JPS62248204A - バリスタ用磁器 - Google Patents
バリスタ用磁器Info
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- JPS62248204A JPS62248204A JP61092588A JP9258886A JPS62248204A JP S62248204 A JPS62248204 A JP S62248204A JP 61092588 A JP61092588 A JP 61092588A JP 9258886 A JP9258886 A JP 9258886A JP S62248204 A JPS62248204 A JP S62248204A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、コンデンサ特性を備えたバリスタ用の素地
として使用される磁器に関する。
として使用される磁器に関する。
従来におけるこの種の磁器は、３ｒＴｉ０３を主成分と
する磁器原料に、バインダを添加して成形し、これを非
酸化雰囲気において１３００〜１４５０℃の温度で焼成
した後、空気中において。
する磁器原料に、バインダを添加して成形し、これを非
酸化雰囲気において１３００〜１４５０℃の温度で焼成
した後、空気中において。
１１００°Ｃ前後の温度で熱処理して作られていた。
こうして作られた磁器は、第５図と第６図で示すように
、緻密で一様な粒径数μｍ−１００μ鍋の結晶粒子で構
成されている。この結晶組織を模式化すると、第２図の
通りである。緻密で一様な結晶粒子１．１−・・の間に
粒界２，２・−が形成され、この粒界２，２・・−の所
々に閉じた孔。
、緻密で一様な粒径数μｍ−１００μ鍋の結晶粒子で構
成されている。この結晶組織を模式化すると、第２図の
通りである。緻密で一様な結晶粒子１．１−・・の間に
粒界２，２・−が形成され、この粒界２，２・・−の所
々に閉じた孔。
いわゆる閉孔３，３・−・が存在する。
この磁器を使用した静電容量を有するバリスタで２例え
ば、直径８．４ｍ＠、厚さ１ 、０−ｍの円板形の磁器
の両生面に、銀電極４，４を設けたものでは、上記電極
４，４間に１ｍＡの電流を流すのに要する印加電圧、即
ち、バリスタ電圧■１が１３〜１５０Ｖ、電圧非直線指
数αが１０〜１３．静電容量が５〜６０ｎＦである。
ば、直径８．４ｍ＠、厚さ１ 、０−ｍの円板形の磁器
の両生面に、銀電極４，４を設けたものでは、上記電極
４，４間に１ｍＡの電流を流すのに要する印加電圧、即
ち、バリスタ電圧■１が１３〜１５０Ｖ、電圧非直線指
数αが１０〜１３．静電容量が５〜６０ｎＦである。
ＩＣを使用した電気回路の発達により、静電容量を有す
るバリスタとして、より低いバリスタ電圧■１を持った
ものが望まれている。これまで、低いバリスタ電圧■１
を得るためには。
るバリスタとして、より低いバリスタ電圧■１を持った
ものが望まれている。これまで、低いバリスタ電圧■１
を得るためには。
磁器の肉厚を薄くするか、或いは磁器の結晶粒子を大き
くするかの手段がとられていた。しかし、これらの手段
による場合は、何れも電圧非直線指数αが低下する等、
他の特性が変化するという欠点がある。このため１例え
ば上記寸法の磁器を使用した静電容量を有するバリスタ
の場合、電圧非直線重数αを１０以上に維持したま＼、
１２Ｖ以下のバリスタ電圧ｖ１を得ることが困難であっ
た。
くするかの手段がとられていた。しかし、これらの手段
による場合は、何れも電圧非直線指数αが低下する等、
他の特性が変化するという欠点がある。このため１例え
ば上記寸法の磁器を使用した静電容量を有するバリスタ
の場合、電圧非直線重数αを１０以上に維持したま＼、
１２Ｖ以下のバリスタ電圧ｖ１を得ることが困難であっ
た。
本イ／１発明Ｈらは、従来の静電容量を有するバリスタ
用磁器における上記従来の問題点を解決するため２種々
検討を加えた結果、磁器の焼結の過程で、結晶粒子の内
