JPS62262829A - 液晶配向処理層の形成方法 - Google Patents

液晶配向処理層の形成方法

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JPS62262829A
JPS62262829A JP61106412A JP10641286A JPS62262829A JP S62262829 A JPS62262829 A JP S62262829A JP 61106412 A JP61106412 A JP 61106412A JP 10641286 A JP10641286 A JP 10641286A JP S62262829 A JPS62262829 A JP S62262829A
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駿介 小林
Hiroyoshi Tai
裕善 袋
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    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は液晶配向処理剤用組成物に関するものであり、
更に詳しくは、液晶分子が基板に対し高められた傾斜配
向角を有する液晶セル用配向処理剤として使用される組
成物に関するものである。
(ロ)従来の技術 ネマティック液晶分子を透明電極の付いたガラス或いは
プラスチックフィルム等の透明基板にほぼ平行に配向さ
せるための基板処理剤としては、従来よりポリイミド樹
脂膜をはじめとする有機樹脂膜が最も一般的に使用され
ている。
この場合、基板上に形成された有機樹脂膜を布で一定の
方向ヘラピングするごとにより、ラビング方向へ液晶分
子が配向し′、同時に基板表面に対して通常1〜3°程
度の液晶傾斜配向角を生ずることが知られている。
又、液晶分子を大きく傾斜配向させる方法として、従来
から酸化硅素等の無機膜を基板上に蒸着する方法等が行
われている。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 基板上に形成された有機樹脂膜をラビングする方法では
、液晶分子を大きく傾斜配向することは困難である。
又、基板上に無機膜を蒸着する方法は、ラビング法に比
べ繁雑であり、実際の工業的生産においては必ずしも適
切な方法ではない。
(ニ)問題点を解決するための手段 本発明者らは、上記問題点を解決すべく鋭意努力検討し
た結果本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は一般式〔I〕及び一般式(II)で表さ
れる R’  −NH〔I〕 N H(II 〕 (式中、R1は炭素数6〜20の炭化水素基を、RZ、
R3は夫々間−又は異なる炭素数4〜20の炭化水素基
を示す。) アミン化合物から選ばれる少くとも一種の化合物及び 一般式(III)で表される (式中R4はテトラカルボン酸又はその誘導体を構成す
る4価の有機基、R5はジアミンを構成する2価の有機
基、nは正の整数を示す。)ポリイミド樹脂前駆体より
なる液晶配向処理剤用組成物に関するものである。
本発明組成物は、透明電極の付いたガラス或いはプラス
チックフィルム等の透明基板上に塗布、硬化後、ポリイ
ミド樹脂膜を生成せしめ、次いでラビング処理を施すこ
とによって、液晶セル用配向処理剤として使用すること
ができる。
本発明組成物に使用される一般式〔I〕のアミン化合物
の有機基R1は、炭素数6〜20の炭化水素基であり、
例えばアルキル基、核置換若しくは非核置換のアリール
基、アラルキル基及びシクロアルキル基等が挙げられる
。
有機基R1の炭素数が5以下の時は、液晶分子の傾斜配
向角を高める効果が充分でない。
又、炭素数が20を超えると基板への塗布性が悪化する
等の不都合が生じ易くなる。
一般式〔I〕のアミン化合物の具体例としては、n−ヘ
キシルアミン、n−オクチルアミン、n−デシルアミン
、n−ドデシルアミン、n−ヘキサデシルアミン、1,
3−ジメチルブチルアミン、1.5−ジメチルヘキシル
アミン、2−エチルヘキシルアミン、p−アミノビフェ
ニル、p−アミノエチルヘンゼン、ベンジルアミン、p
−メチルベンジルアミン、4−エチルシクロヘキシルア
ミン等が挙げられる。
又、一般式〔II〕のアミン化合物の有機基R2及びR
3は夫々同−若しくは異る炭素数4〜20の炭化水素基
である。
上述の一般式C1)のアミン化合物と同じ理由によりR
2及びR3の炭素数は4〜20の範囲が適切であり、炭
化水素基R2,R3としてはアルキル基、核置換若しく
は非核置換のアリール基、アラルキル基及びシクロアル
キル基等が挙げられる。
