JPS62258509A - 利得可変形増幅器 - Google Patents
利得可変形増幅器Info
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- JPS62258509A JPS62258509A JP8930086A JP8930086A JPS62258509A JP S62258509 A JPS62258509 A JP S62258509A JP 8930086 A JP8930086 A JP 8930086A JP 8930086 A JP8930086 A JP 8930086A JP S62258509 A JPS62258509 A JP S62258509A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、直流電圧によって利得を制御することができ
る利得可変形増幅器に関する。
る利得可変形増幅器に関する。
背景技術
典型的な先行技術の等価回路は、第４図に示されている
。振幅変調受信機などにおいて高周波または中間周波増
幅を行なうために、この利得可変形増幅器が用いられる
。信号電圧ｖｉは、入力端子１からトランジスタＱ３に
与えられて信号電流■ｉに変換される。この信号電流Ｉ
ｉは、入力端子２゜３に与えられる直流電圧によって制
御される差動トランジスタＱ１．Ｑ２に分流されろ、ト
ランジスタＱ２には直列抵抗Ｒｅが接続され、このトラ
ンジスタＱ２のフレフタは出力端子４となっている。第
４Ｕ４１こおいて参照符ｒｅｌ 、 ｒｅ２１土、トラ
ンジスタＱ１．Ｑ２の等価エミッタ抵抗であり、Ｖｎｌ
、ｖｎ２はそれぞれトランジスタＱ １ 、Ｑ ２の雑
音電圧を等価的に示す。
。振幅変調受信機などにおいて高周波または中間周波増
幅を行なうために、この利得可変形増幅器が用いられる
。信号電圧ｖｉは、入力端子１からトランジスタＱ３に
与えられて信号電流■ｉに変換される。この信号電流Ｉ
ｉは、入力端子２゜３に与えられる直流電圧によって制
御される差動トランジスタＱ１．Ｑ２に分流されろ、ト
ランジスタＱ２には直列抵抗Ｒｅが接続され、このトラ
ンジスタＱ２のフレフタは出力端子４となっている。第
４Ｕ４１こおいて参照符ｒｅｌ 、 ｒｅ２１土、トラ
ンジスタＱ１．Ｑ２の等価エミッタ抵抗であり、Ｖｎｌ
、ｖｎ２はそれぞれトランジスタＱ １ 、Ｑ ２の雑
音電圧を等価的に示す。
端子２．３とトランジスタＱ １ 、Ｑ ２のベースに
与えられる電圧Ｖｃ を制御すること−によって、電流
Ｉｉを分流し、抵抗Ｒｃに流れる出力電流Ｉｏを滅貨さ
せ、利得を変化している。
与えられる電圧Ｖｃ を制御すること−によって、電流
Ｉｉを分流し、抵抗Ｒｃに流れる出力電流Ｉｏを滅貨さ
せ、利得を変化している。
このような先行技術では、トランジスタＱｌ。
Ｑ２の雑音電圧ｖｎｌ ｌ ｖｎ２によってＳ／Ｎ比が
劣化するという問題がある。すなわち、差動トランジス
タＱｌ、Ｑ２全体として発生する雑音電圧ｖｎは ｖｎ＝Ｉ−丁四耳一璽 ・・・（１）
となり、このときの出力雑音電圧Ｖｏｎは第１ａ式％式
％ このＳ／Ｎ比の劣化は、雑音電圧Ｖ１１に対する利得が
高いためである。
劣化するという問題がある。すなわち、差動トランジス
タＱｌ、Ｑ２全体として発生する雑音電圧ｖｎは ｖｎ＝Ｉ−丁四耳一璽 ・・・（１）
となり、このときの出力雑音電圧Ｖｏｎは第１ａ式％式
％ このＳ／Ｎ比の劣化は、雑音電圧Ｖ１１に対する利得が
高いためである。
この問題を解決するための他の先行技術は、第５図に示
されている。この先行技術では、ＩＩｑ述の出力雑音電
圧Ｖｏｎを下げるためにトランジスタＱ１、Ｑ２のエミ
ッタに抵抗Ｒをそれぞれ挿入している。第５図では、ｆ
ｊＳ４図の先行技術に対応する部分には同一の参照様を
付す。この先行技術によれば、出力端子４における出力
雑音電圧Ｖ ｏｎ １は、第２式で示されるとおりとな
る６但し、Ｖｎは、第１式で示されるとおりである。
されている。この先行技術では、ＩＩｑ述の出力雑音電
圧Ｖｏｎを下げるためにトランジスタＱ１、Ｑ２のエミ
