JPS62268104A - 円筒型サ−ジ吸収素子 - Google Patents
円筒型サ−ジ吸収素子Info
- Publication number
- JPS62268104A JPS62268104A JP11211986A JP11211986A JPS62268104A JP S62268104 A JPS62268104 A JP S62268104A JP 11211986 A JP11211986 A JP 11211986A JP 11211986 A JP11211986 A JP 11211986A JP S62268104 A JPS62268104 A JP S62268104A
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- Japan
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- cylindrical
- conductive
- ceramic
- surge absorbing
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は円筒型サージ吸収素子に係り、特に組立てが容
易でしかも小型化を図ることが可能な円筒型サージ吸収
素子に関する。
易でしかも小型化を図ることが可能な円筒型サージ吸収
素子に関する。
［従来の技術］
廿 −シ 雷 ｆＦ ｆ／ αら ロ す Ｚ、 井
−少 αも ロ 去 扁−Ｌ−６士ギャップ式サージ吸
収器又は酸化亜鉛系バリスタ等の電圧非直線抵抗体等が
現在広く用いられている。しかしながら、ギャップ式サ
ージ吸収器は、放電遅れが大きく、明暗効果により特性
の安定性に欠けること、及び、酸化亜鉛系バリスタでは
絶縁抵抗が小さいことから、十分なサージ電圧吸収効果
が得られないという欠点を有している。
−少 αも ロ 去 扁−Ｌ−６士ギャップ式サージ吸
収器又は酸化亜鉛系バリスタ等の電圧非直線抵抗体等が
現在広く用いられている。しかしながら、ギャップ式サ
ージ吸収器は、放電遅れが大きく、明暗効果により特性
の安定性に欠けること、及び、酸化亜鉛系バリスタでは
絶縁抵抗が小さいことから、十分なサージ電圧吸収効果
が得られないという欠点を有している。
本出願人は、このような従来のサージ吸収素子の特性不
良を解消するものとして、マイクロギャップ式サージ吸
収素子を見出し、先に特許出願した（特開昭５５−１２
８２８３゜以下、「先願」という。） 先願のサージ吸収素子は、第２図に示す如く、セラミッ
クス絶縁体１１の表面にマイクロギャップの絶縁溝１２
を有する導電性皮膜１３を形成したセラミックス素子１
４の両端にリード線１５付の電極１６を設け、これを絶
縁性の外装体１７内に入れ、その両端を熱融着等て封着
してなるものである。
良を解消するものとして、マイクロギャップ式サージ吸
収素子を見出し、先に特許出願した（特開昭５５−１２
８２８３゜以下、「先願」という。） 先願のサージ吸収素子は、第２図に示す如く、セラミッ
クス絶縁体１１の表面にマイクロギャップの絶縁溝１２
を有する導電性皮膜１３を形成したセラミックス素子１
４の両端にリード線１５付の電極１６を設け、これを絶
縁性の外装体１７内に入れ、その両端を熱融着等て封着
してなるものである。
第２図に示すようなマイクロギャップ式サージ吸収素子
は、放電遅れや明暗による特性の違いもなく、絶縁抵抗
値も大きい等の優れた特性を有している。
は、放電遅れや明暗による特性の違いもなく、絶縁抵抗
値も大きい等の優れた特性を有している。
［発明が解決しようとする問題点］
第２図に示すマイクロギャップ式のサージ吸収素子は、
このようにサージ電圧の吸収特性の面からは極めて優れ
ているものであるにもかかわらず、その構造上、次のよ
うな問題点を有していた。
このようにサージ電圧の吸収特性の面からは極めて優れ
ているものであるにもかかわらず、その構造上、次のよ
うな問題点を有していた。
■ セラミックス素子１４を外装体１７内に固定する際
、素子１４と外装体１７との位置決めが難しく、組立て
時に対称位置に設定し、効果的な空間を保有させること
