JPS62270593A - ジホスホン酸化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、骨吸収阻害活性を有する新規なジホスホン
酸化合物に関するものであり医療の分野で利用される。

［従来の技術］ 後述する目的化合物のアルキルエステル誘導体のある種
のものが殺虫効果を有することがアメリカ特許第３９０
６０６２号に記載きれており、またアシルアミノアルキ
リデンジホスホン酸化合物のある種のものが、歯みがき
粉中の研磨剤として有用であることが西ドイツ特許公開
公報第２７４１５１３号に記載きれているが、いずれに
記載の化合物も骨吸収阻害活性を有することはまったく
知られていない。

また抗炎症作用および抗リウマチ作用を有するある種の
ジホスホン酸化合物として、特開昭５１４２３９５号公
報に記載の化合物が知られている。

また骨疾患の治療に有用なある種のジホスホン酸化合物
として、特開昭６１−４３１９７号公報に記載のものが
知られている。

＝１１− ［問題点を解決するための手段］ この発明の目的化合物である、ジホスホン酸化合物は新
規であり、次の一般式［Ｉ］で示される。

［式中、Ｒ”Ａ−は式 （式中　Ｒ１は低級アルキノ呟低級アルコキシ、低級ア
ルキルチオ、ハロ（低級）アルキル、アシル、アシルア
ミノおよびハロゲンからなる群より選択された置換基で
置換されていてもよいアリール基もしくは複素環基、ま
たはアシルを有していてもよい複素環基で置換されてい
てもよい低級アルキル基、 ＸはＯまたはＳをそれぞれ意味する）で示される基、 Ｒ２は水素または低級アルキル基をそれぞれ意味し、 Ｒ１が非置換の低級アルキル基の場合は、Ｒ１−Ａ−は
式 （式中、Ｒ１およびＸはそれぞれ前と同じ意味）で示さ
れる基であるコ 目的化合物［Ｔ］またはその塩は下記反応式で示される
ような製造法によって製造することができる。

製造法１ Ｈ 聚遣迭ヱ Ｃ＝０ 製造法３ 製造法４ ＝１５＝ ［式中、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６はそれぞれ保護さ
れたヒドロキシ基を意味し、Ｒ１、Ｒ２、ＡおよびＸは
それぞれ前と同じ意味である］この明細書の以上および
以下の記載において、この発明の範囲内に包含される種
々の定義の好適な例を以下詳細に説明する。

「低級」とは、特に指示がなければ、炭素原子１〜６個
を有する基を意味するものとする。

好適な「アリール基」としては、フェニル、ナフチル、
トリル、メシチル、クメニル等であり、好ましくはフェ
ニノ呟ナフチル、および例えばメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピＬ、ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘ
キシル等の低級アルキル基で置換されたフェニルが挙げ
られる。

好適な「複素環基ヨとしては、窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子のようなペテロ原子少なくとも１個を含む飽
和または不飽和複紫車環基または複素多環基が挙げられ
る。

このような意味における「複素環基」の好ましい例とし
ては、例えばピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、ピ
リジル、ピリジルＮ−オキシト、ジヒドロピリジル、テ
トラヒドロピリジル、ピリミジル、ピラジニル、ピリダ
ジニル、トリアジニル、トリアゾリル、テトラゾリル、
テトラゾリル等の窒素原子１〜４個を含む不飽和３〜８
員、さらに好ましくは５〜６員複素車環基； 例えばインドリル、イソインドリル、イントリジニル、
ベンゾイミダゾリル、キノリル、イソキノリル、インダ
ゾリル、ベンゾトリアゾリル等の窒素原子１〜５個を含
む不飽和縮合複素環基；イ列えばオキサゾリル、イソオ
キサシリル、オキサジアソリル等の酸素原子１〜２個お
よび窒素原子１〜３個を含む不飽和３〜８員複素単環基
；例えばモルホリノ、シトノニル等の酸素原子１〜２個
および窒素原子１〜３個を含む飽和３〜８員複素単環基
； イ列えばベンズオキサシリル、ベンズオキサジアゾリル
等の酸素原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む不
飽和縮合複素環基： 例えばチアゾリル、インチアゾリル、チアジアゾリル等
の硫黄原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む不飽
和３〜８員複素単環基；例λ−ばチェニル等の硫黄原子
１〜２個を含む不飽和３〜８員複素単環基； 例えばヘンジチアゾリル、ベンゾチアジアゾリル等の硫
黄原子１〜２個および窒素原子１〜３個を含む不飽和縮
合複素環基； 例えばフリル等の酸素原子１個を含む不飽和３〜８員複
素単環基： 例えばベンゾチェニル等の硫黄原子１〜２個を含む不飽
和縮合複素環基； 例えばベンゾフリル等の酸素原子１〜２個を含む不飽和
縮合複素環基等が挙げられる。

上記「アリール基」および「複素環基」は、前述の低級
アルキル基；低級アルコキシ基［例えばメトキシ、工ｌ
・キシ、プロポキシ、イソプロポキシ、プ）・キシ、ペ
ンチルオキシ、ヘキシルオキジ等］；低級アルキルチオ
基［例えばメチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イ
ソプロピルチオ、ブチルチオ、ペンチルチオ、ヘキシル
チオ等］：ハロ（低級）アルキル基、好ましくはモノ、
ジまたはトリハロ（低級）アルキル基［例えばクロロメ
チル、ブロモメチル、フルオロメチル、ジクロロメチル
、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、２−クロロ
エチル、２−ブロモエチル、３−クロロプロピル等］霊
低級アルカノイル基［例えばホルミル、アセチル、プロ
ピオニル、ヘキサノイル、ピバロイル等］、低級アルコ
キシカルボニル基［例えばメトキシカルボニル、エトキ
シカルボニル、第三級ブトキシカルボニル、第三級ペン
チルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル等］
、アル（低級）アルコキシカルボニル基［例えばベンジ
ルオキシカルボニル等］、低級アルキルスルホニル基［
例えばメシル、エチルスルボニル等］、アリールスルホ
ニル基［例えばフェニルスルホニル、トシル等コ、等の
ようなアシル基；低級アルカノイルアミノ基［例えばホ
ルミルアミノ、アセチルアミノ、プロピルアミノ等コ、
低級アルキルスルボニルアミノ基［例えばメシルアミノ
、エチルスルホニルアミノ、プロピルスルホニルアミノ
等］、等のようなアシルアミノ基；およびハロゲン［例
えばフルオロ、クロロ、ブロモ、ヨード等］よりなる群
から選択された置換基１個以上、好ましくは１〜３個、
さらに好ましくは１個または２個で置換されていてもよ
い。

このような「低級アルキノ呟低級アルコキシ、低級アル
キルチオ、ハロ（低級）アルキル、アシル、アシルアミ
ノおよびハロゲンよりなる群から選択された置換基で置
換されていてもよいアリール基もしくは複素環基」の好
ましい例としては、フェニル基、ナフチル基、例えハト
リル、エチルフェニル、プロピルフェニル、クメニル、
ブチルフェニル、キシリル、メシチル等のモノまたはジ
またはトリ（低級）アルキルフェニル基、例えばメトキ
シフェニル、エトキシフェニル、プロポキシフェニル、
インプロポキシフェニル、ブトキシフェニル、ネオペン
チルオキシフェニル、ジメトキシフェニル等のモノまた
はジまたはｌ・す（低級）アルコキシフェニル基、例え
ばメチルチオフェニル、エチルチオフェニル、プロピル
チオフェニル、イソプロピルチオフェニル、ブチルチオ
フェニル、ジメチルチオフェニル停のモノまたはジまた
はトリ（低級）アルキルチオフェニル基、例えばフルオ
ロフェニル、クロロフェニル、ブロモフェニル、ヨード
フェニル、ジクロロフェニル、（フルオロ）クロロフェ
ニル、ショートフェニル、ジフルオロフェニル、トリフ
ルオロフェニル、トリクロロフェニル等のモノまたハシ
またはトリハロフェニル基、例えばクロロメチルフェニ
ル、ジクロロメチルフェニル、トリフルオロメチルフェ
ニル、ジ（トリフルオロメチル）フェニル等のモノまた
はジまたはトリ［ハロ（低級）アルキルフェニル基、例
えばホルミルアミノフェニル、アセチルアミノフェニル
、プロビ才ニルアミノフェニル、シ（アセチルアミノ）
フェニル等のモノまたはジまたはトリ（低級）アルカノ
イルアミノフェニル基、例えばメシルアミノフェニル、
エチルスルボニルアミノフェニル、プロピルスルホニル
アミノフェニル、ジ（メシルアミノ）フェニル等のモノ
またはジまたはトリ（低級）アルキルスルホニルアミノ
フェニル基等のモノまたはジまたはトリアジルアミノフ
ェニル基、イ列えハ（クロロ）トリフルオロメチルフェ
ニル、（フルオロ）トリフルオロメチルフェニル、ジ（
クロロ）クロロメチルフェニル等のハロゲンおよびハロ
（低級）アルキル置換フェニル基、例えハ（メトキシ）
トリフルオロメチルフェニル、（エトキシ）トリフルオ
ロメチルフェニル、ジ（メトキシ）クロロメチルフェニ
ル等の低級アルコキシおよびハロ（低級）アルキル置換
フェニル基、ピリジル基、例えばメチルビリジル、エチ
ルピリジル、プロピルピリジル、ジメチルピリジル等の
モノまたはジまたはトリ（低級）アルキルピリジル基、
イミダゾリル基、例えば第三級ブトキシカルボニルイミ
ダゾリル等の低級アルコキシカルボニル置換イミダゾリ
ル基のようなアシル基で置換されたイミダゾリル基等、
チェニル基、キノリル基、ベンゾ［ｂ］チェニル基、ベ
ンゾチアゾリル基、例えばクロロベンゾチアゾリル、フ
ルオロベンツチアゾリル停のモノまたはジまたはトリハ
ロベンゾチアゾリル基等が挙げられ、それらの中でさら
に好ましいものとしては、フェニル基、ナフチル基、モ
ノ（０１〜Ｃ４）アルキルフェニル基、モノ（０１〜Ｃ
４）アルコキシフェニル基、モノ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキ
ルチオフェニル基、モノまたはジハロフェニル基、モノ
［ハロ（０１〜Ｃ）アルキルピリジル基、モノ（０１〜
Ｃ４）アルカノイルアミノフェニル基、モノ（０１〜Ｃ
４）アルキルスルホニルアミノフェニル基、ハロゲンお
よびハロ（０１〜Ｃ４）アルキル置換フェニル基、Ｃ−
Ｃアルコキシおよびハロ（Ｃ１〜Ｃ４）アルキル置換フ
ェニル基、ピリジル基、モノ（０１〜Ｃ４）アルキルピ
リジル基、イミダゾリル基、（Ｃ１〜Ｃ４）アルコキシ
カルボニルイミダゾリル基、チェニル基、キノリル基、
ベンゾ［ｂ］チェニル基、ベンゾチアゾリル基およびモ
ノハロベンゾチアゾリル基が挙げられ、最も好ましいも
のはフェニル基、トリル基、ナフチル基、メトキシフェ
ニル基、メチルチオフェニル基、クロロフェニル基、フ
ルオロフェニル基、ジクロロフェニル基、トリフルオロ
メチルフェニル基、アセチルアミノフェニル基、メシル
アミノフェニル基、（クロロ）トリフルオロメチルフェ
ニル基、（メトキシ）トリフルオロメチルフェニル基、
ピリジル基、メチルピリジル基、イミダゾリル基、第三
級ブトキシカルボニルイミダゾリル基、チェニル基、キ
ノリル基、ベンゾ［ｂ］チェニル基、ベンゾチアゾリル
基およびクロロベンゾチアゾリル基である。

好適な「低級アルキル基」としては、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、第三級
プチノ呟ペンチルヘキシル等のような直鎖または分枝鎖
アルキル基が挙げられ、それらの中でさらに好ましいも
のとしては０１〜＝２４− Ｃ４アルキル基が挙げられ、最も好ましいものはメチル
基およびブチル基である。

Ｒ１の好適な１低級アルキル基」は前記アシルで置換さ
れていてもよい上記複素環基で置換きれていてもよい。

好適な「保護されたヒドロキシ基」としては、例えばメ
トキシ、工］・キシ、プロポキシ、インプロポキシ、ブ
トキシ、第二級ブトキシ、イソプｉ・キシ、第三級ブト
キシ、ペンチルオキシ、ネオペンチルオキジ、ヘキシル
オキシ等の低級アルコキシ基、任意に置換されたアル（
低級）アルコキシ基、その例として、例えばベンジルオ
キジ、４−ニトロベンジルオキジ、ベンズヒドリルオキ
シ、ｉ・リチルオキシ等のニトロ基で置換されていても
よいモノまたはジまたはトリフェニル（低級）アルコキ
シ基等のような常用の保護基で保護されたヒドロキシ基
が挙げられ、それらの中で好ましい例としては、低級ア
ルコキシ基が挙げられ、さらに好ましいものとしては０
１〜Ｃ４アルコキシ基が挙げられ、最も好ましいものは
エトキシ基およびイソプロポキシ基である。

目的化合物［ＩＩの好適な医薬として許容される塩類は
常用の無毒性塩類であり、例えばすトリウム塩、カリウ
ム塩等のアルカリ金属塩、例えばカルシウム塩、マグネ
シウム塩等のアルカリ土類金属塩またはアンモニウム塩
のような無機塩基塩；例えばメチルアミン塩、エチルア
ミン塩、プロピルアミン塩、イソプロピルアミン塩、ブ
チルアミン塩、第三級ブチルアミン塩、ジメチルアミン
塩、ジエチルアミン塩、トリメチルアミン塩、トリエチ
ルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、ジシクロヘキシ
ルアミン塩、Ｎ、Ｎ’　−ジベンジルエチレンジアミン
塩等の有機アミン塩のような有機塩基塩、例えばギ酸塩
、酢酸塩、トリフルオロ酢酸塩、マレイン酸塩、酒石酸
塩、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トル
エンスルホン酸塩等の有機酸付加塩、例えば塩酸塩、臭
化水素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸付加塩、例えば
アルギニン塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩等の
アミノ酸との塩等が挙げられる。

この点に関して付言すれば、化合物［■８］〜［１ｃ］
は化合物［ＩＩの範囲内に含まれ、従ってこれらの化合
物［Ｉａ］〜［Ｉ　ｃ］の好適な塩類については」−記
目的化合物［ＩＩで例示したような塩類を参照すればよ
い。

この発明の目的化合物［ＩＩの製造法を以下詳細に説明
する。

製造法１ 目的化合物［■８］またはその塩は、化合物［１［］ま
たはその塩に化合物［ＩＩ［’ｌもしくはその均等物ま
たはそれらの塩を反応させることにより製造することが
できる。

化合物［１１Ｆの好適な塩類については、化合物［ＩＩ
について例示した塩基との塩を参照すればよい。

化合物［１［１］の好適な塩類については、化合物［Ｉ
Ｉについて例示した酸付加塩を参照すればよい。

化合物［１１１］の均等物の好適な例としては、２一ビ
リジルインチオシアネー１・を分子間縮合に付すことに
より製造される３−（２−ピリジル）−３゜４−ジヒド
ロ−２Ｈ−とリド［１，２−ａ］−１，３゜５−トリア
ジン−２，４−ジオンのような化合物［Ｉ［［］の分子
間縮合化合物等が挙げられる。

この反応は通常、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ベ
ンゼン、クロロホルム、塩化メチレン、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドのような溶媒中で行われるが、反応に悪
影響を及ぼさない溶媒であればその他のいかなる溶媒中
でも反応を行うことができる。

さらにこの反応は、例えばすトリウム、カリウム等のア
ルカリ金属、例えばマグネシウム、カルシウム等のアル
カリ土類金属、それらの金属の水素化物または水酸化物
、例えばナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド
、カリウム第三級ブトキシド等のアルカリ金属アルコキ
シド等のような塩基の存在下に行うことができる。

反応温度は特に限定されず、通常冷却下ないし加熱下に
反応が行われる。

製造法２ 目的化合物［Ｉｂ］またはその塩は、化合物［ＩＶ］も
しくはそのアミノ基における反応性誘導体またはそれら
の塩に、化合物［Ｖ］もしくはそのカルボキシ基におけ
る反応性誘導体またはそれらの塩を反応きせることによ
り製造することができる。

化合物［■］のアミノ基における好適な反応性誘導体と
しては、化合物［ＩＶ］とアルデヒド、ケトン等のよう
なカルボニル化合物との反応によって生成するシップの
塩基型イミノまたはそのエナミン型互変異性体；化合物
［ＩＶ］とビス（トリメチルシリル）アセトアミド、モ
ノ（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチ
ルシリル）尿素等との反応によって生成するシリル誘導
体；化合物［ＩＶ］と三塩化燐またはホスゲンとの反応
によって生成する誘導体等が挙げられる。

