JPS62256456A - 半導体装置のパタ−ン形成方法 - Google Patents
半導体装置のパタ−ン形成方法Info
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- JPS62256456A JPS62256456A JP61099940A JP9994086A JPS62256456A JP S62256456 A JPS62256456 A JP S62256456A JP 61099940 A JP61099940 A JP 61099940A JP 9994086 A JP9994086 A JP 9994086A JP S62256456 A JPS62256456 A JP S62256456A
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- Japan
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- pattern
- adhesive
- film
- forming film
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は半導体装置のパターン形成方法に関する。さら
に詳しくは厚膜ＩＣ，ＬＥＤ 、液晶マスクパターン、
太陽電池などに利用される半導体装置において簡便にか
つ低コストで半導体装置のパターン形成ができる半導体
装置のパターン形成方法に関する。
に詳しくは厚膜ＩＣ，ＬＥＤ 、液晶マスクパターン、
太陽電池などに利用される半導体装置において簡便にか
つ低コストで半導体装置のパターン形成ができる半導体
装置のパターン形成方法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体装置のパターン形成方法としては、レジス
ト膜を例えばシリコンウニノー−などの上に形成された
パターン形成用膜（たどえば金属または絶縁物）上に形
成し、このレジスト膜のパターン形成部分に対応する部
分のみを光照射などによって硬化して非照射部分のみを
溶剤などで除去したり、あるいはレジスト膜のノくター
ン形成部分に対応しない部分のみを光照射などによって
分解してこれを溶剤などで除去したりして、その後これ
らのレジストの除去部分にエツチング液を侵入させこの
液に接触するパターン形成用膜の部分を混触し、その後
洗浄して残ったレジスト部分をとり除いて所望のパター
ンの半導体装置をえるウェットエツチング方法が最も一
般的である。しかし前記のウェットエツチング方法の他
に、レーザー光線による燐剤などによる方法や半導体装
置のパターンを形成する部材上に所望のパターンに対応
した金属マスクを被覆して蒸着法により前記部材上の金
属マスクが被覆されていない部分に所望のパターンを形
成するメタルマスク蒸着法などもある。
ト膜を例えばシリコンウニノー−などの上に形成された
パターン形成用膜（たどえば金属または絶縁物）上に形
成し、このレジスト膜のパターン形成部分に対応する部
分のみを光照射などによって硬化して非照射部分のみを
溶剤などで除去したり、あるいはレジスト膜のノくター
ン形成部分に対応しない部分のみを光照射などによって
分解してこれを溶剤などで除去したりして、その後これ
らのレジストの除去部分にエツチング液を侵入させこの
液に接触するパターン形成用膜の部分を混触し、その後
洗浄して残ったレジスト部分をとり除いて所望のパター
ンの半導体装置をえるウェットエツチング方法が最も一
般的である。しかし前記のウェットエツチング方法の他
に、レーザー光線による燐剤などによる方法や半導体装
置のパターンを形成する部材上に所望のパターンに対応
した金属マスクを被覆して蒸着法により前記部材上の金
属マスクが被覆されていない部分に所望のパターンを形
成するメタルマスク蒸着法などもある。
［発明が解決しようとする問題点コ
しかしながら以上のような従来の方法においては、特に
エツチング方法を使用するばあいにおいてはパターン形
成用膜上にレジストを形成し光照射などによってその一
部を硬化または分解しその後エツチングして洗浄しさら
に残ったレジストを除去するなど多数のプロセスを経る
必要があるため生産効率が悪くなるとともに生産コスト
が高くなり、とりわけ多段のパターンを作るばあいには
その弊害がいっそう助長されるという問題がある。
