JPS6225406B2 - - Google Patents

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JPS6225406B2
JPS6225406B2 JP53076325A JP7632578A JPS6225406B2 JP S6225406 B2 JPS6225406 B2 JP S6225406B2 JP 53076325 A JP53076325 A JP 53076325A JP 7632578 A JP7632578 A JP 7632578A JP S6225406 B2 JPS6225406 B2 JP S6225406B2
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JP
Japan
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gas stream
flow
conduit
particles
primary gas
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JP53076325A
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English (en)
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JPS54134878A (en
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Jozefu Teraa Aaron
Aaru Jei Roi Denisu
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TERAA ENBIRONMENTARU SHISUTEMUZU Inc
Original Assignee
TERAA ENBIRONMENTARU SHISUTEMUZU Inc
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Publication date
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Priority to JP7632578A priority Critical patent/JPS54134878A/ja
Publication of JPS54134878A publication Critical patent/JPS54134878A/ja
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  • Separating Particles In Gases By Inertia (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は放出ガス流から汚染粒子、特にサブミ
クロン範囲内の汚染粒子を在来装置によつて除去
するのを容易にするのを目的とする放出ガスの乾
式処理方法及び装置に係る。 大気へ排出される放出ガスの汚染粒子含量を統
制するのに大気汚染防止規則が全世界に亘つて多
くの国に制定されている。こうした規則は国によ
り大幅に異るけれども、ほとんどが放出ガスの粒
子含量を標準立方メートル当り3.53粒(標準立方
フート当り0.1粒)よりも低い基準に制限してい
る。例えばフアイバグラス製造用ガラス溶融炉、
市営焼却炉等の如き多くの工業用施設に於いて、
こうした厳格な規格は放出ガス流に懸濁している
サブミクロン粒子の大きい百分率を捕えかつ分離
することによつてしか守られることができない。 在来の乾式浄化装置は放出ガス流に濁濁してい
るサブミクロン汚染粒子を有効にかつ確実に分離
する能力を欠いている。例えば、布製こし袋の採
用されているバグハウスの場合に、経験上明らか
にされているのはサブミクロン粒子が布の目を急
速に詰まらせる即ち塞ぐ傾向を持ち従つて頻繁に
袋を破れるほど揺振する処理を必要にすることで
ある。サイクロン式ちりろ過器が採用される場合
に、サブミクロン粒子は高効率遠心分離に必要な
質量を欠いていることが判明している。 湿式ベンチユリ洗浄器も、放出ガス流から汚染
粒子を分離する目的に採用されている。基本的に
は、湿式ベンチユリ洗浄器は汚染された放出ガス
流を通す導管内のくびれから成つている。放出ガ
ス流はこのベンチユリくびれを通つて加速され、
かつ液体(常には水)がベンチユリののどに於い
