JPS6226845A - Ｌｃｃ型半導体装置 - Google Patents
Ｌｃｃ型半導体装置Info
- Publication number
- JPS6226845A JPS6226845A JP60166485A JP16648585A JPS6226845A JP S6226845 A JPS6226845 A JP S6226845A JP 60166485 A JP60166485 A JP 60166485A JP 16648585 A JP16648585 A JP 16648585A JP S6226845 A JPS6226845 A JP S6226845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- glass
- lcc
- ceramic
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/60—Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、時にセラミ。
り蓋部の封止に、硝子を用いて封止してなるＬＣＣ（リ
ードレス セラミ、クチラグキャリア）を半導体装置の
構造に関するものである。
ードレス セラミ、クチラグキャリア）を半導体装置の
構造に関するものである。
従来のＬＣＣ型半導体装置は、第４図の平面図に示す様
に、ＬＣＣセラミック基体２１のキャビィティの中央部
に半導体素子３を固着したのち。
に、ＬＣＣセラミック基体２１のキャビィティの中央部
に半導体素子３を固着したのち。
半導体素子３の電極とセラミック基体ｌの肩部の配線パ
ターン２との間を金属細線４で配線した後、第４図のＡ
−Ａ線に該当する＠面を示す第５図のように、セラミッ
ク蓋部８の封止硝子９を用いて、セラミック基体２１の
封止面５とを封止してＬＣＣ型半導体装置となっていた
。
ターン２との間を金属細線４で配線した後、第４図のＡ
−Ａ線に該当する＠面を示す第５図のように、セラミッ
ク蓋部８の封止硝子９を用いて、セラミック基体２１の
封止面５とを封止してＬＣＣ型半導体装置となっていた
。
上述した従来のＬＣＣ型半導体装置は、ＬＣＣＣクセ、
り基体の封止面が＋現である為、硝子材料で封止しても
、ＬＣＣＣＣセラミック基体セラξ、り蓋部と封止硝子
との徽層力は硝子材料のＡ夏により決定し、半導体素子
を封止するに使用する他の硝子材料でも大差はない。そ
の為、ＬＣＣ型半導体装置の接着力は構造的に一定の可
変しか有していなかった。このことは、１！気的特性の
選別工程、捺印等の仕上工程のハンドリングによっては
、 ａ！ｔ’ｉ！７性不良の１生又はセラミック基体の
封止面からの剥れ不良の発生の原因となる。更に、最近
のメモリ寺を搭載した場合、使用する部材からのα線放
射による、いわゆる１ン７トエラー〃対木として、半導
体素子の表面に保護膜を形成するが、その時も、ＬＣＣ
セラミック基体の封止ｊが平坦である為、封止硝子を商
工温度の鍋温に処理すると、保護族（一般にポリイミド
膜）から出るカスが抜けにくくなり、ＬＣＣセラミック
基体のキャビィティ内の内圧が上り、封止硝子の封止中
が細くなる事があり、封止工程以後のハンドリングによ
ってはより気密性不良の発生又は封止面からの剥れ不良
が発生し易くなり、高品質の半導体装置を提供する事が
出来ない欠点があった。
り基体の封止面が＋現である為、硝子材料で封止しても
、ＬＣＣＣＣセラミック基体セラξ、り蓋部と封止硝子
との徽層力は硝子材料のＡ夏により決定し、半導体素子
を封止するに使用する他の硝子材料でも大差はない。そ
の為、ＬＣＣ型半導体装置の接着力は構造的に一定の可
変しか有していなかった。このことは、１！気的特性の
選別工程、捺印等の仕上工程のハンドリングによっては
、 ａ！ｔ’ｉ！７性不良の１生又はセラミック基体の
封止面からの剥れ不良の発生の原因となる。更に、最近
のメモリ寺を搭載した場合、使用する部材からのα線放
射による、いわゆる１ン７トエラー〃対木として、半導
体素子の表面に保護膜を形成するが、その時も、ＬＣＣ
セラミック基体の封止ｊが平坦である為、封止硝子を商
工温度の鍋温に処理すると、保護族（一般にポリイミド
膜）から出るカスが抜けにくくなり、ＬＣＣセラミック
基体のキャビィティ内の内圧が上り、封止硝子の封止中
が細くなる事があり、封止工程以後のハンドリングによ
ってはより気密性不良の発生又は封止面からの剥れ不良
が発生し易くなり、高品質の半導体装置を提供する事が
出来ない欠点があった。
本発明の半導体装置は、ＬＣＣセラミック基体の封止面
を横切る韓を多数設けており、その形成力法はセラミッ
ク基体の上層のセラミック積層部に設けたり、又は従来
と同様な方法で、平坦な封止面を有するセラミック基体
を形成した後に、セラミック基体と同材質をコーティン
グ法を用いて碑を設は焼、成して４１１１成されている
。その為、セラミック蓋部の封止硝子で封止する時に、
封止硝子が完全に溶融するまではセラミック基体の封止
面の溝がある為、封止工程で半導体素子の保護族から発
生するガスを抜く事が出来、キャビィティ部の内圧を大
きくする事がない。更に、封止硝子が完全に溶融すれば
封止面の溝に流れ込み、接着面積の増加により接着強度
を上げる事が出来る。
を横切る韓を多数設けており、その形成力法はセラミッ
ク基体の上層のセラミック積層部に設けたり、又は従来
と同様な方法で、平坦な封止面を有するセラミック基体
を形成した後に、セラミック基体と同材質をコーティン
グ法を用いて碑を設は焼、成して４１１１成されている
。その為、セラミック蓋部の封止硝子で封止する時に、
封止硝子が完全に溶融するまではセラミック基体の封止
面の溝がある為、封止工程で半導体素子の保護族から発
生するガスを抜く事が出来、キャビィティ部の内圧を大
きくする事がない。更に、封止硝子が完全に溶融すれば
封止面の溝に流れ込み、接着面積の増加により接着強度