エツチング方法を使用するばあいにおいてはパターン形
成用膜上にレジストを形成し光照射などによってその一
部を硬化または分解しその後エツチングして洗浄しさら
に残ったレジストを除去するなど多数のプロセスを経る
必要があるため生産効率が悪くなるとともに生産コスト
が高くなり、とりわけ多段のパターンを作るばあいには
その弊害がいっそう助長されるという問題がある。
そしてこのようなエツチング法においてはミクロンまた
はサブミクロンの精度のパターン形成には適しているが
数１０ミクロンから数百ミクロンのパターン形成におい
てはメリットが期待できない。またレーザー光を使用す
る方法やメタルマスク蒸着法のばあいにはパターン形成
の処理工程は簡素化されるがレーザー光発生機の設備費
やメタルマスクの型の製造費々（高くなるため半導体装
置の製造コストが高くなり、またメタルマスク蒸着法に
おいては蒸着によるパターン形成時に蒸着物がメダルマ
スクの下に侵入して蒸着するという問題がある。
はサブミクロンの精度のパターン形成には適しているが
数１０ミクロンから数百ミクロンのパターン形成におい
てはメリットが期待できない。またレーザー光を使用す
る方法やメタルマスク蒸着法のばあいにはパターン形成
の処理工程は簡素化されるがレーザー光発生機の設備費
やメタルマスクの型の製造費々（高くなるため半導体装
置の製造コストが高くなり、またメタルマスク蒸着法に
おいては蒸着によるパターン形成時に蒸着物がメダルマ
スクの下に侵入して蒸着するという問題がある。
本発明は以上のような従来の問題点を解決するためにな
されたもので、簡便にかつ低コストで半導体装置のパタ
ーン形成ができる半導体装置のパターン形成方法を提供
することを目的としている。
されたもので、簡便にかつ低コストで半導体装置のパタ
ーン形成ができる半導体装置のパターン形成方法を提供
することを目的としている。
ｃ問題点を解決するための手段］
本発明の半導体装置のパターン形成方法はパターンが形
成されるべき半導体装置中の基材あるいは支持体からな
るパターン形成部材の表面上にパターン形成用膜を形成
し、該パターン形成用膜の不要部分の表面上に接着剤を
付着し、さらに該接着剤にひきはがし部材を接着し、そ
の後該ひきはがし部材を引っ張ることによって前記パタ
ーン形成用膜の不要部分を除去して前記パターン形成部
材の表面上にパターンを形成するようにしたものである
。
成されるべき半導体装置中の基材あるいは支持体からな
るパターン形成部材の表面上にパターン形成用膜を形成
し、該パターン形成用膜の不要部分の表面上に接着剤を
付着し、さらに該接着剤にひきはがし部材を接着し、そ
の後該ひきはがし部材を引っ張ることによって前記パタ
ーン形成用膜の不要部分を除去して前記パターン形成部
材の表面上にパターンを形成するようにしたものである
。
［実施例］
以下、本発明をその実施例を示す図によって説明する。
第１図、第２図は本発明に係る半導体装置のパターン形
成方法の実施例１を示しており、半導体上に電極として
使用する金属のパターンを形成するばあいを示している
。第１図は本実施例１に係る方法の前段の工程を経た後
の状態を示している。第１図において（１）は支持体で
あり、ＴＯＣ、ガラスなどがらなっておりその厚みはＴ
ＯＣのばあいは５０００人、ガラスのばあいは１．１關
である。そして支持体（１）上にアモルファスシリコン
からなる半導体層（２）をシランをグロー放電分解する
ＣＶＤ法により形成する。
成方法の実施例１を示しており、半導体上に電極として
使用する金属のパターンを形成するばあいを示している
。第１図は本実施例１に係る方法の前段の工程を経た後
の状態を示している。第１図において（１）は支持体で
あり、ＴＯＣ、ガラスなどがらなっておりその厚みはＴ
ＯＣのばあいは５０００人、ガラスのばあいは１．１關
である。そして支持体（１）上にアモルファスシリコン
からなる半導体層（２）をシランをグロー放電分解する
ＣＶＤ法により形成する。
形成される半導体層（２）の厚みは５０００人である。
そして支持体（１）と半導体層（２）とによりパターン
形成部材（３）が構成されている。そして半導体層（２
）上にＡｇを蒸着法により蒸着してパターン形成用膜（
４）を形成する。形成されるパターン形成用膜（４）の
厚さは２０００人である。そしてつぎにパターン形成用
膜（４）上に２００ＪＸｎ幅の帯状でかつ適宜の距離だ
