JPS62265722A - 照明光学系 - Google Patents
照明光学系Info
- Publication number
- JPS62265722A JPS62265722A JP61109983A JP10998386A JPS62265722A JP S62265722 A JPS62265722 A JP S62265722A JP 61109983 A JP61109983 A JP 61109983A JP 10998386 A JP10998386 A JP 10998386A JP S62265722 A JPS62265722 A JP S62265722A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- luminous flux
- splitting
- optical system
- light
- illumination
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は照明光学系に関し、特に半導体製造において可
干渉性の良い高輝度のレーザー等の光源金円いて被照射
面である電子回路等の微細パターンを照明する際に元の
干渉による被照射面の照明むら等の悪影響全軽減し均一
なる照明全可能とした照明光学系に関するものである。
干渉性の良い高輝度のレーザー等の光源金円いて被照射
面である電子回路等の微細パターンを照明する際に元の
干渉による被照射面の照明むら等の悪影響全軽減し均一
なる照明全可能とした照明光学系に関するものである。
(従来の技術)
最近の半導体製造技術には電子回路の高集積化に伴い・
高密度の回路パターンが形成可能のリングラフィ技術が
請求されている。
高密度の回路パターンが形成可能のリングラフィ技術が
請求されている。
一般にマスク又はレチクル面上の回路バターy全りエ・
・面上に転写する場合・ウニ・・面上に転写される回路
パターンの解像線幅は光源の波長に比例してくる。この
為波長200〜300 nmの遠紫外(ディープUV領
域)の短い波長を元型する例えば超高圧水銀灯やキセノ
ン水銀ランプ等が用いられている。しかし2からこれら
の光源は低輝度で指向性もなくしかもウニ八面上に塗布
するフォトレジストの感光性も低い為露光時間が長くな
りスルーグツ+−1−低下させる原因となっていた。
・面上に転写する場合・ウニ・・面上に転写される回路
パターンの解像線幅は光源の波長に比例してくる。この
為波長200〜300 nmの遠紫外(ディープUV領
域)の短い波長を元型する例えば超高圧水銀灯やキセノ
ン水銀ランプ等が用いられている。しかし2からこれら
の光源は低輝度で指向性もなくしかもウニ八面上に塗布
するフォトレジストの感光性も低い為露光時間が長くな
りスルーグツ+−1−低下させる原因となっていた。
両方最近エキ77(exClmar )レーザーという
ディープUV領域に発振波長を有する光源が開発され1
その、%f4度性)単色性1指向註等の良さからリング
ラフィ技術への応用が種々研究されている。しかしなが
らエキ/マレ−ブーを用いると多くの場合レーザー特有
の可干渉性によシマスフ面やウェー面の不完全さや照明
系の光学特性等が原因して、マスク面やクエ・・面等の
被照射面上に不規則な干渉縞、所謂スペックルが発生し
てくる。このスペックルは照”Aム5や焼付は誤差を起
こしマスクパターン像の解像力を低下させる原因となっ
てくる。
ディープUV領域に発振波長を有する光源が開発され1
その、%f4度性)単色性1指向註等の良さからリング
ラフィ技術への応用が種々研究されている。しかしなが
らエキ/マレ−ブーを用いると多くの場合レーザー特有
の可干渉性によシマスフ面やウェー面の不完全さや照明
系の光学特性等が原因して、マスク面やクエ・・面等の
被照射面上に不規則な干渉縞、所謂スペックルが発生し
てくる。このスペックルは照”Aム5や焼付は誤差を起
こしマスクパターン像の解像力を低下させる原因となっ
てくる。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明はレーザー寺の可干渉性の良い高輝度の光源を用
いた際に被照射面に生じるスペックルの軽減を図9被照
射面の均一照明を可能とじ九照明光学系の提供を目的と
する。
いた際に被照射面に生じるスペックルの軽減を図9被照
射面の均一照明を可能とじ九照明光学系の提供を目的と
する。
本発明の更なる目的はエキシマレーザ−等の可干渉性の
良い光源を用いた際にマスク面やウニ・・面に生ずるス
ペックルの平均化71i−図クマスクパターン像の高y
fI像力化を可能とした半導体製造用の露光装置に好適
な照明光学系の提供にある。
良い光源を用いた際にマスク面やウニ・・面に生ずるス
ペックルの平均化71i−図クマスクパターン像の高y
fI像力化を可能とした半導体製造用の露光装置に好適
な照明光学系の提供にある。
(問題点t−4決する為の手段)
光源からの光束を所定の反射率金有する複数の反射面よ
り成る2つの分割プリズムと該2つの分割プリズムの間
に配置した偏光面を90度可回転せる光学素子と金有す
る光束分割部材に入射させ・該光束分割部材から射出し
±光束を被照射面に導光させ九ことである。
り成る2つの分割プリズムと該2つの分割プリズムの間
に配置した偏光面を90度可回転せる光学素子と金有す
る光束分割部材に入射させ・該光束分割部材から射出し
±光束を被照射面に導光させ九ことである。