ッタに抵抗Ｒをそれぞれ挿入している。第５図では、ｆ
ｊＳ４図の先行技術に対応する部分には同一の参照様を
付す。この先行技術によれば、出力端子４における出力
雑音電圧Ｖ ｏｎ １は、第２式で示されるとおりとな
る６但し、Ｖｎは、第１式で示されるとおりである。
これによって雑音電圧ｖｎに対する利得を低下して、出
力雑音電圧Ｖｏｎｌを低下し、Ｓ／Ｎ比を改善すること
ができる。
力雑音電圧Ｖｏｎｌを低下し、Ｓ／Ｎ比を改善すること
ができる。
発明が解決すべき問題点
このような第５図に示された先行技術では、抵抗Ｒを差
動トランジスタＱ１．Ｑ２のエミッタに挿入することに
よって、歪みが増加するという新たな問題が生じる。こ
の歪は、トランジスタＱ３に流れる電流■１に対する抵
抗Ｒｅを流れる出力電流ｒｏ、つまり端子２，３に与え
られる電圧Ｖｃによるオフセット電流Ｉｃが電流１１に
よってどのように変化するかを考えればよい。
動トランジスタＱ１．Ｑ２のエミッタに挿入することに
よって、歪みが増加するという新たな問題が生じる。こ
の歪は、トランジスタＱ３に流れる電流■１に対する抵
抗Ｒｅを流れる出力電流ｒｏ、つまり端子２，３に与え
られる電圧Ｖｃによるオフセット電流Ｉｃが電流１１に
よってどのように変化するかを考えればよい。
ここで１電圧ＶｃＪこより若手力トランノスタＱｌ。
Ｑ２に流れる電流比をＪとすると、電流比Ｊは第３式で
示される。
示される。
一’、ｌ１ｌ＝Ｊ−１ｉ ・・・
（４）Ｉ ｉ２ ＝（１−Ｊ ）・■１
・・・（５）また電流Ｉｃは第６式で表わされる。
（４）Ｉ ｉ２ ＝（１−Ｊ ）・■１
・・・（５）また電流Ｉｃは第６式で表わされる。
ｒｅｌ ＝ Ｋ １ ／ Ｉ ｉ＋
・＝（７）ｒｅ２＝に２／ 丁 ｉ２
・・値 ８
）Ｉｉ１＋ｌ１２＝Ｉｉ ・・・（
９）Ｋ １ 、Ｋ ２はトランジスタＱ １ 、Ｑ ２
によって決まる定数であり、通常は２５°Ｃにおいて約
２６−Ｖである。参照群Ｉｉ１．Ｉｉ２は差動トランジ
スタＱｌｌ Ｑ２に流れる電流である。したがって第１
０式が成立する。
・＝（７）ｒｅ２＝に２／ 丁 ｉ２
・・値 ８
）Ｉｉ１＋ｌ１２＝Ｉｉ ・・・（
９）Ｋ １ 、Ｋ ２はトランジスタＱ １ 、Ｑ ２
によって決まる定数であり、通常は２５°Ｃにおいて約
２６−Ｖである。参照群Ｉｉ１．Ｉｉ２は差動トランジ
スタＱｌｌ Ｑ２に流れる電流である。したがって第１
０式が成立する。
Ｉｃ Ｖｃ
Ｉｉ （２Ｒ＋ｒｅｌ＋ｒｅ２）・Ｉｉ・・・（１０
） この第１０式によれば、抵抗Ｒを挿入することによって
電流Ｉｃは電流Ｉｉによって影ツを受け、換３すると、
歪みを生じることになる。
） この第１０式によれば、抵抗Ｒを挿入することによって
電流Ｉｃは電流Ｉｉによって影ツを受け、換３すると、
歪みを生じることになる。
本発明の目的は、Ｓ／Ｎ比を改善し、しかも歪みの発生
を抑制するようにした利得可変形増幅器を提供すること
である。
を抑制するようにした利得可変形増幅器を提供すること
である。
問題点を解決するための手段
本発明は、信号電圧を電流に変換するトランジスタと、
その信号電流を直流電圧によって制御１される差動トラ
ンジスタにより分流制御して利得を可変する増幅器にお
いて、前記差動トランジスタの各エミッタにそのトラン
ジスタの等価エミッタ抵抗と同じ順方向電流に応じて変
化する順方向抵抗を持つグイオードを挿入した事を特徴
とする利得可変形増幅器である。
その信号電流を直流電圧によって制御１される差動トラ
ンジスタにより分流制御して利得を可変する増幅器にお
いて、前記差動トランジスタの各エミッタにそのトラン
ジスタの等価エミッタ抵抗と同じ順方向電流に応じて変
化する順方向抵抗を持つグイオードを挿入した事を特徴
とする利得可変形増幅器である。
作 用
本発明に従えば、各差動トランジスタのエミッタに直列
にグイオードを挿入し、このグイオードは差動トランジ
スタの等価エミッタ抵抗と同じ順方向電流に応じて変化
する順方向抵抗を有している。これによって出力′Ｓ音
電圧に対する利得を低下してＳ／Ｎ比を向上することが
可能になる。また歪みの発生を抑制することが可能−と