化合物［ＩＶ］およびその反応性誘導体の好適な塩類に
ついては、化合物［１］について例示したような塩類を
参照すればよい。

化合物［Ｖ］のカルボキシ基における好適な反応性誘導
体としては、酸ハロゲン化物、酸無水物、活性化アミド
、活性化エステル等が挙げられる。

反応性誘導体の好適な例としては、酸塩化物；酸アジド
；例えばジアルキル燐酸、フェニル燐酸、ジフェニル燐
酸、ジベンジル燐酸、ハロゲン化燐酸等の置換された燐
酸、ジアルキル亜燐酸、亜硫酸、チオ硫酸、硫酸、例え
ばメタンスルホン酸等のスルホン酸、例えば酢酸、プロ
ピオン酸、酪酸、イソ醋酸、ピバリン酸、ペンタン酸、
イソペンタン酸、２−エチル醋酸、トリクロロ酢酸等の
脂肪族カルボン酸または例えば安息香酸等の芳香族カル
ボン酸のような酸との混合酸無水物：対称酸無水物；イ
ミダゾール、４−置換イミダゾール、ジメチルピラゾー
ル、トリアゾールまたはテトラゾールとの活性化アミド
；または例えばシアノメチルエステル、メトキシメチル
エステル、ジメチルイミノメチル［（ｃｎ３）２査＝ｃ
ｕ−］エステル、ビニルエステル、プロパルギルエステ
ノ呟　ｐ−ニトロフェニルエステル、２．４−ジニトロ
フェニルエステル、）・リクロロフェニルエステル、ペ
ンタクロロフェニルエステル、メシルフェニルエステル
、フェニルアソフェニルエステル、ブエニルチオエステ
ル、ｐ−ニトロフェニルチオエステル、ｐ−クレシルチ
オエステル ルチオエステル、ピラニルエステル、ピリジルエステル
、ピペリジルエステル、８−キノリルチオエステル等の
活性化エステル、または例えばＮ。

Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミン、１−ヒドロキシ−２
−（ＩＨ）−ピリドン、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド
、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、１−ヒドロキシ−ＩＨ
−ベンゾトリアゾール等のＮ−ヒドロキシ化合物とのエ
ステル等が挙げられる。これらの反応性誘導体は、使用
する化合物［Ｖ］の種類によって、それらの中から任意
に選択することができる。

化合物［Ｖ］およびその反応性誘導体の好適な塩類につ
いては、化合物［Ｉ］について例示したような塩類を参
照すればよい。

反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコール、アセトン、ジオキサン、アセトニトリル、ク
ロロホルム、塩化メチレン、塩化、エチレン、テトラヒ
ドロフラン、酢酸エチル、Ｎ．Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、ピリジンのような慣用の溶媒中で行われるが、反応
に悪影響を及ぼきない溶媒であればその他のいかなる有
機溶媒中でも反応を行うことができる。これらの慣用の
溶媒は水との混合物として使用してもよい。

この反応において、化合物［Ｖ］を遊離酸またはその塩
の形で使用する場合には、Ｎ，Ｎ’　−ジシクロへキシ
ルカルボジイミド＝Ｎーシクロへキシル−Ｎ′−モルボ
リノエチルカルボジイミド；Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ’
−（４−ジエチルアミノシクロヘキシル）カルボジイミ
ド、Ｎ，Ｎ’　−ジエチルカルボジイミド ルカルボジイミド；Ｎ−エチル−Ｎ’−（３−ジメチル
アミノプロピル）カルボジイミド：Ｎ。

Ｎ′　−カルボニルビス（２−メチルイミダゾール）；
ペンタメチレンケテン−Ｎ−シクロヘキシルイミン；ジ
フェニルケテンーＮーシクロヘキシルイミン；エトキシ
アセチレン；１−アルコキシ−１−クロロエチレン；亜
燐酸トリアルキル；ポリ燐酸エチル；ポリ燐酸イソプロ
ピル；オキシ塩化燐（塩化ポスボリル）：三塩化溝；塩
化チオニル：塩化オキザリル；例えばクロロギ酸エチル
、クロ１コギ酸イソプロピル等のハロギ酸低級アルキル
；トリフェニルホスフィン；２−エチル−７−ヒドロキ
シベンズイソオキサゾリウム塩；２−エチル−５−（ｍ
−スルホフェニル）インオキサシリウムヒドロキシド分
子内塩；１−（１）−クロロヘンゼンスルホニルオキシ
）−６−１０ローＩＨ−ベンゾトリアゾール、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミドと塩化チオニル、ホスゲン、クロ
ロギ酸トリクロロメチル、オキシ塩化燐等との反応によ
って調製したいわゆるビルスマイヤー試薬等のような慣
用の縮合剤の存在下に反応を行うのが好ましい。

反応はまた、アルカリ金属炭酸水素塩、トリ（低級）ア
ルキルアミン、ピリジン、ジ（低級）アルキルアミノピ
リジン、Ｎ−（低級）アルキルモルホリン、Ｎ、Ｎ−ジ
（低級）アルキルベンジルアミン等のような無機塩基ま
たは有機塩基の存在下に行ってもよい。液状の塩基も溶
媒として使用することができる。

反応温度は特に限定されないが、通常は冷却下ないし加
温下に反応が行われる。

１盗珠１ 目的化合物［Ｉｃ］またはその塩は、化合物［ＩＶ］も
しくはそのアミノ基における反応性誘導体またはそれら
の塩に、化合物［ＶＩ］もしくはそのスルホ基における
反応性誘導体またはそれらの塩を反応させることにより
製造することができる。

化合物［Ｖｆ］およびその反応性誘導体の好適な塩類に
ついては、化合物［１］について例示したような塩類を
参照すればよい。

この反応は製造法２と実質的に同様にして行うことがで
き、従ってこの反応の反応方式および例えば塩基、反応
性誘導体、縮合剤、溶媒、反応温度等の反応条件につい
ては、製ｊ［告」、の説明を参照すればよい。

製造法４ 目的化合物［１］またはその塩は、化合物［■コまたは
その塩をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すことにより
製造することができる。

この反応は加水分解、還元等のような常法によって行わ
れる。

化合物［■］の好適な塩類については、化合物［１］で
例示したような塩類を参照すればよい。

加水分解は塩基、ルイス酸を含めた酸、またはハロシラ
ン化合物の存在下に行うのが好ましい。

好適な塩基としては、例えばナトリウム、カリウム等の
アルカリ金属、例えばマグネシウム、カルシウム等のア
ルカリ土類金属、それらの金属の水酸化物または炭酸塩
または炭酸水素塩、例えばトリメチルアミン、トリエチ
ルアミン等のトリアルキルアミン、ピコリン、１．５−
ジアザビシクロ［４，３，０］ノナ−５−エン、１．４
−ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン、１．８−ジ
アザビシクロ［５，４，Ｏ］ウンデカ−７−エン等のよ
うな無機塩基および有機塩基が挙げられる。

好適な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および例
えば塩酸、臭化水素酸、硫酸、塩化水素、臭化水素等の
無機酸が挙げられる。

例えばトリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のトリハロ
酢酸等のようなルイス酸を使用する脱離は、例えばアニ
ソーノ呟　フェノール等の陽イオン捕捉剤の存在下に行
うのが好ましい。

好適なハロシラン化合物としては、例えばヨードトリメ
チルシラン、ブロモトリメチルシラン等のハロトリ（低
級）アルキルシラン等が挙げられる。

反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール等のア
ルコール、塩化メチレン、クロロホルム、テトラクロロ
メタン、テトラヒドロフラン、それらの混合物中で行わ
れるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であればその他
のいかなる溶媒中でも反応を行うことができる。液状の
塩基、酸またはハロシラン化合物も溶媒として使用する
とと一３６＝ ができる。

反応温度は特に限定されず、通常冷却下ないし加熱下に
反応が行われる。

脱離反応に適用されうる還元法としては、化学的還元お
よび接触還元が挙げられる。

化学的還元に使用される好適な還元剤は、例えばスズ、
亜鉛、鉄等の金属または例えば塩化クロム、酢酸クロム
等の金属化合物と、例えばギ酸、酢酸、プロピオン酸、
トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、塩酸、臭
化水素酸等の有機酸または無機酸との組合わせである。

接触還元に使用される好適な触媒は、例えば白金板、白
金海綿、白金黒、コロイド白金、酸化白金、白金線等の
白金触媒、例えばパラジウム海綿、パラジウム黒、酸化
パラジウム、パラジウム−次素、コロイドパラジウム、
パラジウム−硫酸バリウム、パラジウム−炭酸バリウム
等のパラジウム触媒、例えば還元ニッケル、酸化ニッケ
ル、ラネーニッケル等のニッケル触媒、例えば還元コバ
ルト、ラネーコバルト等のコバルト触媒、例えば還元鉄
、ラネー鉄等の鉄触媒、例えば還元銅、ラネー銅、ウル
マン鋸等の銅触媒のような慣用の触媒である。

還元は通常、水、メタノール、エタノール、プロパツー
ル、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドのような反応に悪影
響を及ぼさない常用の溶媒中、またはそれらの混合物中
で行われる。さらに化学的還元に使用する前記酸が液状
である場合には、それらを溶媒として使用することもで
きる。さらにまた、接触還元に使用される好適な溶媒と
しては、前記溶媒のほか、ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン等の慣用の溶媒、またはそれら
の混合物が挙げられる。

この反応の反応温度は特に限定されず、通常冷却下ない
し加熱下に反応が行われる。

原料化合物［■］中、数種のものは新規化合物であり、
これらの化合物またはその塩は下記反応式で示される製
造法により製造することができる。

製造法Ａ ［■］ またはその塩 Ｈ ［■ａ］ またはその塩 製Ｊｌ（且 ［ＩＸ］ もしくはそのアミノ基に おける反応性誘導体また はそれらの塩 ■ Ｃ＝０ ［■ｂ］ またはその塩 製造法Ｃ ［■コ もしくはそのアミン基に おける反応性誘導体また はそれらの塩 ［■Ｃ］ またはその塩 製造法Ｄ ［■ｄ］ またはその塩 ［■ｅ］ またはその塩 ［式中、Ｒは低級アルキル基を意味し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ
３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ＡおよびＸはそれぞれ前と同じ
意味である］。

原料化合物の上記製造法を以下詳細に説明する。

型Ｊｂ友Δ 化合物［■ａ］またはその塩は、化合物［■］またはそ
の塩に化合物［Ｉ［［］もしくはその均等物またはそれ
らの塩を反応させることにより製造することができる。

化合物［■］の好適な塩類については、化合物［１］に
ついて例示した塩基塩類を参照すればよい。

この反応は製造法１と実質的に同様にして行うことがで
きるので、この反応の反応方式および例λ、げ塩基、溶
媒、反応温度等の反応条件については、製ｊ１法】工の
説明を参照すればよい。

製造法Ｂ 化合物［■ｂ］またはその塩は、化合物［ＩＸ］もしく
はそのアミン基における反応性誘導体またはそれらの塩
に化合物［Ｖ］もしくはそのカルボキシ基における反応
性誘導体またはそれらの塩を反応させることにより製造
することができる。

化合物［ＩＸ］およびその反応性誘導体の好適な塩類に
ついては、化合物［Ｉ］で例示した塩類を参照すればよ
い。

この反応は製造法２と実質的に同様にして行うことがで
き、従ってこの反応の反応方式および例えば反応性誘導
体、縮合剤、溶媒、反応温度等の反応条件については製
ｊＥ沫」、の説明を参照すればよい。

製造法Ｃ 化合物［■Ｃ］またはその塩は、化合物［ＩＸ］もしく
はそのアミノ基における反応性誘導体またはそれらの塩
に、化合物［ＶＩ］もしくはそのスルホ基における反応
性誘導体またはそれらの塩を反応許せることにより製造
することができる。

この反応は級遺羞遣と実質的に同様にして行うことがで
き、従ってこの反応の反応方式および例えば塩基、反応
性誘導体、縮合剤、溶媒、反応許４４一 度等の反応条件については、製造法２の説明を参照すれ
ばよい。

製造法り 化合物［■ｅ］またはその塩は、化合物［■ｄ］または
その塩に低級アルキル化剤を反応さ廿ることにより製造
することができる。

化合物［■ｄ］の好適な塩類については、化合物［１］
で例示した塩類を参照すればよい。

化合物［■ｅ］の好適な塩類については、化合物［１１
で例示した酸付加塩を参照すればよい。

好適な低級アルキル化剤としては、例えば沃化メチル、
沃化エチノ呟沃化プロピル、沃化ブチル等の低級アルキ
ルハロゲン化物、例えばヘンゼンスルホン酸メチル、ト
ルエンスルホン酸エチル等のアレーンスルボン酸低級ア
ルキル、例えば硫酸ンメチル、硫酸ジエチル等の硫酸ジ
（低級）アルキル等が挙げられる。

この反応は製造法１に例示した塩基の存在下に行うこと
ができる。

この反応は通常、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ベ
ンゼン、クロロホルム、塩化メチレン、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドのような溶媒中で行われるが、反応に悪
影響を及ぼさない溶媒であればその他のいかなる有機溶
媒中でも反応を行うことができ、上記低級アルキル化剤
が液体であればそれを溶媒として使用することができる
。

反応温度は特に限定されず、通常冷却下ないし加熱下に
反応が行われる。

製造法Ａおよび製造法りの両反応は同時に行うことがで
き、この場合には化合物［Ｉ［［］と低級アルキル化剤
とをＲ２が水素である化合物［■］に加えて化合物［■
ｅ］を得る。この製造法もこの発明の範囲内に包含され
る。

上記製造法によって得られた化合物は、粉砕、再結晶、
カラムクロマトグラフィー、再沈殿等のような常法によ
って単離、精製することができる。

化合物［Ｉ］およびその他の化合物には不斉戻素原子に
基づく立体異性体１個以上が含まれることがあり、その
ような異性体およびそれらの混合物はずへてこの発明の
範囲内に包含きれるものとする。

治療のためにこの発明の化合物［Ｉ］および医薬として
許容されるその塩類は、経口段ケー、非経口投与、外用
投与に適した有機もしくは無機固体状もしくは液状賦形
剤のような医薬として許容される担体と混合して、前記
化合物の一種を有効成分として含有する医薬製剤の形で
使用することができる。

医薬製剤はカプセル、錠剤、糖衣錠、顆粒、溶液、懸濁
液、エマルジョン等とすればよい。所望に応じて、これ
らの製剤に助剤、安定剤、湿潤剤または乳化剤、緩衝液
およびその他の通常使用される添加剤が含まれていても
よい。

化合物［Ｉ］の投与量は患者の年齢および状態によって
変化するが、化合物［１］は平均１回投与量約０．１ｍ
Ｌ　１　＋ｎｇ、　１０ｍｇ、５０ｍｇ、１００ｍｇ、
　２５０ｍｇ、　５００ｍｇ、１．０００ｍｇで前記骨
疾患の治療に有効である。

一般的には、１日当り０．１ｍｇ／個体〜約１０００ｍ
ｇ／個体の間の量を投与すればよい。

［発明の効果］ 目的化合物［■］およびその塩類は、骨吸収阻害活性を
有し骨疾患の治療に有用である。

目的化合物［１］の有用性を示すために、化合物［Ｉ］
の代表的化合物数種の薬理試験結果を以下に示す。

駁験是 生後１〜２日のウィスター系ラット新生児の頭蓋冠を無
菌状態で切除し、ダルベツコ修正イーグル培養液で洗浄
し、中央縫合線に沿って分割した。頭蓋冠の半分ずつを
プールして異なる群に無作為化した。５６°Ｃで１時間
加熱不活性化した仔牛脂児血清１０％と共にダルベツコ
修正イーグル培養液２ｍＱを含む多回部血中で頭蓋冠の
半分ずつを自由浮遊骨として個別に培養した。ｈｐｒｕ
（１−３４）（ＩＸＩＯＭ）処理および試験化合物（１
×１０−７またはＩ　Ｘ　１０−６Ｍ　）処理を零時量
目から開始した。培養はすべて３７°Ｃ５空気９５％お
よびＣＯ２５％の大気圧下に６日間実施した。骨吸収を
６日後の培養液中のカルシウム蓄積測定により定量した
。

培養液中の総力ルシウム濃度を分光光度計（日立モデル
Ｕ　−３２００、日本、東京）を用いて０ＣＰＣ法によ
り測定した。

比較試験として同様の試験を、ｈＰＩＨ（Ｉ　Ｘ　１０
’Ｍ）のりを含む培養液、およびｈＰＴＨおよび試験化
合物のいずれをも含有しない培養液を用いて実施した。

試験結果は、下記式によって計算した阻害百分率で表わ
した。

Ｃ，：　ｈＰＴＨおよび試験化合物の両方で処理した培
養液中の総力ルシウム濃度 Ｃｏ：　ｈＰＴ）（および試験化合物の両方とも用いな
い場合の対照培養液中の総力ルシウム濃度 ＣＰ；　ｈＰＴＨのみで処理した培養液中の総カルシウ
ム濃度 試験化合物 （ａ）［Ｎ−（フェニル）チオカルバモイルメチレン］
ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 （ｂ）［Ｎ−（４−クロロフェニル）カルバモイルメチ
レン］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミ
ン）塩 ＜Ｃ）［Ｎ−（ａ−クロロフェニル）チオカルバモイル
メチレンコビス（ホスホン酸）の）・リス（第三級ブチ
ルアミン）塩 （ｄ）［Ｎ−（２−ベンゾ［ｂコチェニル）チオカルバ
モイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 （ｅ）　　［Ｎ−（４−１−リフルオロメチルフェニル
）チオカルバモイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジ
ナトリウム塩 （ｆ＞［Ｎ−（３−トリフルオロメチルフェニル）チオ
カルバモイルメチレン 酸）のジナトリウム塩 （ｇ＞［Ｎ−（４−クロロ−３−トリフルオロメチルフ
ェニル）チオカルバモイルメチレンス（ポスポン酸）の
ジナトリウム塩 （ｈ）［Ｎ−（４−メトキシ−３−トリフルオロメチル
フェニル）チオカルバモイルメチレン］ビス（ホスホン
酸）のジナトリウム塩 （ｉ）［（２−ベンツ［ｂ］チオフェンカルボキサミド
）メチレンコビス（ホスホン酸）のビス（第三級ブチル
アミン）塩 １［　（　２−キノリンカルボキサミド）メチレン］ビ
ス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 （ｋ）［（４−クロロフェニル）スルホニルアミノメチ
レン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 （１）［Ｎ−（３−メシルアミノフェニル）チオカルバ
モイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のシナ］・リウム
塩 越ｊＯ釦釆 上記の試験結果から明らかなように、目的化合物［１］
およびその塩類は、強い骨吸収阻害活性を有し、骨粗髭
症、バジェットの骨疾患、骨溶解、悪性カルシウム過剰
症および慢性関節リウマチのような骨代謝異常を特徴と
する骨疾患を治療する骨代謝改善剤として有用である。

