JPS622698B2 - - Google Patents
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- JPS622698B2 JPS622698B2 JP10373281A JP10373281A JPS622698B2 JP S622698 B2 JPS622698 B2 JP S622698B2 JP 10373281 A JP10373281 A JP 10373281A JP 10373281 A JP10373281 A JP 10373281A JP S622698 B2 JPS622698 B2 JP S622698B2
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- Japan
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- observation window
- bell gear
- gas
- vapor phase
- phase growth
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、石英ベルジヤの外側を金属ベルジヤ
で被つた半導体気相成長装置に係り、特に内部の
温度を放射温度計で測定するための観測窓および
温度センサの取付け構造に関するものである。
で被つた半導体気相成長装置に係り、特に内部の
温度を放射温度計で測定するための観測窓および
温度センサの取付け構造に関するものである。
縦型の半導体気相成長装置は、一般的に第１図
に示すように、石英ベルジヤ１の外側をステンレ
ス製などの金属ベルジヤ２で被い、金属ベルジヤ
２の下部とベースプレート３との間を気密に保つ
て反応室４を形成し、この反応室４内にウエハ５
を載置して抵速回転するサセプタ６、このサセプ
タ６を加熱する高周波誘導加熱コイル７および反
応ガスやエツチンゲガスを噴出するノズル８が収
納されている。サセプタ６およびその上のウエハ
５は、反応に適した所定温度にコントロールする
必要があり、このため従来は、第１図に示すよう
に、金属ベルジヤ２に観測窓９を設け、相当離れ
た位置に設置した放射温度計１０により前記サセ
プタ６およびウエハ５の温度を測定するようにな
つていた。なお、前記石英ベルジヤ１は金属ベル
ジヤ２の内面に突出させた数個の支え金１１によ
り支持されており、両ベルジヤ１，２間の間隙は
反応室４に連通しているため、前記観測窓９の開
口は透明ガラス１２によつて気密に塞さがれてい
る。その上、両ベルジヤ１，２間にノズル８から
の反応ガスが進入すると、金属ベルジヤ２を腐蝕
させたり、石英ベルジヤ１および透明ガラス１２
に反応物質が付着して曇らせ、温度測定の精度を
低下させるため、金属ベルジヤ２の上部にパージ
用ガスを供給するガス導入管１３を接続して両ベ
ルジヤ１，２間をパージ用ガスで満たすようにす
ることにより、両ベルジヤ１，２間へノズル８か
らの反応ガスが進入しないようにし、さらにはガ
ス導入管１３から分岐管１４を出してパージ用ガ
スを透明ガラス１２の内面に吹付け、この透明ガ
ラス１２の曇をより完全に防止するようにしてい
た。しかしながら、このように放射温度計１０を
金属ベルジヤ２から遠く離した場合には、観測窓
９を相当広くしないとサセプタ６の全域の温度を
測定することができず、観測窓９を広くすると曇
る部分が広くなり、また曇る程度も場所によつて
相違し、加熱されているサセプタ６からの放射熱
量が透明ガラス１２を通過した後で部分的に異な
る結果となつて誤差を生ずる。なお、第１図にお
いて、１５は排気口、１６は冷却管、１７はサセ
プタ６を回転可能に支持する中空軸である。
に示すように、石英ベルジヤ１の外側をステンレ
ス製などの金属ベルジヤ２で被い、金属ベルジヤ
２の下部とベースプレート３との間を気密に保つ
て反応室４を形成し、この反応室４内にウエハ５
を載置して抵速回転するサセプタ６、このサセプ
タ６を加熱する高周波誘導加熱コイル７および反
応ガスやエツチンゲガスを噴出するノズル８が収
納されている。サセプタ６およびその上のウエハ
５は、反応に適した所定温度にコントロールする
必要があり、このため従来は、第１図に示すよう