なる。
にグイオードを挿入し、このグイオードは差動トランジ
スタの等価エミッタ抵抗と同じ順方向電流に応じて変化
する順方向抵抗を有している。これによって出力′Ｓ音
電圧に対する利得を低下してＳ／Ｎ比を向上することが
可能になる。また歪みの発生を抑制することが可能−と
なる。
実施例
第１図は、本発明の一天施例の電気回路図である。入力
端子７には増幅されるべき７．流１１１号が与。
端子７には増幅されるべき７．流１１１号が与。
乏られる。この入力端子７の信号電圧は、トランジスタ
Ｑ６によって電流に変換される。トランジスタＱ６には
直列に抵抗ＲＥが接続される。トランジスタＱ６による
信号電流Ｉｉは、入力端子８゜９に与えられる直流電圧
Ｖｃによって制御される差動トランジスタＱ４．Ｑ５に
よって分流制御される。差動トランジスタＱ ４１ Ｑ
５のうちの１つのトランジスタＱ５には直列に抵抗Ｒ
ｅが接続すれる。このトランジスタＱ５と抵抗Ｒｅとの
接続点は、出力端子１０となっている。差動トランジス
タＱ４．Ｑ５の特性は近ｔスしている。差動トランジス
タＱ ４ 、Ｑ ５には、直列にダイオードＤ１ｔＤ２
が順方向に接続される。
Ｑ６によって電流に変換される。トランジスタＱ６には
直列に抵抗ＲＥが接続される。トランジスタＱ６による
信号電流Ｉｉは、入力端子８゜９に与えられる直流電圧
Ｖｃによって制御される差動トランジスタＱ４．Ｑ５に
よって分流制御される。差動トランジスタＱ ４１ Ｑ
５のうちの１つのトランジスタＱ５には直列に抵抗Ｒ
ｅが接続すれる。このトランジスタＱ５と抵抗Ｒｅとの
接続点は、出力端子１０となっている。差動トランジス
タＱ４．Ｑ５の特性は近ｔスしている。差動トランジス
タＱ ４ 、Ｑ ５には、直列にダイオードＤ１ｔＤ２
が順方向に接続される。
第２図は第１図に示された実施例の等価回路図である。
参照符ｒｅ４．ｒｅｓは、トランジスタＱ４゜Ｑ５の等
価エミッタ抵抗をそれぞれ示す、参照符ｒｅＧ、ｒｅ７
は、ダイオードＤ １ 、Ｄ ２の順方向電流に応じて
変化する順方向抵抗を示す、参照符ｖｎｌｔｖｎ２１±
、それぞれトランジスタＱ４．Ｑ５の雑音電圧を示す。
価エミッタ抵抗をそれぞれ示す、参照符ｒｅＧ、ｒｅ７
は、ダイオードＤ １ 、Ｄ ２の順方向電流に応じて
変化する順方向抵抗を示す、参照符ｖｎｌｔｖｎ２１±
、それぞれトランジスタＱ４．Ｑ５の雑音電圧を示す。
差動トランジスタＱ４．Ｑ５全体として発生する２Ｉ音
電圧ｖｎは、第１式のとおりとなり、このとき出力端子
１０における出力雑音電圧Ｖｏｎ２は第１１式で示され
るとおりである。
電圧ｖｎは、第１式のとおりとなり、このとき出力端子
１０における出力雑音電圧Ｖｏｎ２は第１１式で示され
るとおりである。
この第１１式から出力雑音電圧Ｖｏｎ２は、前述の先行
技術に関連して述べた第１式に比べてｒｅＧｔｒｅ７に
より雑音電圧ｖｎｌ＋ｖｎ２に対する利得が小さくなる
。このようにして出力雑音電圧を低下してＳ／Ｎ比を向
上することができる。
技術に関連して述べた第１式に比べてｒｅＧｔｒｅ７に
より雑音電圧ｖｎｌ＋ｖｎ２に対する利得が小さくなる
。このようにして出力雑音電圧を低下してＳ／Ｎ比を向
上することができる。
差動トランジスタＱ４．Ｑ５の等価エミッタ抵抗ｒｅ４
．ｒｅ５は次のとおりとなる。
．ｒｅ５は次のとおりとなる。
ｒｅ４ ＝ Ｋ ４ ／ Ｉ ｉ４
＝ｉ１２）ｒｅｓ ＝ Ｋ ５ ／ Ｉ ｉｓ
−（１３）Ｋ４．に５は、トランジスタ
Ｑ ４ 、Ｑ ５によって定まる定数であり、前述のよ
うに２５°Ｃにおいて通常的２６−■である。
＝ｉ１２）ｒｅｓ ＝ Ｋ ５ ／ Ｉ ｉｓ
−（１３）Ｋ４．に５は、トランジスタ
Ｑ ４ 、Ｑ ５によって定まる定数であり、前述のよ
うに２５°Ｃにおいて通常的２６−■である。
ダイオードＤｉ、Ｄ２の順方向電流に応じて変化する順
方向抵抗ｒｅ６．ｒｅ７は、次のように表わされる。
方向抵抗ｒｅ６．ｒｅ７は、次のように表わされる。
ｒｅ６ ＝ Ｋ Ｇ ／ Ｉ ｉ４
・＝（１４）ｒｅ７ ＝ Ｋ ７ ／ Ｉ ｉ ５
− （１５）ここでＫ Ｇ 、Ｋ