部にいわば「半粒界」ともいえる部分が人為的に形成で
きること、及びこの半粒界は９粒界と非粒界の中間的性
質を有することを着目した。
用磁器における上記従来の問題点を解決するため２種々
検討を加えた結果、磁器の焼結の過程で、結晶粒子の内
部にいわば「半粒界」ともいえる部分が人為的に形成で
きること、及びこの半粒界は９粒界と非粒界の中間的性
質を有することを着目した。
ごの発明は、こうした着目に基づいてなされたもので、
素地の厚みを薄くしたり、素地を構成する結晶粒子を大
きくしたりすることなく。
素地の厚みを薄くしたり、素地を構成する結晶粒子を大
きくしたりすることなく。
低いバリスタ電圧ｖ１を持った静電容量を有するバリス
タが得られる磁器を提供することを目的とする。
タが得られる磁器を提供することを目的とする。
即ら、この発明による磁器は、結晶粒子の内部に、結晶
粒子同士が反応し、成長する過程で生成する半粒界を有
するものである。
粒子同士が反応し、成長する過程で生成する半粒界を有
するものである。
磁器は１固体拡散を主な過程とする焼結を経て作られる
が、この焼結に伴う結晶粒子間の反応により、結晶粒子
が成長する。静電容量を有するバリスタの特性のうち、
特にバリスタとし ゛ての特性は、主として上記
結晶粒子間の粒界が持つ特性を利用するものである。従
って、バリスタ電圧■１や非電圧直線指数αは、２つの
電極の間に存在する結晶粒界の性質や量によって決定さ
れる。
が、この焼結に伴う結晶粒子間の反応により、結晶粒子
が成長する。静電容量を有するバリスタの特性のうち、
特にバリスタとし ゛ての特性は、主として上記
結晶粒子間の粒界が持つ特性を利用するものである。従
って、バリスタ電圧■１や非電圧直線指数αは、２つの
電極の間に存在する結晶粒界の性質や量によって決定さ
れる。
しかし、結晶粒子の内部に存在する上記の半粒界は２粒
界と非粒界との中間的な性質を有すし、その存在は、バ
リスタ電圧Ｖ１を高くせずに、電圧算直線指数αのみを
高くする。
界と非粒界との中間的な性質を有すし、その存在は、バ
リスタ電圧Ｖ１を高くせずに、電圧算直線指数αのみを
高くする。
このような半粒界は、焼結に際し、小さな結晶粒子が互
いに反応する過程で、その不完全な反応に起因して、上
記粒子間の粒界であった部分に生成する。このため例え
ば、（■）結晶粒子間の反応が不完全になるよう焼成温
度をコントロールする。（２）結晶粒子の粒界の活性を
高めるような不純物を磁器原料の中に若干添加する。（
３）本焼成前に予め半粒界の状態を形成しておくため、
磁器原料を造粒して仮焼しておく９等の手段によって上
記ような半粒界が形成できる。
いに反応する過程で、その不完全な反応に起因して、上
記粒子間の粒界であった部分に生成する。このため例え
ば、（■）結晶粒子間の反応が不完全になるよう焼成温
度をコントロールする。（２）結晶粒子の粒界の活性を
高めるような不純物を磁器原料の中に若干添加する。（
３）本焼成前に予め半粒界の状態を形成しておくため、
磁器原料を造粒して仮焼しておく９等の手段によって上
記ような半粒界が形成できる。
次に、この発明を実施例により、さらに具体的に説明す
る。
る。
（実施例１）
純度９９．５％の３ ｒＣＯ３粉末を８８．５８ ｇ
、純度９８．５％のＴ ｉ Ｏ２粉末を４８．１３ ｇ
、純度９９．９％のＮｂ２Ｏ５粉末を０．３２ ｇ 、
純度９９．０％のＮａＣＯ３粉末を０．１１ ｇ 、純
度９９．０％の５ｉ０２粉宋を０．０２２ ｇ、純度９
９．０％のＡｌ２Ｏ３粉末’ｃ ０ 、０１１ ｇず
つ秤量し、これらをボールミルで攪１１セ、混合した。
、純度９８．５％のＴ ｉ Ｏ２粉末を４８．１３ ｇ
、純度９９．９％のＮｂ２Ｏ５粉末を０．３２ ｇ 、
純度９９．０％のＮａＣＯ３粉末を０．１１ ｇ 、純
度９９．０％の５ｉ０２粉宋を０．０２２ ｇ、純度９
９．０％のＡｌ２Ｏ３粉末’ｃ ０ 、０１１ ｇず
つ秤量し、これらをボールミルで攪１１セ、混合した。