に、金属ベルジヤ２に観測窓９を設け、相当離れ
た位置に設置した放射温度計１０により前記サセ
プタ６およびウエハ５の温度を測定するようにな
つていた。なお、前記石英ベルジヤ１は金属ベル
ジヤ２の内面に突出させた数個の支え金１１によ
り支持されており、両ベルジヤ１，２間の間隙は
反応室４に連通しているため、前記観測窓９の開
口は透明ガラス１２によつて気密に塞さがれてい
る。その上、両ベルジヤ１，２間にノズル８から
の反応ガスが進入すると、金属ベルジヤ２を腐蝕
させたり、石英ベルジヤ１および透明ガラス１２
に反応物質が付着して曇らせ、温度測定の精度を
低下させるため、金属ベルジヤ２の上部にパージ
用ガスを供給するガス導入管１３を接続して両ベ
ルジヤ１，２間をパージ用ガスで満たすようにす
ることにより、両ベルジヤ１，２間へノズル８か
らの反応ガスが進入しないようにし、さらにはガ
ス導入管１３から分岐管１４を出してパージ用ガ
スを透明ガラス１２の内面に吹付け、この透明ガ
ラス１２の曇をより完全に防止するようにしてい
た。しかしながら、このように放射温度計１０を
金属ベルジヤ２から遠く離した場合には、観測窓
９を相当広くしないとサセプタ６の全域の温度を
測定することができず、観測窓９を広くすると曇
る部分が広くなり、また曇る程度も場所によつて
相違し、加熱されているサセプタ６からの放射熱
量が透明ガラス１２を通過した後で部分的に異な
る結果となつて誤差を生ずる。なお、第１図にお
いて、１５は排気口、１６は冷却管、１７はサセ
プタ６を回転可能に支持する中空軸である。
本発明は、前述したような点に鑑みなされたも
ので、より小さな観測窓で広範囲の温度測定がよ
り正確にでき、かつ観測窓の透明ガラスの曇のみ
ならず加熱をより確実に防止すると共に温度セン
サに対する熱的悪影響をもできるだけ小さく押え
得るようにした半導体気相成長装置を提供するに
ある。
ので、より小さな観測窓で広範囲の温度測定がよ
り正確にでき、かつ観測窓の透明ガラスの曇のみ
ならず加熱をより確実に防止すると共に温度セン
サに対する熱的悪影響をもできるだけ小さく押え
得るようにした半導体気相成長装置を提供するに
ある。
以下本発明の一実施例を示す第２図ないし第３
図について説明する。２０はベースプレートで、
その上にＯリング２１を介してステンレス製の金
属円筒２２が気密を保ち得るように載置され、こ
の金属円筒２２の上に同じくＯリング２３を介し
て気密を保ち得るように金属ベルジヤ２４が搭載
され、これらはクランプ２５により密閉されるよ
うになつている。２６は石英ベルジヤ、２７は石
英円筒で、これらは金属ベルジヤ２４および金属
円筒２２の下端寄りに出入可能に取付けた数個の
支持片２８，２９により着脱可能に該金属ベルジ
ヤ２４および金属円筒２２に取付けられるように
なつている。３０はサセプタ、３１は中空軸、３
２はウエハ、３３はノズル、３４は高周波誘導加
熱コイル、３５は石英ガラス等で作られたカバ
ー、３６は排気口である。前記金属ベルジヤ２４
には、第３図に詳細に示す観測窓３７が外方へ向
けて突設されている。
図について説明する。２０はベースプレートで、
その上にＯリング２１を介してステンレス製の金
属円筒２２が気密を保ち得るように載置され、こ
の金属円筒２２の上に同じくＯリング２３を介し
て気密を保ち得るように金属ベルジヤ２４が搭載
され、これらはクランプ２５により密閉されるよ
うになつている。２６は石英ベルジヤ、２７は石
英円筒で、これらは金属ベルジヤ２４および金属
円筒２２の下端寄りに出入可能に取付けた数個の
支持片２８，２９により着脱可能に該金属ベルジ
ヤ２４および金属円筒２２に取付けられるように
なつている。３０はサセプタ、３１は中空軸、３
２はウエハ、３３はノズル、３４は高周波誘導加
熱コイル、３５は石英ガラス等で作られたカバ
ー、３６は排気口である。前記金属ベルジヤ２４
には、第３図に詳細に示す観測窓３７が外方へ向
けて突設されている。
この観測窓３７の突出部には開口３８を囲む環
状流路３９が形成され、この環状流路３９にパー
ジ用ガスのガス導入管４０が接続されている。前
記開口３８は、Ｏリング４１，４２を介して下キ
ヤツプ４３により取付けられた石英ガラスなどの
透明ガラス４４により閉塞されている。前記環状