を上げる事が出来る。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例に係る蓋をして封止す
る前の千直図でめる。第１図（ａ）において、これを第
４図の従来例と比べると％本例では、七クイックの蓋を
かぶせて封止する。ＬＣＣセラミ。
る前の千直図でめる。第１図（ａ）において、これを第
４図の従来例と比べると％本例では、七クイックの蓋を
かぶせて封止する。ＬＣＣセラミ。
り基体１の封止面５に、この封止面を横切る８箇所の浅
い溝６が設けられていることに違いがあシ、その他は同
じである。Ｉｓ６は、第１図（ａ）のＡ−Ａ断面を示す
同図（ｂ）のように、セラミック基体ｌの上層部１ａよ
シ浅く形成している。
い溝６が設けられていることに違いがあシ、その他は同
じである。Ｉｓ６は、第１図（ａ）のＡ−Ａ断面を示す
同図（ｂ）のように、セラミック基体ｌの上層部１ａよ
シ浅く形成している。
第２図は、第１図のケース基体にセラミックの蓋８をか
ぶせて蓋８の封止カラス９により封止した完成品を示す
、第１図（ａ）のＡ−Ａ線の部分に該当する断面図であ
る。
ぶせて蓋８の封止カラス９により封止した完成品を示す
、第１図（ａ）のＡ−Ａ線の部分に該当する断面図であ
る。
第３図は、第１図において封止面の′＃ＩＩ６をセラミ
ック基体の上層セラミックに設けたのに対し、セラミッ
ク基体１１の封止面に、セラミック基体のセラミックと
同じ材質のセラミックのコーティング１２で溝７を設け
、焼成により硬化させて形成したものである。
ック基体の上層セラミックに設けたのに対し、セラミッ
ク基体１１の封止面に、セラミック基体のセラミックと
同じ材質のセラミックのコーティング１２で溝７を設け
、焼成により硬化させて形成したものである。
以上ｉ！５ｉ！明したように本発明は、Ｉ、ＣＣセラミ
ック基体の封止面に溝を設けであることにより、封止硝
子の封止−産前の硝子の溶融で気密封止される事がない
為、半導体素子に保護膜を用いている場合の発生するカ
スのガス抜きを行なう事が出来、艶に、封止硝子の封止
温度に到達して、硝子が完全に溶融すれば、ＬＣＣセラ
ミック基体の封止面に設けた溝も完全に気密封止する事
が出来る０このことは、セラミック蓋部の封止硝子とＬ
ＣＣセラミック基体の封止面との接着面積の増大により
接着強度が向上し、封止工程以後のＩ・ンドリンクによ
る気密性の劣化及び剥れたシする事なく、高品質のＬＣ
Ｃ型半導体装置を提供する事が出来る効果がある。
ック基体の封止面に溝を設けであることにより、封止硝
子の封止−産前の硝子の溶融で気密封止される事がない
為、半導体素子に保護膜を用いている場合の発生するカ
スのガス抜きを行なう事が出来、艶に、封止硝子の封止
温度に到達して、硝子が完全に溶融すれば、ＬＣＣセラ
ミック基体の封止面に設けた溝も完全に気密封止する事
が出来る０このことは、セラミック蓋部の封止硝子とＬ
ＣＣセラミック基体の封止面との接着面積の増大により
接着強度が向上し、封止工程以後のＩ・ンドリンクによ
る気密性の劣化及び剥れたシする事なく、高品質のＬＣ
Ｃ型半導体装置を提供する事が出来る効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の蓋を除いた状態の平
面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２
図は第ｉｌｌの状態に蓋をし九本発明の一実施例の断面
図、第３図は本発明の他の実施例に係る、蓋をかぶせる
前のＬＣＣセラミック基体の断面図、第４図は従来の半
導体装置の蓋を除いた状態の平面図、第５図は、第４図
、の状態に蓋をかぶせた状態の第４図Ａ−Ａ線に該当す
るＷＴ面図である０１．１１．２１・・・・・・ＬＣＣ
セラミック基体、２・・・・・・配線パターン、３・・
・・・・半導体素子、４・・・・・・金属細線、５・・
・・・・封止面、６，７・・・・・・封止面の溝、８・
・・・・・蓋、９・・・・・封止ガラス。
面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第２
図は第ｉｌｌの状態に蓋をし九本発明の一実施例の断面
図、第３図は本発明の他の実施例に係る、蓋をかぶせる
前のＬＣＣセラミック基体の断面図、第４図は従来の半
導体装置の蓋を除いた状態の平面図、第５図は、第４図
、の状態に蓋をかぶせた状態の第４図Ａ−Ａ線に該当す
るＷＴ面図である０１．１１．２１・・・・・・ＬＣＣ
セラミック基体、２・・・・・・配線パターン、３・・
・・・・半導体素子、４・・・・・・金属細線、５・・
・・・・封止面、６，７・・・・・・封止面の溝、８・
・・・・・蓋、９・・・・・封止ガラス。
Claims (3)
- （１）ＬＣＣ型のセラミック基体のキャビティに半導体
素子を固着し、セラミックの蓋をして硝子で封止してな
るＬＣＣ型半導体装置において、前記ＬＣＣ基体の封止
面には、予じめこの封止面を横切る多数の溝が設けられ
、この封止面にて前記セラミックの蓋の硝子封止がなさ
れていることを特徴とするＬＣＣ型半導体装置。 - （２）上記ＬＣＣセラミック基体の封止面に予じめ設け
られている溝の深さは、前記ＬＣＣセラミック基体上層
部の厚さより浅いことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のＬＣＣ型半導体装置。 - （３）上記ＬＣＣセラミック基体の封止面に予じめ設け
られていた溝は、前記ＬＣＣセラミック基体と同じ材質