［実施例］ 以下製造例および実施例に従ってこの発明をさらに詳細
に説明する。

製造例１ ２−アミノベンゾ［ｂコチオフェン（１，１１ｇ）の無
水トルエン（４，５ｍＢ溶液に攪拌しなから二硫化炭素
（０，６２ｇ）およびトリエチルアミン（０，７５５ｇ
）を順次加え、窒素気流中Ｏ〜５°Ｃで３日間攪拌する
。沈殿物を濾取し、無水トルエン（１０ｍＱ）で洗浄す
る。得られた白色粉末をクロロホルム（ａ、ｓｍＱ）に
溶解させ、Ｉ・リエチルアミン（０，７６ｇ）を加え、
０°Ｃに冷却する。溶液にクロロぎ酸エチル（０，８４
ｇ）を２０分間かけて滴下する。室温で１時間攪拌した
後、溶液をＩＮ塩酸（５ｍＱ）で２回、次いで飽和食塩
水で洗浄し、乾燥させる。溶媒を減圧留去し、残渣をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにイ寸し、ｎ−ヘキ
サンで溶出して、ベンゾ［ｂコチオフェン−２−インチ
オシアネート（１１８ｍｇ）を油状物として得る。

ＩＲ（液膜）　ｉ　２０８０　ｃｍ−１ＭＭＲ（ＣＤＣ
ｌ２．８）　：　７．０６　（ＬＨ，ｓ）、　７．３２
−７．４１（２Ｂ、ｍ）、　　７．６３−７．７３　　
（２Ｈ，ｍ）製造例２ ６０％油性水素化ナトリウム（１２０ｍｇ）の蒸留テト
ラヒドロフラン（４ｍＡ）中部濁液に室温でメチレンビ
ス（ホスホン酸）テトライソプロピル（６８８ｍｇ）を
一度に加える。混合物を数分間攪拌した後、水浴で冷却
し、フェニルイソチオシアネー１−　（０，３６ｍ１ｌ
　）を加える。反応混合物を室温で３時間攪拌した後メ
タノール（２ｍＱ）を加えて加剰のフェニルインチオシ
アネートを分解する。混合物を減圧濃縮し、残渣をジエ
チルエーテルおよびＩＮ塩酸の混合物に溶解させる。分
離した有機層を分取し水洗した後、硫酸マグネシウムで
乾燥さ七る。溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーに付し、クロロホルムおよびメタノー
ル（３０：　１　ｖ／ｖ）の混合溶媒で溶出して［Ｎ−
（フェニル）チオカルバモイＪレメチレン］ビス（ポス
ポン酸）テトライソプロピル（０，７５ｇ）を結晶とし
て得る。

融点：　６４−６６°Ｃ ＩＲ（メタノール）　　：　　３３００．　１６００．
　１５００．　１４００．　１２５０゜１０００　ａｍ
−’ ＮＭＲ（ＣＤＣ１ａ、８　）　’　１．２−１．６　（
２４Ｂ１ｍ）、４．３１　（Ｈ（。

ｔ、Ｊ＝２３．５Ｈｚ＞、　　４．６５−５．０　（，
４Ｈ，ｍ＞、　　７．２−７．４５（３Ｈ，ｍ＞、　　
７．７５−７．８５　　（２Ｈ，ｍ）、　　１．０．２
４　　（ＩＨ。

ｂｒｓ） 製造例２と同様にして以下（製造例３〜２７）の化合物
を得る。

製造例３ ［Ｎ−（４−フルオロフェニル メチレンコビス（ホスホン酸）テトライソプロピル 融点：　１７３−１７４℃ ＩＲ　　（メタノール）　　：　　３４５０。　３３５
０．　　１６６５　　ａｍ″′ＩＮＭＲ　　（ＣＤＣｌ
２，　　δ　）　　；　　１．２６−１．５０　　（２
４Ｂ，ｍ）、　　３．６２（ＩＨ．ｔ，Ｊ＝２０Ｈｚ＞
、　　４．６９−４．９７　（４Ｈ，ｍ＞、　　７．０
０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８Ｈｚ）、　７．４８　（２Ｈ．ｄ
ｄ，Ｊ＝８および５Ｈｚ＞、　　７．５６　（ＬＨ．ｓ
）製】ｄ礼↓ ［Ｎ−（ｐ−）リル）カルバモイルメチレン］ビス（ホ
スホン酸）テトライソプロピル融点：　９６−９８°Ｃ ＩＲ　　（メタノール）　　：　３３００．　　１６６
０　　ｃｍ−’ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ２，δ）　：　１．
２０−４．５２　（２４Ｈ．ｍ）、　２．３２（３８，
ｓ）、　　３．５３　（１１（、ｔＪ＝２０Ｈｚ＞、　
　４．７０−４．９２（４．Ｈ．ｍ＞、　　７．１２　
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ）、　　７．４２　（２Ｈ，ｄ
。

Ｊ＝８Ｈｚ）、　　８．６９　（ＬＨ．ｓ）梨ｊ０外見 ［Ｎ−（４−メトキシフェニル）カルバモイルメチレン
］ビス（ポスホン酸）テトライソプロピル 融点ｊ　９９−１００℃ ＩＲ　　（メタノール）　　’　　３３００．　　１６
６０　　ａｍ−’ＮＭＲ　（ＣＤＣｌ２，δ）　：　１
．３１−１．４１　（２４Ｈ．ｍ）、　３．５３（１Ｍ
，ｔ，Ｊ＝２３Ｈｚ）、　　３．７９　（３Ｂ，ｓ）、
　　４．７１−４．９２（４Ｈ．ｍ）、　　６．８６　
（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ）、　　７．４４　（２Ｈ，ｄ
。

Ｊ＝９Ｈｚ＞、　　８．６５　（ＩＨ．ｓ）製造例６ ［Ｎ−（４−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ン］ビス（ホスホン酸）テトライソブ口ビル ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，８）　　’　　１．２１−１．４
６　　（２４Ｈ１ｍ＞、　　４．３０（ＬＨ，ｔｊ＝２
２）＋ｚ）、　４．７８　（４Ｈ，ｍ＞、　７．３５お
よび７．７８　（４Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ−８，８Ｈｚ）、　
　１０．２５　（ＬＨ，ｂｒ　ｓ）製造例７ ［Ｎ−（１−ナフチル）チオカルバモイルメチレンコビ
ス（ポスホン酸）テトライソプロピルＩＲ（液膜）　：
　３５００．３３２０．２９７５．２９２５．１５９０
゜１３８０、１２５０．１０００　ｃｍ””’ＮＭＲ（
ＣＤＣＩｓ、　Ｓ）　’　１．３７−１．４７　（２４
Ｈ１ｍ）、４．５１（ＬＨ，ｔ、Ｊ＝２４Ｈｚ）、　４
．９０　（４Ｈ，ｍ）、　７．４８−８．３４（７Ｈ，
ｍ）、　１０．３０　（ＩＨ，ｂｒ　ｓ）製造例８ ［Ｎ−（３−トリプルオロメチルフェニル）チオカルバ
モイルメチレンツビス（ポスボン酸）テ）・ライソブロ
ビル 融点：　４９−５１℃ ＩＲ（ＣＨ２Ｃ１２）　：　２９８０．２９３０．１４
５０．１３８５．１３３５゜１１３０、９９０　ｃｍ−
’ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，ｌ；　）　’　１．２５−１．５
７　（２４８７ｍ）、４．３４（１１，ｔ、Ｊ＝２３Ｈ
ｚ＞、　４．．７０−５．００　（４Ｈ，ｍ）、　７．
５０−７．６０　（２Ｈ，ｍ）、　８．０４　（ＩＨ，
ｍ）、　８．１６　（１Ｂ、ｓ）。

１０．４　　（ＩＨ，ｓ） 製造例９ ［Ｎ−（４−ｈリフルオロメチルフェニル）チオカルバ
モイルメチレンツビス（ホスホン酸）テトライソプロピ
ル 融点：　９８−１００℃ ＩＲ（ヌンヨール）　　：　　３２５０．　３２００．
　１６１０．　１３２０．　１２５０゜１１２０　ｃｍ
−１ ＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ、δ）　７１．３１−１．４４　（
２４Ｈ，ｍ＞、　４．３２（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２３Ｈｚ＞
、　４．８１　（４Ｈ，ｍ）、　７．６６および８．０
０　（４）１．ＡＢｑ、Ｊ＝８．５Ｈｚ＞、　　１．０
．４３　（ＩＴ（、ｓ）製造例１０ ［Ｎ−（３−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ンツビス（ホスホン酸）テ）・ライソブロビル 融点；　６１−６２℃ ＩＲ（液膜）　：３４５０．３３００．１５９５．１５
５０．１４８０゜１３８０、１２６０．１１００．１０
００　Ｃｍ−ＩＮＭＲ（ＣＤＣ１ａ、８　）　’　１−
２１−１４４　（２４４ｍ）、４．３０（１）（、ｔ、
Ｊ−２３Ｈｚ＞、　　４．６９−４．９１　　（４Ｈ，
ｍ）、　　７．２０−７．３７　（２８，ｍ＞、　　７
．６５　（ＩＨ，ｂｒ　ｄ、Ｊ＝８）１ｚ）、　　８．
００（１Ｂ、ｂｒ　　ｓ）、　　１０．２７　　（ＬＨ
，ｓ）製造例１１ ［Ｎ−（２−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ンツビス（ホスホン酸）テトライソプロピル ＩＲ（液膜）　：　３５００．３３００．１３８０．１
２６０゜９９０ｃｍ−１ ＮＭＲ（ＣＤＣ１ｓ、Ｓ　　）　　’　　１．２８−１
．４３　　（２４ｔ（１ｍ）、　　４．２６（ｉｔ（、
ｔ、Ｊ−２０Ｈｚ）、　　４．７６−４．９５　（４Ｂ
、ｍ＞、　　７．１７−７．３６　（２Ｈ，ｍ＞、　７
．７６　（１８，ｄｄ、Ｊ＝８および２Ｈｚ＞、　８．
４５　（１８，ｄｄ、Ｊ＝８および２Ｈｚ）。

１０．２０　（ＩＨ，ｓ＞ 製造例１２ ［Ｎ−（４−フルオロフェニル）チオカルバモイルメチ
レンツビス（ボスホン酸）テトライソプロピル ＩＲ（液膜）　：　３４８０．３３００．１５１０．１
０００　ｃｍ−ＩＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ、ｌ；　）　’　
１．２６−１．５３　（２４Ｈ１ｍ＞、４．３２６Ｏ− （ＨＬｔ、Ｊ−２４１１ｚ）、　　４．７０−４．９４
　（４Ｈ，ｍ）、　　７．０４−７．１３　（２）１．
ｍ＞、　　７．７ｔ−７，７８（２Ｈ，ｍ）、　　１０
．１９（’ＩＬｓ） 製造例１３ ［Ｎ−（ｐ−トリル）チオカルバモイルメチレンコビス
（ボスボン酸）テトライソプロピルＩＲ（液膜）　：　
３５００．３３００．１５３５．１３８５．１２６０゜
１０００　ｃｍ’ ＮＭＲ（ＣＤＣ１ｓ、８　）　’　１．２１−１．４３
　（２４Ｈ１ｍ＞、２．３５（３Ｈ，ｓ）、　４．３１
　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２０Ｈｚ）、　４．７０−４．９４
（４Ｈ，ｍ＞、　７．２０　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８）１ｚ
）、　７．６５　（２）１．ｄ。

Ｊ＝８Ｈｚ＞、　１０．１６　（ＬＨ，ｓ）製造例１４ ［Ｎ−（２−メトキシフェニル）チオカルバモイルメチ
レンコビス（ホスホン酸）テトライソプロピル ＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ、　　δ　）　　：　　１．１８−
１．５０　　（２４Ｈ，ｍ＞、　　３．９２（３Ｈ，ｍ
）、　　４．３７　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２４Ｈｚ）、　　
４．７３−４．９３（４８，ｍ）、　　６．９４−７．
０３　（２Ｈ，ｍ）、　　７．１６　（ＩＨ，ｔｄ。

Ｊ＝８および２Ｈｚ＞、　８．９６　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝
８Ｈｚ＞。

１０．４５　　（ＬＨ，ｓ） 製造例１５ ［Ｎ−（３，４−ジクロロフェニル）チオカルパモイル
メテレンコビス（ホスホン酸）テトライソプロピル 融点：　９０−９２℃ ＩＲ（ヌジョール）　　：　　３３００．　３２００．
　１２６０．　９９０　　ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣ］、
ｓ、Ｓ　）　：１．３２−１．７１　（２４）１１ｍ＞
、４．２９（１Ｂ、ｔ、Ｊ＝２３Ｈｚ）、　　４．６７
−４．９４　　（４Ｂ、ｍ）、　　７．４５（ＩＨ，ｄ
、Ｊ＝９Ｈｚ）、　７．６５　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝９お
よび２Ｈｚ＞、　８．１４　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝２Ｈｚ）
、　１０．３０　（ＬＨ，ｓ）製造例１６ ［Ｎ−（２−ベンゾ［ｂコチェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ホスボン酸）テトライソプロピル ＩＲ（液膜）：　３５００．３２１０．１６００．１５
８０．１３８０゜１２６０、　ＬＩＯｏ、　１０００　
ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，δ）　：　１．２３−１
．４４　（２４Ｈ，ｍ＞、　４．３１（１Ｂ、ｔ、Ｊ＝
２２）１ｚ）、　　４．６６−４．９４　　（４Ｈ，ｍ
）、　　７．２６−７．４０　（３Ｈ，ｍ＞、　７．６
６−７．８０　（２Ｈ，ｍ）、　１１．１１（ＬＨ，ｓ
） 製造例１７ ［Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニル）チオカルバ
モイルメチレン］ビス（ホスボン酸）テトライソプロピ
ル ＩＲ（液膜）　Ｆ　３３３０．２９８０．１５３０．１
４６０．１３８０゜１３２０、１２６０．１１７０．１
１４０゜１１００　ｃｍ−１ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．８　）　：　１．２０−１．５０
　（２４Ｈ，ｍ＞、　４．４８（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２３Ｈ
ｚ）、　　４．７０−５．００　　（４Ｈ，ｍ）、　　
７．４１（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝８Ｈｚ）、　　７．’６０　
（ＬＨ，ｔ、Ｊ＝８Ｈｚ）、　　７．７２（ＩＨ，ｄ、
Ｊ＝８Ｈ２）、　　７．８７　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ
＞、　　９．９１（ＩＨ，ｓ） 製造例１８ ［Ｎ−（４−クロロ−３−トリフルオロメチルフェニル
）チオカルバモイルメチレン］ビス（ホスボン酸）テト
ライソプロピル 融点：　１０１−１０２℃ ＩＲ（ヌジａ−Ｌ）　　：　　３１５０．　３１００．
　１３９０．　１３２０．　１２１０゜１０００　ｃｎ
ｎ−１ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．δ）　：　１．２５−１．４６　
（２４Ｈ，ｍ）、　４．３３（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２２Ｈｚ
＞、　　４．７４−４．９７　（４Ｈ，ｍ）、　　７．
５４（１，Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）、　、８．０５　（Ｉ
Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８および３Ｈｚ＞、　　８．２２　（Ｌ
Ｈ，ｄ、Ｊ＝３Ｈｚ＞、　　１０．４１　（ＬＨ，ｓ）
梨」ｌ」ｌ ［Ｎ−（４−メトキシ−３−トリフルオロメチルフェニ
ル）チオカルバモイルメチレン］ビス（ボスホン酸）テ
トライソプロピル ＩＲ（液膜）　：　３４５０．３２５０．１５００．１
２６０゜１１４０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（ＣＤＣ１ｓ、Ｓ）　：１．３４−１．４４　（
２４Ｈ１ｍ）、３．９２（３Ｈ，ｓ）、　４．３２　（
１Ｂ、ｔ、Ｊ＝２３Ｈｚ＞、　４．７０−４．９４（４
Ｈ，ｍ）、　７．０２　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）、　
７．９３　（ＬＨ。

ｂｒ　ｓ）、　７．９５　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝８および
２Ｈｚ　）製造例２０ ［Ｎ−（４−）リフルオロメチルフェニルルバモイルメ
チレン］ビス（ホスホン酸）テトライソプロピル 融点：　１３６−１３７℃ ＩＲ　　（Ｘジａ−ＩＬ）　　：　　３２５０．　　３
２００．　　１６７０，　　１６００．　　１５４０。