続いて、この混合粉末に１１５０℃〜１３００℃の温度
を２時間加えて仮焼した後。
を２時間加えて仮焼した後。
ボールミルで粉砕し、Ｓｒ （Ｔｉ、Ｎｂ）０３粉宋を
作った。
作った。
このＳｒ （Ｔｉ、Ｎｂ）０３粉末に有機バインダーを
加えて造粒した後、これを直径８．４ｍｍ。
加えて造粒した後、これを直径８．４ｍｍ。
厚さ１ 、０ ａｍの円板形に成形した。この成形体を
少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中において焼成し
た。このとき、焼成温度を最高１３００℃近くまで上げ
た後、焼結途中で温度を下げ、結晶粒子間の反応を抑制
した。さらにこれを空気中において１１００℃前後の温
度で焼成した。こうして得られた磁器を、その結晶粒子
の平均粒径Ｄ〔μｍ〕によって３種に分け、試料阻３〜
５とした。
少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中において焼成し
た。このとき、焼成温度を最高１３００℃近くまで上げ
た後、焼結途中で温度を下げ、結晶粒子間の反応を抑制
した。さらにこれを空気中において１１００℃前後の温
度で焼成した。こうして得られた磁器を、その結晶粒子
の平均粒径Ｄ〔μｍ〕によって３種に分け、試料阻３〜
５とした。
さらに、上記磁器の両生面に、Ａｇペーストを塗布し、
これを７４０℃で焼き付けて電極１４゜１４を設け、静
電容量を有するバリスタを構成した。これらのバリスタ
について、電極１４．１４の間に電流１ｔ＝１ｍＡが流
れたときの印加電圧■１（バリスタ電圧）と、電流１２
＝１０１１１Ａのときの印加電圧■２を測定し１次式に
より電圧非直線ｌｒＪ数αを求め、これらの結果をそれ
ぞれ表１の試料魚３〜５の欄にそれぞれ示した。
これを７４０℃で焼き付けて電極１４゜１４を設け、静
電容量を有するバリスタを構成した。これらのバリスタ
について、電極１４．１４の間に電流１ｔ＝１ｍＡが流
れたときの印加電圧■１（バリスタ電圧）と、電流１２
＝１０１１１Ａのときの印加電圧■２を測定し１次式に
より電圧非直線ｌｒＪ数αを求め、これらの結果をそれ
ぞれ表１の試料魚３〜５の欄にそれぞれ示した。
ｌｏｇ（Ｌ＋／ｌ１）
（実施例２）
３ ｒＣＯ：ｌ粉末とＴ ｉ Ｏ２粉末をＳｒと１゛ｉ
の比がｌ：１になるように秤量し、これらを上記実施例
１と同様にして１４られた５ｒ（Ｔ”ｉ。
の比がｌ：１になるように秤量し、これらを上記実施例
１と同様にして１４られた５ｒ（Ｔ”ｉ。
Ｎｂ）０３粉末１モルに対して合計０．００１モル〜０
．００５モル添加し、ボールミルで撹拌、混合した。得
られた粉末にバインダーを加えて造粒した後、上記実施
例１と同様の寸法に成形した。
．００５モル添加し、ボールミルで撹拌、混合した。得
られた粉末にバインダーを加えて造粒した後、上記実施
例１と同様の寸法に成形した。
この成形体を少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中に
おいて１３００℃〜１３５０℃の温度で焼成し。
おいて１３００℃〜１３５０℃の温度で焼成し。
さらに空気中において１１００℃前後の温度で焼成した
。
。
こうして作られた磁器の両主面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋［Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め９表１の試料１１ｉｌ１８の欄に示し
た。
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋［Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め９表１の試料１１ｉｌ１８の欄に示し
た。
（実施例３）
上記実施例Ｉと同様にして得られた５ｒ（Ｔｉ、Ｎｂ）
０３粉末１ｇに対して、５ｉ０２粉末を０．００１ ｇ