のコーティングにより形成したものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載のＬＣＣ型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60166485A JPS6226845A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | Ｌｃｃ型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60166485A JPS6226845A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | Ｌｃｃ型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6226845A true JPS6226845A (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=15832265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60166485A Pending JPS6226845A (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | Ｌｃｃ型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6226845A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010107325A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Hitachi Automotive Systems Ltd | センサ装置およびその製造方法 |
| CN104368625A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-02-25 | 无锡市得力手机械有限公司 | 收线装置 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60166485A patent/JPS6226845A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010107325A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Hitachi Automotive Systems Ltd | センサ装置およびその製造方法 |
| CN104368625A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-02-25 | 无锡市得力手机械有限公司 | 收线装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3716907A (en) | Method of fabrication of semiconductor device package | |
| US4572924A (en) | Electronic enclosures having metal parts | |
| JPS61137372A (ja) | コンデンサーの圧力センサーとその製作方法 | |
| JPS62254439A (ja) | 大面積の電力用電子デバイスを基板上に固定する方法 | |
| US3689336A (en) | Fabrication of packages for integrated circuits | |
| KR20050031191A (ko) | Ｆｂａｒ 듀플렉서 소자 및 그 제조 방법 | |
| US3233309A (en) | Method of producing electrically asymmetrical semiconductor device of symmetrical mechanical design | |
| JP2569946B2 (ja) | 陽極接合方法 | |
| KR0129500B1 (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
| TWI905594B (zh) | 扇出型封裝體的製備方法 | |
| US5006143A (en) | Method of producing a joined article through bonding with low melting point glass | |
| JPS63143851A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH027453A (ja) | ガラスキャップ法 | |
| JPH01194446A (ja) | 半導体チップの樹脂封止用セラミック基板 | |
| JPH08316504A (ja) | 光学部品およびその製造方法 | |
| JPH03108361A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| US5237206A (en) | Low-melting point glass sealed semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPS57121256A (en) | Ceramic multilayer wiring structure | |
| KR0146189B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| GB1258870A (ja) | ||
| JPS6395651A (ja) | セラミツクｉｃパツケ−ジ基板の製造法 | |
| JPS5749276A (en) | Manufacture of semiconductor pressure sensor | |
| JPS5784181A (en) | Formation of sealed chamber of semiconductor pressure sensor | |
| JPH0547948A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS55110048A (en) | Pellet bonding method |