け離して適宜の数の接着剤（５）、（５）・・・・・・
スクリーン印刷によりを形成する。使用する接着剤はエ
ポキシ樹脂（商品名：アラルダイトＮｏ。
形成部材（３）が構成されている。そして半導体層（２
）上にＡｇを蒸着法により蒸着してパターン形成用膜（
４）を形成する。形成されるパターン形成用膜（４）の
厚さは２０００人である。そしてつぎにパターン形成用
膜（４）上に２００ＪＸｎ幅の帯状でかつ適宜の距離だ
け離して適宜の数の接着剤（５）、（５）・・・・・・
スクリーン印刷によりを形成する。使用する接着剤はエ
ポキシ樹脂（商品名：アラルダイトＮｏ。
ａｗ−ｔｏｅ、ナガセーチバ株式会社製）に触媒として
ＩＩＶ９５３Ｕ （ナガセーチバ株式会社製）を添加し
たものである。そしてつぎに接着剤（５）上にＰＥＴ（
ポリエチレンテレフタレート）フィルムからなるひきは
がし部材（６）をその表面がパターン形成膜（４）の表
面とほぼ平行になるように接着剤（９と接触して設ける
。そして以上のような方法により構成された構成物を４
０℃で１時間加熱し接着剤（５）を熱硬化しこれによっ
て実施例１の前段の工程が終了する。硬化後の接着剤（
５）の厚さは約５０遍となる。゛ 次に第２図は実施例１に係る方法の後段の工程を経た状
態を示している。第２図において第１図と同一符号は同
一のものを示している。そして第１図に示す状態でその
後ひきはがし部材（６）をピーリングすることによって
パターン形成用膜（４）の接着剤（５）に接触している
の部分のみがひきはがし部材（６）に接着したままで接
着剤（５）に対応する位置のパターン形成用膜（４）と
半導体層（２）との界面で剥離が生じ第２図のような状
態になる。そしてパターン形成用膜（４）の接着剤（５
）と接触していない部分が半導体層（２）上に残留しこ
れが形成されるべき所望のパターンとなる。以上のよう
にして本実施例における後段の工程が終了し半導体装置
のパターンが形成される。
ＩＩＶ９５３Ｕ （ナガセーチバ株式会社製）を添加し
たものである。そしてつぎに接着剤（５）上にＰＥＴ（
ポリエチレンテレフタレート）フィルムからなるひきは
がし部材（６）をその表面がパターン形成膜（４）の表
面とほぼ平行になるように接着剤（９と接触して設ける
。そして以上のような方法により構成された構成物を４
０℃で１時間加熱し接着剤（５）を熱硬化しこれによっ
て実施例１の前段の工程が終了する。硬化後の接着剤（
５）の厚さは約５０遍となる。゛ 次に第２図は実施例１に係る方法の後段の工程を経た状
態を示している。第２図において第１図と同一符号は同
一のものを示している。そして第１図に示す状態でその
後ひきはがし部材（６）をピーリングすることによって
パターン形成用膜（４）の接着剤（５）に接触している
の部分のみがひきはがし部材（６）に接着したままで接
着剤（５）に対応する位置のパターン形成用膜（４）と
半導体層（２）との界面で剥離が生じ第２図のような状
態になる。そしてパターン形成用膜（４）の接着剤（５
）と接触していない部分が半導体層（２）上に残留しこ
れが形成されるべき所望のパターンとなる。以上のよう
にして本実施例における後段の工程が終了し半導体装置
のパターンが形成される。
なお本実施例における方法においては接着剤（５）の幅
にほぼ対応した幅のパターン形成用膜のみがきれいに剥
離されこの幅からはみだした部分やへこんだ部分はほと
んど生じない。
にほぼ対応した幅のパターン形成用膜のみがきれいに剥
離されこの幅からはみだした部分やへこんだ部分はほと
んど生じない。
第３図、第４図は本発明に係る半導体装置のパターン形
成方法の実施例２を示しており、パターン形成部材上に
半導体および金属が積層したものにパターンを形成する
ばあいを示している。第３図は実施例２に係る方法の前
段の工程を経た後の状態を示しており、第４図は実施例
２に係る方法の後段の工程を経た後の状態を示している
。実施例２においてはガラスおよびＴＣＯからなる厚さ
１ 、１ ｍｍのパターン形成部材（３ａ）上にａ−
８ｉＣＨのｐ型半導体とａ−８ｉＨのｉ型半導体とａ−
８ｌｌｌのｎ型半導体とからなる厚さ１００００人の半
導体層のをグロー放電ＣＶＤ法により形成し、さらに半
導体層−上にアルミニウムからなる厚さ１５００人の金
属層潤を抵抗加熱蒸着法により形成する。ここに半導体
層のと金属層Ｑ４とによりパターン形成用膜（４ａ）が
構成される。