７は、ダイオードＤ １ 、Ｄ ２によって定まる値
であり、トランジスタの場合と同じ値である。
・＝（１４）ｒｅ７ ＝ Ｋ ７ ／ Ｉ ｉ ５
− （１５）ここでＫ Ｇ 、Ｋ
７は、ダイオードＤ １ 、Ｄ ２によって定まる値
であり、トランジスタの場合と同じ値である。
入力端子８．９に与えられろ電圧Ｖｃによるオフセット
電流Ｉｃは次のようになる。
電流Ｉｃは次のようになる。
・・・（１６）
ここでトランジスタＱ４．Ｑ５に流れる電流比を前述の
先イ〒技術で述べた第３式、第４式および第５式と同様
におくと、電流Ｉｉ１：対する電流Ｉｃは次のとおりで
ある。
先イ〒技術で述べた第３式、第４式および第５式と同様
におくと、電流Ｉｉ１：対する電流Ｉｃは次のとおりで
ある。
この第１７式から、電流Ｉｃは電流Ｉｉに上って影響を
受けず、したがって歪みを生じないことがわかる。この
ようにして歪みの発生を抑制することが可能となる。
受けず、したがって歪みを生じないことがわかる。この
ようにして歪みの発生を抑制することが可能となる。
本発明に従う利得可変形増幅器は、第３図における受信
機において用いることができる。この受信機ではアンテ
ナ１２からの高周波信号が高周波増幅回路１３において
増幅され、高周波増幅自動利得制御回路１４を介して混
合回路１５に与えられる。混合回路１５には、局部発信
回路１６からの局部発信信号が与えられる。こうして得
られる中間周波１２号は、中間周波増幅自動利得制御回
路１７１こおいてづ９幅され、この上うｌこしてスーパ
ーヘテロゲイン方式で受信が行なわれる。回路１７かＣ
）の出力は、検波回路１８によって検波され、増幅回路
１９によって増幅され、スピーカ２０によって音響化さ
れる。検波回路１８からの出力は、ローパスフィルタ２
１に与えられて音響信号が遮断され、受信電界強度に対
応した直流電圧がライン２２に導出される。このライン
２−２からの電圧は、自動利得制ａ１増幅回路２３にす
３いて増幅され、ライン２４を介して回路１４．１７に
与えられる。
機において用いることができる。この受信機ではアンテ
ナ１２からの高周波信号が高周波増幅回路１３において
増幅され、高周波増幅自動利得制御回路１４を介して混
合回路１５に与えられる。混合回路１５には、局部発信
回路１６からの局部発信信号が与えられる。こうして得
られる中間周波１２号は、中間周波増幅自動利得制御回
路１７１こおいてづ９幅され、この上うｌこしてスーパ
ーヘテロゲイン方式で受信が行なわれる。回路１７かＣ
）の出力は、検波回路１８によって検波され、増幅回路
１９によって増幅され、スピーカ２０によって音響化さ
れる。検波回路１８からの出力は、ローパスフィルタ２
１に与えられて音響信号が遮断され、受信電界強度に対
応した直流電圧がライン２２に導出される。このライン
２−２からの電圧は、自動利得制ａ１増幅回路２３にす
３いて増幅され、ライン２４を介して回路１４．１７に
与えられる。
第１図およびｍ２図に示された実施例は、この回路１４
．１７において使用され、入力端子８，９にはライン２
４からの直流電圧が与えられ、これによって自動利得制
御が達成される。
．１７において使用され、入力端子８，９にはライン２
４からの直流電圧が与えられ、これによって自動利得制
御が達成される。
本発明は、受信機の自動利得制御のために用いられるだ
けでなく、その他の用途において広範囲に実施すること
ができる。
けでなく、その他の用途において広範囲に実施すること
ができる。
効 果
以上のように本発明によれば、差動トランジスタのエミ
ッタに、そのトランジスタの等価エミッタ抵抗と同じ順
方向電流に応じて変化する順方向抵抗を有するダイオー
ドを挿入したので、Ｓ／Ｎ比を改善し、しかも歪みの発
生を抑制することが可能となる。
ッタに、そのトランジスタの等価エミッタ抵抗と同じ順
方向電流に応じて変化する順方向抵抗を有するダイオー
ドを挿入したので、Ｓ／Ｎ比を改善し、しかも歪みの発
生を抑制することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の電気回路図、第２図は第１