１３２０、　１２５０，　１１２０．　９５０　ｃｍ−
１ＢＭＲ　（ＣＤＣ１ｓ，Ｓ）　’　ｔ．　３０−１−
　４２　（２４Ｈ，ｍ）、　３．　５８（ＩＨ．ｔ，Ｊ
＝２２Ｈｚ＞、　　４．７３−４．９１　　（４Ｈ，ｎ
ｎ＞、　　７．５７および７．６６　（ｅａｃｈ　２Ｈ
，ｄ，Ｊ−７Ｈｚ）、　９．０５（１Ｂ，ｓ） 製造例２１ （Ｎ−メチルカルバモイルメチレン スホン酸）テトライソプロピル 融点：　９６−１００℃ ＩＲ　　（ヌジうール）　　：　　３２７０，　　１６
４０，　　１２５５．　　９８０　　ｃｍ−１ＢＭＲ　
（ＣＤＣｌ２，δ）　ｉ　１．２−１．５　（２４Ｈ，
ｍ＞、　２：８５　（３Ｈ。

ｄ，、Ｃ４Ｈｚ＞、　３．４８　（ＩＨ，ｔ，Ｊ＝２３
Ｈｚ＞、　４．６５−４．９５（４Ｈ，ｍ＞、　６．８
６　（１Ｂ，ｂｒ）製造例２２ ［Ｎ−（ｎ−ブチル）チオカルバモイルメチレンコビス
（ホスホン酸）テトライソプロピルＩＲ　（液膜）　：
　３５００，　３３５０．　１５４５，　１３８５。

１２６０　ｃｍ−１ ＮＭＲ　（Ｃ２０，δ）　：　０．９５　（３Ｈ．ｔ．
Ｊ＝７Ｈｚ＞、　１．２１−１．５４（２６Ｈ，ｍ＞、
　１．５９−１．７４　（２Ｈ，ｍ）、　３．６４　（
２Ｈ，ｄｔ。

Ｊ＝７Ｈｚ）、　　４．２３　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２３Ｈ
ｚ）、　　４．６５−４．８９（４）１．ｍ）、　　８
．５６　（１Ｂ、ｂｒ　ｍ）製ｊＩ汁饅 ［Ｎ−（４−メチルチオフェニル）チオカルバモイルメ
チレン］ビス（ホスホン酸）テトライソプロピル ＩＲ（ヌ九−ル）　　：　　１４８０．　１４５０．　
１０９０．　９２０゜８１０　ｃｍ−１ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，８＞　’　１．１５−１．５　（
２４Ｈ１ｍ）、２．４７（ＩＨ，ｓ）、　４．２７　（
ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２１Ｈｚ）、　４．５−４．９５（４Ｂ
、ｍ）、　　７．２６　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．６Ｈｚ＞
、　　７．７６　（２Ｈ。

ｄ、Ｊ４．６Ｈｚ）、　１０．２　（ＩＨ，ｓ）製ｊｌ
江都 ［Ｎ−（４−メシルアミノフェニル）チオカルバモイル
メチレンコビス（ホスホン酸）テトライソプロピル 融点：　１４１−１４３°Ｃ ＩＲ（ヌ九−ル）　　ｊ　　３３００．　３１００．　
１６１０．　１５１０．　１４２０゜１３８０、１３３
５．１２５０．１１５０゜１０００　ａｍ−’ ＮＭＲ（ＣＤＣ１ａ、８　）　＝１．３３−１．６７　
（２４Ｈ９ｍ）、３．０２（３１（、ｓ）、　　４．３
０　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２３）１ｚ）、　　４．７０−４
．９２（４Ｈ，ｒｎ）、　７．２９および７．５０　（
ｅａｃｈ　２Ｈ，ｄ。

ＪＪＨｚ）、　　７．４５　（ＩＨ，ｓ）、　　１０．
２３　（ＩＨ，ｓ）製造例２５ ［Ｎ−（３−メシルアミノフェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ボスホン酸）テトライソプロピル 融点：　１４４−１４５℃ ＩＲ（液膜）　：　３４５０．３１５０．１６００．１
３８０．１２４０゜１１５０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．δ）　：　１．３４−１．４８　
（２４Ｈ，ｍ）、　３．０６（３）１．ｓ）、　４．３
１　（１Ｂ、ｔ、Ｊ＝２２Ｈｚ＞、　４．７３−４．９
１（４Ｈ，ｎｎ）、　　６．８４　（ＩＬｂｒ　ｓ）、
　　７．１２　（ＬＨ，ｂｒ　ｄ。

Ｊ＝６Ｈｚ）、　７．３２−７．３９　（２Ｈ，ｍ＞、
　７．９８　（ＩＨ。

ｂｒ　ｓ）、　１０．２９　（ＬＨ，ｂｒ　ｓ）製造例
２６ ［Ｎ−（ａ−アセチルアミノフェニル ルバモイルメチレン］ビス（ホスホン酸）テトライソプ
ロピル ＩＲ　（液膜）　：　３５００，　３３００．　１６９
０，　１５１５，　１３８５。

１２６０、　１１００　ｃｍ−’ ＮＭ！？　（ＣＤＣｌ２，δ）　’　１．１３−１６５
　（２４Ｈ，ｍ）、　２．２１（３Ｈ，ｓ）、　４．３
４　（ＩＨ，ｔ，Ｊ＝２２Ｈｚ＞、　４．５８−４．９
８（４）１．ｍ）、　７．５５および７．７６　（２８
，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）。

１０、２０　（ＩＨ．ｓ） 製造例２７ ［Ｎ−（３−アセチルアミノフェニル）チオカルバモイ
ルメチレン］ビス（ホスホン酸）テトライソプロピル ＩＲ　（液膜）　：　３４５０，　３３００，　１６９
０．　１６１０．　１５５０。

１２６０、　１１１０　ｃｍ−’ ＮＭＲ’（ＣＤＣ１３＝　８　）　’　１．１０　１．
６２　（２４Ｈ，ｍ）、２−１７（３Ｈ，ｓ）、　４．
３０　（１Ｂ，ｔ，Ｊ＝２２Ｈｚ）、　４．５５−５．
００（４Ｈ．ｍ）、　７．３０−７．６２　（３Ｈ，ｍ
）、　８．１５　（ＩＨ．ｓ）梨３３−翻 メチレンビス（ポスホン酸）テトライソプロピル（６６
８ｍｇ）およびカリウム第五級ブトキシド（　２２４ｍ
ｇ　）　ｃ７）無水トルエン（５ｍＱ）中温合物を１時
間還流する。溶液を室温まで冷却し、３−（２一ピリジ
ル）−３．４−ジヒドロ−２Ｈ−ピリド［１．２−ａコ
ー１．３．５−トリアジン−２．４−ジオン（２．０ｇ
）および無水テトラヒドロフラン（　２５ｍｔｒ　）を
加え、混合物を６０°Ｃで３０分間攪拌する。反応混合
物を氷水浴で冷却し、ＩＮ塩酸を加える。有機層を分取
し、水層を酢酸エチルで抽出する。有機層を合わせ、飽
和食塩水で洗浄し、乾燥させた後減圧濃縮する。残渣を
シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付しメタノール
、塩化メチレンおよびジエチルエーテル（　１　：　１
０　：　３０ｖ／ｖ）の混合溶媒で溶出して、［Ｎ−（
２−ピリジル）カルバモイルメチレン］ビス（ホスホン
酸）テトライソプロピル（１．４２ｇ）を油状物として
得る。

ＩＲ　Ｃ液膜）　：　３３６０．　３２５０．　１６９
０　ｃｍ−’ＮＭＲ　（ＣＤＣ１３，ｌ；　）　：１．
　２０　１−　５８　（２４Ｈ．ｔｎ）、　２．　３０
（１）１，ｂｒ　ｓ）、　３．６０　（１８，ｔ．Ｊ＝
２０Ｈｚ）、　４．６７−５、０５　（４Ｈ．ｍ）、　
７．０６　（ＬＨ，ｄｄ，Ｊ＝７および５Ｈｚ）、　７
．６０−７．７７　（１８，ｍ）、　８．１２　（ＩＨ
．ｄ。

Ｊ＝７Ｈｚ＞、　８．３０　（ＩＨ．ｂｒ　ｄ，、Ｃ５
Ｈｚ＞、　９．１１（ＩＨ，ｂｒ　ｓ） 製造例２９ ２−ベンゾ［ｂ］チオフェンカルボン酸（３５６ｍｇ＞
および塩化オキサリル（０，３ｓｍＱ）から合成した２
−ベンゾ［ｂ］チオフェンカルボン酸クロリドの塩化メ
チレン（２ｍＱ　）溶液に、５℃で（アミノメチレン）
ビス（ホスホン酸）テトラエチル（６０６ｍｇ）、ピリ
ジン（３１６ｍｇ）および微量の４−（ジメチルアミン
）ピリジンの塩化メチレン（８ｍＱ）中温合物を加える
。酢酸エチルを加えながら室温で２時間攪拌した後、反
応混合物を水、ＩＮ塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液および飽和食塩水で順次洗浄し、硫酸マグネシウムで
乾燥させ、減圧濃縮する。残渣にジイソプロピルエーテ
ルを加え、濾過して〔（２−ベンゾ［ｂ］チオフェンカ
ルボキサミド）メチレン］ビス（ホスホン酸）テトラエ
チル（７９０ｍｇ）を白色粉末として得、酢酸エチルお
よびｎ−ヘキサンの混合溶媒より再結晶する。

融点：１２０−１２１℃ ＩＲ（ヌジＢ−ル）　　：　　３２１０．　１６４０．
　１６３０　　ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，ｆ；　）
　’　１．３０−１．４２　（１２Ｈ１ｍ）、４．０９
−４．４１　（８Ｈ，ｍ）、　５．２２　（ＩＨ，ｔｄ
、Ｊ＝２０および９Ｈｚ＞、６．６３　　（１８，ｄ、
Ｊ＝９Ｈｚ）、７．３８−７．５０（２Ｌｍ）、　　７
．８５　（ＬＨ，ｓ）、　　７．８５−７．９２　（２
Ｈ，ｍ＞製造例２９と同様にして、以下（製造例３０〜
３３）の化合物を得る。

製造例３０ ［（２−キノリンカルボキサミド）メチレン］ビス（ホ
スポン酸）テトラエチル 融点：　５１１１−５９℃ ＩＲ（ヌジョール）　　：　　３５００．　３４００．
　１６８０　　ａｍ−１ＨＭＲ（ＣＤＣ１３，８）　’
　１．１０−１．５５　（１２Ｈ１ｍ）、１．０４−４
．４５　（８Ｈ，ｍ＞、　５．２４　（ＩＨ，ｔｄ、Ｊ
＝２０および９Ｈｚ）、　７．６５　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝
７Ｈ２）、　７．３２　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ−７Ｈｚ＞、　７．９０　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）
、　８．１７　（ＬＨ，ｄ。

Ｊ＝７Ｈｚ）、　８．２９　（２Ｈ，ｑ、Ｊ＝１０およ
び８Ｈｚ　）　。

８．２５　（１Ｂ、ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ） 製造例３１ （ペンソイルアミノメチレン）ビス（ホスホン酸）テト
ラエチル ７ｌ− ＩＲ（Ｃ）ＩＣｌ３）　＋　３４３０．１６６５．１６
００．１５８０．１４８０゜１３９０、１３６８　ｃｍ
−１ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．δ）ｉ　１．３１　（６Ｈ，ｔ、
Ｊ＝７）１ｚ）、　１．３５（６Ｈ，ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ）
、　　４．０５−４．３５　（８Ｈ，ｍ）、　　５．２
６（ＩＨ，ｄｔ、Ｊ＝１０．　２２Ｈｚ）、　　６．７
７　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１０Ｈｚ）。

７．４０−７．６０　　（３Ｈ，ｍ）、　　７．８１　
　＜２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ＞製造例３２ ［（４−クロロベンゾイルアミノ）メチレン］ビス（ホ
スホン酸）テトラエチル ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．　δ　）　　：　　１．３１　　
（６Ｈ，ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ）、　　１．３５（６Ｈ，ｔ、
Ｊ＝７Ｈｚ）、　４．２２　（４Ｈ，ｑＪ＝７）１ｚ）
、　４．２３（４）１．ｑ、Ｊ＝７Ｈｚ）、　　５．２
４　　（ＩＨ，ｄｔ、Ｊ＝１０．　２２Ｈｚ）。

４．２３　（４Ｈ，ｑ、Ｊ＝７Ｈｚ＞、　５．２４　（
ＬＨ，ｄｔＪ＝１０゜２２Ｈｚ）、　６．８２　（ＩＪ
ｌ、ｄ、Ｊ＝１０Ｈｚ）、　７．４４　（２Ｈ，ｄ。

Ｊ＝８Ｈｚ）、　７．７４　（２Ｈ，ｄ、Ｊ：８Ｈｚ）
製造例３３ ［（２−ピリジンカルボキサミド）メチレン］ビス（ホ
スホン酸）テトラエチル ＩＲ（液膜）　’　３５００．３４００．１６８５　ｃ
ｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．δ）　：１．２８−１．３
７　（１２Ｈ，ｍ）、　４．１５−４．３２　（８）１
．ｍ＞、　５．１８　（１）１．ｔｄ、Ｊ＝２０および
１０Ｈｚ）、　　７．２７−７．５１　　（Ｈ（、ｍ）
、　　７．８２−７．９１　　（ＬＨ。

ｔｄ、Ｊ＝８および２Ｈｚ＞、　８．１７　（ＬＨ，ｄ
、Ｊ＝８Ｈｚ）。

８．５４　　（ＩＨ，ｄ、Ｊ４０Ｈｚ＞、　　８．５８
−８．６２　　（ＬＨ，ｍ＞製造例３４ ２−［１−（第三級ブトキシカルボニル）イミダゾール
−４−イル］酢酸（４５ｍｇ）および（アミノメチレン
）ビス（ホスホン酸）テトラエチル（９１ｍｇ）のＮ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド（１ｍｕ　）溶液に窒素気流
中水塩浴下で攪拌しながら、Ｎ−エチル−Ｎ’−（３−
ジメチルアミノプロピル）カルボジイミドの塩酸塩（４
２ｍｇ）を加え、５°Ｃで３６時間攪拌する。反応混合
物をクロロホルム（１０ｍＱ　）で希釈し、冷ＩＮクエ
ン酸水溶液（１０ｍＱ　）で洗浄する。洗液をクロロホ
ルム（１０ｍＱ　）で２回抽出し、有機層を全部合わせ
、硫酸ナトリウムで乾燥させ減圧濃縮する。残渣を酢酸
エチル（１０ｍＱ）に溶解させ、水（ｘｏｍＱ）で洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後減圧濃縮して、［
［２−（１−（第三級ブトキシカルボニル）イミダゾー
ル−４−イル）アセトアミド］メチレン］ビス（ホスホ
ン酸）テトラエチル（６７ｍｇ）を無色油状物として得
る。

ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．８　）　’　１．３２　（６Ｈ９
ｔ、Ｊ＝６１（ｚ＞、１３３（６８，ｔ、Ｊ＝６）＋ｚ
）、　１．６２　（９Ｈ，ｓ）、　３．６０　（２Ｈ，
ｓ）。

４．１−４．３　（８Ｈ，ｍ）、　５．０６　（ＩＨ，
ｄｔ、Ｊ：１２Ｈｚ。

２４Ｈｚ＞、　７．２８　（１１（、ｓ）、　７．５９
　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝１２Ｈｚ＞。

８．０７　（ＩＨ，ｓ） 製造例３５ （アミノメチレン）ビス（ホスホン酸）テトラエチル（
６６１ｍｇ）のピリジン（２ｍＱ）溶液に室温で攪拌し
ながらベンゼンスルホン酸クロリド（０，ｓ５ｍａ　）
および４−（ジメチルアミノ）ピリジン（５０ｍｇ）を
加え、同温で４時間攪拌する。反応混合物を酢酸エチル
（２ｏｍｎ　）で希釈し、ＩＮ塩酸で４回、水、飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄する。硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を減圧留去する。残渣をシリカゲル
（２０ｇ）カラムクロマトグラフィーに付し、クロロホ
ルムおよびメタノール（２０：　１　ｖ／ｖ）の混合溶
媒で溶出して、（フェニルスルホニルアミノメチレン）
ビス（ボスホン酸）テ［・ラエチル（３６４ｍｇ）を黄
色油状物として得る。

ＩＲ（Ｃ）ＩＣｌ３）　　　：　　３３９０．　　３０
００．　　１３４３．　　１２５６゜１１６５　ｃｍ−
’ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．δ）　；　１．２５　（６Ｈ，ｔ
、Ｊ＝７Ｈｚ＞、　１．２８（６Ｈ，ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ）
、　３．９０−４．２０　（８Ｈ，ｍ＞、　４．２３（
ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２２）１ｚ）、　　５．６８　　（ＩＨ
，ｂｒ　　ｓ）、　　７．４５−７．６０　（３Ｈ，ｍ
）、　７．９１　（２Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝２．８Ｈｚ）製造
例３５と同様にして、以下（製造例３６〜４０）の化合
物を得る。

製造例３６ （トシルアミノメチレン）ビス（ホスホン酸）テトラエ
チル ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，Ｓ　）　’　１．２１．４５　（
１，２Ｈ１ｍ＞、２．４２（３Ｈ，ｓ）、　３．９−４
．４　（９Ｈ，ｍ＞、　７．３および７．７５（４Ｈ，
ＡＢｑ、Ｊ＝８．４Ｈｚ） 製造例３７ ［（４−１０ロフエニル）スルホニルアミノメチレンコ
ビス（ホスホン酸）テトラエチル融点：　１３０−１３
１℃ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．Ｓ　）　’　１．２７　（６Ｈ１
ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ）、１．３０（６Ｈ，ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ＞
、　　３．９０−４．３０　（８Ｈ，ｍ＞、　　５．３
２（ＩＨ，ｂｒ　ｓ）、　　７．４８　（２Ｈ，ｄ、Ｊ
＝８Ｈｚ）、　　７．８４　（２Ｈ。

ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ） 製造例３８ ［（３，４−ジクロロフェニル）スルホニルアミノメチ
レンコビス（ポスホン酸）テトラエチル融点：　１０４
−１０６℃ ＩＲ（ヌジョール）　　：　　３６００．　３４００．
　３０００．　１６３０．　１２００゜１１６０、１０
７０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，８）　’　１．２０−１．４０　
（１２）１．ｍ）、　４．００−４．４０　（９Ｈ，ｍ
＞、　７．５８　（ＬＨ，ｄ、Ｊ：８．５Ｈｚ）、　７
．７４（ＬＨ，ｄｄ、　Ｊ＝９．０および２Ｈｚ）、　
７．９９　（ＩＨ，ｄ。

Ｊ−２Ｈｚ） １」Δη ［（２−チェニル）スルホニルアミノメチレンコビス（
ホスホン酸）テトラエチル ＩＲ（液膜）　：　３０７０．２９６０．１２５５．１
１５５゜１０２０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（ＣＤＣ１３，８）　’　１．２１．５　（１２
Ｈ１ｍ＞、２．３　（ＩＨｌｂｒ）、　　４．０−４．
３５　（９Ｈ，ｍ）、　　７．０９　（ＬＨ，ｄｄ、Ｊ
＝４Ｈｚおよび５Ｈｚ＞、　７．６０　（ＬＨ，ｄｄ、
Ｊ４Ｈｚおよび５Ｈｚ）、　７．６６　（ＩＨ，ｄｄｊ
４Ｈｚおよび４Ｈｚ　）製造例４０ ［（８−キノリル）スルホニルアミノメチレン］ビス（
ホスボン酸）テトラエチル ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２．８　）　ｊ　１．１０　（６Ｈ，
ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ）、　１．１９（６８，ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ
）、　３．８０−４．２０　（８Ｈ，ｍ）、　４．４０
（ＩＨ，ｔ、Ｊ−２２Ｈｚ）、　７．５７　（ＩＨ，ｄ
ｄ、Ｊ＝８．４）１ｚ）。

７．６５　（ＩＨ，ｔ、Ｊ−８Ｈｚ）、　８．０６　（
ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）。

８．２９　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．２Ｈｚ＞、　８．３
３　（１１（、ｄ。

Ｊ＝８Ｈｚ）、　９．０７　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝４．２
Ｈｚ）製造例４１ ６３．９％油性水素化ナトリウム（４４ｍｇ）の蒸留テ
トラヒドロフラン（２，ＯｍＱ）中部濁液にメチレンビ
ス（ホスホン酸）テトライソプロピル（３４４ｍｇ）を
５°Ｃで一度に加え、室温で３０分間攪拌する。混合物
を水浴で冷却し４−クロロフェニルイソシアネート（１
５４ｍｇ）を加え、５℃で３０分間、次いで室温で１時
間攪拌して、［Ｎ−（４−クロロフェニル）カルバモイ
ルコニタンコヒス（ホスボン酸）テトライソプロピルの
ナトリウム塩を含む溶液を得る。得られた溶液に沃化メ
チル（４２６ｍｇ）を室温で加え同温度で５時間攪拌し
た後、塩化アンモニウムの水溶液を加える。分離した油
状物を酢酸エチルで抽出し、抽出液を飽和食塩水で洗浄
して乾燥さぜる。溶媒を減圧留去し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーにイオし、ｎ−ヘキサンおよ
び酢酸エチル（１：　ｌｖ／ｖ）の混合溶媒で溶出して
、１−［Ｎ−（４−クロロフェニル）カルバモイルコニ
タン−１，１−ビス（ホスホン酸）テトライソプロピル
（３９９ｍｇ　）を無色油状物として得る。

ＩＲ（ヌ九−ル）　　：　　３３５０．　１６９５　　
ａｍ−’ｔＪＭＲ（ＣＤＣｌ２．８　’）　４１．２０
−１．５５　（２４１（、石）、　１．７０（３Ｂ、ｔ
、ト１４Ｈｚ）、　４．６８−４．９２　（４Ｈ，ｍ＞
、　７．２８（２Ｈ，ｄｊ＝８Ｈｚ）、　７．５２　（
２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）、　９．２９（ＩＨ，ｓ） 製造例２と同様にして、以下（実施例１〜３１）の化合
物を得る。

実施例１ ［Ｎ−（フェニル）チオカルバモイルメチレン］ビス（
ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン塩） 融点：１４０℃ ＮＭＲ（Ｃ２０，８＞　：　１３５　（２７Ｈ，ｂｒ　
ｓ）、　４．０５　（ｉｔ（、ｔ。

Ｊ−２０Ｈｚ）、　７．３−７．７５　（５Ｈ，＋ｎ）
曵皇刻１ ［Ｎ−（４−クロロフェニル）カルバモイルメチレン］
ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 融点ｉ　２０６−２１０℃ ＩＲ（ヌジョール）　　：　　３７００−２０００．　
１６６０．　１５４０．　１１５０゜１０９０、８２５
　ｃｍ−１ ＮＭＲ（Ｃ２０，８）　　’　　１．４　　（２７ｔ（
、ｂｒ　　ｓ）、　３．２３　　＜１）１．ｔ。

、Ｃ２０Ｈｚ）、　７．４０および７．５０　（４Ｈ，
ＡＢｑ。

Ｊ＝９Ｈｚ） 実施例３ ［Ｎ−（フェニル）カルバモイルメチレン］ビア９− ス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 融点：　２０７−２０９℃ ＩＲ（ヌジタール）　　：　　３７００−２０００．　
１６５０．　１６００．　１１５０゜１１３０、１０６
５．９６０　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｃ２０，Ｓ　）　’　１
．４０　（２７Ｈ９ｂｒ　ｓ）、３．２５　（ＩＨｌｔ
。

、Ｃ２０Ｈｚ＞、　７．１５−７．６　（５）ｔ、ｍ）
火農忽１ ［Ｎ−（４−フルオロフェニル）カルバモイルコニタン
コビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）
塩 融点：　２０９−２１１°Ｃ ＩＲ（スジ３−ル）　　：　　３７００−２０００　　
（ｂｒ）、　　１６５０　　ｃｍ−１ＨＭＲ（Ｃ２０，
８）　’　１．３６　（２７Ｈ１ｓ）、３．２３　（Ｌ
Ｈ，ｔ−９Ｊ：２０Ｈｚ）、　７．１４　（２Ｈ，ｔ、
Ｊ＝８Ｈｚ＞、　７．５０　（２８゜ｄｄ、　Ｊ＝８お
よび５１（ｚ　） 実施例５ ［Ｎ−（３，４−ジクロロフェニル）カルバモイルメチ
レン］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミ
ン）塩 一８０＝ 融点：　２１．６−２２０℃ ＩＲ（ヌジョール）　　：　　３６００−２１００　　
（ｂｒ）、　　１６６０　　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｃ２０，
８）　：　１．３５　（２７Ｈ４）、　３．３０　（Ｉ
Ｈ，ｔ。

Ｊ−２０Ｈｚ）、　７．３８　（１）１．ｄ、ｄ、Ｊ−
９および２Ｈｚ＞。

７．５０　（ＩＬｄ、Ｊ＝９ｔ（ｚ）、　７．８１　（
ＬＨ，ｄ、Ｊ＝２Ｈｚ）実施例６ ［Ｎ−（＋）−）リル）カルバモイルメチレン］ビス（
ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 融点：　２２１−２３０℃ ＩＲ（ヌ九−ル）　　’　　３７００−２０００　　（
ｂｒ）、　　１６５５　　ａｍ−’ＮＭＲ（Ｃ２０，δ
　＞　　：　　１．３６　　（２７Ｈ，ｓ）、　　２．
３２　　（３Ｌｓ）。

３．２７　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２０Ｈｚ）、７．２５　（
２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ＞。

７．４０　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ） 実施例７ ［Ｎ−（４−メトキシフェニル）カルバモインレメチレ
ン］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン
）塩 融点：　２１４−２２０°Ｃ ＩＲ（スジョール）　　：　　３７００−２３００　　
（ｂｒ）、　　１６５０　　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｃ２０，
δ＞　：　１．３７　（２７）１．ｓ）、　３．２７　
（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、３．８５　（３８，ｓ）、　　７．０
２　（２Ｈ，ｄ。

Ｊ＝８Ｈｚ＞、７．４５　（２Ｈ，ｄ、Ｃ３Ｈｚ）実施
例８ １−［Ｎ−（４−クロロフェニル）カルバモイル］エタ
ンー１．１−ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチ
ルアミン）塩 融点：　２３７−２３９℃ ＩＲ（ヌ九−ル）　　：　　３７００−２０００　　（
ｂｒ）、　　１６５０　　ｃｍ−１ＨＭＲ（Ｃ２０、δ
）　：　１．３６　（２７Ｈ，ｓ）、　１．５６　（３
８，ｔ。

Ｊ＝１４Ｈｚ）、　７．３８　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ
）、　７．５０　（２Ｌｄ、Ｊ＝８Ｈｚ） 夾舅珂１ ［Ｎ−（４−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ン］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン
）塩 融点：　２０６−２０８℃ ＮＭＲ（Ｃ２０，δ）　：　１．３４　（２７Ｌｍ＞、
　４．０８　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２２Ｈｚ＞、　７．４７および７．６０　（４Ｈ，
ＡＢｑ。

Ｊ＝８）１ｚ） 実施例１０ ［Ｎ−（１−ナフチル）チオカルバモイルメチレン］ビ
ス（ポスポン酸）のビス（第三級ブチルアミン）塩 融点：　１６０’Ｃ（分解） ＮＭＲ（Ｃ２０，δ）＝１．３５　（１８Ｈ，ｓ）、　
４．２４　（ＬＨ，ｔ。

Ｊ＝２２Ｈｚ＞、　７．６０−８．２３　（７８，ｍ）
実施例１１ ［Ｎ−（３−トリフルオロメチルフェニル）チオカルハ
モイルメチレンコビス（ホスポン酸）のジナトリウム塩 融点＝２１８°Ｃ（分解） ＩＲ（ヌジョール）　　：　　３３００．　１６００．
　１４．１０．　１１７０．　１１３０゜１．０７０．
８９０　ｃｍ’ ＮＭＲ（Ｃ２０，ｌ；　）　’　４−２１　（ＩＨ，ｔ
、Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７−６０−７．７７　（２Ｈ，＋
ｎ）、　７．８２　（ＩＨ，ｍ）、　８．１０　（ＬＨ
，ｓ）実施例１２ ［Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニル）チオカルバ
モイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：２１８°Ｃ（分解） ＩＲ（ヌジａ−ル）　二　３２６０．　１６１０．　１
４２５．　１４００．　１３３５゜１１７０、１０６５
　ｃｍ−’ ＮＭＲ（Ｃ２０，δ）　：　４．１１　（ＩＨ，ｔ、Ｊ
＝２０．７）１ｚ）、　７．８０および７．８８　（４
Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝８．８Ｈｚ）火】ｄ」す ［Ｎ−（３−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ン］ビス（ホスポン酸）のシナ）・リウム塩 融点：２２４℃（分解） ＩＲ（ヌジョール）　　：　　３３００．　３２００．
　２３５０．　１５９５．　１４００゜１２５５、１２
００．１１７０．１０９０　ｃｍ−’実施例１４ ［Ｎ−（２−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：　２５５−２５７℃（分解） ＩＲ（ヌジシール）　　’　　３７００−２４００　　
（ｂｒ）、　　１５９０．　１１５０゜１１２０　ｃｍ
−１ ８４一 実施例１５ ［Ｎ−（４−フルオロフェニル）チオカルバモイルメチ
レンコビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：　２４７−２４９°Ｃ（分解） ＩＲ（ス九−ル）　　’　　３７００−２３００　　（
ｂｒ）、　　１２２０゜１０９０　ｃｍ’ ＮＭＲ（Ｃ２０，８）　’　４．　ｔｏ　（ＬＨｌｔ、
Ｊ＝２１Ｈｚ）、？−２１（２Ｈ，ｔＪ＝９Ｈｚ）、　
７．５８　（２Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝９および５Ｈｚ） 火１目１秒 ［Ｎ−（ｐ−トリル）チオカルバモイルメチレンコビス
（ホスホン酸）のジナトリウム塩融点：　２５５−２５
８℃（分解） ＩＲ（Ｘジ、−ル）　　：　　３７００−２３００　　
（ｂｒ、）、　　１５２０゜１１５０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（Ｃ２０，δ）　：　２．３７　（３Ｈ，ｓ）、
　４．０４　（ＬＨ，ｔ、。

Ｊ：２０Ｈｚ＞、　７．３２および７．５２　（２Ｈ，
ｄｄ、、Ｃ８）１ｚ）火−施例１７ ［Ｎ−（２−メトキシフェニル イルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点＝２２７℃（分解） ＩＲ　　（スジョール）　　：　　３６０５，　　３３
５０，　　１６００．　　１５４０，　　１４００。

１２４０、　１１６０．　１０５０　ｃｍ−’ＮＭＲ　
（Ｃ２０，Ｓ　）　’　３．　９０　（３Ｈ，ｓ）、４
−　０９　（　ＬＨ．ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．０３−７．１９　（２Ｈ，ｍ）
、　７．３７　（１）１．ｔ。

Ｊ＝８）１ｚ）、　　８．１４　（ＩＬｄ，Ｊ＝８）１
ｚ）叉１１汁ｌ ［Ｎ−（３．４−ジクロロフェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点ｊ　２４Ｂ−２５０℃（分解） ＩＲ　　（ヌ九−ル）　　：　　３７００−２３００　
　（ｂｒ）、　　１１９０。

１０９０　ｃｍ−’ ＮＭＲ　（Ｃ２０，Ｓ　）　：４．０３　（ＬＨ，ｔ，
Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．５３−７、６４　（２Ｈ，ｍ＞
、　８．０３　（１．）１．ｓ＞火１−佐ｌ ＣＮ−Ｃ２−ピリジル）カルバモイルメチレン］ビス（
ボスボン酸）のジナトリウム塩融点：　＞３００℃ ＩＲ　　（スジうール）　　’　　３７００−２１００
　　（ｂｒ）、　　１６７５　　ｃｍ−’ＮＭＲ　　（
Ｃ２０，　δ　）　　：　　３．４７　　（１８，ｔ，
Ｊ＝２０Ｈｚ）、　　７．２７（ＬＨ．ｔＪ＝６Ｈｚ＞
、　７．８３　（１．Ｔ（、ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ）、　７．
９５（ＩＨ．ｔ．Ｊ＝８Ｈｚ）、　８．２９　（ＩＨ．
ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ）犬嵐孤迎 （Ｎ−（２−ベンツ゛［ｂ］チェニル）チオカルバモイ
ルメチレン］ビス（ポスボン酸）のジナトリウム塩 融点ｉ　＞２８０℃ ＩＲ　　（ヌジョール）　　：　　３７００−２：ｔｏ
ｏ　　（ｂｒ）、　　１４６０，　　１４１０。

１２３０、　１１６０　ｃｍ−’ ＮＭＲ　（Ｃ２０，８　）　’　４．　０２　（ＩＨ，
ｔ．Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．　３５−７、４７　（２Ｈ
，ｍ）、　７．４５　（ＬＨ，ｓ）、　７．８５　（Ｉ
Ｈ，ｄ。

Ｊ：１１Ｈｚ）、　７．９７　（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝１５Ｈ
ｚ＞衷］■（’ＩＩ丼 ［Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニル）テオカルバ
モイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点　：　２１２’Ｃ（分解） ＩＲ　　（ヌジョール）　　：　　３２５０，　　２４
００．　　１５３０，　　１４１０，　　１３２０。

１１５０、　１０６０　ｃｍ−’ ＮＭＲ　（Ｃ２０，Ｓ　）　’　４．　ｔａ　（ＬＨ．
ｔ，Ｊ＝２１Ｈｚ）、　７．　５２−７、６０　（ＩＨ
，ｍ）、　　７．６５−７．７６　（２Ｈ，ｍ）、　　
７．８３（ＬＨ．ｄ．Ｊ＝８）１ｚ） 実施例２２ ［Ｎ−（４−クロロ−３−トリフルオロメチルフェニル
）チオカルバモイルメチレン スホン酸）のジナトリウム塩 融点：２４５℃（分解） ＩＲ　　（ヌジョール＞　　：　　３３５０，　　３２
００，　　１６２０．　　１５６０．　　１４ｇ５。

１４１５、　１３２０　ｃｍ−１ ＮＭＲ　（Ｃ２０，δ）　：　４．００　（ＩＨｉ，Ｊ
＝２０Ｈｚ）、　７．６８（ＬＨ，ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ）、
　７．８８　（ＩＨ．ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ＞、　８．２９（
ＩＨ，ｓ） 実１■江翻 ＩＮ−（４−メトキシ−３−トリフルオロメチルフェニ
ル）チオカルバモ、イルメチレン］ヒス（ポスボン酸）
のジナトリウム塩 融点：　２４９−２５２℃（分解） ＩＲ　　（ス九−ル）　　：　　３２５０，　　２３５
０，　　１５０５，　　１３２５．　　１２８０。