が必ずしも容易ではない。
、素子１４と外装体１７との位置決めが難しく、組立て
時に対称位置に設定し、効果的な空間を保有させること
が必ずしも容易ではない。
■ 外装体１７の両端は熱融着等により封着されるので
あるが、その熱融着時の熱影響の伝達を防止するために
、外装体１７の大きさをセラミックス素子１４に対しで
ある程度大きくとり、空間１８を設けておく必要がある
ことから、サージ吸収素子の小型化には限界がある。
あるが、その熱融着時の熱影響の伝達を防止するために
、外装体１７の大きさをセラミックス素子１４に対しで
ある程度大きくとり、空間１８を設けておく必要がある
ことから、サージ吸収素子の小型化には限界がある。
［問題点を解決するための手段］
本発明は上記従来の問題点を解決し、組立作業が容易で
しかも小型化が可能なサージ吸収素子を提供するもので
あって、 セラミックス絶縁体の表面に、絶縁溝を有する導電性皮
膜を形成したセラミックス素子が円筒形の絶縁性外装体
に内装されてなる円筒型サージ吸収素子であって、前記
外装体の両端側に円盤形の電極を配設すると共に、セラ
ミックス素子の両端に外装体の内径とほぼ等しい外径を
有する導電性キャップを蓋着し、このキャップを前記電
極に当接させたことを特徴とする円筒型サージ吸収素子
、 を要旨とするものである。
しかも小型化が可能なサージ吸収素子を提供するもので
あって、 セラミックス絶縁体の表面に、絶縁溝を有する導電性皮
膜を形成したセラミックス素子が円筒形の絶縁性外装体
に内装されてなる円筒型サージ吸収素子であって、前記
外装体の両端側に円盤形の電極を配設すると共に、セラ
ミックス素子の両端に外装体の内径とほぼ等しい外径を
有する導電性キャップを蓋着し、このキャップを前記電
極に当接させたことを特徴とする円筒型サージ吸収素子
、 を要旨とするものである。
［作用］
本発明のサージ吸収素子は、セラミックス素子の両端に
外装体の内径とほぼ等しい外径を有する導電性キャップ
が蓋着されているため、セラミックス素子を容易に外装
体内に位置決め設定することができる。また、放電のた
めの有効空間も確保することができる。
外装体の内径とほぼ等しい外径を有する導電性キャップ
が蓋着されているため、セラミックス素子を容易に外装
体内に位置決め設定することができる。また、放電のた
めの有効空間も確保することができる。
しかも、円筒形の外装体の両端側に円盤形の電極を配設
してこれを前記キャップに当接させているため、外装体
内に余分な空間を設ける必要もなく、装置の小型化を図
ることが可能となる。
してこれを前記キャップに当接させているため、外装体
内に余分な空間を設ける必要もなく、装置の小型化を図
ることが可能となる。
［実施例］
以下、図面を参照して本発明の円筒型サージ吸収素子の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第１図は本発明の円筒型サージ吸収素子の一実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
本発明の円筒型サージ吸収素子１は、セラミックス絶縁
体２の表面に、絶縁溝３を有する導電性成［４を形成し
てなるセラミックス素子５が円筒形の絶縁性外装体６に
内装されており、セラミックス素子５の両端には、外装
体６の内径とほぼ等しい外径を有する導電性キャップ７
が蓋着されている。しかして、外装体６の両端側には円
盤形の電極８が導電性キャップ７に当接して配設されて
いる。 以下に本発明のサージ吸収素子の各構成＊ｎ
唾す ／Ｉ＋Ｉ ｅ’ｔ ｍ １９ ／％ １
．％ （飄 ｎｏ −Ｊ−７セラミツクス絶縁体２
は、電極間にサージ電圧が印加された場合、導電性皮膜
４の絶縁溝３に電界を集中させる。絶縁体のセラミック
ス材料としては、例えばムライト磁器、フォルステライ
ト磁器、アルミナ磁器、ステアタイト磁器等が好適であ
る。
体２の表面に、絶縁溝３を有する導電性成［４を形成し
てなるセラミックス素子５が円筒形の絶縁性外装体６に
内装されており、セラミックス素子５の両端には、外装
体６の内径とほぼ等しい外径を有する導電性キャップ７
が蓋着されている。しかして、外装体６の両端側には円