流路３９は観測窓３７の内側の壁４５に設けた複
数のガス流出口４６により該観測窓３７内に開口
され、かつ該ガス流出口４６はパージ用ガスを透
明ガラス４４の内面に向けて噴出するようになつ
ている。下キヤツプ４３は中央に貫通穴４７を有
すると共にその上方に球面座４８を有し、これと
対をなす球面座４９を有する上キヤツプ５０によ
り球形ホルダ５１を転動かつ固定可能に取付ける
ようになつている。球形ホルダ５１には放射温度
計の温度センサ５２が係合され、止めねじ５３に
より固定されている。
状流路３９が形成され、この環状流路３９にパー
ジ用ガスのガス導入管４０が接続されている。前
記開口３８は、Ｏリング４１，４２を介して下キ
ヤツプ４３により取付けられた石英ガラスなどの
透明ガラス４４により閉塞されている。前記環状
流路３９は観測窓３７の内側の壁４５に設けた複
数のガス流出口４６により該観測窓３７内に開口
され、かつ該ガス流出口４６はパージ用ガスを透
明ガラス４４の内面に向けて噴出するようになつ
ている。下キヤツプ４３は中央に貫通穴４７を有
すると共にその上方に球面座４８を有し、これと
対をなす球面座４９を有する上キヤツプ５０によ
り球形ホルダ５１を転動かつ固定可能に取付ける
ようになつている。球形ホルダ５１には放射温度
計の温度センサ５２が係合され、止めねじ５３に
より固定されている。
次いで本装置の作用について説明する。サセプ
タ３０上に載置されたウエハ３２は、高周波誘導
加熱コイル３４によりサセプタ３０を介して加熱
されると共に中空軸３１を介して駆動されるサセ
プタ３０の回転によつて回転しつつ、ノズル３３
から噴出される反応ガスにより気相成長が行なわ
れる。この気相成長により石英ベルジヤ２６の内
面および各ウエハ３２の間に露出しているサセプ
タ３０の表面などに付着した物質は、ウエハ３２
を取出してノズル３３からエツチングガスを供給
することにより除去され、清掃される。このエツ
チングガスによる付着物質の清掃は金属ベルジヤ
２４と石英ベルジヤ２６の間までは十分に及ばな
い。
タ３０上に載置されたウエハ３２は、高周波誘導
加熱コイル３４によりサセプタ３０を介して加熱
されると共に中空軸３１を介して駆動されるサセ
プタ３０の回転によつて回転しつつ、ノズル３３
から噴出される反応ガスにより気相成長が行なわ
れる。この気相成長により石英ベルジヤ２６の内
面および各ウエハ３２の間に露出しているサセプ
タ３０の表面などに付着した物質は、ウエハ３２
を取出してノズル３３からエツチングガスを供給
することにより除去され、清掃される。このエツ
チングガスによる付着物質の清掃は金属ベルジヤ
２４と石英ベルジヤ２６の間までは十分に及ばな
い。
しかして、前述したように両ベルジヤ２４，２
６の間には気相成長運転中、ガス導入管４０から
パージ用ガスを供給して該両ベルジヤ２４，２６
間に反応ガスが進入することを防止する。
６の間には気相成長運転中、ガス導入管４０から
パージ用ガスを供給して該両ベルジヤ２４，２６
間に反応ガスが進入することを防止する。
本装置によるパージ用ガスは、まず第３図に示
すガス導入管４０から観測窓３７の開口３８の周
囲に設けられた環状流路３９へ流入し、この中で
円周方向にほぼ均一の圧力になされ、内側の壁４
５に設けられているガス流出口４６から透明ガラ
ス４４の内面に向けて噴出され、該透明ガラス４
４の内面を洗い流すように上向きに流れた後に下
向きの流れとなつて両ベルジヤ２４，２６間に流
れ込んで行く。そこで、両ベルジヤ２４，２６間
へ反応ガスが進入することがあつても、該反応ガ
スが観測窓３７の開口３８内へ入り込むことはな
く、透明ガラス４４の内面およびこれに対向する
部分の石英ベルジヤ２６の外面を清浄に保つ。こ
のため、温度センサ５２によるサセプタ３０やウ
エハ３２の温度測定はより正確に行なわれる。
すガス導入管４０から観測窓３７の開口３８の周
囲に設けられた環状流路３９へ流入し、この中で
円周方向にほぼ均一の圧力になされ、内側の壁４
５に設けられているガス流出口４６から透明ガラ
ス４４の内面に向けて噴出され、該透明ガラス４
４の内面を洗い流すように上向きに流れた後に下
向きの流れとなつて両ベルジヤ２４，２６間に流
れ込んで行く。そこで、両ベルジヤ２４，２６間