１１３０　ｃｍ−’ ＮＭＲ　（Ｃ２０，δ）　：　４．０５　（ＩＨ，ｔ，
Ｊ−２０Ｈｚ＞、　７．２８（１８，ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ＞
、　　？．７７　　（１）１，ｄｊ＝９Ｈｚ＞、　　７
．９７（ＩＨ．ｄ，Ｊ：２Ｈｚ＞ 求施例２４ （Ｎ−メチルカルバモイルメチレン スボン酸）のビス（第三級ブチルアミン）塩融点；２２
９℃（分解〉 ＩＲ　　（スジゴール）　　：　　３６００−２０００
．　　１６４５．　　１１５０　　ｃｍ−’ＮＭＲ　（
Ｃ２０，ｌ；　）　：１．、３６　（１８Ｈ，ｓ）、２
．７９　（３Ｈ，ｓ）。

３、２２　（ＩＨ，ｔ，Ｊ＝２１Ｈｚ）実施例２５ ［Ｎ−（ｎ−ブチル）チオカルバモイルメチレン］ビス
（ホスボン酸）のジナトリウム塩融点：　＞２５０℃ ＩＲ（スジシール）　　：　　３５００．　３２５０．
　１５６０．　１２８０．　１１８０゜１０６５　ｃｍ
”” ＮＭＲ（Ｃ２０，８）　’　０．９４　（３Ｈ１ｔ、Ｊ
＝７Ｈｚ）、１．３３−１．５１（２Ｈ，ｍ）、　１．
５１−１．６９　（２Ｈ，ｍ）、　　３．６１　（２Ｈ
，ｔ。

Ｊ＝８Ｈｚ）、　　３．９１　（１）１．ｔ、、Ｊ＝２
１Ｈｚ）実施例２６ ［Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニル）カルバモイ
ルメチレンコビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：　＞２５０°Ｃ ＩＲ（スジシール）　　：　　３７００−３０００　　
（ｂｒ）、　　２３００．　１６５０゜１６００、１３
３５．１１００　ａｍ−’ＮＭＲ（Ｃ２０，Ｓ　）　’
　３．３１．　＜１）１．ｔ、Ｊ＝２０Ｈｚ）、７．７
０（４Ｈ，ｓ） 実施例２７ ［Ｎ−（４−メチルチオフェニル モイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点＝２１５°Ｃ（分解〉 ＩＲ　　（スジシール）　　：　　３５００，　　３３
００．　　１５００，　　１３９０，　　１１．７０。

１０６５　ａｍ−’ ＮＭＲ　　（Ｃ２０，ｌ；　　）　　：　２．５　　（
ＩＨ，ｓ）、　４．０９　　＜１８．ｔ。

Ｊ−２１１＋ｚ）、　　７．４　　（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８
．６Ｈｚ）、　　７．５９　　（２Ｈ。

ｄｊ＝８．６Ｈｚ＞ 実施例２８ ［Ｎ−（４−メシルアミノフェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点＝２２５℃（分解） ＩＲ　　（スジシール）　：　　３２００．　　２３５
０，　　１５１０．　　１３２０。

１１５０　ｃｍ−’ ＮＭＲ　（Ｃ２０．８　）　’　３．　１２　（３）１
．ｓ）、４．　０８　（ＬＨ，ｔ。

、Ｃ２０Ｈｚ）、　７．３４および７．６５　（ｅａｃ
ｈ　２Ｈ，ｄ。

Ｊ＝９Ｈｚ　） 実施例２９ ［Ｎ−Ｃ３−メシルアミノフェニル バモイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム
塩 融点：２１２℃〈分解） ＩＲ　　（スジシール）　　：　　３３００，　　２４
００，　　１６２０．　　１３４０，　　１１６０。

１０８０　ｃｍ””’ ＮＭＲ　（Ｃ２０，δ）　：　３．１２　（３）１．ｓ
）、　４．８０　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ＞、７．２２−７．２５　　（ＬＨ，ｂｒ
　ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ＞。

７、４５−７．４９　　（２Ｈ，ｍ＞、　　７．７３　
（ＩＨ，ｂｒ　ｓ）実施例３９ ［Ｎ−（４−アセチルアミノフェニル ルバモイルメチレン］ビス（ホスホン＊）のジナトリウ
ム塩 融点：２１８℃（分解） ＩＲ　　（スジシール）　　：　　３２５０，　　２３
５０，　　１６６０．　　１５１０，　　１４００。

１１４０、　１０６０　ｃｍ−１ ＮＭＲ　（Ｃ２０，８　）　’　２．　１８　（３Ｈ，
ｓ）、　４．　８０　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ−２０）１ｚ）、　７．５０および７．６４　（２Ｈ
，ｄ，Ｊ＝８Ｈｚ＞夫１作丼 ［Ｎ−（３−アセチルアミノフェニル）チオカルバモイ
ルメチレンコビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：２０９°Ｃ（分解） ＩＲ　　（スジシール）　　：　　３２００，　　２３
５０，　　１６７０，　　１６０５，　　１５５０。

＝９２− １１６０、　１０８０　ｃｍ−’ ＮＭＲ　　（Ｃ２０，　　δ　）　　：　　２．１６　
　（３１１，ｓ）、　　４．８０　　（Ｈ（、ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、７．３５−７．５７　（２Ｈ，ｍ）、
７．７６　　（ＨＬｂｒ　ｓ） 製造例２９と同様にして、以下（実施例３２〜３７）の
化合物を得る。

実施例３２ ［（２−ベンゾ［ｂ］チオフェンカルボキサミド）メチ
レン］ビス（ホスボン酸）のビス（第三級ブチルアミン
）塩 融点；　２３４−２３８°Ｃ ＩＲ　　（スジシール）　　：　　３７００−２０５０
　　（ｂｒ）、　　１６４０　　ｃｍ−’ＮＭＲ　（Ｃ
２０，ｌ；　）　’　１．４０　（１８Ｈ，ｓ）、４．
５９　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．４３−７．５８　（２Ｈ，ｍ＞
、　７．９５−８．０８（２８，ｍ）、　８．１１　（
１）１，ｓ）実施例３３ ［（２−キノリンカルボキサミド）メチレン］ビス（ホ
スホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 ＩＲ　　（スジシール）　　：　　３７００−２０００
　　（ｂｒ）、　　１６６０　　ｃｍ−１ＮＭＲ（Ｃ２
０，ｌ；　）　ｊ　１．４６　（２７Ｈ，ｓ）、　４．
６１　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、　　７．７６　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝１１
Ｈｚ＞、　　７．９４　　（１，Ｈ。

ｔ、Ｊ＝１１）＋ｚ＞、　　８．０８　（ＩＨ，ｄ、Ｊ
＝８Ｈｚ）、　　８．２０（２Ｈ，、ｔＪ＝１１Ｈｚ＞
、　　８．５８　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）実施例３４ （ベンゾイルアミノメチレン）ビス（ポスホン酸）のジ
ナトリウム塩 融点：　＞２６０℃ ＮＭＲ（Ｃ２０，８）　：　４．６６　（ＬＨ，ｔ、Ｊ
＝２０Ｈｚ）、　７．２０−７．５０　（３Ｈ，ｍ＞、
　７．８５　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）実施例３５ ［（４−クロロベンゾイルアミン）メチレン］ビス（ホ
スホン酸）のジナトリウム塩 融点：　＞２６０℃ ＮＭＲ（Ｃ２０，δ）　ｉ　４．６５　（ＩＨ，ｔｊ＝
２０Ｈｚ）、　７．５５（２Ｌｄ、Ｊ＝９１（ｚ）、　
７．８３　（２）１．ｄ、Ｊ＝９）＋ｚ＞実施例３６ ［（２−ピリジンカルボキサミド）メチレンコビス（ホ
スホン酸）のジナトリウム塩 融点：　＞３００℃ ＩＲ（スジミール）　　：　　３７００−２３００　　
（ｂｒ）、　　１６７０　　ｃｍ−１ＢＭＲ（Ｃ２０，
δ）　：　４．６４　（ＬＨ，ｔ、、Ｔ＝２０Ｈ２）、
　７．６４−７．７１　　（ＬＨ，ｍ）、　　８．０４
−８．１４　　（２Ｈ，ｍ＞、　　８．６６（ＩＨ，ｄ
Ｊ＝５Ｈｚ） 去】■４打 ［（２−（イミダゾール−４−イル）アセトアミド）メ
チレン］ビス（ポスホン酸） 融点：　２４７−２５０°Ｃ ＮＭＲ（Ｃ２０，ｌ；　　）　　：　３−７７　　（２
Ｈ１ｓ）、　４．５５　　（ＩＨｌｔ。

、Ｃ２１Ｈｚ＞、　７．２４　（ＬＨ，ｓ）、　８．５
１　（１８，ｓ）製造例３５と同様にして、以下（実施
例３８〜４３）の化合物を得る。

実施例３８ （フェニルスルホニルアミノメチレン）ビス（ホスホン
酸） 融点：　２１５−２１６℃ ＮＭＲ（Ｃ２０，δ　＞　　：　　３．９５　　（ＬＨ
，ｔ、Ｊ＝２１Ｈｚ＞、　　７．５０−７．７０　（３
Ｈ，ｍ）、　７．８９　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝１．８Ｈｚ
）実施例３９ （ｌ・シルアミノメチレン）ビス（ホスホン酸）融点：
　２３２−２３３°Ｃ ＮＭＲ（Ｃ２０，δ　）　　ｉ　　３．９８　　（ＩＨ
４，Ｊ＝２１Ｈｚ）、　　７．７８　　および７．４１
　（４Ｈ，ＡＢｑ、Ｊ＝８．１Ｈｚ＞火］α乳す ［（４−クロロフェニル）スルホニルアミノメチレン］
ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩融点：　＞２６０
℃ ＮＭＲ（Ｃ２０１）　：　３．８０　（ＩＨｌ、Ｊ＝２
０Ｈｚ）、　７．５９（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ＞、　７
．８８　（２Ｂ、ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）実施例４１ ［（３，４−ジクロロフェニル）スルホニルアミノメチ
レンコビス（ホスホン酸） 融点ｊ　＞２５０℃ ＩＲ（スジミール）　　：　　３１００．　１３４５．
　１２７０．　１２３０゜１０５０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（Ｃ２０，８）　：　３．７４　（１）１．ｔ、
Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．７０（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ＞
、　７．８０　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ＞、　８．０９
（ＩＨ，ｓ） 実施例４２ ［（２−チェニル）スルホニルアミノメチレン］ビス（
ポスホン酸） 融点：２３１°Ｃ（分解） ＩＲ（スジミール＞　　：　　３５４０．　１３２５．
　１１６５　　ｃｍ−１ＢＭＲ（Ｃ２０，８）　：　３
．９８　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２１Ｈｚ）、　７．１−７．
２（ＩＨ，ｍ＞、　７．７３　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝３．５
Ｈｚ）、　７．７９　（ＩＨ。

ｄ、Ｊ＝５Ｈｚ＞ Ｋ五何郵 ［（８−キノリル）スルホニルアミノメチレン］ビス（
ホスホン酸）のジナトリウム塩融点ｉ　＞２６０℃ ＮＭＲ（Ｃ２０，δ）　：３．６５　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝
１９Ｈｚ）、　７．６１（ＬＨ，ｄＪ＝３．７Ｈｚ）、
　７．６５　（ＩＨ，ｔｊ＝７Ｈｚ＞。

８．１１　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）、　８．４０　（
１８，ｄＪ＝７Ｈｚ＞。

８．４４　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）、　８．９６　（
１）１．ｄ、Ｊ＝３Ｈｚ）Ｋ凰輿Ｍ ［Ｎ−（フェニル）チオカルバモイルメチレンコビス（
ホスホン酸）テトライソプロピル（０，１０１ｇ）（７
）塩化メチレン（４ｍｌｌ）溶液に５℃でヨードトリメ
チルシラン（０，１ｓｍＱ）を一度に加え、室温で３０
分間攪拌した後、水で抽出する。抽出液を塩化メチレン
で洗浄し、溶媒を減圧下、トルエンと共沸留去する。得
られた［Ｎ−（フェニル）チオカルバモイルメチレンコ
ビス（ホスボン酸）を含む残渣をエタノール（２，１ｍ
ｆｌ）に溶解させ、第三級ブチルアミン（０，１１ｍＱ
　）を加える。溶媒を留去し、残渣をエタノールおよび
ジエチルエーテルの混合溶媒で粉末化する。得られた粉
末を水に溶解さ廿、凍結乾燥させて［Ｎ−（フェニル）
チオカルバモイルメチレンコビス（ポスホン酸）のトリ
ス（第三級ブチルアミン）塩（９３ｍｇ）を無色粉末と
して得る。

融点＝１４０℃ ＮＭＲ（Ｃ２０，ｆ；　）　＝１．３５　（２７Ｈ，ｂ
ｒ　ｓ）、　４−０５　（ＩＨ９ｔＪ＝２０Ｈｚ＞、　
７．３−７．７５　＜５Ｈ，ｍ）実施例４４と同様にし
て、以下（実施例４５〜５４）の化合物を得る。

火１−例μ ［Ｎ−（４−クロロフェニル）カルバモイルメチレン］
ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 融点：　２０６−２１０℃ ＩＲ（ヌ九−ル）　　：　　３７００−２０００．　１
６６０．　１５４０．　１１５０゜１０９０、８２５　
Ｃｍ　’ ＮＭＲ（Ｃ２０，８＞　　’　　１．４　　＜２７！（
、ｂｒ　　ｓ）、　　３．２３　　（ＬＨｌｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．４０および７．５０　（４Ｈ，
ＡＢｑ。

Ｊ＝９Ｈｚ　） Ｋ攬久郵 ［Ｎ−（フェニル）カルバモイルコニタン］ヒス（ホス
ポン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 融点：　２０７−２０９°Ｃ ＩＲ（スジョール）　　：　　３７００−２０００．　
１６５０．　１６００．　１１５０゜１１３０、１０６
５．９６０　ｃｍ−’ＮＭＲ（、Ｃ２０，８）　：１．
４０　（２７Ｈ，ｂｒ　ｓ）、　３．２５　（ｌｆ（、
’ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．１５−７．６　（５Ｈ，ｍ）９
９一 実施例４７ ［Ｎ−（４−フルオロフェニル）カルバモイルメチレン
］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）
塩 融点：　２０９−２１１℃ ＩＲ（スジシール）　　：　　３７００−２０００　　
（ｂｒ）、　　１６５０　　ｃｍ−１ＨＭＲ（Ｃ２０，
８＞　：　１．３６　（２７Ｈ，ｓ）、　３．２３　（
ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．１４　（２Ｈ，ｔ、Ｊ−８Ｈｚ
）、　７．５０　（２Ｈ。

ｄｄ、　Ｊ＝８および５Ｈｚ） 実施例４８ ［Ｎ−（３，４−ジクロロフェニル）カルバモイルメチ
レン］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミ
ン）塩 融点：　２１６−２２０℃ ＩＲ（スジ３−ル）　　：　　３６００−２１００　　
（ｂｒ）、　　１６６０　　ａｍ−１ＨＭＲ（Ｃ２０，
δ）’　：　１．３５　（２７Ｈ，ｓ）、　３．３０　
（ＬＨ，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．３８　（ＩＨ，ｄｄ、Ｊ＝９お
よび２Ｈｚ）。

７．５０　（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ）、　７．８１　（
ＩＨ，ｄ、Ｊ＝２Ｈｚ＞実施例４９ ［Ｎ−（ｐ−トリル）カルバモイル、メチレンコビス（
ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩 融点：　２２１−２３０℃ ＩＲ（スジョール）　　：　　３７００−２０００　　
（ｂｒ）、　　１６５５　　ｃｍ　　’ＮＭＲ（Ｃ２０
，ｆ；　　）　　’　　１．３６　　（２７Ｈ，ｓ）、
　　２．３２　　（３Ｈ，ｓ）。

３．２７　（１）１．ｔ、Ｊ＝２０Ｈ２）、　７．２５
　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）。

７．４０　（２０，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ） 実施例５０ ［Ｎ−（４−メトキシフェニル）カルバモイルメチレン
］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）
塩 融点：　２１４−２２０℃ ＩＲ（スジョール＞　　：　　３７００−２３００　　
（ｂｒ）、　　１６５０　　ａｍ−１ＨＭＲ（Ｃ２０，
δ）　：１．３７　（２７Ｈ，ｓ）、　３．２７　（Ｉ
Ｈ，ｔ。

、Ｃ２０）１ｚ）、　３．８５　（３Ｈ，ｓ）、　７．
０２　（２８，ｄ。

Ｊ＝８）１ｚ）、　７．４５　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ
＞実施例５１ １−［Ｎ−（４−１０口フエニル）カルバモイルコニタ
ン−１，１−ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチ
ルアミン）塩 融点ｉ　２３７−２３９℃ ＩＲ（ヌンヨール）　　：　　３７００−２０００　　
（ｂｒ）、　　１６５０　　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｄ２０．
ｆ；　）　’　１．３６　（２７Ｈ１ｓ）、１．５６　
（３Ｈ９ｔ。

Ｊ−１４１（ｚ＞、　　７．３８　（２！（、ｄ、Ｊ＝
８）１ｚ）、　　７．５０　（２Ｈ。

ｃｉ、Ｊ＝ｓｕｚ） 衷１■」煕 ［Ｎ−（４−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ン］ビス（ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン
）塩 融点：２０６−２０８℃ ＮＭＲ（Ｄ２０，８　）　：１．３４　（２７Ｈ１ｍ＞
、４．０８　（ＩＨｌｔ。