てこのガス流へ注入される。高いガス速度は液体
を霧化しかつ汚染粒子及び液体小滴の相対速度は
慣性衝突によつて相互を組合わせることになる。
液体小滴及びそれらに捕えられた汚染粒子は次い
で放出ガスから分離される。この方法に高い蒐集
効率をもたらすことができるけれども、この利点
はその他の関連諸問題によつてかなりな程度に相
殺される。 例えば、慣性衝突方法の効率はターゲツト液体
小滴の大きさを小さくすることによつて高められ
ることも知られている。然し、こうすれば、より
高いガス速度が必要になり、それに付随してベン
チユリに於いて圧力が水柱高さ76.2センチメート
ル(30インチ)乃至152.4センチメートル(60イ
ンチ)だけ下がることになる。圧力が水柱高さ
76.2センチメートル(30インチ)だけ下がれば、
浄化されるガスの1万立方メートル当り84.4キロ
ワツト時(100万立方フート当り240キロワツト
時)の過大な量のエネルギーが使用されることに
なる。ベンチユリに於ける圧力降下を少くする試
みは主として高いガス速度が注入液体の最適霧化
を達成するのにベンチユリののどに於いて是非必
要であり、かつ所望される慣性衝突を生じさせる
のに必要な残存差速を液体小滴と汚染粒子との間
に依然有しているので、まだ成功していない。ベ
ンチユリを通るガスの速度を低くさせかつベンチ
ユリに於ける圧力降下を少くさせるために予め霧
化された液体をガス流へ噴射することができる程
度考えられているけれども、この点に就いて得ら
れる如何なる利点も液体を予め霧化するのに必要
な動力によつて相殺されることが判明している。 湿式ベンチユリ洗浄器に関する他の問題は霧化
された液体小滴が放出ガス流の酸分と結合して高
度腐食性媒質を生成することにある。この問題は
次いで、高価な外来耐食性材料で構成されたダク
ト及び関連下流側装置の採用を必要にする。然
し、こうした採用が果された時でも腐食に関する
保守の問題がある。更にまた、生成される酸溶液
は中和されなければならずかつ中和された後でも
廃棄処理の問題がある。 その他の既に知られているガス浄化装置には放
出ガス流へ固体材料を噴射することが含まれてい
る。こうした一装置の実例が米国特許第2875844
号に記載されている。こうした装置は固体材料が
送りダクトの外径に於いて濃密な集塊として放出
ガス流中へ放下されているのでサブミクロン粒子
の捕えられることになる結果をほとんどまたは全
然もたらされないことになる。有効に捕えるのに
必須の条件である分散の起こる時までに、固体は
放出ガス及び同ガス中に懸濁している汚染粒子の
速度とほぼ同じ速度に到達してしまつている。汚
染粒子と分散させられたターゲツト粒子との間に
適当な相対速度がなければ慣性衝突によつて汚染
粒子を有効に捕えるのは不可能である。 米国特許第3969482号及び第3995005号によれ
ば、酸性ガスをソーブ(sorbing)しかつ(また
は)酸性ガスと反応する固体粒子材料は二次空気
流中へ分散させられかつ放出ガス通し導管に沿う
1点またはもつと多くの点を通して半径方向に噴
射される。然し、二次空気流を放出ガス流中へ最
初に分布させるための装置と共に両ガス流間の適
当な相対速度が無ければ、汚染粒子は特に導管の
噴射点から半径方向に距たつた位置に於いてほと
んどまたは全然捕えられない。添加された材料が
放出ガス全体に分散させられる時までに両流の相
対速度はほとんどゼロになる。 静電沈殿装置がある程度成功しているけれど
も、これらの装置の作動は腐食、燃焼実施が最適
までに達しない場合の油脂の蓄積、及び汚染粒子
の伝導率の変動によつて悩まされている。 以上に説明された問題及び不利を無くするかま
たは少くともかなり少くするのが本発明の一般的
な目的である。 本発明の一特徴によれば、放出ガス流から汚染
粒子を除去するのを容易ならしめるために、同放
出ガス流を処理するための乾式方法が提供され
る。ターゲツト粒子が二次ガス流中へ分散させら
れる。二次ガス流は次いで放出ガス流へ導入され
て、導入の際に放出及び二次両ガス流の相対速度
がターゲツト粒子と汚染粒子の衝突するようにか
つターゲツト粒子の表面に汚染粒子の捕えられる
ようにされる。相対速度を維持しつつ、ターゲツ
ト粒子が放出ガス全体に分布させられるようにす
るのに、二次ガス流は一次ガス流の流れの断面内
の位置から該一次ガス流の流れと反対方向(即
ち、向流方向)に導入される。 ターゲツト粒子は、汚染粒子と結合後に得られ
る粒子の粒度及び質量が在来ガス浄化装置による
有効な捕捉及び分離を可能ならしめるようになる
ようにするに足るだけ大である。 本発明のもう一つの特徴によれば、放出ガス流