〜０．０１ ｇ秤量して添加し、ボールミルで攪拌、混
合した。この粉末にバインダーを加えて造粒し、これを
上記実施例２と同様にして成形し、焼成した。
０３粉末１ｇに対して、５ｉ０２粉末を０．００１ ｇ
〜０．０１ ｇ秤量して添加し、ボールミルで攪拌、混
合した。この粉末にバインダーを加えて造粒し、これを
上記実施例２と同様にして成形し、焼成した。
こうして作られた磁器の両主面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め２表１の試１′Ｉ隘９の欄に示した。
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め２表１の試１′Ｉ隘９の欄に示した。
（実施例４）
上記実施例Ｉと同様にしてｉＭられた５ｒ（Ｔｉ、Ｎｂ
）０３粉末にバインダーを加えて造粒した後、これを９
２０℃〜１１２０℃の温度で仮焼し、ボールミルで粉砕
した。得られた粉末にバ、インダーを加えて造粒し、こ
れを上記実施例２と同様にして成形し、焼成した。
）０３粉末にバインダーを加えて造粒した後、これを９
２０℃〜１１２０℃の温度で仮焼し、ボールミルで粉砕
した。得られた粉末にバ、インダーを加えて造粒し、こ
れを上記実施例２と同様にして成形し、焼成した。
こうして作られた磁器の両主面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料魚６と７の欄に示した。
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料魚６と７の欄に示した。
（実施例５）
上記実施例１で得られたＳｒ （Ｔｉ、Ｎｂ）ＯＪ扮末
のＳｒの一部０．５モル％をＢａで置換した粉末を使用
し、これにバインダーを加え。
のＳｒの一部０．５モル％をＢａで置換した粉末を使用
し、これにバインダーを加え。
上記実施例２と同様にして成形し、焼成した。
こうして作られた磁器の両主面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋［Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料隘１０の欄に示した。
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋［Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料隘１０の欄に示した。
（実施例６）
上記実施例１で得られたＳｒ （Ｔｉ、Ｎｂ）０３粉末
のＴｉの一部０．５モル％をＺ「で置換した粉末を使用
し、これにバインダーを加え。
のＴｉの一部０．５モル％をＺ「で置換した粉末を使用
し、これにバインダーを加え。
上記実施例２と同様にして成形し、焼成した。
こうして作られた磁器の両主面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料黒１１の欄に示した。
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料黒１１の欄に示した。
（実施例７）
純度９９．５％のＳ ｒＣｏ３粉宋を８８．５８ｇ、純
度９８．５％のＴｉＯ２粉末を４８．３２ ｇ 、純度
９９．９％のＬａ２Ｏ３粉宋を０．３９ ｇ 、純度９
９．０％のＮａｃＯ３扮末を０．Ｉｌｇ、純度９９．０
％のＳ ｉ Ｏ２粉末を０．０２２ ｇ 、純度９９．
０％のＡｌ２Ｏ３粉末を０．０１１ ｇずつ秤量し、こ
れらをボールミルで攪拌、混合した。得られた粉末を１
１００℃〜１３００℃の温度で２時間仮焼した後、再び
ボールミルで粉砕し、 （Ｓｒ、Ｌａ）Ｔｉ０３粉末
を作った。この粉末にバインダーを加え、上記実施例２
と同様にして成形し、焼成した。
度９８．５％のＴｉＯ２粉末を４８．３２ ｇ 、純度
９９．９％のＬａ２Ｏ３粉宋を０．３９ ｇ 、純度９