この池水発明の特徴は実施例において記載されている。
(実施例)
第1図は本発明の一実施例の光学系のvi略図である。
同図において1け光源で例えば可視域のNe−No 、
Ar レーザーや不可視域のエキシマレーザ−等か
ら成っている。2は光源1から放射された光束、3は光
束2の光束径を以後の光学系に適合させる為に拡大若し
くは縮少する光束整形器、4は光束分割部材で入射光束
全複数に分割し・かつ複数の光束間に各々異った光路差
を付与して射出させている。5,7は各々光束分割部材
4の一部全構成する分割プリズムで複数の反射面を有し
・これらの反射面により所定の偏光成分を有し念入射光
束を複数に分割し、かつ分割しt複数の光束間に各々光
路差を与えて射出させている。6け光束分割部材4の一
部を構成する光学素子で入射光束の偏光面t−90度回
転させる例えば1Atf!i、長板や90”旋光子等か
ら成っている。8け曵数の微少レンズより成る7ライア
イレンズでh92次光源面を形成している。9はコンデ
ンサーレンズ、10けマスクやレチクル等の被照射面で
ある。
Ar レーザーや不可視域のエキシマレーザ−等か
ら成っている。2は光源1から放射された光束、3は光
束2の光束径を以後の光学系に適合させる為に拡大若し
くは縮少する光束整形器、4は光束分割部材で入射光束
全複数に分割し・かつ複数の光束間に各々異った光路差
を付与して射出させている。5,7は各々光束分割部材
4の一部全構成する分割プリズムで複数の反射面を有し
・これらの反射面により所定の偏光成分を有し念入射光
束を複数に分割し、かつ分割しt複数の光束間に各々光
路差を与えて射出させている。6け光束分割部材4の一
部を構成する光学素子で入射光束の偏光面t−90度回
転させる例えば1Atf!i、長板や90”旋光子等か
ら成っている。8け曵数の微少レンズより成る7ライア
イレンズでh92次光源面を形成している。9はコンデ
ンサーレンズ、10けマスクやレチクル等の被照射面で
ある。
本実m例では光源1から放射されるS偏光成分とPIJ
2光成分金有するランダムな偏光状態の光5J、2を光
束整形器3で適当な大きさの光束径に整形して元来分′
41)部材4の分割プリズム5に入射させている。特に
本実施例では分割プリズム5t−比較的製造が各易なS
偏光成分の入射光束を所定の割合で反射させることので
きる複数の反射面5−1 、5−2 、5−3 、・・
・と全反射面父上り!成している。これにより入射光束
のうちS偏光成分の″/l、!X、t−複数の反射面5
−1゜5−2.・・・で強度的に等分割して一味な強度
分布の光束として反射させ更に複数の反射面5−1.5
−2.・・・の各反射面間の距、@全適切に保ち、好ま
しくは可干渉距離よりも長くしてインコヒーレント化、
所謂非可干渉化を凹9射出させている。
2光成分金有するランダムな偏光状態の光5J、2を光
束整形器3で適当な大きさの光束径に整形して元来分′
41)部材4の分割プリズム5に入射させている。特に
本実施例では分割プリズム5t−比較的製造が各易なS
偏光成分の入射光束を所定の割合で反射させることので
きる複数の反射面5−1 、5−2 、5−3 、・・
・と全反射面父上り!成している。これにより入射光束
のうちS偏光成分の″/l、!X、t−複数の反射面5
−1゜5−2.・・・で強度的に等分割して一味な強度
分布の光束として反射させ更に複数の反射面5−1.5
−2.・・・の各反射面間の距、@全適切に保ち、好ま
しくは可干渉距離よりも長くしてインコヒーレント化、
所謂非可干渉化を凹9射出させている。
一万P偏光成分の光束はその大部分が分Jflプリズム
5の全反射面50で反射して射出する。そこでP偏光成
分の光束?光学素子6により偏光面を90度可回転せて
分割プリズム5と同様の分割プリズム7にS偏光成分の
光束として入射させている。これにより分割プリズム5
と同様にS月元成分の光束を複数の反射説7−1゜7−
2.7−3.・−・で強度的に等分割し、更に非可干渉
化を図って射出させている。
5の全反射面50で反射して射出する。そこでP偏光成
分の光束?光学素子6により偏光面を90度可回転せて
分割プリズム5と同様の分割プリズム7にS偏光成分の
光束として入射させている。これにより分割プリズム5
と同様にS月元成分の光束を複数の反射説7−1゜7−
2.7−3.・−・で強度的に等分割し、更に非可干渉
化を図って射出させている。
このとき分割プリズム5から射出したS偏光成分の複数
に分割され九光束は偏光素子6によシP偏光成分の光束
となシその大部分は分割プリズム7の全反射C1j70
で反射して射出する。
に分割され九光束は偏光素子6によシP偏光成分の光束
となシその大部分は分割プリズム7の全反射C1j70
で反射して射出する。
このように本実施例では光束分割部材4に入射するS偏
光成分及びP偏光成分の光束を各々強度的に等分割して
面積的に一様な強度分布を有する帯状の光束とし、更に
非可干渉化を図って射出させた後嘱フライアイレンズ8
に導jtシている。
光成分及びP偏光成分の光束を各々強度的に等分割して
面積的に一様な強度分布を有する帯状の光束とし、更に
非可干渉化を図って射出させた後嘱フライアイレンズ8
に導jtシている。
そしてプライアイレンズ8の集光点全第2次光源面とし
て1これより射出した一様なg度分布の光束を用い、コ
ンデンサーレンズ9により被照射面10をスペックルの
発生全軽減して均一照射している。
て1これより射出した一様なg度分布の光束を用い、コ