盤形の電極８が導電性キャップ７に当接して配設されて
いる。 以下に本発明のサージ吸収素子の各構成＊ｎ
唾す ／Ｉ＋Ｉ ｅ’ｔ ｍ １９ ／％ １
．％ （飄 ｎｏ −Ｊ−７セラミツクス絶縁体２
は、電極間にサージ電圧が印加された場合、導電性皮膜
４の絶縁溝３に電界を集中させる。絶縁体のセラミック
ス材料としては、例えばムライト磁器、フォルステライ
ト磁器、アルミナ磁器、ステアタイト磁器等が好適であ
る。
絶縁体２、外装体６、導電性キャップ７の形状には制限
はないが、通常は円柱形または円筒形状とするのが好ま
しい。
はないが、通常は円柱形または円筒形状とするのが好ま
しい。
このようなセラミックス絶縁体２の表面に形成する導電
性皮膜４としては、銀等の金属製皮膜、その他導電性の
セラミックス皮膜が採用される。
性皮膜４としては、銀等の金属製皮膜、その他導電性の
セラミックス皮膜が採用される。
導電性セラミックスとしては、導電性金属酸化物及び侵
入型窒化物を含む導電性セラミックスが挙げられ、導電
性金属酸化物としては、Ｓ ｎ０２、Ｎｂ２０３、ＭＯ
Ｏ３、ＷＯ２等が好適である。
入型窒化物を含む導電性セラミックスが挙げられ、導電
性金属酸化物としては、Ｓ ｎ０２、Ｎｂ２０３、ＭＯ
Ｏ３、ＷＯ２等が好適である。
一方、侵入型窒化物としては主として遷移元素の窒化物
がこれに相当し、金属原子の隙間に窒素原子が侵入した
構造であるので、微量の不純物８−送＋ｎ１．ｆｐどで
φ、道雷椅ル友ナスも小−瓢ｈＴｉＮ、ＴａＮ等が好適
である。これらの導電性金属酸化物及び侵入型窒化物は
いずれも融点が高く、耐酸化性、耐食性に優れている。
がこれに相当し、金属原子の隙間に窒素原子が侵入した
構造であるので、微量の不純物８−送＋ｎ１．ｆｐどで
φ、道雷椅ル友ナスも小−瓢ｈＴｉＮ、ＴａＮ等が好適
である。これらの導電性金属酸化物及び侵入型窒化物は
いずれも融点が高く、耐酸化性、耐食性に優れている。
絶縁体２の表面にこれら導電性皮膜４を形成するには、
めっき、スパッタリングあるいはイオンブレーティング
等の気相蒸着法が有利である。
めっき、スパッタリングあるいはイオンブレーティング
等の気相蒸着法が有利である。
このような導電性皮膜４に設ける絶縁溝３は、放電遅れ
を低減するためには細い方が好ましいが、狭すぎると放
電の際の融着による短絡の恐れがある。
を低減するためには細い方が好ましいが、狭すぎると放
電の際の融着による短絡の恐れがある。
なお、第１図においては、溝３を１本設けた例が示され
ているが、溝３はサージ吸収素子の用途等に応じて２本
以上の複数本としても良い。
ているが、溝３はサージ吸収素子の用途等に応じて２本
以上の複数本としても良い。
絶縁溝３は通常レーザー加工により形成され、レーザー
としては、ＹＡＧレーザー等の固体レーザー、アルゴン
ガスレーザー等のガスレーザーが使用される。特にＹＡ
Ｇレーザーは安定性が高く好適である。
としては、ＹＡＧレーザー等の固体レーザー、アルゴン
ガスレーザー等のガスレーザーが使用される。特にＹＡ
Ｇレーザーは安定性が高く好適である。
このようなセラミックス素子５に装着する導電性キャッ
プ７は外装体６の内径とほぼ等しいか若干小さい外径を
有するものであれば良く、その形状は図示のものに限ら
れない。また、導電性キャップ７の材質は導電性セラミ
ックスの他、金属等の導電性物質が採用される。
プ７は外装体６の内径とほぼ等しいか若干小さい外径を
有するものであれば良く、その形状は図示のものに限ら
れない。また、導電性キャップ７の材質は導電性セラミ
ックスの他、金属等の導電性物質が採用される。
この導電性キャップ７はセラミックス素子５の外装体内
の位置決めを容易にし、しかも放電に必要な空間１０を
十分に確保し、サージ耐量等の電気的特性を向上させる
作用を有する。
の位置決めを容易にし、しかも放電に必要な空間１０を
十分に確保し、サージ耐量等の電気的特性を向上させる
作用を有する。
なお、本発明のサージ吸収素子１は、外装体６に導電性
キャップ７をかぶせたセラミックス素子５を挿入して電
極８で封入するものであるので、外装体６と電極８とは
熱膨張差の少ない材質を選定することが好ましい。