９．０％のＮａｃＯ３扮末を０．Ｉｌｇ、純度９９．０
％のＳ ｉ Ｏ２粉末を０．０２２ ｇ 、純度９９．
０％のＡｌ２Ｏ３粉末を０．０１１ ｇずつ秤量し、こ
れらをボールミルで攪拌、混合した。得られた粉末を１
１００℃〜１３００℃の温度で２時間仮焼した後、再び
ボールミルで粉砕し、 （Ｓｒ、Ｌａ）Ｔｉ０３粉末
を作った。この粉末にバインダーを加え、上記実施例２
と同様にして成形し、焼成した。
こうして作られた磁器の両主面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料Ｎａ１２の欄に示した。
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料Ｎａ１２の欄に示した。
（実施例８）
純度９９．５％のＳ ｒＣＯ３粉末を８８．７７ ｇ
、純度９８．５％のＴｉＯ２粉末を４８．３２ ｇ 、
純度９９．９％のＬａ、０３粉末を０．３９ｇ、純度９
９．０％の５ｉ０２粉末を０．０２２■、純度９９．０
％のＡｌ２Ｏ３粉末を０．０１１ ｇずつ秤量し、これ
らをボ−ルミルでＢ’Ｊ ｆ’ｌ’ 、 ’ｔＨ合した
。得られた粉末を１１００℃〜１３００℃の温度で２時
間仮焼した後、再びボールミルで１５）砕し、 （Ｓ
ｒ、Ｌａ）Ｔｉ０３粉宋を作った。この粉末にバインダ
ーを加え、上記実施例１と同様の寸法に成形した。この
成形体を少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中におい
て１３００℃〜１３５０°Ｃの温度で焼成し１次いでＮ
Ｊ２ＣＯ〕ペーストを塗布し、さらに空気中において１
１００’ｃ前１多の温度で焼成した。
、純度９８．５％のＴｉＯ２粉末を４８．３２ ｇ 、
純度９９．９％のＬａ、０３粉末を０．３９ｇ、純度９
９．０％の５ｉ０２粉末を０．０２２■、純度９９．０
％のＡｌ２Ｏ３粉末を０．０１１ ｇずつ秤量し、これ
らをボ−ルミルでＢ’Ｊ ｆ’ｌ’ 、 ’ｔＨ合した
。得られた粉末を１１００℃〜１３００℃の温度で２時
間仮焼した後、再びボールミルで１５）砕し、 （Ｓ
ｒ、Ｌａ）Ｔｉ０３粉宋を作った。この粉末にバインダ
ーを加え、上記実施例１と同様の寸法に成形した。この
成形体を少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気中におい
て１３００℃〜１３５０°Ｃの温度で焼成し１次いでＮ
Ｊ２ＣＯ〕ペーストを塗布し、さらに空気中において１
１００’ｃ前１多の温度で焼成した。
こうして作られた磁器の両生面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め２表１の試料階１３の欄に示した。
にして銀電極を設け、バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め２表１の試料階１３の欄に示した。
（比較例）
上記実施例１と同様にして得られた５ｒ（Ｔ ｉ 、
Ｎ ｂ） ０３粉末にバインダーを加えて造粒した後
、直径８．４１１ＩＩ、厚さ１．Ｏｍｍの円板形に加圧
成形した。さらにこの成形体を少量の水素ガスを含む窒
素ガス雰囲気中において１３００℃〜１：１５０°Ｃの
温度で焼成した。この焼成に際しては。
Ｎ ｂ） ０３粉末にバインダーを加えて造粒した後
、直径８．４１１ＩＩ、厚さ１．Ｏｍｍの円板形に加圧
成形した。さらにこの成形体を少量の水素ガスを含む窒
素ガス雰囲気中において１３００℃〜１：１５０°Ｃの
温度で焼成した。この焼成に際しては。
磁器の焼結が充分進行するよう、最高温度に達してから
暫くその温度を維持した後、常温まで冷却した。次いで
、 Ｎ ａ ２ ＣＯ３ペーストを塗布し、これを空気
中において１１００℃前後の温度で焼成した。この磁器
をその平均粒径Ｄ〔μｍ〕によって、それぞれ試料阻１
，２とした。
暫くその温度を維持した後、常温まで冷却した。次いで
、 Ｎ ａ ２ ＣＯ３ペーストを塗布し、これを空気