ンデンサーレンズ9により被照射面10をスペックルの
発生全軽減して均一照射している。
尚不実施グjにおいて分割プリズム7の複数の反射面を
P偏光成分に対して等分割する反射面で溝底しても良く
これによれば光学素子6は不要となる。
P偏光成分に対して等分割する反射面で溝底しても良く
これによれば光学素子6は不要となる。
第2図は第1図の光束分割部材4の把の一実施例の説明
図である。
図である。
同図において20は光束分割部材、21.23は各々第
1図と同様の分割プリズムであり、光の進行方向に対し
て反射面が互いに直交するように配置されている。22
は第1図と同様の光学素子である。
1図と同様の分割プリズムであり、光の進行方向に対し
て反射面が互いに直交するように配置されている。22
は第1図と同様の光学素子である。
第1図の実施例では光束分割部材4より射出する光束径
は帯状となっている。これに対して本実施例では分割プ
リズム21 、23 t−前述の如く配置することによ
り入射光束を縦方向と横方向に拡大して射出させている
。
は帯状となっている。これに対して本実施例では分割プ
リズム21 、23 t−前述の如く配置することによ
り入射光束を縦方向と横方向に拡大して射出させている
。
尚本実施例では光束分割部材20に置台偏光のレーザ又
は予め偏光板等を用いて一方向の偏光状態の光束−例え
ばS偏光成分の光束を入射させている。そして分割プリ
ズム21から一次元方向に強度的に等分割して射出させ
る。そして偏光索子22で偏光面を90度可回転せて分
割プリズム23に対してS偏光成分の光束となるように
入射させている。これによシ光束t−2次元的に一様な
強度分布を有する光束径に拡大すると共に光束の非可干
渉化を効率的に行っている。
は予め偏光板等を用いて一方向の偏光状態の光束−例え
ばS偏光成分の光束を入射させている。そして分割プリ
ズム21から一次元方向に強度的に等分割して射出させ
る。そして偏光索子22で偏光面を90度可回転せて分
割プリズム23に対してS偏光成分の光束となるように
入射させている。これによシ光束t−2次元的に一様な
強度分布を有する光束径に拡大すると共に光束の非可干
渉化を効率的に行っている。
第2図に示す光束分割部材には一方向に偏光している偏
光成分の光束全入射させて光束径の拡大を図っているが
ランダムな偏元成分金有する光束に対して第2図の笑施
りIJと同様に2次元的な光束径の拡大を図るには・飼
えば第1図に示した光束分割部材4を2つ第3図に示す
ように互いに光束の拡大方向が直交するように配置すれ
ば良い。同図において30 、40は各々光束分割部材
S31 、33 、 、il 、 43は分割プリズム
、32゜42は偏光面金90”回転させる光学素子であ
る。
光成分の光束全入射させて光束径の拡大を図っているが
ランダムな偏元成分金有する光束に対して第2図の笑施
りIJと同様に2次元的な光束径の拡大を図るには・飼
えば第1図に示した光束分割部材4を2つ第3図に示す
ように互いに光束の拡大方向が直交するように配置すれ
ば良い。同図において30 、40は各々光束分割部材
S31 、33 、 、il 、 43は分割プリズム
、32゜42は偏光面金90”回転させる光学素子であ
る。
第3図では入射光束を光束分割部材30により一方向に
拡大し、更に光束分割部材40により光束分割部材30
による光束の拡大方向と直交する方向に光束全拡大し全
体的に2次元的な光束径の拡大を行っている。
拡大し、更に光束分割部材40により光束分割部材30
による光束の拡大方向と直交する方向に光束全拡大し全
体的に2次元的な光束径の拡大を行っている。
(発明の効果)
本発明によれば前述の構成を有する光束分割部材を光学
系中に設けることにより可干渉性の良いレーザー光束等
音用いたときの光束匝の拡大を図りつつ光束強度の一様
化を図り被照射面上ニ生じるスペックル?経減させ・か
つ被照射面の均一照明を可能とじ九特に半導体製造装置
に好適な照明光学系全達成することができる。
系中に設けることにより可干渉性の良いレーザー光束等
音用いたときの光束匝の拡大を図りつつ光束強度の一様
化を図り被照射面上ニ生じるスペックル?経減させ・か
つ被照射面の均一照明を可能とじ九特に半導体製造装置
に好適な照明光学系全達成することができる。
第1図は本発明の一実施例]の光字系の概略図・第2図
、第3図は各々第1図の一部分の他の実施例の説明図で
ある。図中1)−を光源、2け光束、3け光束整形器、
4,20,30.40は各々光束分割部材1s 、 7
12+ 、 23 、31 、33 、41 、43は
分割プリズム、6 、22.32.42は偏光面’i
90’回転させる光学素子、8はフライアイレンズ・9
けコンデンサーレンズ、10は被照射面である。 特許出題人 キャノン株式会社
、第3図は各々第1図の一部分の他の実施例の説明図で
ある。図中1)−を光源、2け光束、3け光束整形器、
4,20,30.40は各々光束分割部材1s 、 7
12+ 、 23 、31 、33 、41 、43は
分割プリズム、6 、22.32.42は偏光面’i
90’回転させる光学素子、8はフライアイレンズ・9
けコンデンサーレンズ、10は被照射面である。 特許出題人 キャノン株式会社
Claims (3)
- (1)光源からの光束を所定の反射率を有する複数の反
射面より成る2つの分割プリズムと該2つの分割プリズ
ムの間に配置した偏光面を90度回転させる光学素子と
を有する光束分割部材に入射させ、該光束分割部材から