成方法の実施例２を示しており、パターン形成部材上に
半導体および金属が積層したものにパターンを形成する
ばあいを示している。第３図は実施例２に係る方法の前
段の工程を経た後の状態を示しており、第４図は実施例
２に係る方法の後段の工程を経た後の状態を示している
。実施例２においてはガラスおよびＴＣＯからなる厚さ
１ 、１ ｍｍのパターン形成部材（３ａ）上にａ−
８ｉＣＨのｐ型半導体とａ−８ｉＨのｉ型半導体とａ−
８ｌｌｌのｎ型半導体とからなる厚さ１００００人の半
導体層のをグロー放電ＣＶＤ法により形成し、さらに半
導体層−上にアルミニウムからなる厚さ１５００人の金
属層潤を抵抗加熱蒸着法により形成する。ここに半導体
層のと金属層Ｑ４とによりパターン形成用膜（４ａ）が
構成される。
そしてさらに金属層Ｑ４上に実施例１と同様な方法によ
りエポキシ樹脂からなる接着剤四を（スクリーン印刷法
により付着する。そしてさらに接着剤ツに接触させて実
施例１と同様にして表面処理しアンカー効果を持たせた
ＰＥＴフィルムからなるひきはがし部材（６）を設ける
。そしてその後８０℃で１時間加熱され接管剤四が熱硬
化され、第３図で示すようなものかえられ、これによっ
て実施例２の前段の工程が終了する。硬化後の接若剤固
の厚さは３０ρとなる。
りエポキシ樹脂からなる接着剤四を（スクリーン印刷法
により付着する。そしてさらに接着剤ツに接触させて実
施例１と同様にして表面処理しアンカー効果を持たせた
ＰＥＴフィルムからなるひきはがし部材（６）を設ける
。そしてその後８０℃で１時間加熱され接管剤四が熱硬
化され、第３図で示すようなものかえられ、これによっ
て実施例２の前段の工程が終了する。硬化後の接若剤固
の厚さは３０ρとなる。
そして次に第３図で示すひきはがし部材（至）をピーリ
ングすることにより実施例２の後段の工程が終了し第４
図で示す状態のものかえられる。
ングすることにより実施例２の後段の工程が終了し第４
図で示す状態のものかえられる。
実施例２においては金属層（至）と半導体層のとの接着
力より半導体層のとパターン形成部材（３ａ）との接着
力の方が弱い構造となっているためひきはがし部材■の
ピーリングにより半導体層のとパターン形成部材（３ａ
）との界面で剥離が生じ半導体層のと金属層Ｑ４との２
層のパターン形成が可能となる。
力より半導体層のとパターン形成部材（３ａ）との接着
力の方が弱い構造となっているためひきはがし部材■の
ピーリングにより半導体層のとパターン形成部材（３ａ
）との界面で剥離が生じ半導体層のと金属層Ｑ４との２
層のパターン形成が可能となる。
第５図、第６図は本発明に係る半導体装置のパターン形
成方法の実施例３を示しており、半導体のみにパターン
を形成するばあいを示している。第５図は実施例３に係
る方法の前段の工程を経た後の状態を示しており、第６
図は実施例３に係る方法の後段の工程を経た後の状態を
示している。実施例３においてはステンレス／ポリイミ
ドからなる厚さ ０．２ｍｍのパターン形成部材（３ｂ
）上にａ−３ｉｌｌからなる厚さ３廁の半導体で形成さ
れるパターン形成用膜（４ｂ）を反応性スパッタ法によ
り形成する。そしてさらに半導体層（３２）上に実施例
１と同様な方法によりアクリル系樹脂からなる接着剤（
３５）をスクリーン印刷法により付着し、さらに接着剤
（３５）に接触させて実施例１と同様にしてひきはがし
部材（３６）を設ける。そしてその後４０°Ｃで１時間
加熱し接着剤（３５）が熱硬化され、第６図に示すよう
なものかえられることによって実施例３の前段の工程が
終了する。硬化後の接着剤（３５）の厚さは５０」とな
る。
成方法の実施例３を示しており、半導体のみにパターン
を形成するばあいを示している。第５図は実施例３に係
る方法の前段の工程を経た後の状態を示しており、第６
図は実施例３に係る方法の後段の工程を経た後の状態を
示している。実施例３においてはステンレス／ポリイミ
ドからなる厚さ ０．２ｍｍのパターン形成部材（３ｂ
）上にａ−３ｉｌｌからなる厚さ３廁の半導体で形成さ
れるパターン形成用膜（４ｂ）を反応性スパッタ法によ
り形成する。そしてさらに半導体層（３２）上に実施例
１と同様な方法によりアクリル系樹脂からなる接着剤（
３５）をスクリーン印刷法により付着し、さらに接着剤
（３５）に接触させて実施例１と同様にしてひきはがし
部材（３６）を設ける。そしてその後４０°Ｃで１時間