中において１１００℃前後の温度で焼成した。この磁器
をその平均粒径Ｄ〔μｍ〕によって、それぞれ試料阻１
，２とした。
こうして作られた磁器の両主面に、上記実施例１と同様
にして銀電極を設け５バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料ＮＯ，ｔと２の欄に示し
た。
にして銀電極を設け５バリスタ電圧Ｖ＋（Ｖ）、電圧非
直線指数αを求め１表１の試料ＮＯ，ｔと２の欄に示し
た。
表１の結果から明らかな通り、何れも厚さが同じで、か
つ概ね同等の結晶平均粒径を有する磁器を使用して作ら
れた静電容量を有するバリスタにおいて、実施例１〜８
（試料Ｎｕ３〜１３）の場合は、バリスタ電圧Ｖ１が
５〜１２Ｖと、比・咬例（試料Ｔｈｌ、２）に比べて低
い値が得られた。一方、電圧非直線指数αは１０．０〜
１２．２と。
つ概ね同等の結晶平均粒径を有する磁器を使用して作ら
れた静電容量を有するバリスタにおいて、実施例１〜８
（試料Ｎｕ３〜１３）の場合は、バリスタ電圧Ｖ１が
５〜１２Ｖと、比・咬例（試料Ｔｈｌ、２）に比べて低
い値が得られた。一方、電圧非直線指数αは１０．０〜
１２．２と。
比較例と同等の値が得られた。
また、上記実施例４で得られた試料魚７の磁器は、第３
図と第４図で示すような結晶構造を表 １ 有している。実施例１〜８で得られた他の試料も、これ
とはソ同様の結晶構造を有する。
図と第４図で示すような結晶構造を表 １ 有している。実施例１〜８で得られた他の試料も、これ
とはソ同様の結晶構造を有する。
第３図で示すように、磁器の表面を観察すると、外観上
は完全な粒界を有する平均粒径約８０μｍの結晶粒子の
集合によって構成されているが、破断面をみると、第４
図で示すように、結晶粒子の中にも多数の閉孔が見られ
、結晶粒子の内部に半粒界が形成されているのが分かる
。
は完全な粒界を有する平均粒径約８０μｍの結晶粒子の
集合によって構成されているが、破断面をみると、第４
図で示すように、結晶粒子の中にも多数の閉孔が見られ
、結晶粒子の内部に半粒界が形成されているのが分かる
。
このような結晶構造を模式化して示したのが第１図であ
る。即ち、磁器は外観上個々の結晶粒子１１．１１−・
で構成され、この間に粒界１２．１２−が形成されてい
る。また、これら結晶粒子１１゜１１−の内部に存在す
る閉孔１６．１６−を結ぶようにして半粒界１５．１５
−・が形成されている。第１図において、 １３．１３
−は９粒界１２．１２−上に存在する閉孔を示す。
る。即ち、磁器は外観上個々の結晶粒子１１．１１−・
で構成され、この間に粒界１２．１２−が形成されてい
る。また、これら結晶粒子１１゜１１−の内部に存在す
る閉孔１６．１６−を結ぶようにして半粒界１５．１５
−・が形成されている。第１図において、 １３．１３
−は９粒界１２．１２−上に存在する閉孔を示す。
なお、上記各試料の結晶粒子の平均粒径Ｄ〔μｍ〕及び
単位体積当たりの閉孔の数ｎ （１／龍３〕を、それぞ
れ表１の各欄に示した。粒界１２、１２−や半粒界１５
．１５−によって囲まれた結晶粒子１１． ｌｔ−内部
の１ｉ＆少単位１７．１７−の数は。
単位体積当たりの閉孔の数ｎ （１／龍３〕を、それぞ
れ表１の各欄に示した。粒界１２、１２−や半粒界１５
．１５−によって囲まれた結晶粒子１１． ｌｔ−内部
の１ｉ＆少単位１７．１７−の数は。
概ね閉孔１３．１３−、１６．１６−の数に対応してい
る。
る。
他方、上記比較例で１５られた試料のうち２例えば試料
歯１は、第５図及び第６図で示すような結晶構造を有し
ており、試料寛２もこれと同様である。これらの図面か
ら明らかな通り、磁器の破断面に見られる閉孔は、殆ど
が粒界上にあるもので、結晶粒子内部には殆ど閉孔が見
られない。即し、磁器が緻密で、かつ一様な結晶粒子で
構成されているのが分かる。
歯１は、第５図及び第６図で示すような結晶構造を有し
ており、試料寛２もこれと同様である。これらの図面か