射出した光束を被照射面に導光させたことを特徴とする
照明光学系。 - (2)前記分割プリズムの複数の反射面は一方向の偏光
成分の光束を強度的に等分割して反射させるように構成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の照明光学系。 - (3)前記2つの分割プリズムを該分割プリズムの反射
面が光束の進行方向に対して互いに直交するように配置
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の照明
光学系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109983A JPH0666246B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 照明光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61109983A JPH0666246B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 照明光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62265722A true JPS62265722A (ja) | 1987-11-18 |
| JPH0666246B2 JPH0666246B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14524104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61109983A Expired - Fee Related JPH0666246B2 (ja) | 1986-05-14 | 1986-05-14 | 照明光学系 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666246B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100280431B1 (ko) * | 1998-01-20 | 2001-04-02 | 김영환 | 노광장치의웨이퍼정렬방법 |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US8861084B2 (en) | 2004-01-16 | 2014-10-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarization-modulating optical element |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9581911B2 (en) | 2004-01-16 | 2017-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
-
1986
- 1986-05-14 JP JP61109983A patent/JPH0666246B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100280431B1 (ko) * | 1998-01-20 | 2001-04-02 | 김영환 | 노광장치의웨이퍼정렬방법 |
| US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
| US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
| US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
| US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
| US8861084B2 (en) | 2004-01-16 | 2014-10-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Polarization-modulating optical element |
| US9316772B2 (en) | 2004-01-16 | 2016-04-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Producing polarization-modulating optical element for microlithography system |
| US9581911B2 (en) | 2004-01-16 | 2017-02-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Polarization-modulating optical element |
| US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
| US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666246B2 (ja) | 1994-08-24 |
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