へ反応ガスが進入することがあつても、該反応ガ
スが観測窓３７の開口３８内へ入り込むことはな
く、透明ガラス４４の内面およびこれに対向する
部分の石英ベルジヤ２６の外面を清浄に保つ。こ
のため、温度センサ５２によるサセプタ３０やウ
エハ３２の温度測定はより正確に行なわれる。
また、環状流路３９および観測窓３７内を流れ
るパージ用ガスは、この観測窓３７の部分を冷却
する作用を有し、特に輻射熱などによつて加熱さ
れる透明ガラス４４をより有効に冷却する。そこ
で、この透明ガラス４４に近接して設けられてい
る温度センサ５２およびその保持部の加熱をより
小さく押える。
るパージ用ガスは、この観測窓３７の部分を冷却
する作用を有し、特に輻射熱などによつて加熱さ
れる透明ガラス４４をより有効に冷却する。そこ
で、この透明ガラス４４に近接して設けられてい
る温度センサ５２およびその保持部の加熱をより
小さく押える。
さらにまた、温度センサ５２は上キヤツプ５０
を緩めることにより球形ホルダ５１を介して適宜
に傾動できるため、簡単に広範囲の温度測定がで
きる。なお、この温度センサ５２は透明ガラス４
４に近接して設けられているため、該温度センサ
５２の傾動に伴なう測定軸Ｘの透明ガラス４４お
よび石英ベルジヤ２６に対する移動量はわずかに
押えられる。そこで、観測窓３７はより小さいも
のでよく、このため前記測定軸Ｘの通過部分をよ
り確実に清浄に保つことが可能となる。
を緩めることにより球形ホルダ５１を介して適宜
に傾動できるため、簡単に広範囲の温度測定がで
きる。なお、この温度センサ５２は透明ガラス４
４に近接して設けられているため、該温度センサ
５２の傾動に伴なう測定軸Ｘの透明ガラス４４お
よび石英ベルジヤ２６に対する移動量はわずかに
押えられる。そこで、観測窓３７はより小さいも
のでよく、このため前記測定軸Ｘの通過部分をよ
り確実に清浄に保つことが可能となる。
前記パージ用ガスは、前記観測窓３７の清浄化
と冷却をより確実に行なうため、両ベルジヤ２
４，２６へ供給する全量を環状流路３９を介して
行なうことが好ましい。
と冷却をより確実に行なうため、両ベルジヤ２
４，２６へ供給する全量を環状流路３９を介して
行なうことが好ましい。
以上述べたように本発明によれば、より小さな
観測窓で広範囲の温度測定ができると共に、より
正確な温度測定を行なうことができる。
観測窓で広範囲の温度測定ができると共に、より
正確な温度測定を行なうことができる。
第１図は従来の半導体気相成長装置の一例を示
す概要断面図、第２図は本発明による同装置の一
実施例を示す概要断面図、第３図は第２図のＡ部
拡大詳細図である。 １，２６……石英ベルジヤ、２，２４……金属
ベルジヤ、５，３２……ウエハ、６，３０……サ
セプタ、７，３４……高周波誘導加熱コイル、
８，３３……ノズル、９，３７……観測窓、１０
……放射温度計、１２，４４…透明ガラス、１
３，４０……ガス導入管、１４…分岐管、１５，
３６……排気口、３９……環状流路、４３……下
キヤツプ、４６……ガス流出口、５０……上キヤ
ツプ、５１……球形ホルダ、５２……温度セン
サ。
す概要断面図、第２図は本発明による同装置の一
実施例を示す概要断面図、第３図は第２図のＡ部
拡大詳細図である。 １，２６……石英ベルジヤ、２，２４……金属
ベルジヤ、５，３２……ウエハ、６，３０……サ
セプタ、７，３４……高周波誘導加熱コイル、
８，３３……ノズル、９，３７……観測窓、１０
……放射温度計、１２，４４…透明ガラス、１
３，４０……ガス導入管、１４…分岐管、１５，
３６……排気口、３９……環状流路、４３……下
キヤツプ、４６……ガス流出口、５０……上キヤ
ツプ、５１……球形ホルダ、５２……温度セン
サ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 石英ベルジヤの外側を金属ベルジヤで被つた
半導体気相成長装置において、金属ベルジヤにそ
の外方へ突出するように設けられ開口部を透明ガ
ラスで閉塞された観測窓と、同観測窓の外方端部
に傾動可能に取付けられた温度センサと、前記観
測窓の金属ベルジヤからの突出部の途中に形成さ
れた環状流路と、同環状流路に外部からパージ用
ガスを供給すべく連結されたガス導入管と、前記
環状流路からパージ用ガスを観測窓内へ流出させ