ら明らかな通り、磁器の破断面に見られる閉孔は、殆ど
が粒界上にあるもので、結晶粒子内部には殆ど閉孔が見
られない。即し、磁器が緻密で、かつ一様な結晶粒子で
構成されているのが分かる。
以上説明した通り、この発明による磁器を使用した静電
容量を有するバリスタでは、同じ肉厚で、かつ同等の結
晶粒径を持った従来の磁器を使用したものに比べて１低
いバリスタ電圧Ｖ１が得られる。即ち、電圧非直線指数
α等、他の特性を変えずに従来に比べてより低いバリス
タ電圧Ｖ１を持った静電容量を有するバリスタが得られ
る。
容量を有するバリスタでは、同じ肉厚で、かつ同等の結
晶粒径を持った従来の磁器を使用したものに比べて１低
いバリスタ電圧Ｖ１が得られる。即ち、電圧非直線指数
α等、他の特性を変えずに従来に比べてより低いバリス
タ電圧Ｖ１を持った静電容量を有するバリスタが得られ
る。
第１図は、この発明による磁器の結晶構造を模式化して
示した説明図、第２図は、従来の磁器の結晶構造を模式
化して示した説明図、第３図は、この発明による磁器の
結晶構造を示す磁器表面の顕微鏡写真、第４図は、同磁
器の破断面の顕微鏡写真、第５図は、従来の磁器の結晶
構造を示す磁器表面の顕微鏡写真、第６図は。 同磁器の破断面の顕微鏡写真である。 １１−・結晶粒子 １２−粒界 １３、１６−閉孔 １５−半粒界 発明者渡辺 ／２− 同 上戒能 大助
示した説明図、第２図は、従来の磁器の結晶構造を模式
化して示した説明図、第３図は、この発明による磁器の
結晶構造を示す磁器表面の顕微鏡写真、第４図は、同磁
器の破断面の顕微鏡写真、第５図は、従来の磁器の結晶
構造を示す磁器表面の顕微鏡写真、第６図は。 同磁器の破断面の顕微鏡写真である。 １１−・結晶粒子 １２−粒界 １３、１６−閉孔 １５−半粒界 発明者渡辺 ／２− 同 上戒能 大助
Claims (1)
- バリスタ特性とコンデンサ特性を備えた磁器において
、結晶粒子の内部に、結晶粒子同士が反応する過程で生
成する半粒界を有することを特徴とする静電容量を有す
るバリスタ用磁器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092588A JPS62248204A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | バリスタ用磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61092588A JPS62248204A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | バリスタ用磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62248204A true JPS62248204A (ja) | 1987-10-29 |
| JPH0379845B2 JPH0379845B2 (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=14058602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61092588A Granted JPS62248204A (ja) | 1986-04-22 | 1986-04-22 | バリスタ用磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62248204A (ja) |
-
1986
- 1986-04-22 JP JP61092588A patent/JPS62248204A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0379845B2 (ja) | 1991-12-20 |
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