加熱し接着剤（３５）が熱硬化され、第６図に示すよう
なものかえられることによって実施例３の前段の工程が
終了する。硬化後の接着剤（３５）の厚さは５０」とな
る。
そしてつぎに第５図で示すひきはがし部材（３６）をビ
ーリングすることにより第６図で示す状態のものかえら
れ、実施例３の後段の工程が終了する。実施例３におい
ては接着力の弱い半導体のパターン形成用膜（４ｂ）と
パターン形成部材（３ｂ）との界面で剥離が生じ残った
パターン形成用膜（４ｂ）によりパターンが形成される
。
ーリングすることにより第６図で示す状態のものかえら
れ、実施例３の後段の工程が終了する。実施例３におい
ては接着力の弱い半導体のパターン形成用膜（４ｂ）と
パターン形成部材（３ｂ）との界面で剥離が生じ残った
パターン形成用膜（４ｂ）によりパターンが形成される
。
なおパターン形成用膜（４）、（４ａ）、（４ｂ）とし
ては前記実施例に限定されるものではなく、電極として
のＭ１旧、Ｃｒ１Ｎｉ／ Ｃｒｓ Ａｇ−Ｍｇ１＾ｕｓ
Ｐｔ５Ｐｄなどの金属あるいはそれらを用いた合金や
ＩＴＯ５Ｓｎ０２、ＺｎＯなどの半導体などであっても
よく、またこれらを２層重上積層したものであってもよ
い。パターン形成用膜（４）、（４ａ）、（４ｂ）の厚
さは１０Ａ＝ ｌｏＯＪＩｍが好ましいが数１００論の
厚さの膜であってもそのパターン形成は可能でありこれ
に限定されるものではない。
ては前記実施例に限定されるものではなく、電極として
のＭ１旧、Ｃｒ１Ｎｉ／ Ｃｒｓ Ａｇ−Ｍｇ１＾ｕｓ
Ｐｔ５Ｐｄなどの金属あるいはそれらを用いた合金や
ＩＴＯ５Ｓｎ０２、ＺｎＯなどの半導体などであっても
よく、またこれらを２層重上積層したものであってもよ
い。パターン形成用膜（４）、（４ａ）、（４ｂ）の厚
さは１０Ａ＝ ｌｏＯＪＩｍが好ましいが数１００論の
厚さの膜であってもそのパターン形成は可能でありこれ
に限定されるものではない。
また接着剤（５）、乃、（３５）についても前記実施例
に限定されるものではなくホットメルト系接着剤（変成
ナイロン、変成シリコンなど）、エポキシ系接着剤（前
記実施例以外のもの）、ウレタン系接着剤、アクリル系
接着剤、ＥＶＡ系接着接着剤リ酢酸ビニル系接着剤、フ
ェノール系接着剤、水ガラスなど他の有機および無機の
接着剤であってもよく、また粘着性の接着剤であっても
よい。また接着剤の厚さは０．５〜１００虜が好ましい
がこれに限定されるものではない。
に限定されるものではなくホットメルト系接着剤（変成
ナイロン、変成シリコンなど）、エポキシ系接着剤（前
記実施例以外のもの）、ウレタン系接着剤、アクリル系
接着剤、ＥＶＡ系接着接着剤リ酢酸ビニル系接着剤、フ
ェノール系接着剤、水ガラスなど他の有機および無機の
接着剤であってもよく、また粘着性の接着剤であっても
よい。また接着剤の厚さは０．５〜１００虜が好ましい
がこれに限定されるものではない。
また接着剤は硬化性のものに限定されないが、硬化性の
ばあいにおいては硬化の方法は熱、光および電磁波の照
射、溶媒の除去など接着剤の種類により各種方法がある
がこれらに限定されるものではない。また接着剤＋５）
、 −５（３５）の硬化はひきはがし部材（６）、四、
（３６）を設ける前に行ないその後適宜の方法でひきは
がし部材（６）、（５）、（３Ｂ）を接着剤（Ｓ１□□
□、（３５）に接着させて設けるようにしてもよい。
ばあいにおいては硬化の方法は熱、光および電磁波の照
射、溶媒の除去など接着剤の種類により各種方法がある
がこれらに限定されるものではない。また接着剤＋５）
、 −５（３５）の硬化はひきはがし部材（６）、四、
（３６）を設ける前に行ないその後適宜の方法でひきは
がし部材（６）、（５）、（３Ｂ）を接着剤（Ｓ１□□
□、（３５）に接着させて設けるようにしてもよい。
またひきはがし部材（６）、（至）、（３Ｂ）について
は前記実施例に限定されるものではなく接着剤と固着し
て接着剤（５）、−１（３５）をピーリングできるもの
であればよいが、塩化ビニル系フィルムや表面をアンカ
ー処理したポリエチレンフィルムやポリエチレンテレフ
タレート系フィルムが望ましい。
は前記実施例に限定されるものではなく接着剤と固着し
て接着剤（５）、−１（３５）をピーリングできるもの
であればよいが、塩化ビニル系フィルムや表面をアンカ
ー処理したポリエチレンフィルムやポリエチレンテレフ
タレート系フィルムが望ましい。
また前実施例においてはパターン形成用膜のひきはがし