Ｊ＝２２Ｈｚ）、　７．４７および７．６０　（４Ｈ，
ＡＢｑ。

Ｊ＝８Ｈｚ　） 実施例５３ ［Ｎ−（１−ナフチル）チオカルバモイルメチレン アミン）塩 融点：１６０°Ｃ（分解） ’　ＮＭＲ　（Ｄ２０．　８）　：　１．３５　（１８
Ｈ．ｓ）、　４．２４　（ＬＨ，ｔ−。

Ｊ：２２Ｈｚ）、　７．６０−８．２３　（７Ｈ，ｍ＞
火１１Ｍ１部 （Ｎ−メチル力ルバモイルメブルン）ビス（ポスポン酸
）のビス（第三級ブチルアミン）塩融点：２２９°Ｃ（
分解） ＩＲ　　（ヌ九−ル）　　’　　３６００−２０００．
　　１６４５．　　１１５０　　ａｍ−’ＮＭＲ　（Ｄ
２０．　８　）　’　１．　３６　（１８Ｈ，ｓ）、２
，７９　（３Ｈ−ｓ）。

３、２２　（ＬＨ，ｔＪ＝２１Ｈｚ＞ 火簾典堕 ［Ｎ−（３−トリフルオロメチルフェニル）チオカルバ
モイルメチレンツヒス（ホスポン酸）テトライソプロピ
ル（２ｇ）の塩化メチレン（３６ｍＱ　）溶液に０℃で
ヨードトリメチルシラン（２．　８６ｍρ）を加え、同
温で４時間攪拌する。反応混合物に水（　４０ｍＱ　）
を加え、水層を分取して塩化メチレンで４回洗浄した後
、濃縮する。残渣をアセ］・ニトリル（　３０ｍＱ　）
に溶解許せ、第三級ブチルアミン（５３４ｍｇ）を加え
る。生成した沈殿を濾取し、？ａ液に更に第三級ブチル
アミン（５３４ｍｇ）を加える。生成した沈殿を濾取し
、先の沈殿と合わせて、ダウエックス（　Ｄｏｗｅｘ　
）　５０ｗＸ　８　（　Ｈ＋型、５ｍＱ　）　（商標：
ダウケミカル社製）のカラムクロマトグラフィーに付し
て水で溶出する。溶出液を濃縮し、得られた［Ｎ−（３
−１−リフルオロメチルフェニル）チオカルバモイルメ
チレンコヒス（ホスポン酸）を含む残渣を水（　２Ｑｍ
Ｑ　）に溶解許せ、酢酸ナトリウム（　２６６ｍｇ　）
を加える。混合物を６０℃で２０分間攪拌した後、エタ
ノールを加えなから１００°Ｃに加熱する。混合物を冷
却後生成した沈殿物を濾取し、減圧下乾燥許せて［Ｎ−
（３−トリフルオロメチルフェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ポスポン酸）のジナトリウム塩（　５
４４ｍｇ）を得る。

融点＝２１８°Ｃ（分解） ＩＲ　　（スジョール）　　ｊ　　３３００，　　１６
００，　　１４１０．　　１１７０，　　１１３０。

１０７０、　８９０　ｃｍ−１ ＮＭＲ　（Ｄ２０．８　）　’　４．　２１　（ＩＨ，
ｔ，Ｊ＝２０Ｈｚ＞、７．　６０−７、７７　　（２Ｈ
，ｍ）、　　７．８２　　（ＬＨ，ｍ＞、　　８．１０
　　（ＬＨ，ｓ）実施例５５と同様にして、以下（実施
例５６〜７４）の化合物を得る。

１０４一 実施例５６ ［Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニル）チオカルバ
モイルメチレンコビス（ホスホンｍ）のジナトリウム塩 融点＝２１８℃（分解） Ｔ．Ｒ（スジシール）　　：　３２６０．　　１６１０
．　　１４２５，　　１４００，　　１３３５。

１１、７０．　１０６５　ｃｍ”” ＮＭＲ　（Ｄ２０，８　）　’　４．　１１　（ＩＨ，
ｔ−、Ｊ＝２０．７Ｈｚ）、７．　８０および７．８８
　（４Ｈ，ＡＢｑ．Ｊ＝８．８Ｈｚ＞実施例５７ ［Ｎ−（３−クロロフェニル）チオカルバモイルメチレ
ンコビス（ホスポン酸）のジナトリウム塩 融点；　２２４”Ｃ（分解） ＩＲ　　（ｘ九−ｘ）　　：　　３３００．　　３２０
０，　　２３５０．　　１５９５，　　１４００。

１２５５、　１２００，　１１７０．　１０９０　ｃｍ
−ＩＮＭＲ　（Ｄ２０，δ）　：　４．１２　（ＩＨ，
ｔ，Ｊ：２０Ｈｚ＞、　７．３１−７、５６　　（３Ｈ
．ｍ）、　　７．８８　　（ＬＨ，ｓ）害ＪＩＬ競 ［Ｎ−（２−’／ロロフエニル）テオカルバモイルメチ
レン］ビス（７４、スホン酸）のシナＩ・リウム塩 融点：　２５５−２５７°Ｃ〈分解） ＩＲ（スジョール）　　’　　３７００−２４００　　
（ｂｒ）、　　１５９０．　１１５０゜１１２０　ｃｍ
−’ 実施例５９ ［Ｎ−（４−フルオロフェニル）チオカルバモイルメチ
レン］ビス（ホスホン酸）のシナ（・リウム塩 融点：　２４７−２４９″’ｃ（分解）゛　　　ＩＲ（
スジョール）　　：　　３７００−２３００　　（ｂｒ
）、　　１２２０゜１０９０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（Ｄ２０．δ）　：　４．１０　（ＩＨ，ｔｊ＝
２１Ｈｚ）、　７．２１（２Ｈ，ｔ、Ｊ＝９Ｈ２）、　
７．５８　（２Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝９および５Ｈｚ） 実施例６０ ［Ｎ−（ｐ−１□リル）チオカルバモイルメチレンコビ
ス（ホスホン酸）のジナトリウム塩融点：　２５５−２
５８℃（分解） ＩＲ（ヌ九−ル）　　’　　３７００−２３００　　（
ｂｒ、）、　　１５２０゜１１５０　ｃｍ”” ＮＭＲ（Ｄ２０．δ）　：　２．３７　（３Ｈ，ｓ）、
　４．０４　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．３２および７．５２　（２Ｈ，
ｄｄ、Ｊ−８Ｈｚ）実施例６１ ［Ｎ−（２−メトキシフェニル）チオカルバモイルメチ
レン］ビス（ホスボン酸）のジナトリウム塩 融点：　２２７”Ｃ（分解） ＩＲ（スジョール’）　　：　　３６０５．　３３５０
．　１６００．　１５４０．　１，４００゜１２４０、
１１６０．１．０５０　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｄ２０．Ｅ　
）　’　３．９０　（３Ｈ１ｓ）、４．０９　（ＩＨｌ
ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．０３−７．１９　（２Ｂ、ｍ＞
、　７．３７　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ−８Ｈｚ）、　８．１．４　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ
＞実施例６２ ［Ｎ−（３，４−ジクロロフェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：　２４８−２５０℃〈分解） ＩＲ（スジョール）　　’　　３７００−２３００　　
（ｂｒ）、　　１１９０゜１０９０　ｃｍ−’ ７−Ｎ　（Ｄ２０．ｌ；　）　’　４．０３　（ＩＨ１
ｔＪ＝２０Ｈｚ＞、７．５３−７．６４　　（２Ｈ，ｍ
）、　　８．０３　（ＬＨ，ｓ）実施例６３ ［Ｎ−（２−ピリジル）カルバモイルメチレンコビス（
ホスホン酸）のジナトリウム塩融点：　＞３００℃ ＩＲ（スジョール）　　：　　３７００−２１００　　
（ｂｒ）、　　１６７５　　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｄ２０．
ｌ；　）　’　３．４７　（ＩＨｌｔ、Ｊ＝２０Ｈｚ）
、７．２７（１）１．ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ）、　７．８３　
（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）、　７．９５（１Ｂ、ｔ、Ｊ
−８Ｈｚ）、　８．２９　（１）１．ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ）
Ｋ鳳■倶 ［Ｎ−（２−ベンゾ［ｂ］チェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ボスホン酸）のジナトリウム塩 融点ｊ　＞２８０℃ ＩＲ（スジョール）　　：　　３７００−２３００　　
（ｂｒ）、　　１４６０．　１４１０゜１２３０、１１
６０　ｃｍ−’ ＮＭＲ、（Ｄ２０．δ）　ｉ　４．０２　（１Ｂ、ｔ、
Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．３５−７．４７　（２Ｈ，ｍ）
、　７．４５　（ＬＨ，ｓ）、　７．８５　（ＬＨ，ｄ
。

Ｊ＝１１Ｈｚ＞、　７．９７　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝１５Ｈ
ｚ）４０８一 実施例６５ ［Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニル）チオカルバ
モイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：２１２°Ｃ〈分解） ＩＲ（ヌ九−ル）　　：　　３２５０．　２４００．　
１５３０．　１４１０．　１３２０゜１１５０、１０６
０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（Ｄ２０，８　）　’　４．１６　（ＩＨｌｔ、
Ｊ＝２１Ｈｚ）、７．５２−７．６０　（ＬＨ，ｍ）、
　７．６５−７．７６　（２Ｈ，ｍ）、　７．８３（Ｉ
Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ） 実施例６６ ［Ｎ−（４−クロロ−３−トリフルオロメチルフェニル
）チオカルバモイルメチレン］ヒス（ホスホン酸）のジ
ナトリウム塩 融点：２４５°Ｃ（分解） ＩＲ（スジョール）　　：　　３３５０．　３２００、
１６２０．　１５６０．　１４８５゜１４１５、１３２
０　ｃｍ−’ ＮＭＲ（Ｄ２０．δ）　：　４．００　（ＩＨ，ｔ、Ｊ
＝２０Ｈｚ＞、　７．６８（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ＞、
　７．８８　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ）、　８．２９（
ＬＨ，ｓ） 実施例６７ ［Ｎ−（４−メ）・キシ−３−（・リフルオロメチルフ
ェニル）チオカルバモイルメチレン（ホスホン酸）のジ
ナトリウム塩 融点：　２４９−２５２″’ｃ（分解〉ＩＲ　　（スジ
うール）　　：　　３２５０，　　２３５０．　　１５
０５，　　１３２５，　　１２８０。

１１３０　ａｍ−１ ＮＭＲ　（Ｃ２０，δ）　：　４．０５　（ＩＨ，ｔ，
Ｊ＝２０）１ｚ）、　７．２８（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ
＞、　７．７７　（ＩＨ．ｄ，Ｊ＝９Ｈｚ）、　７．９
７（１ｕ，ａ，Ｊ＝２Ｈｚ＞ 実施例６８ ［Ｎ−（ｎ−ブチル）チオカルバモイルメチレンコビス
（ホスボン酸）のジナトリウム塩融点：　＞２５０℃ ＩＲ　　（スジヲール）　　：　　３５００，　　３２
５０，　　１５６０．　　１２８０，　　１１８０。

１０６５　ｃｍ’ ＩＪＭＲ　（Ｃ２０，δ）　：　０．９４　（３Ｈ．ｔ
Ｊ＝７Ｈｚ＞、　１．３３−１．、５１（２）１．ｍ＞
、　１．５１−１．６９　（２Ｈ．ｍ＞、　３．６１　
（２Ｂ，ｔ。

Ｊ＝８Ｈｚ）、　３．９１　（ＬＨ．ｔ，Ｊ＝２］．Ｈ
ｚ）実施例６９ ［Ｎ−（４−ｈリフルオロメチルフェニル）カルバモイ
ルメチレン］ビス（ホスボン酸）のジナトリウム塩 融点ｉ　＞２５０℃ Ｔ．Ｒ（スジョール）　　：　　３７００−３０００　
　（ｂｒ）、　　２３００，　　１６５０。

１６００、　１３３５．　１１００　ｃｍ−’ＮＭＲ　
（Ｃ２０，ｌ；　）　’　３．　３１　（ＬＨ．ｔ，Ｊ
＝２０Ｈｚ＞、　７−　７０（４Ｈ．ｓ） 実施例７０ ［Ｎ−（４−メチルチオフェニル）チオカルバモイルメ
チレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩 融点：　２１５”Ｃ（分解） ＩＲ　　（スジ？−ル）　　：　　３５００．　　３３
００，　　１５００，　　１３９０，　　１１７０。

１０６５　ｃｍ−１ ＮＭＲ　（Ｃ２０，８　）　’　２．　５　（ＬＨ，ｓ
）、４．　０９　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２１Ｈｚ）、　７．４　（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．６Ｈ
ｚ）、　７．５９　（２Ｈ。

ｄ，　Ｊ＝８．　６Ｈｚ　） 火１ｄ汁ｎ ［Ｎ−（４−メシルアミノフェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ポスホン酸）のジナトリウム塩 融点：２２５℃（分解） ＩＲ　　（ヌ九−ル）　　：　　３２００，　　２３５
０．　　１５１０，　　１３２０。

１１５０　ａｍ’ ＮＭＲ　（Ｃ２０，ｌ；　）　：３．１２　（３Ｈ．ｓ
）、４．０８　（ＩＨ．ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．３４および７．６５　（ｅａｃ
ｈ　２Ｈ，ｄ。

、Ｃ９Ｈｚ） 実施例７２ ［Ｎ−（３−メシルアミノフェニル）チオカルバモイル
メチレン］ビス（ボスホン酸）のジナトリウム塩 融点＝２１２℃（分解） ＩＲ　　（スジラール’Ｉ　　：　　３３００，　　２
４００．　　１６２０．　　１３４０．　　１１．６０
。

１０８０　ｃｍ−１ ＮＭＲ　　（Ｃ２０，８　　）　　’　　３．１２　　
（３Ｈ，ｓ）、　４．８０　　（ＩＨ，ｔ。

Ｊ＝２（ｌＨｚ＞、　７．２２−７．２５　（ＩＨ．ｂ
ｒ　ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ）。

７、４５−７．４９　（２Ｈ．ｍ）、　７．７３　（Ｉ
Ｈ，ｂｒ　ｓ）１１２一 実施例７３ ［Ｎ−（４−アセチルアミノフェニル）チオカルバモイ
ルメチレンコビス（ホスボン酸）のジナトリウム塩 融点：２１８℃（分解） ＩＲ　　（スジョール）　　：　　３２５０．　　２３
５０，　　１６６０，　　１５１０，　　１４００。

１１４０、　１０６０　ｃｍ−１ ＮＭＲ　（Ｃ２０，８　）　：２．　１８　（３）１．
ｓ）、　４．　８０　（１８．ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．５０および７．６４　（２）１
，ｄ．Ｊ＝８Ｈｚ）実施例７４ ［Ｎ−（３−アセチルアミノフェニル ルバモイルメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウ
ム塩 融点＝２０９℃（分解） ＩＲ　　（スジョール）　　：　　３２００，　　２３
５０，　　１６７０．　　１６０５、　１５５０。

１１６０、　１０８０　ｃｍ−’ ＮＭＲ　（Ｃ２０，８　）　：２．　１６　（３Ｈ．ｓ
）、　４−８０　（ＬＨ．ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．３５−７．５７　（２Ｈ，ｍ＞
、　７．７６　（ＩＨ。

ｂｒｓ） 実施例７５ ［Ｎ−（フェニル）チオカルバモイルメチレン］ビス（
ホスホン酸）のトリス（第三級ブチルアミン）塩（９，
０７ｇ）をダウエックス（Ｄｏｗｅｘ　）５０ｗＸ　８
　（Ｈ＋型、７６ｍｐ　）のカラムク０７トグラフイー
に何して水で溶出する。溶出液を濃縮して、［Ｎ−（フ
ェニル）チオカルバモイルメチレン］ビス（ホスホン酸
）を含む残渣を得る。得られた残渣を水に溶解させ、酢
酸ナトリウ１１の１Ｍ水溶液（３４，２ｍＲ）に加え、
混合物を３０分間攪拌する。エタノール（ｔ６ｏｍａ　
）を加えた後、加熱して沈殿物を生成させる。混合物を
冷却し、生成した沈殿物を濾取して、［Ｎ−（フェニル
）チオカルバモイルメチレン］ビス（ホスポン酸）のジ
ナトリウム塩（６，０７ｇ）を得る。

融点：２１６℃（分解） ＩＲ（スジシール）　　：　　３５００．　３３００．
　１５０５．　１１７５．　１１４５゜９２０　ｃｍ’ ＮＭＲ（Ｄ２０．δ）　ｉ　４．１０　（ＩＨ，ｔ、Ｊ
−２１Ｈｚ＞、　７．３−７．７５（５Ｈ，ｍ＞ 実施例７６ ［（２−ベンゾ［ｂコチオフェンカルボキザミド）メチ
レン］ビス（ポスホン酸）テトラエチル（４６３ｍｇ）
の塩化メチレン（２ｍＱ）溶液に５°Ｃでヨード）・リ
メチルシラン（１ｍＱ）を一度に加える。混合物を５°
Ｃで１時間攪拌し、２日間冷蔵庫中で放置した後、室温
で１時間攪拌する。反応混合物を水で抽出し、抽出液を
塩化メチレンおよびジエチルエーテルで洗浄した後、減
圧濃縮する。

残渣を水に溶解させ、第三級ブチルアミン（１８３ｍｇ
）を加え、凍結乾燥さゼて、［（２−ベンゾ［ｂ］チオ
フェンカルボキサミド）メチレン］ビス（ホスホン酸）
のビス（第三級ブチルアミン）塩（２７７ｍｇ）を白色
粉末として得る。