を第1流れに通路に沿つて通すための第1導管、
及び第1導管と連通している第2導管を有して、
放出ガス流を処理するための装置が提供される。
第2導管内に二次ガス流を作るためと、ターゲツ
ト粒子を、放出ガス流へ導入される前の二次ガス
流によつてターゲツト粒子の分散させられること
になりかつ二次ガス流中にターゲツト粒子の懸濁
させられるのを可能ならしめるだけ十分に第2導
管の出口端から距てられた位置に於いて二次ガス
流へ噴射するための装置が設けられる。第2導管
の出口端は第1導管内に配置された分布装置が好
まれる。分布装置は二次ガス流を放出ガス流へ流
方向に導入するように配置されるのが好ましいけ
れども、放出ガス流に直角な横方向にまたは放出
ガス流と同じ方向に二次ガス流の導入される代替
実施例も企画される。更に好まれるのは、二次ガ
ス流の導入中に放出ガス流を加速するための装置
を採用することであり、その加速装置は第1導管
の壁の方へまたは同壁から遠ざかる方へ放出ガス
流を向けるそらせ装置であつても構わない。 本発明は何れも本発明の好適であるが限定され
ない実施例に関する以下の説明及び添付図面を参
照すれば更に明瞭に理解される。 先ず添付図面の第1図を参照すれば、同図には
市営焼却炉、ガラス溶融炉または類似装置の如き
在来給源(図示せず)から工業放出ガスS1を受け
る随意の急冷室10が示されている。室10から
放出ガス流S2が第1導管12を通して、在来ガス
浄化装置14へ向けられるが、同装置はバグハウ
スの如きこし布、サイクロン式分離器または類似
の装置であつても構わない。導管12の部分22
に於いて二次空気流A2が第2導管18を通して
導入され、かつその結果生成された混合ガスS3
浄化装置14へ送られ、かつ在来排気送風機(図
示せず)を有しても構わない煙突16を通して大
気へ排出される。 放出ガスS1は同ガス中に懸濁させられた固体粒
子、例えばすす、塩類、酸化物または類似粒子を
有し、それらの一部は典型的にはサブミクロン大
である。こうしたガスはしばしばCO2、SOx、
HCl、HF、及び類似ガスの如き酸性ガスをも含
有する。急冷室10は水性噴霧によつてガスを冷
却するのに、または例えば2件の前掲特許に説明
されている如くアルカリ水性噴霧によつて塩類の
如き酸性ガスの一部を除去するのに使用されても
構わない。2件の前掲特許の説明は引例によつて
本明細書に採入られている。噴霧水分は蒸発させ
られかつガスの露点を上げて、以下に説明される
粒子捕捉の際に助けになることがある。然し、こ
うするのは総べての場合に必要なのでななくて省
かれても構わない。噴霧添加は、もしも使用され
るならば、処理の如何なる部分に於いても、特
に、過剰の水分があれば分離の妨げられることの
可能な装置14に於いて、飽和させるだけ十分に
高く露点を上げるのを避けることに限られるべき
である。好ましくは少なくとも22.2℃(40〓)ま
たは更に大きい差が乾湿球温度間に維持される。 二次空気流A2は送風機20によつて導管18
内に作られかつ第1導管12の両フランジ24及
び26間の部分22に於いて一次放出ガス流S2
導入される。ターゲツト粒子Pは振動ホツパ28
及び送りねじ30を通して送られ、かつ放出ガス
流S2へ導入されるのに先立つて確実に分散させら
れるように、導管18内の導管12から遠隔な点
に於いて流れA2へ導入される。ターゲツト粒子
Pは如何なる固体でも適当な固体であることがで
き、かつ少くとも約3ミクロン、好ましくは3乃
至50ミクロン、更に好ましくは3乃至20ミクロ
ン、最も好ましくは10乃至20ミクロンの平均粒度
を有するべきである。粒状のかすみ石せん長石ま
たは響石が好まれる。 添付図面の第2図乃至第9図及び以下の説明は
小さい方の汚染固体エーロゾル粒子をターゲツト
粒子Pとの慣性衝突によつて捕えるのに十分な相
対速度及び分布状態にされるように二次空気流
A2を一次放出ガス流S2へ導入するための方法及
び装置を示している。非弾性衝突捕捉の機構は十
分には理解されていないけれども、衝突する両固
体の粗くされた表面間の質量引力及び機械的効果
を含むと信じられる。ある場合には静電力及び湿
度効果が含まれても構わない。捕捉は捕えられた
微細な方の粒子が分離されなかつた空気による洗
浄選別研究によつて証明されている。 現在好適とされている方法及び装置が第2図乃
至第4図に示されている。第2導管18の彎曲上
部34は第1導管12の部分22の壁を貫通して
おり、かつフランジ32を導管18の第1図に示
されている鉛直部分に結合可能に有している。上
部34の内方端は支え42a,42b及び42c
によつて固定されかつ薄板材料の第1截頭直円錐