幅（はぼ接着剤（９、■、（３５）の幅）の値が２００
虜であるばあいについて示したがこれに限定されるもの
ではなく数」からｌＯｍ／ｉ程度の幅まであるいはそれ
以上の幅であっても位置精度が１虜程度で本発明の方法
の実行が可能である。
幅（はぼ接着剤（９、■、（３５）の幅）の値が２００
虜であるばあいについて示したがこれに限定されるもの
ではなく数」からｌＯｍ／ｉ程度の幅まであるいはそれ
以上の幅であっても位置精度が１虜程度で本発明の方法
の実行が可能である。
また前記実施例では接着剤（５）、四、（３５）のパタ
ーン形成用膜（４）、（４ａ）、（４ｂ）上への付着を
スクリーン印刷法によって行なったがこれに限定される
ものではなく、転写方法あるいはペン書き方法（ペン先
より接着剤を送り出す方法）によってもよい。特にスク
リーン印刷法は少品種多量生産でパターン形成を行うば
あいに適しており、またペン書き方法はマイクロコンピ
ユー ｌ夕などにより制御することによって多品種少量
生産のばあいに最適となる。
ーン形成用膜（４）、（４ａ）、（４ｂ）上への付着を
スクリーン印刷法によって行なったがこれに限定される
ものではなく、転写方法あるいはペン書き方法（ペン先
より接着剤を送り出す方法）によってもよい。特にスク
リーン印刷法は少品種多量生産でパターン形成を行うば
あいに適しており、またペン書き方法はマイクロコンピ
ユー ｌ夕などにより制御することによって多品種少量
生産のばあいに最適となる。
［効 果］
以上のように本発明の半導体装置のパターン形成方法は
パターンが形成されるべき半導体装置中のパターン形成
部材の表面上にパターン形成用膜を形成し、該パターン
形成用膜の不要部分の表面上に接着剤を付着し、そらに
該接着剤にひきはがし部材を接着し、その後該ひきはが
し部材を引っ張ることによって前記パターン形成用膜の
不要部分を除去して前記パターン形成の部材の表面上に
パターンを形成するようにしたのでエツチング法による
ばあいのような多くの処理工程を経ることなく、簡便に
かつ生産効率を向上させてかつレーザー光を使用する方
法やメタルマスク蒸着法を使用することなくパターン形
成ができるとともに半導体装置の製造コストを低減でき
る効果がある。
パターンが形成されるべき半導体装置中のパターン形成
部材の表面上にパターン形成用膜を形成し、該パターン
形成用膜の不要部分の表面上に接着剤を付着し、そらに
該接着剤にひきはがし部材を接着し、その後該ひきはが
し部材を引っ張ることによって前記パターン形成用膜の
不要部分を除去して前記パターン形成の部材の表面上に
パターンを形成するようにしたのでエツチング法による
ばあいのような多くの処理工程を経ることなく、簡便に
かつ生産効率を向上させてかつレーザー光を使用する方
法やメタルマスク蒸着法を使用することなくパターン形
成ができるとともに半導体装置の製造コストを低減でき
る効果がある。
第１図は本発明の実施例１による方法の前段の工程を経
た状態を示す断面図、第２図は実施例１に係る方法の後
段の工程を経た状態を示す断面図、第３図は実施例２に
係る方法の前段の工程を経た状態を示す断面図、第４図
は実施例２に係る方法の後段の工程を経た状態を示す断
面図、第５図は実施例３に係る方法の前段の工程を経た
状態を示す断面図、第６図は実施例３に係る方法の後段
の工程を経た状態を示す断面図である。 （図面の主要符号） （３）、（３ａ）、 （３ｂ） ：パターン形成部材 （４）、（４ａ）、 （４ｂ） ：パターン形成用膜 （５）、（２５）、 （３５） ：接着剤 （６）、元、 （３Ｂ）：ひきはがし部材 ７１ 園 ５：接着剤 ６：ひきはがし部材 才２図 才３圓 ２５：接着剤 ２６：ひきはがし部材 才４図 才５０ ６５：接着剤 ３６：ひきはがし部材 才６図
た状態を示す断面図、第２図は実施例１に係る方法の後
段の工程を経た状態を示す断面図、第３図は実施例２に
係る方法の前段の工程を経た状態を示す断面図、第４図
は実施例２に係る方法の後段の工程を経た状態を示す断
面図、第５図は実施例３に係る方法の前段の工程を経た
状態を示す断面図、第６図は実施例３に係る方法の後段