一般式C11)のアミン化合物の具体例としてはジ−n
−ブチルアミン、ジ−ミーブチルアミン、ジ−n−アミ
ルアミン、ジ−ミーアミルアミン、ジ−n−ヘキシルア
ミン、ジ−n−オクチルアミン、ジ−n−ドデシルアミ
ン、ジ−n−ヘキサデシルアミン、ジ−ヘンシルアミン
、ジフェニルアミン、ジシクロへキシルアミン等が挙げ
られる。
又、本発明組成物に使用される一般式〔■〕のポリイミ
ド樹脂前駆体は、 一般式(rV)で表される (式中、R4はテトラカルボン酸を構成する4価の有機
基を示し、R4に結合した4個のカルボニル基はそれぞ
れ別個の炭素原子に直接結合している。) テトラカルボン酸及びその誘導体から選ばれる1種又は
2種以上の化合物と 一般式(V)で表される HzN  R5NHz          (V)(式
中、R5はジアミンを構成する2価の有機基を示す。) ジアミンを反応させることにより得られる。
一般式(rV)のテトラカルボン酸及びその誘導体の具
体例としては、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラ
カルホン酸、3,4.3 ’ 、4 ’−ビフェニルテ
トラカルボン酸等の芳香族テトラカルボン酸及びこれら
の二無水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化
物、シクロブタンテトラカルボン酸、シクロペンクンテ
トラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸等の
脂環式テトラカルボン酸及びこれらの二無水物並びにこ
れらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物、ブタンテトラカ
ルボン酸等の脂肪族テトラカルボン酸及びこれらの二無
水物並びにこれらのジカルボン酸ジ酸ハロゲン化物等が
挙げられる。
又、一般式〔■〕のテ[・ジカルボン酸及びその誘導体
は1種であっても2種以−ト混合して使用しても良い。
一般式(V)のアミンの具体例としてば、p−フェニレ
ンジアミン、m−フェニレンジアミン、ジアミノジフェ
ニルメタン、ジアミノジフェニルエーテル、2.2−ジ
アミノジフェニルプロパン、ジアミノジフェニルスルホ
ン、ジアミノヘンシフエノン、ジアミノナフタレン、1
.3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、■、4
−ビス(4〜アミノフエノキシ)ベンゼン、4,4′−
ジ(4−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、2.
2′−ビス(4(4,−アミノフェノキシ)フェニル〕
プロパン等の芳香族ジアミンが挙げられる。
その他目的に応じ、脂環式ジアミン及び脂肪族ジアミン
を使用しても良い。
又、これらジアミンの1種又は2種以上を混合して使用
することもできる。
本発明組成物の一般式〔I〕及び一般式〔II〕のアミ
ン化合物は、夫々単独に或いは二種以−L混合して使用
することができる。
一般式(T)及び一般式(II)のアミン化合物の使用
量は特に限定されないが、一般式〔■〕のポリイミド樹
脂前駆体に対して1〜100重量%の範囲が好ましい。
即ち、上記範囲内であれば、−i式〔I〕及び一般式(
Il)のアミン化合物の使用量により液晶分子の配向角
を任意に調節することができる。
−・般式〔I〕及び一般式(II)のアミン化合物の使
用量が1重量%未満ではその効果が十分認められない場
合があり、100重量%を越えると基板への塗布性が悪
化する等の不都合が律し易くなる。
本発明組成物の調製には溶剤が使用される。これら溶剤
としては、一般式〔I〕及び一般式(n)の化合物並び
に一般式(III)のポリイミド樹脂前駆体を溶解する
ものであれば特に制限はない。
これら溶剤の具体例としては、N、N−ジメチルホルム
アミド、N、N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリドン、N−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホ
キシド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホ
ン、ヘキザメチルホスホルアミド及びブチし1ラクトン
等を挙げることができる。
これらは即独でも、混合して使用しても良い。
更に、単独では均一溶液が得られない溶剤であっても、
その溶剤を均一溶液が得られる範囲内で一ト記溶剤に加
えて使用しても良い。
又、使用される溶剤の量は、一般式〔I〕及びM式(I
I)のアミン化合物(以下、単にアミン化合物と略称す