キャップ７をかぶせたセラミックス素子５を挿入して電
極８で封入するものであるので、外装体６と電極８とは
熱膨張差の少ない材質を選定することが好ましい。
外装体６としては通常ガラス等の絶縁性物質が採用され
る。電極８としては、ジュメット、コバール等が用いら
れる。
る。電極８としては、ジュメット、コバール等が用いら
れる。
本発明のサージ吸収素子１はセラミックス素子５の両端
に導電性キャップ７を装着させたものを円筒状の外装体
６に挿入し、外装体６の両端に円盤形の電極８をキャッ
プ７に当接するように嵌め込んで封入することにより、
セラミックス素子を外装体内に位置決めするに際し、煩
雑な操作を要することなく容易に組立てることができる
。
に導電性キャップ７を装着させたものを円筒状の外装体
６に挿入し、外装体６の両端に円盤形の電極８をキャッ
プ７に当接するように嵌め込んで封入することにより、
セラミックス素子を外装体内に位置決めするに際し、煩
雑な操作を要することなく容易に組立てることができる
。
なお、この場合、封入ガスとしては、希ガス及び窒素ガ
スよりなる群の中から選ばれた少なくとも一種のガスを
使用する。封入ガスの圧力については特に限定されない
が、減圧であることが好適である。
スよりなる群の中から選ばれた少なくとも一種のガスを
使用する。封入ガスの圧力については特に限定されない
が、減圧であることが好適である。
第１図においては、電極８にリード線を設けていないサ
ージ吸収素子について示したが、本発明のサージ吸収素
子は電極８にリード線を接続したタイプのものであって
も良い。しかしながら、リード線を接続したものでは、 ■ リード線の浮遊容量による高周波信号の歪を生じる
。
ージ吸収素子について示したが、本発明のサージ吸収素
子は電極８にリード線を接続したタイプのものであって
も良い。しかしながら、リード線を接続したものでは、 ■ リード線の浮遊容量による高周波信号の歪を生じる
。
■ リード線によって他の電子部品との空間的配置に制
限を受ける。また基板等への装着が困難であり装着機構
も複雑である。
限を受ける。また基板等への装着が困難であり装着機構
も複雑である。
■ リート線の部分が長く、小型化に限界があり材料費
等のコスト低減が難しい。
等のコスト低減が難しい。
等の問題を生じることがあることから、リード線を設け
ない形式とするのが有利である。
ない形式とするのが有利である。
［発明の効果コ
以上詳述した通り、本発明の円筒型サージ吸収素子は、
セラミックス絶縁体の表面に、絶縁溝を有する導電性皮
膜を形成してなるセラミックス素子が円筒形の絶縁性外
装体に内装されてなる円筒型サージ吸収素子であって、
前記外装体の両端側に円盤形の電極を配設すると共に、
セラミックス素子の両端に外装体の内径とほぼ等しい外
径を有する導電性キャップを装着し、このキャップを前
記電極に当接させてなるものであって、マイクロギャッ
プ式サージ吸収素子の著しく優れたサージ吸収特性を具
備する上に、構成部材の組立が容易でしかも小型化を図
ることができるという特徴を有する。
セラミックス絶縁体の表面に、絶縁溝を有する導電性皮
膜を形成してなるセラミックス素子が円筒形の絶縁性外
装体に内装されてなる円筒型サージ吸収素子であって、
前記外装体の両端側に円盤形の電極を配設すると共に、
セラミックス素子の両端に外装体の内径とほぼ等しい外
径を有する導電性キャップを装着し、このキャップを前
記電極に当接させてなるものであって、マイクロギャッ
プ式サージ吸収素子の著しく優れたサージ吸収特性を具
備する上に、構成部材の組立が容易でしかも小型化を図
ることができるという特徴を有する。
従って、このような本発明の円筒型サージ吸収素子は各
種設備のサージ電圧吸収機構として工業的に極めて有用
である。
種設備のサージ電圧吸収機構として工業的に極めて有用
である。
′ｉ！１１図は本発明の円筒型サージ吸収素子の一実施
例を示す断面図、第２図は従来のサージ吸収素子の断面
図である。 １・・・サージ吸収素子、 ２・・・絶縁体、３・・
・絶縁溝、 ４・・・導電性皮膜、５・・・セ
ラミックス素子、６・・・外装体、７・・・導電性キャ