38に結合されて、同円錐の大きい方の底がガス
流S2に関して上流へ向けられている。ガス流S2
関して下流へ、かつ空気流A2に関して上流へ向
けられた頂点を有する第2直円錐50が円錐38
内に同心にかつ円錐38から距てられて配置され
ている。両円錐38及び50は両者間に、環状オ
リフイス40に終る環状通路を二次空気流A2
対して画定しており、同オリフイスを通して二次
空気流は放出ガス流S2へ導入されかつ向流方向に
噴射される。同時に、両円錐は導管12の軸線を
取巻いている多数の位置に於いて流れA2をガス
流S2へ導入しかつ噴射するための分布装置を構成
している。 第3直円錐52が設けられて、同円錐の底が円
錐50の底に結合されかつ同円錐52の頂点がガ
ス流S2に関して上流へ向けられている。円錐52
は流れA2の導入中にガス流S2を加速するための
加速装置として、かつオリフイス40を横ぎつて
横方向に導管12の壁の方へガス流S2をそらすた
めのそらせ装置としての双方に役立つ。 円錐50はボルト54によつて円錐38に装着
され、かつ4個の保隔部材58によつて円錐38
から距てられている。第3図に示されているよう
に、ヒンジ止めされたドア46が導管12の内部
への出入口を設けるのにフランジ24の上流に設
けられている。大気へターゲツト粒子の逸出する
のを防ぐのにホツパ28を覆うフユーム天がい
(図示せず)に連結されるための管44も示され
ている。 第2図乃至第4図に示されている方法及び装置
によつて二次空気流A2及び分散させられたター
ゲツト粒子は良好に分布されかつ高い相対速度を
有するようにガス流S2の内部へ導入される。ここ
に使用される相対速度はS2へA2の導入される
間、ガス流S2及び二次空気流A2の導管12の軸
線に平行な流れのベクトルの代数和を指してい
る。毎秒6.1乃至61メートル(20乃至200フイー
ト)の相対速度が好まれかつ毎秒約15.25乃至
45.75メートル(50乃至150フイート)が更に好ま
れる。図示装置によつて、入口、のど間に於いて
127センチメートル(50インチ)から381センチメ
ートル(150インチ)までの水柱高さだけ圧力の
降下する液体ベンチユリと同等なサブミクロン粒
子捕捉効率が実質的に減された動力によつて洗浄
液の汚染なしにかつ腐食を減らされて得られるこ
とができる。 円形断面が導管及び円錐に対して図示の如く好
まれるけれどもその他の三角形またはだ円形断面
が使用されることもできる。導管部分22の長手
方向軸線を囲んど均等な流れを維持するのに、好
ましくは同じ断面が同心部分全部に使用される。 本発明を理解するうえに参考となる参考例が第
5図及び第6図に示されている。導管部分22の
内部には、同部分の壁に固定され、かつ細いのど
開口62を有する截頭円錐形部材60によつてベ
ンチユリが設けられている。同心円錐形板金部材
64及び66が部材60の外壁と部分22の内壁
との間に装架されかつ両板金部材間に、のど開口
62を取巻く環状オリフイス68に終る先細円周
通路67を画定している。二次空気流A2がダク
ト70を通して通路67へ接線方向に送り込まれ
て部材60を回りかつ外方へオリフイス68を通
り、そこで同空気流は加速された放出ガス流S2
同じ方向に導入される。相対速度は流れA2を異
なる速度、好ましくは流れS2よりも低い速度で送
ることによつて与えられる。双方の流れは良好に
分布混合するように乱流でありかつ汚染粒子の効
率の高い衝突捕捉が得られる。ダクト70にはフ
ランジ71が設けられており、同フランジによつ
てダクト70は第1図の導管18の鉛直部分に結
合され、かつ同ダクトは導管18の導管12内に
ある出口部分である。 第2図乃至第4図並びに第5図及び第6図を見
て注目されるべきは、流れがそれぞれ向流及び同
方向流であるけれども、流れS2及び流れA2が合
流するに従つて流れの半径方向成分もあることで
ある。ここに使用される向流及び同方向流なる用
語は一次放出ガス流S2の導管12の軸線に平行な
方向に沿つて、または逆らつて、運動の実質的ベ
クトル成分があるような流れを意味している。導
管の周壁の内側へ分布される分散させられたター
ゲツト粒子の同方向及び向流噴射が好まれるが、
向流が最高の有効相対速度を与えるから最も好ま
れる。第5,6図は流れS2に対して流れA2を同
方向に導入することを図示しているが、もしS2
A2の方向が反対方向であるならば本発明の第2
実施例となり得る。 第3実施例は第7図及び第8図に示されてお
り、同実施例に於いてダクト82は導管部分22
内で同部分22の長手方向軸線を中心として等間
隔に配置された4個のノズル86に終つている。
これらのノズル86は前記軸線からの導管の周壁
の方へ遠ざかるように曲げられかつ二次空気流
A2を4条の細分流に分割する。ダクト82は鉛
直導管18に結合されるためのフランジ84を有
しかつ導管12内にあつて鉛直導管18の上方出
口端部を構成している。二次空気流A2は放出ガ
ス流S2と向流方向に送り込まれる。導管部分22
には検査孔ドア80が設けられており、かつダク
ト82の端はT字形支え88によつて部分22内
に支えられている。ノズル86及びこれらのノズ
ルの関連構造体は導管部分22の内部の流れ面積
を著るしく減らすから、ガス流S2は同流へ流れ
A2の導入されるに従つて加速されることにな
る。A2とS2の方向が反対方向ではないから本発
明の実施例とはいえないが参考として示す第9図
のようにA2の流れが多数の円周位置からの半径
方向噴射によつて達成されることもできる。分散
させられたターゲツト粒子Pを伴なう二次空気流
A2は第9図に示されているように、導管22の
壁を取巻いている周囲マニホルド92へ導管18
を通して送り込まれる。マニホルド92は部分2
2の壁にあつて同部分の周囲に好ましくは均等に
配置された多数の孔94を連通している。流れ
A2の比較的高い速度及び孔94を通る流れの比
較的均等な分布が必要である。 再び第1図を参照すれば、ガス流S2及び空気流
A2はフランジ26を過ぎて混合ガスS3との流し
て浄化装置14へ流入する。放出ガスS1は二次空
気流A2と混合することによつて、かつ室10へ
供給された何れかの急冷液体によつて冷却されて
しまつている。もしもそれ以上の冷却が所望され
るならば、在来ダンパまたは類似装置(図示せ
ず)によつて制御された添加空気流A3が装置1
4へ進入するに先立つてダクト100を通して進
入させられても構わない。 粒子Pに静電荷を印加することなしに良好な結
果が得られているけれども、ある用途に対して
は、何れかの極性の電荷を与えることによつて除
去効率が向上させられることができる。この除去
効率向上は、例えば、ターゲツト粒子を同伴して
いる空気流A2を導管18内の帯電電極102及
び104間へ通すことによつて達成されることが
できる。あるいはまた、ターゲツト粒子は、導管
18内にライニングとしてまたは1個以上のカラ
ーとして配置されたガラスまたは類似材料の如き
適当な摩擦電気材料と接触させられて通されるこ
とによつて摩擦電気的に帯電させられることがで
きる。こうした材料のベンチユリカラーが摩擦を
増すのに使用されることができる。ガスS1中の汚
染粒子は帯電させられる必要がないけれども、も
しも所望されるならば、反対極性を有するように
同様に帯電させられることができる。 実例 1 本発明は第1図乃至第4図の装置を採用してい
る試験施設に於いて、グラスフアイバの製造に使
用されるガラス溶融炉から放出されるガスのスリ
ツプ流れ(slip stream)を使用して試験され
た。汚染粒子の90%は粒度が1ミクロンよりも小
さくかつ粒子は約1/2ミクロンの平均粒度を有す
ると見積られた。これらの粒子は典型的には次の
塩類及び酸化物、即ちふつ化ナトリウム、ふつ化
カルシウム、酸化カルシウム、無水けい酸、硫酸
ナトリウム及び酸化ほう素から成つていた。ガス
は下掲第1表に示されているように酸性ガス成
分、特に硫黄の酸化物及びふつ化水素をも含有し
ていた。
【表】 約10ミクロンと20ミクロンとの間の平均粒度を
有するかすみ石せん長石が毎時約45乃至157.5キ
ログラム(10乃至35ポンド)ずつ二次空気流A2
へ計量導入された。進入ガスS1は室10に於い
て、重量で2.5%の水酸化カルシウムのスラリを
含有する水を毎分9.5リツトル(2.5ガロン)の割
合で噴射されて急冷された。この試験の結果は上
掲第1表に示されており、同表に於いてACFM
は実際の毎分立方フイートを意味し、ppmは100
万分率を意味し、かつgr./SCFは標準立方フイ
ート当り粒数を意味している。 流れA2と共に噴射されたターゲツト粒子によ
る放出ガス流中の細かい汚染粒子の捕捉はガス洗
浄選別試験によつて立証された。バグハウス内の
袋が揺振されることによつて振り落された混合粒
子の試料が柱の中に置かれた。空気の流れが様々
な速度にされて上方にこの粒子試料へ通された。
この空気に同伴された粒子は分離され、試験さ
れ、そして原材料に対する同様な試験と比較され
た。これらの試験は実質的に同じで、細かい粒子
が更に重いターゲツト粒子に結合したことを示し
た。 実例 2 市営焼却装置から出て、酸化物及び塩類の固体
粒子の混合物を含有しかつ第2図乃至第4図の方
法及び装置によつて処理された典型的な煙道ガス
は、室10に於いて毎分227リツトル(60ガロ
ン)の水で急冷されかつ流れA2中の3乃至15ミ
クロンのかすみ石せん長石のターゲツト粒子を毎
時45乃至67.5キログラム(100乃至150ポンド)ず
つ供給された時に実質的に次の結果を与えること
になる。
【表】 理解されるべきは、以上の説明及び実例が解説
の目的で与えられかつ本発明が前掲特許請求の範
囲内の改変及び同等事項を総べて包含することで
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法及び装置に具現する工業
用施設の略図、第2図は本発明の噴射装置の好適
実施例の一部を切除された拡大側面図、第3図は
第2図に示されている装置の端面図、第4図は第
2図及び第3図に示されている実施例の分布装置
の分解部品配列部分図、第5図は本発明の代替実
施例の一部を切除された側面図、第6図は第5図
の装置を90゜回して同図の線6−6に沿つて見た
断面図、第7図は本発明の他の実施例の一部を切
除された側面図、第8図は第7図の実施例の端面
図、そして第9図は他の参考例の断面図である。 12……「第1導管」、18……「第2導管」、
20……「送風機」、28……「振動ホツパ」、3
0……「送りねじ」、40……「環状オリフイ
ス」、A2……「二次空気流」、P……「ターゲツ
ト粒子」、S2……「一次ガス流」。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 導管内に流れる一次ガス流からザブミクロン
    の汚染粒子の除去を容易ならしめる放出ガスの乾
    式処理方法にして、ターゲツト粒子が分散された
    二次ガス流を該一次ガス流中に導入して該汚染粒
    子と該ターゲツト粒子との間の慣性衝突を促進す
    る方法において: 前記二次ガス流A2を、該一次ガス流S2を運搬
    する導管22内の一領域のまわりを囲む環状オリ
    フイス40を通して該一次ガス流の流れと反対方
    向から導入し、該一次ガス流を加速しながら該一
    次ガス流を前記領域からそらせて前記オリフイス
    を横切らせるようにする段階を含み、前記ターゲ
    ツト粒子の平均粒度が3〜50ミクロンであること
    を特徴とする放出ガスの乾式処理方法。 2 特許請求の範囲第1項記載の方法において、
    前記オリフイスのところにおける前記一次及び二
    次ガス流間の相対速度が毎秒6.1メートル(20フ
    イート)と61メートル(200フイート)との間に
    あることを特徴とする放出ガスの乾式処理方法。 3 導管内に流れる一次ガス流からサブミクロン
    の汚染粒子の除去を容易ならしめる放出ガスの乾
    式処理装置にして、ターゲツト粒子が分散された
    二次ガス流を該一次ガス流中に導入して該汚染粒
    子と該ターゲツト粒子との間の慣性衝突を促進す
    る装置において: 前記導管22内の一領域のまわりを囲む環状オ
    リフイス40を通して該一次ガス流の流れと反対
    方向に前記二次ガス流を導入する装置38,50
    と、 該導管内に配置されて該導管の壁とともに前記
    オリフイスと連通する環状の流路を画成し、前記
    一次ガス流を加速させながら前記一次ガス流を該
    領域から半径方向外方にそらせるとともに前記オ
    リフイスを横切らせるためのそらせ装置52とを
    備え、該一次ガス流が前記流路を通つて流れると
    き該一次ガス流の流れは該二次ガス流の流れを横
    切るようにされ、これによつて前記流路中におい
    て該一次ガス流が該ターゲツト粒子をほゞ直角方
    向に横切るようになつていることを特徴とする放
    出ガスの乾式処理装置。 4 特許請求の範囲第3項記載の装置において、
    前記二次ガス流を導入する装置が、截頭円錐状の
    外側壁38と、該外側壁と協同して配置されて該
    二次ガス流及びターゲツト粒子のための環状オリ
    フイス40を提供する内部の円錐50とで成るこ
    とを特徴とする放出ガスの乾式処理装置。 5 特許請求の範囲第4項記載の装置において、
    前記そらせ装置は円錐52で成り、この円錐52
    の底は前記内部の円錐50の底に結合され、この
    円錐52の頂点は前記一次ガス流に対して上流方
    向に向けられていることを特徴とする放出ガスの
    乾式処理装置。
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