る。)及び一般式〔■〕のポリイミド樹脂前駆体を均一
に溶解する範囲内であれば良く、一般にはアミン化合物
及び一般式(III)のポリイミド樹脂前駆体の合計量
1重量部に対して、0.5〜100重量部が使用される
。
本発明組成物の調製法としては、fllアミン化合物と
一般式CI[1)の化合物を同時に溶解する方法、(2
)一般式[111)の化合物を溶剤に溶解した後に、ア
ミン化合物を添加、溶解する方法、(3)アミン化合物
を溶剤に溶解した後に、一般式(III)の化合物を添
加、溶解する方法、(4)アミン化合物及び一般式CI
II)の化合物を各々別個に溶剤に溶解した後混合する
方法。(5)一般式〔■〕の化合物を製造後、アミン化
合物又は溶剤に溶解したその溶液を添加する方法等が挙
げられる。
本発明の組成物は液晶セル用配向処理剤としても使用す
ることができ、その方法としては以下の方法等が挙げら
れる。
即ち、本発明の組成物を透明電極の付いたガラス又はプ
ラスチックフィルム等の透明基板上にスピンコード法も
しくは印刷法等により塗布した後、150〜250°C
で1分間〜2時間硬化ゼしめ膜厚200〜3000人の
ポリイミド樹脂膜を形成し、次いでポリイミド樹脂膜層
をラビング処理し液晶セル用配向処理剤とすることがで
きる。
(ホ)発明の効果 本発明の組成物は、液晶傾斜配向角の大きい液晶セル用
配向処理剤として使用することができる。
又、液晶傾斜配向角は、一般式〔I〕及び一般式[11
)のアミン化合物の使用量を変化することにより任意に
調節することが可能である。
(へ)実施例 以下に実施例を挙げ、本発明を更に詳しく説明するが本
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1 市販のポリイミド樹脂前駆体溶液〔商品名:日量化学工
業■製:サンエバー130.15重量%N−2−メチル
ピロリドン(以下NMPと略す)溶液〕にn−ヘキサデ
シルアミンをポリイミド樹脂前駆体成分に対して10重
量%になるように添加し、NMPにより総固形分を2重
量%に希釈後、十分攪拌して均一溶液とした。
この溶液を2枚の透明電極付ガラス基板にスピンコード
し、170℃で60分間熱処理することにより厚さ10
00〜1500人のポリイミド樹脂塗膜を形成した。
この塗膜を布でラビングした後、50μのスペーサーを
挟んでラビング方向を平行にして組み立て、液晶(BD
H社製:E−7)を注入してホモジニアス配向したセル
を作成した。
このセルをクロスニコル中で回転したところ明瞭な明暗
が見られ、ラビング方向へ良好に配向していることを確
認した。
又、このセルについて磁場容量法で液晶傾斜配向角を測
定したところ12°であった。
実施例2 n−ヘキサデシルアミンをn−オクチルアミンに変えた
他は実施例1と同様に処理したところ、液 Z 高傾斜配向角は6°であり配向も良好であった。
実施例3 n−ヘキサデシルアミンの量をポリイミド樹脂前駆体に
対し3重量%とじた他は実施例1と同様に処理したとこ
ろ、液晶傾斜配向角は6°であり配向も良好であった。
実施例4 液晶をZLI−2293(メルク社製)に変えた他は実
施例1と同様に処理したところ、液晶傾斜配向角は15
°であり配向も良好であった。
実施例5 6μのスペーサを使用した他は、実施例1と同様に処理
したところ、液晶傾斜配向角は15°であり配向も良好
であった。
比較例 n−ヘキサデシルアミンを使用しない他は実施例1と同
様に処理したところ、液晶傾斜配向角は2.4°であっ
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕で表されるR^1
    −NH〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中、R^1は炭素数6〜20の炭化水素基、R^2
    、R^3は各々同一又は異なる炭素数4〜20の炭化水
    素基を示す。) アミン化合物から選ばれる少くとも一種の化合物及び 一般式〔III〕で表される ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 (式中、R^4はテトラカルボン酸又はその誘導体を構
    成する有機基、R^5はジアミンを構成する2価の有機
    基、nは正の整数を示す。)ポリイミド樹脂前駆体より
    なる液晶配向処理剤用組成物。 2、一般式〔 I 〕で表されるアミン化合物のR^1が R^1=CH_3−(CH_2)_m (mは、5〜19の正の整数を示す。) である特許請求の範囲第1項記載の液晶配向処理剤用組
    成物。
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