の工程を経た状態を示す断面図である。 （図面の主要符号） （３）、（３ａ）、 （３ｂ） ：パターン形成部材 （４）、（４ａ）、 （４ｂ） ：パターン形成用膜 （５）、（２５）、 （３５） ：接着剤 （６）、元、 （３Ｂ）：ひきはがし部材 ７１ 園 ５：接着剤 ６：ひきはがし部材 才２図 才３圓 ２５：接着剤 ２６：ひきはがし部材 才４図 才５０ ６５：接着剤 ３６：ひきはがし部材 才６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置のパターン形成方法において、パターン
が形成されるべき半導体装置中のパターン形成部材の表
面上にパターン形成用膜を形成し、該パターン形成用膜
の不要部分の表面上に接着剤を付着し、さらに該接着剤
にひきはがし部材を接着し、その後該ひきはがし部材を
引っ張ることによって前記パターン形成用膜の不要部分
を除去して前記パターン形成部材の表面上にパターンを
形成する半導体装置のパターン形成方法。 ２ 前記パターン形成用膜が金属および／または金属酸
化物からなる電極である特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置のパターン成形方法。 ３ 前記パターン形成用膜が半導体からなる特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61099940A JPS62256456A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61099940A JPS62256456A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置のパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256456A true JPS62256456A (ja) | 1987-11-09 |
Family
ID=14260712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61099940A Pending JPS62256456A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 半導体装置のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256456A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032912A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および有機発光装置の製造方法 |
| JP2016213221A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 金属箔を用いた電極配線の形成方法及びこれを用いた有機トランジスタの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388163A (en) * | 1977-01-14 | 1978-08-03 | Esu Kei Kk | Method of producing printed circuit board |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61099940A patent/JPS62256456A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388163A (en) * | 1977-01-14 | 1978-08-03 | Esu Kei Kk | Method of producing printed circuit board |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032912A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および有機発光装置の製造方法 |
| JP2016213221A (ja) * | 2015-04-30 | 2016-12-15 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 金属箔を用いた電極配線の形成方法及びこれを用いた有機トランジスタの製造方法 |
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