融点：　２３４−２３８’Ｃ ＩＲ（スジシール）　　ｉ　　３７００−２０５０　　
（ｂｒ）、　　１６４０　　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｄ２０．
δ）　：　１．４０　（１８Ｈ，ｓ）、　４．５９　（
１８，ｔ。

Ｊ＝２０Ｈｚ）、　７．４３−７．５８　（２Ｈ，ｍ＞
、　７．９５−８．０８（２Ｈ，ｍ＞、　８．１１　（
ＬＨ，ｓ）１１５一 実施例７７ 実施例７６と同様にして、［（２−キノリン力ルポキザ
ミド）メチレンコビス（ホスホン酸）のトリス（第三級
ブチルアミン）塩を得る。

ＩＲ（スジシール）　　：　　３７００−２０００　　
（ｂｒ）、　　１６６０　　ｃｍ−１ＢＭＲ（Ｄ２０．
Ｓ　）　’　１．４６　（２７Ｈ９ｓ）、４．６１．　
（ＬＨｌｔ。

Ｊ−２０Ｈｚ＞、　７．７６　（ＬＨ，ｔｊ＝１１Ｈｚ
）、　７．９４　（ＩＨ。

ｔ、Ｊ＝１１Ｈｚ）、　８．０８　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８
Ｈｚ）、　８．２０（２Ｈ，ｔ、Ｊ４１Ｈｚ）、　８．
５８　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）実施例７８ 実施例７６と同様にして、［（２−ピリジンカルボキサ
ミド）メチレンコビス（ホスホン酸）を得る。

融点：２７７℃（分解） ＩＲ（スジシール）　　：　　３１５０．　１６７０．
　１６４０．　１６１５　　ａｍ−’ＮＭＲ（ＤＭＳＯ
−ｄ６．δ）　：　４．６０　（ＩＨ，ｔｄ、Ｊ＝２０
および１０Ｈｚ＞、　７．６３−７．７０　（ＩＨ，ｍ
＞、　８．００−８．１０（ＩＨ，ｍ＞、　８．３７　
（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝１０ｔ（ｚ）、　８．７０　（ＩＨ。

ｂｒ　ｄ、Ｊ＝５Ｈｚ） ［（２−ピリジンカルボキサミド）メチレン］ビス（ホ
スポン酸）　（１８０ｍｇ　）および酢酸ナトリウム三
水和物（１６５ｍｇ）の水（２ｍＱ）中温合物を室温で
３０分間攪拌した後濾過する。濾液にエタノール（６ｍ
Ｑ）を加え、加熱して不溶物を濾去する。濾液を放置し
、析出した結晶を濾取して、［（２−ピリジンカルボキ
サミド）メテレンコビス（ホスポン酸）のジナトリウム
塩（１３１ｍｇ）を白色粉末として得る。

融点：　＞３００℃ ＩＲ（ヌ九−ル）　　：　　３７００−２３００　　（
ｂｒ）、　　１６７０　　ｃｍ−’ＮＭＲ（Ｄ２０．δ
）　：　４．６４　（１Ｂ、ｔ、ｃ２０Ｈｚ）、　７．
６４−７．７１．　（ＩＨ，ｍ）、　８．０４−８．１
４　（２Ｈ，＋ｎ）、　８．６６（１）１．ｄＪ＝５Ｈ
２） 実施例７８と同様にして、以下（実施例７９および８０
）の化合物を得る。

実施例７９ （ベンゾイルアミノメチレン）ヒス（ホスホン酸）のジ
ナトリウム塩 融点：　＞２６０℃ ＮＭＲ（Ｄ２０，８　　）　　’　　４．６６　　（Ｉ
Ｈ，ｔｊ＝２０Ｈｚ）、　？−２０−７，５０（３Ｈ，
ｍ）、　　７．８５　　（２８，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）実施
例８０ ［（４−クロロベンゾイルアミノ）メチレン］ビス（ホ
スホン酸）のジナトリウム塩 融点ｉ　＞２６０℃ ＮＭＲ（Ｄ２０．δ）　：　４．６５　（ＬＨ，ｔｊ＝
２０Ｈｚ）、　７．５５（２Ｈ，ｄＪ＝９Ｈｚ）、　７
．８３　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ）実施例８１ ［（２−（１−（第三級ブトキシカルボニル）イミダゾ
ール−４−イル）アセトアミド］メチレン］ビス（ポス
ポン酸）テ］・ラエチル（６７ｍｇ）の塩化メチレン（
１ｍｌｌ）溶液に、窒素気流中氷水浴下で攪拌しながら
ヨードトリメチルシラン（０，１２ｎＱ　）を滴下する
。混合物を同条件下で１時間、更に室温で２時間攪拌す
る。水冷下撹拌しながら、水（１ｍＱ）を反応混合物に
加え、１５分間攪拌する。水（４ｍＱ　）およびクロロ
ホルム（４１ｎＱ）を加え、水層を分取し、クロロホル
ム（５ｍＱ）で４回洗浄した後、減圧濃縮して黄色油状
物（７０ｍｇ　）を得る。得られた油状物を水（０，５
ｍＱ）に溶解さＵ−１室温で３時間攪拌して白色沈殿物
を得、濾取する。残渣を冷水（１ｍＱ）で洗浄して［（
２−（イミダゾール−４−イル）アセトアミド）メチレ
ン］ビス（ホスホン酸）（２０ｍｇ）の白色粉末を得る
。

融点：　２４７−２５０℃ ＮＭＲ（Ｄ２０−　８　　）　　’　　３．７７　　（
２Ｈ９ｓ）、　４．５５　　（ＩＨｌｔ。

Ｊ＝２１Ｈｚ）、　７．２４　（１１，ｓ）、　８．５
１　（ＩＨ，ｓ）実施例８２ （フェニルスルホニルアミノメチレン）ビス（ホスホン
酸）テトラエチル（４００ｍｇ）の塩化メチレン（４ｍ
Ｑ）溶液に、窒素気流中氷水浴下で攪拌しながらヨード
トリメチルシラン（Ｑ、３ｍＱ）を滴下し同温で３０分
間、更に室温で１．５時間攪拌する。水冷下、反応混合
物に水（１ｏｍＱ）およびクロロホルム（３ｍＱ）を加
える。水層を分取し、クロ１コポルムで洗浄し、減圧濃
縮する。得られた残渣をエタノールで洗浄して（フェニ
ルスルホニルアミノメチレン）ビス（ホスホン酸）　（
１９４ｍｇ）の−１，１９− 白色粉末を得る。

融点：　２１５−２１６℃ ＮＭＲ（Ｄ２０．δ）　：　３．９５　（ＩＮ、ｔ、Ｊ
＝２１Ｈ７＞、　７．５０−７．７０　（３Ｈ，ｍ＞、
　７．８９　＜ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝１．８Ｈｚ）実施例８
２と同様にして、以下（実施例８３〜８６）の化合物を
得る。

実施例８３ （トシルアミノメチレン〕ビス（ホスホン酸〕融点：　
２３２−２３３″′Ｃ ＮＭＲ（Ｄ２０．８）　：　３．９８　（ＩＨ，ｔ、Ｊ
＝２１Ｈｚ）、　７．７８および７．４１　（４Ｈ，Ａ
Ｂｑ、Ｊ４．ＩＨｚ）火ｈグ復 ［（４−クロロフェニル）スルホニルアミノメチレン］
ビス（ボスホン酸） 融点：　２５５−２５６°Ｃ（分解） ＮＭＲ（Ｄ２ＣＬδ）　：　３．９４　（ＬＨ，ｔ、Ｊ
＝２２Ｈｚ＞、７．６０（２）１．ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）、
　７．８８　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ）実施例７８と同
様にして、［（４−クロロフェニル）スルホニルアミノ
メチレン］ヒス（ホスボン酸）および酢酸ナトリウム三
水和物から、［（４一クロロフェニル）スルホニルアミ
ノメチレン］ビス（ボスホン酸）のジナトリウム塩を得
る。

融点：＞２６０℃ ＮＭＲ（Ｄ２０．ｌ；　）　’　３．８０　（１，）Ｉ
、ｔ、Ｊ−２０Ｈｚ）、７．５９（２Ｈ’、ｄ、Ｊ＝８
Ｈｚ＞、　７．８８　（２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８Ｈｚ＞実施例
８５ ［（Ｓ、ａ−ジクロロフェニル）スルホニルアミノメデ
レンコビス（ホスホン酸） 融点：　＞２５０℃ ＩＲ（スジシール）　；　　３１００．　１３４５．　
１２７０．　１２３０゜１０５０　ｃｍ−” ＮＭＲ（［）２０．δ）　：　３．７４　（ＩＨ，ｔ、
Ｊ＝２０Ｈｚ＞、　７．７０（ＩＨ，ｄ、、Ｔ−９Ｈｚ
）、　７．８０　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝９Ｈｚ＞、　８．０
９（ＬＨ，ｓ） 実施例８６ ［（２−チェニル）スルホニルアミノメチレン］ビス（
ホスホン酸） 融点：２３１℃（分解） ＩＲ（フジ１−ル）　　：　　３５４０．　１３２５．
　１１６５　　ｃｍ　　’ＮＭＲ（Ｄ２０．８　）　：
　３．９８　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝２１Ｈｚ＞、　７．１−
７．２（］、Ｈ，ｍ＞、　　７．７３　（ＩＨ，ｄ、Ｊ
＝３．５Ｈｚ＞、　　７．７９　（１１゜ｄＪ＝５Ｈｚ
） 実施例８７ 実施例８４と同様にして、［（８−キノリル）スルホニ
ルアミノメチレン］ビス（ホスホン酸）のジナトリウム
塩を得る。

融点：　＞２６０℃ ＮＭＲ（Ｄ２０．８　）　’　３．６５　（ＩＨｌｔ、
Ｊ＝１９Ｈｚ＞、７．６１（ＬＨ，Ｊ　ｄ、Ｊ＝３．７
Ｈ７）、　７．６５　（ＩＨ，ｔ、Ｊ＝７Ｈｚ）。

８．１１　（ＩＪ（、ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）、　８．４０　
（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）。

８．４４　（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝７Ｈｚ）、　８．９６　（
１Ｂ、ｄ、、Ｃ３Ｈｚ）會

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１−Ａ−は式 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼またはＲ＾１−ＳＯ＿２−ＮＨ−（式
   中、Ｒ＾１は低級アルキル、低級アルコキシ、低級アル
   キルチオ、ハロ（低級）アルキル、アシル、アシルアミ
   ノおよびハロゲンからなる群より選択された置換基で置
   換されていてもよいアリール基もしくは複素環基、また
   はアシルを有していてもよい複素環基で置換されていて
   もよい低級アルキル基、 ＸはＯまたはＳをそれぞれ意味する）で示される基、 Ｒ＾２は水素または低級アルキル基をそれぞれ意味し、 Ｒ＾１が非置換の低級アルキル基の場合は、Ｒ＾１−Ａ
   −は式 ▲数式、化学式、表等があります▼またはＲ＾１−ＳＯ
   ＿２−ＮＨ− （式中、Ｒ＾１およびＸはそれぞれ前と同じ意味）で示
   される基である］ で示されるジホスホン酸化合物およびその塩。
2. （２）Ｒ＾１が低級アルキル、低級アルコキシ、低級ア
   ルキルチオ、ハロ（低級）アルキル、低級アルコキシカ
   ルボニル、低級アルカノイルアミノ、低級アルキルスル
   ホニルアミノおよびハロゲンからなる群より選択された
   置換基で置換されていてもよいフェニル基、ナフチル基
   、ピリジル基、イミダゾリル基、チエニル基、キノリル
   基、ベンゾチエニル基もしくはベンゾチアゾリル基、ま
   たは低級アルコキシカルボニルを有していてもよいイミ
   ダゾリルで置換されていてもよい低級アルキル基である
   特許請求の範囲第１項記載の化合物。
3. （３）Ｒ＾１−Ａ−が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１は、フェニル基、ナフチル基、低級アル
   キルフェニル基、低級アルコキシフェニル基、低級アル
   キルチオフェニル基、モノ−またはジハロフェニル基、
   ハロ（低級）アルキルフェニル基、低級アルカノイルア
   ミノフェニル基、低級アルキルスルホニルアミノフェニ
   ル基、ハロゲンおよびハロ（低級）アルキルで置換され
   たフェニル基、低級アルコキシおよびハロ（低級）アル
   キルで置換されたフェニル基、ピリジル基、ベンゾ［ｂ
   ］チエニル基または低級アルキル基、Ｘは、ＯまたはＳ
   をそれぞれ意味する）で示される基、Ｒ＾２が水素であ
   る特許請求の範囲第２項記載の化合物。
4. （４）Ｒ＾１がフェニル基、モノハロフェニル基、モノ
   ［ハロ（低級）アルキル］フェニル基またはモノ（低級
   ）アルキルスルホニルアミノフェニル基である特許請求
   の範囲第３項記載の化合物。
5. （５）［Ｎ−（フェニル）チオカルバモイルメチレン］
   ビス（ホスホン酸）のジナトリウム塩である特許請求の
   範囲第４項記載の化合物。
6. （６）Ｒ＾１−Ａ−が式 ▲数式、化学式、表等があります▼で示される基 である特許請求の範囲第２項記載の化合物。
7. （７）Ｒ＾１−Ａ−が式 Ｒ＾１−ＳＯ＿２−ＮＨ−で示される基 である特許請求の範囲第２項記載の化合物。
8. （８）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１−Ａ−は式 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼またはＲ＾１−ＳＯ＿２−ＮＨ−（式
   中、Ｒ＾１は低級アルキル、低級アルコキシ、低級アル
   キルチオ、ハロ（低級）アルキル、アシル、アシルアミ
   ノおよびハロゲンからなる群より選択された置換基で置
   換されていてもよいアリール基もしくは複素環基、また
   はアシルを有していてもよい複素環基で置換されていて
   もよい低級アルキル基、 ＸはＯまたはＳをそれぞれ意味する）で示される基、 Ｒ＾２は水素または低級アルキル基をそれぞれ意味し、 Ｒ＾１が非置換の低級アルキル基の場合は、Ｒ＾１−Ａ
   −は式 ▲数式、化学式、表等があります▼またはＲ＾１−ＳＯ
   ＿２−ＮＨ− （式中、Ｒ＾１およびＸはそれぞれ前と同じ意味）で示
   される基である］ で示されるジホスホン酸化合物またはその塩の製造法に
   おいて （イ）式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾２は水素または低級アルキル基を意味する
   ］ で示される化合物またはその塩に式 Ｒ＾１−ＮＣＸ ［式中、Ｒ＾１は低級アルキル、低級アルコキシ、低級
   アルキルチオ、ハロ（低級）アルキル、アシル、アシル
   アミノおよびハロゲンからなる群より選択された置換基
   で置換されていてもよいアリール基もしくは複素環基、
   またはアシルを有していてもよい複素環基で置換されて
   いてもよい低級アルキル基、 ＸはＯまたはＳをそれぞれ意味する］ で示される化合物もしくはその均等物またはそれらの塩
   を反応させて式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＸはそれぞれ前と同じ意
   味］ で示されるジホスホン酸化合物またはその塩を得るかま
   たは （ロ）式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾２は前と同じ意味］ で示される化合物もしくはそのアミノ基における反応性
   誘導体またはそれらの塩に式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１は前と同じ意味］ で示される化合物もしくはそのカルボキシ基における反
   応性誘導体またはそれらの塩を反応させて式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ前と同じ意味］
   で示されるジホスホン酸化合物またはその塩を得るかま
   たは （ハ）式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾２は前と同じ意味］ で示される化合物もしくはそのアミノ基における反応性
   誘導体またはそれらの塩に式 Ｒ＾１−ＳＯ＿−ＯＨ ［式中、Ｒ＾１は前と同じ意味］ で示される化合物もしくはそのスルホ基における反応性
   誘導体またはそれらの塩を反応させて式▲数式、化学式
   、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１およびＲ＾２はそれぞれ前と同じ意味］
   で示されるジホスホン酸化合物またはその塩を得るかま
   たは （ニ）式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１−Ａ−は式 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼ （式中、Ｒ＾１およびＸはそれぞれ前と同じ意味）で示
   される基、 Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５およびＲ＾６はそれぞれ保護さ
   れたヒドロキシ基を意味し、 Ｒ＾２は前と同じ意味である］ で示される化合物またはその塩をヒドロキシ保護基の脱
   離反応に付して式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１−Ａ−およびＲ＾２はそれぞれ前と同じ
   意味］ で示されるジホスホン酸化合物またはその塩を得ること
   を特徴とするジホスホン酸化合物またはその塩の製造法
   。
9. （９）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１−Ａ−は式 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼またはＲ＾１−ＳＯ＿２−ＮＨ−（式
   中、Ｒ＾１は低級アルキル、低級アルコキシ、低級アル
   キルチオ、ハロ（低級）アルキル、アシル、アシルアミ
   ノおよびハロゲンからなる群より選択された置換基で置
   換されていてもよいアリール基もしくは複素環基、また
   はアシルを有していてもよい複素環基で置換されていて
   もよい低級アルキル基、 ＸはＯまたはＳをそれぞれ意味する）で示される基、 Ｒ＾２は水素または低級アルキル基をそれぞれ意味し、 Ｒ＾１が非置換の低級アルキル基の場合は、Ｒ＾１−Ａ
   −は式 ▲数式、化学式、表等があります▼またはＲ＾１−ＳＯ
   ＿２−ＮＨ− （式中、Ｒ＾１およびＸはそれぞれ前と同じ意味）で示
   される基である］ で示されるジホスホン酸化合物またはその塩を有効成分
   として含有する骨代謝改善剤。