図に示された実施例の等価回路図、第３図は本発明に従
う利得可変形増幅器が関連して実施される受信はのブロ
ック図、第４図は先行技術の等価回路図、第５図は他の
先行技術の等価回路図である。 ？ 、８．９ ・・・入力端子、１０・・・出力端子
、Ｑ４゜Ｑ５・・・ｆｆｌ！）ランノスタ、Ｑ６・・・
トランジスタ、Ｄ １ 、Ｄ ２・・・ダイオード、Ｒ
Ｅ、Ｒｅ・・・抵抗代理人 弁理士 四教 圭一部 第１図 ■ 第２ 図 ■ 第 ４図 ■
図に示された実施例の等価回路図、第３図は本発明に従
う利得可変形増幅器が関連して実施される受信はのブロ
ック図、第４図は先行技術の等価回路図、第５図は他の
先行技術の等価回路図である。 ？ 、８．９ ・・・入力端子、１０・・・出力端子
、Ｑ４゜Ｑ５・・・ｆｆｌ！）ランノスタ、Ｑ６・・・
トランジスタ、Ｄ １ 、Ｄ ２・・・ダイオード、Ｒ
Ｅ、Ｒｅ・・・抵抗代理人 弁理士 四教 圭一部 第１図 ■ 第２ 図 ■ 第 ４図 ■
Claims (1)
- 信号電圧を電流に変換するトランジスタと、その信号電
流を直流電圧によつて制御される差動トランジスタによ
り分流制御して利得を可変する増幅器において、前記差
動トランジスタの各エミッタにそのトランジスタの等価
エミッタ抵抗と同じ順方向電流に応じて変化する順方向
抵抗を持つダイオードを挿入したことを特徴とする利得
可変形増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8930086A JPS62258509A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 利得可変形増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8930086A JPS62258509A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 利得可変形増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62258509A true JPS62258509A (ja) | 1987-11-11 |
| JPH0554724B2 JPH0554724B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13966817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8930086A Granted JPS62258509A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 利得可変形増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62258509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260972A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | St Microelectronics Sa | 可変利得ｒｆ増幅器 |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP8930086A patent/JPS62258509A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260972A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | St Microelectronics Sa | 可変利得ｒｆ増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0554724B2 (ja) | 1993-08-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |