357A true JPS62247357A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=25240034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62019599A Pending JPS62247357A (ja) | 1986-01-29 | 1987-01-29 | コントラストが高く、金属イオンの少ないホトレジスト現像組成物および現像法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4710449A (ja) |
| EP (1) | EP0231028B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62247357A (ja) |
| KR (1) | KR900006728B1 (ja) |
| CA (1) | CA1306138C (ja) |
| DE (1) | DE3772397D1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5094934A (en) * | 1987-04-06 | 1992-03-10 | Morton International, Inc. | Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine |
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| DE3827567A1 (de) * | 1988-08-13 | 1990-02-22 | Basf Ag | Waessrige entwicklerloesung fuer positiv arbeitende photoresists |
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- 1987-01-20 CA CA000527683A patent/CA1306138C/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-28 KR KR1019870000663A patent/KR900006728B1/ko not_active Expired
- 1987-01-29 JP JP62019599A patent/JPS62247357A/ja active Pending
- 1987-01-29 EP EP87101211A patent/EP0231028B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-01-29 DE DE8787101211T patent/DE3772397D1/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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|---|---|
| DE3772397D1 (de) | 1991-10-02 |
| US4710449A (en) | 1987-12-01 |
| EP0231028A2 (en) | 1987-08-05 |
| CA1306138C (en) | 1992-08-11 |
| KR870007454A (ko) | 1987-08-19 |
| EP0231028A3 (en) | 1987-12-02 |
| KR900006728B1 (ko) | 1990-09-20 |
| EP0231028B1 (en) | 1991-08-28 |
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