るガス流出口とを具備したことを特徴とする半導
体気相成長装置。 ２ ガス流出口が観測窓の透明ガラス内面に向け
て開口されている特許請求の範囲第１項記載の半
導体気相成長装置。 ３ 石英ベルジヤと金属ベルジヤの間に供給され
るパージ用ガスがすべて前記環状流路を通るよう
に構成されている特許請求の範囲第１または２項
記載の半導体気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10373281A JPS586124A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10373281A JPS586124A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586124A JPS586124A (ja) | 1983-01-13 |
| JPS622698B2 true JPS622698B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=14361807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10373281A Granted JPS586124A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019083051A1 (ja) * | 2017-10-28 | 2019-05-02 | ｍｕｉ Ｌａｂ株式会社 | 操作表示パネル組込物品 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6097622A (ja) * | 1983-11-01 | 1985-05-31 | Toshiba Mach Co Ltd | エピタキシヤル装置 |
| US6390019B1 (en) * | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
| US6306246B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-10-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual window optical port for improved end point detection |
| US6863772B2 (en) * | 2002-10-09 | 2005-03-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Dual-port end point window for plasma etcher |
| JP4026529B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2007-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド構造及び処理装置 |
| JP4909613B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2012-04-04 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
| US20110256692A1 (en) * | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP10373281A patent/JPS586124A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019083051A1 (ja) * | 2017-10-28 | 2019-05-02 | ｍｕｉ Ｌａｂ株式会社 | 操作表示パネル組込物品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS586124A (ja) | 1983-01-13 |
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