ップ、 ８・・・電極。 代理人 弁理士 重 野 剛第１図 第２図 手続補正書 昭和６１年特許願第１１２１１９号 ２ 発明の名称 円筒型サージ吸収素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 三菱鉱業セメント株式会社４ 代理人 住 所 東京都港区赤坂４丁目８番１９号〒１０７
赤坂表町ビル５０２号 自 発 ６ 補正の対象 ７ 補正の内容 （１） 明細書第８頁第１５行に「ジュメット」とある
のを「ジュメット１と訂正する。 以 上
例を示す断面図、第２図は従来のサージ吸収素子の断面
図である。 １・・・サージ吸収素子、 ２・・・絶縁体、３・・
・絶縁溝、 ４・・・導電性皮膜、５・・・セ
ラミックス素子、６・・・外装体、７・・・導電性キャ
ップ、 ８・・・電極。 代理人 弁理士 重 野 剛第１図 第２図 手続補正書 昭和６１年特許願第１１２１１９号 ２ 発明の名称 円筒型サージ吸収素子 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 三菱鉱業セメント株式会社４ 代理人 住 所 東京都港区赤坂４丁目８番１９号〒１０７
赤坂表町ビル５０２号 自 発 ６ 補正の対象 ７ 補正の内容 （１） 明細書第８頁第１５行に「ジュメット」とある
のを「ジュメット１と訂正する。 以 上
Claims (1)
- （１）セラミックス絶縁体の表面に、絶縁溝を有する導
電性皮膜を形成したセラミックス素子が円筒形の絶縁性
外装体に内装されてなる円筒型サージ吸収素子であって
、前記外装体の両端側に円盤形の電極を配設すると共に
、セラミックス素子の両端に外装体の内径とほぼ等しい
外径を有する導電性キャップを蓋着し、このキャップを
前記電極に当接させたことを特徴とする円筒型サージ吸
収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11211986A JPS62268104A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 円筒型サ−ジ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11211986A JPS62268104A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 円筒型サ−ジ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62268104A true JPS62268104A (ja) | 1987-11-20 |
| JPH054793B2 JPH054793B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=14578657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11211986A Granted JPS62268104A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 円筒型サ−ジ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62268104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007188754A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバの製造方法 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11211986A patent/JPS62268104A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007188754A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH054793B2 (ja) | 1993-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |